JP2652344B2 - シリコンウエーハ - Google Patents
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はシリコンウエーハに関
するものである。
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体用のシリコン単結晶において、結
晶欠陥を低減するために種々の処理が行なわれている。
例えば、そのような結晶欠陥を低減する技術の１つとし
て無欠陥層（Ｄｅｎｕｄｅｄ Ｚｏｎｅ）処理が知られ
ている。
晶欠陥を低減するために種々の処理が行なわれている。
例えば、そのような結晶欠陥を低減する技術の１つとし
て無欠陥層（Ｄｅｎｕｄｅｄ Ｚｏｎｅ）処理が知られ
ている。
【０００３】無欠陥層処理を施したウエーハは高温熱処
理工程を経て製造されるため、ウエーハ表面の格子間の
酸素濃度が減少する。そのために、ウエーハ表面近傍に
は微小欠陥（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔ、酸
素析出物）が生成せず、デバイスプロセスにおいて、結
晶欠陥の誘因となる汚染重金属元素がバルク中の微小欠
陥（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ ｄｅｆｅｃｔ）にトラップ
される。すなわち、イントリンシック・ゲッタリング効
果（ＩＧ効果）が生ずるのである。この結果、酸化誘起
積層欠陥（Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｓｔ
ａｃｋｉｎｇＦａｕｌｔ）の発生が減少する。
理工程を経て製造されるため、ウエーハ表面の格子間の
酸素濃度が減少する。そのために、ウエーハ表面近傍に
は微小欠陥（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔ、酸
素析出物）が生成せず、デバイスプロセスにおいて、結
晶欠陥の誘因となる汚染重金属元素がバルク中の微小欠
陥（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ ｄｅｆｅｃｔ）にトラップ
される。すなわち、イントリンシック・ゲッタリング効
果（ＩＧ効果）が生ずるのである。この結果、酸化誘起
積層欠陥（Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｓｔ
ａｃｋｉｎｇＦａｕｌｔ）の発生が減少する。
【０００４】一般にＩＧ効果は製造歩留りの向上とデバ
イスの信頼性の向上に役立つといわれている。
イスの信頼性の向上に役立つといわれている。
【０００５】周知のように、酸化誘起積層欠陥はウェー
ハ表面に存在する微小な結晶欠陥が酸化した際に大きな
欠陥に成長するものであり、酸化膜をエッチングするこ
とで観察される。酸化誘起積層欠陥の発生原因となる結
晶の欠陥はウェーハ表面にのみ存在するのではなく、当
然ウェーハ内部にも存在し、それらの内の表面に存在す
るものが酸化により積層欠陥に発展するものである。ま
た、ウェーハ内部、表面を問わず結晶の欠陥というもの
は種々のものがあり、それらが全て酸化誘起積層欠陥の
原因となるものでは無いことはよく知られている。
ハ表面に存在する微小な結晶欠陥が酸化した際に大きな
欠陥に成長するものであり、酸化膜をエッチングするこ
とで観察される。酸化誘起積層欠陥の発生原因となる結
晶の欠陥はウェーハ表面にのみ存在するのではなく、当
然ウェーハ内部にも存在し、それらの内の表面に存在す
るものが酸化により積層欠陥に発展するものである。ま
た、ウェーハ内部、表面を問わず結晶の欠陥というもの
は種々のものがあり、それらが全て酸化誘起積層欠陥の
原因となるものでは無いことはよく知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】無欠陥層処理を行なっ
たウエーハであっても、基板の元の酸化誘起積層欠陥密
度が大きい場合には、所望の酸化誘起積層欠陥密度の低
下が期待できないことがある。
たウエーハであっても、基板の元の酸化誘起積層欠陥密
度が大きい場合には、所望の酸化誘起積層欠陥密度の低
下が期待できないことがある。
【０００７】また、無欠陥層処理を行なうには、相当長
い熱処理時間が必要であり、そのため、製造効率が悪く
なる欠点がある。
い熱処理時間が必要であり、そのため、製造効率が悪く
なる欠点がある。
【０００８】また、無欠陥層処理を行なったウエーハに
あっては、結晶中の格子間の酸素を析出させてしまうた
め、ウエーハの機械的強度が低下し、スリップ等が生じ
やすくなる。
あっては、結晶中の格子間の酸素を析出させてしまうた
め、ウエーハの機械的強度が低下し、スリップ等が生じ
やすくなる。
【０００９】この発明は前述のような従来技術の欠点を
解消して、結晶欠陥密度を大幅に低減したシリコンウエ
ーハを提供することを目的としている。
解消して、結晶欠陥密度を大幅に低減したシリコンウエ
ーハを提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、水素ガス１０
０％の雰囲気下において１０００℃から１３５０℃の温
度範囲に少なくとも３０分間滞留させる熱処理を施した
シリコンウエーハであって、乾燥酸素ガス雰囲気で１６
時間熱処理を行ってエッチングをして表面の酸化誘起積
層欠陥密度を測定した場合、その平均密度が１００個／
ｃｍ２以下であるとともに、Ｈ２１００％ガス雰囲気中
で熱処理をする前の平均密度の約１／５以下であり、熱
処理後の表面に存在する酸化誘起積層欠陥発生原因とな
る結晶欠陥の平均密度と、表面から深さ５μｍの平面に
おける酸化誘起積層欠陥発生原因となる結晶欠陥の平均
密度とがほぼ同じであることを特徴とするシリコンウエ
ーハを要旨としている。
０％の雰囲気下において１０００℃から１３５０℃の温
度範囲に少なくとも３０分間滞留させる熱処理を施した
シリコンウエーハであって、乾燥酸素ガス雰囲気で１６
時間熱処理を行ってエッチングをして表面の酸化誘起積
層欠陥密度を測定した場合、その平均密度が１００個／
ｃｍ２以下であるとともに、Ｈ２１００％ガス雰囲気中
で熱処理をする前の平均密度の約１／５以下であり、熱
処理後の表面に存在する酸化誘起積層欠陥発生原因とな
る結晶欠陥の平均密度と、表面から深さ５μｍの平面に
おける酸化誘起積層欠陥発生原因となる結晶欠陥の平均
密度とがほぼ同じであることを特徴とするシリコンウエ
ーハを要旨としている。
【００１１】
【実施例】この発明の好ましい態様では、シリコンウェ
ーハの製造に際して、水素ガス１００％の雰囲気下にお
いて１０００℃から１３５０℃の温度範囲に少なくとも
３０分間滞留させる熱処理を施す。それとともに、無欠
陥層処理を施す。そのように製造したシリコンウェーハ
について、乾燥酸素ガス雰囲気で１６時間熱処理を行っ
て、エッチングをして表面の酸化誘起積層欠陥密度を測
定した場合、その平均密度が１００個／ｃｍ２以下であ
るとともに、Ｈ２１００％ガス雰囲気中で熱処理をする
前の平均密度の約１／５以下であり、しかも、ミラー表
面を鏡面研磨して厚さ５μ分を除去したときにその５μ
分の除去の前後で平均酸化誘起積層欠陥密度がほぼ同じ
である。
ーハの製造に際して、水素ガス１００％の雰囲気下にお
いて１０００℃から１３５０℃の温度範囲に少なくとも
３０分間滞留させる熱処理を施す。それとともに、無欠
陥層処理を施す。そのように製造したシリコンウェーハ
について、乾燥酸素ガス雰囲気で１６時間熱処理を行っ
て、エッチングをして表面の酸化誘起積層欠陥密度を測
定した場合、その平均密度が１００個／ｃｍ２以下であ
るとともに、Ｈ２１００％ガス雰囲気中で熱処理をする
前の平均密度の約１／５以下であり、しかも、ミラー表
面を鏡面研磨して厚さ５μ分を除去したときにその５μ
分の除去の前後で平均酸化誘起積層欠陥密度がほぼ同じ
である。
【００１２】Ｈ２ガスは、Ｈ２ガス１００％のものとす
る。つまりＨ２の含有割合を１００％にする。
る。つまりＨ２の含有割合を１００％にする。
【００１３】この発明は半導体用のチョコラルスキー引
き上げ法（ＣＺ法）により育成されたシリコン単結晶の
ウェーハを含むものである。
き上げ法（ＣＺ法）により育成されたシリコン単結晶の
ウェーハを含むものである。
【００１４】シリコン単結晶をＨ２１００％ガスの雰囲
気下で高温にて熱処理することにより、熱処理によって
誘起される結晶欠陥密度を大幅に低減することができ
る。しかも、このような熱処理であると、他の特性に影
響を与えることがなく、実用上の作用効果が大である。
気下で高温にて熱処理することにより、熱処理によって
誘起される結晶欠陥密度を大幅に低減することができ
る。しかも、このような熱処理であると、他の特性に影
響を与えることがなく、実用上の作用効果が大である。
【００１５】実施例１ 同一のＣＺ−シリコン単結晶インゴットの同一領域から
切り出したｎタイプ、２０Ωｃｍ程度で面方位（１０
０）のミラーウエーハを、後掲の表１に示すように、Ｎ
２１００％ガスあるいはＨ２１００％ガスの雰囲気下に
おいて熱処理温度、熱処理時間をかえて熱処理をした。
さらに、これらのウエーハを乾燥Ｏ２ガス雰囲気下にお
いて、１０００℃にて１６時間熱処理したのち、ライト
エッチング（Ｗｒｉｇｈｔ ｅｔｃｈｉｎｇ）を行なっ
た。用いたライトエッチング液の組成を後掲の表２に示
す。
切り出したｎタイプ、２０Ωｃｍ程度で面方位（１０
０）のミラーウエーハを、後掲の表１に示すように、Ｎ
２１００％ガスあるいはＨ２１００％ガスの雰囲気下に
おいて熱処理温度、熱処理時間をかえて熱処理をした。
さらに、これらのウエーハを乾燥Ｏ２ガス雰囲気下にお
いて、１０００℃にて１６時間熱処理したのち、ライト
エッチング（Ｗｒｉｇｈｔ ｅｔｃｈｉｎｇ）を行なっ
た。用いたライトエッチング液の組成を後掲の表２に示
す。
【００１６】ライトエッチングを行なったサンプルにつ
いて、顕微鏡を使って酸化誘起積層欠陥密度を測定し
た。その結果を第１図と第２図に示す。第１図は、熱処
理時間を３０分として熱処理温度を８００℃から１３５
０℃まで変えたときの酸化誘起積層欠陥の発生状況を示
す。第２図は、熱処理温度を１１００℃として熱処理時
間を０時間から１００時間まで変えたときの酸化誘起積
層欠陥の発生状況を示す。この結果から、Ｎ２アニー
ル、Ｈ２アニールを行なった場合の方が、行なわない場
合よりも、酸化誘起積層欠陥の発生頻度は低く、さらに
Ｎ２アニールサンプルよりもＨ２アニールサンプルの方
が、酸化誘起積層欠陥の発生頻度が低いことが明らかで
ある。Ｎ２アニールサンプルよりもＨ２アニールサンプ
ルの方が酸化誘起積層欠陥の発生頻度が低いことから、
酸化誘起積層欠陥の低減に関して、ウエーハ表面近傍の
酸素の外方拡散による効果以外に、Ｈ２アニールによる
効果が確認される。
いて、顕微鏡を使って酸化誘起積層欠陥密度を測定し
た。その結果を第１図と第２図に示す。第１図は、熱処
理時間を３０分として熱処理温度を８００℃から１３５
０℃まで変えたときの酸化誘起積層欠陥の発生状況を示
す。第２図は、熱処理温度を１１００℃として熱処理時
間を０時間から１００時間まで変えたときの酸化誘起積
層欠陥の発生状況を示す。この結果から、Ｎ２アニー
ル、Ｈ２アニールを行なった場合の方が、行なわない場
合よりも、酸化誘起積層欠陥の発生頻度は低く、さらに
Ｎ２アニールサンプルよりもＨ２アニールサンプルの方
が、酸化誘起積層欠陥の発生頻度が低いことが明らかで
ある。Ｎ２アニールサンプルよりもＨ２アニールサンプ
ルの方が酸化誘起積層欠陥の発生頻度が低いことから、
酸化誘起積層欠陥の低減に関して、ウエーハ表面近傍の
酸素の外方拡散による効果以外に、Ｈ２アニールによる
効果が確認される。
【００１７】この実験から、Ｈ２ガス雰囲気下における
熱処理により酸化誘起積層欠陥の発生が抑制されること
が明らかになった。
熱処理により酸化誘起積層欠陥の発生が抑制されること
が明らかになった。
【００１８】第１図および第２図から明らかなように、
熱処理時間は３０分間以上が適切である。好ましくは９
０分間から４時間が生産性やコストの面から好ましい。
また、熱処理温度は１０００℃〜１３５０℃までの温度
範囲が適当である。好ましくは１１００℃以上が良い。
熱処理時間は３０分間以上が適切である。好ましくは９
０分間から４時間が生産性やコストの面から好ましい。
また、熱処理温度は１０００℃〜１３５０℃までの温度
範囲が適当である。好ましくは１１００℃以上が良い。
【００１９】実施例２ Ｐタイプ、１０Ωｃｍ程度でチョコラルスキー法により
引き上げた方位〔１００〕のシリコン単結晶の隣接する
２つのブロックを取出した。これらのブロックは直径１
２５ｍｍで、長さが５ｃｍであった。これら２つのブロ
ックの一方をＨ２１００％ガスの雰囲気下で１２００℃
にて４８時間熱処理した。このブロックともう１つのブ
ロックとを通常のミラーウエーハに加工した後、前述の
実施例１と同じ酸化誘起積層欠陥密度の検査を実施し
た。その結果、Ｈ２ガス雰囲気で熱処理したブロックか
ら切出したウエーハの酸化誘起積層欠陥密度は平均１０
個／ｃｍ２であった。これに対し、Ｈ２ガスで熱処理し
なかった方のブロックから切出したウエーハの酸化誘起
積層欠陥密度は平均８０個／ｃｍ２であり、Ｈ２雰囲気
下における熱処理による酸化誘起積層欠陥の発生の抑制
効果が確認された。
引き上げた方位〔１００〕のシリコン単結晶の隣接する
２つのブロックを取出した。これらのブロックは直径１
２５ｍｍで、長さが５ｃｍであった。これら２つのブロ
ックの一方をＨ２１００％ガスの雰囲気下で１２００℃
にて４８時間熱処理した。このブロックともう１つのブ
ロックとを通常のミラーウエーハに加工した後、前述の
実施例１と同じ酸化誘起積層欠陥密度の検査を実施し
た。その結果、Ｈ２ガス雰囲気で熱処理したブロックか
ら切出したウエーハの酸化誘起積層欠陥密度は平均１０
個／ｃｍ２であった。これに対し、Ｈ２ガスで熱処理し
なかった方のブロックから切出したウエーハの酸化誘起
積層欠陥密度は平均８０個／ｃｍ２であり、Ｈ２雰囲気
下における熱処理による酸化誘起積層欠陥の発生の抑制
効果が確認された。
【００２０】実施例３ 同一のＣＺ−シリコン単結晶インゴットの同一領域から
切り出したｎタイプ、２０Ωｃｍ程度で面方位（１０
０）のミラーウエーハを、表３に示すように、Ｈ２１０
０％ガスの雰囲気下において１０００℃あるいは１１０
０℃にて３０分間熱処理を行ない、さらに一部のサンプ
ルについてミラー表面を鏡面研磨して厚さ５μ分除去し
た。これらのウエーハについて前述の実施例１と同じ酸
化誘起積層欠陥密度の検査を実施した。その結果、後掲
の表３に示すように、Ｈ２ガス雰囲気で熱処理したまま
のウエーハとＨ２ガス雰囲気で熱処理したのち５μ除去
したウエーハとでは、酸化誘起積層欠陥密度はほぼ同じ
であり、１０００℃でのＨ２アニールでは平均５０個／
ｃｍ２であり、１１００℃では平均３０個／ｃｍ２であ
った。一方、Ｈ２ガス雰囲気で熱処理しなかったウエー
ハの酸化誘起積層欠陥密度は平均３００個／ｃｍ２であ
った。
切り出したｎタイプ、２０Ωｃｍ程度で面方位（１０
０）のミラーウエーハを、表３に示すように、Ｈ２１０
０％ガスの雰囲気下において１０００℃あるいは１１０
０℃にて３０分間熱処理を行ない、さらに一部のサンプ
ルについてミラー表面を鏡面研磨して厚さ５μ分除去し
た。これらのウエーハについて前述の実施例１と同じ酸
化誘起積層欠陥密度の検査を実施した。その結果、後掲
の表３に示すように、Ｈ２ガス雰囲気で熱処理したまま
のウエーハとＨ２ガス雰囲気で熱処理したのち５μ除去
したウエーハとでは、酸化誘起積層欠陥密度はほぼ同じ
であり、１０００℃でのＨ２アニールでは平均５０個／
ｃｍ２であり、１１００℃では平均３０個／ｃｍ２であ
った。一方、Ｈ２ガス雰囲気で熱処理しなかったウエー
ハの酸化誘起積層欠陥密度は平均３００個／ｃｍ２であ
った。
【００２１】この実験により、Ｈ２ガス雰囲気下におけ
る熱処理による酸化誘起積層欠陥の低減効果は、さらに
５μ程度ミラー表面を研磨により除去しても、失われな
いことが明らかになった。
る熱処理による酸化誘起積層欠陥の低減効果は、さらに
５μ程度ミラー表面を研磨により除去しても、失われな
いことが明らかになった。
【００２２】実施例４ 同一のＣＺ−シリコン単結晶インゴットの同一領域から
切り出したｎタイプ、２０Ωｃｍ程度で面方位（１０
０）のミラーウエーハを、後掲の表４に示すような比率
で、Ｈ２ガスとＡｒガスとを混合した雰囲気下におい
て、１１００℃にて３０分間熱処理した。これらのウエ
ーハについて前述の実施例１と同じ酸化誘起積層欠陥密
度の検査を実施した。
切り出したｎタイプ、２０Ωｃｍ程度で面方位（１０
０）のミラーウエーハを、後掲の表４に示すような比率
で、Ｈ２ガスとＡｒガスとを混合した雰囲気下におい
て、１１００℃にて３０分間熱処理した。これらのウエ
ーハについて前述の実施例１と同じ酸化誘起積層欠陥密
度の検査を実施した。
【００２３】その結果、第３図に示すように、混合ガス
中のＨ２の割合が減少するにつれ、酸化誘起積層欠陥が
発生しやすくなる傾向があることが示され、Ｈ２ガスの
割合が１０％以下の場合には、この熱処理による酸化誘
起積層欠陥の抑制効果はみられない。
中のＨ２の割合が減少するにつれ、酸化誘起積層欠陥が
発生しやすくなる傾向があることが示され、Ｈ２ガスの
割合が１０％以下の場合には、この熱処理による酸化誘
起積層欠陥の抑制効果はみられない。
【００２４】この実験結果から明らかなように、Ｈ２ガ
スの含有割合を１００％にするのが最適である。
スの含有割合を１００％にするのが最適である。
【００２５】
【発明の効果】この発明によれば、結晶欠陥密度の低減
効果が極めて顕著であり、しかも短時間の処理であって
も有効な結果が得られる。特に酸化誘起積層欠陥の密度
の点で歩留まりの悪かったｎタイプにあっては、高抵抗
品であっても、本発明によれば、平均酸化誘起積層欠陥
密度が約１／５に減少した。
効果が極めて顕著であり、しかも短時間の処理であって
も有効な結果が得られる。特に酸化誘起積層欠陥の密度
の点で歩留まりの悪かったｎタイプにあっては、高抵抗
品であっても、本発明によれば、平均酸化誘起積層欠陥
密度が約１／５に減少した。
【００２６】無欠陥層（Ｄｅｎｕｄｅｄ Ｚｏｎｅ）処
理とＨ２ガスの熱処理とは全く別の処理であり、例え
ば、Ｈ２ガスの熱処理と無欠陥層処理を組み合わせて
も、良好な結果が得られる。
理とＨ２ガスの熱処理とは全く別の処理であり、例え
ば、Ｈ２ガスの熱処理と無欠陥層処理を組み合わせて
も、良好な結果が得られる。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】
【００２９】
【表３】
【００３０】
【表４】
【図１】本発明の効果を示すためのグラフ。
【図２】本発明の効果を示すための他のグラフ。
【図３】本発明の効果を示すためのさらに他のグラフ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 桐野 好生 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番 地 東芝セラミックス株式会社 小国製 造所内 (72)発明者 赤井 賢二 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番 地 東芝セラミックス株式会社 小国製 造所内 (72)発明者 今 武志 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番 地 東芝セラミックス株式会社 小国製 造所内 (72)発明者 中西 宏円 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番 地 東芝セラミックス株式会社 小国製 造所内 (56)参考文献 特開 昭51−134071（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−85534（ＪＰ，Ａ) Ｊ．Ｍ．ＧＲＥＥＮ，ＥＴ ＡＬ，Ｊ ＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＥＬＥＣＴＲＯＮ ＩＣ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＶＯＬ. ３，ＮＯ．２，（1974），ＰＰ．579− 599
Claims (1)
- 【請求項１】 水素ガス１００％の雰囲気下において１
０００℃から１３５０℃の温度範囲に少なくとも３０分
間滞留させる熱処理を施したシリコンウエーハであっ
て、乾燥酸素ガス雰囲気で１６時間熱処理を行ってエッ
チングをして表面の酸化誘起積層欠陥密度を測定した場
合、その平均密度が１００個／ｃｍ２以下であるととも
に、Ｈ２１００％ガス雰囲気中で熱処理をする前の平均
密度の約１／５以下であり、熱処理後の表面に存在する
酸化誘起積層欠陥発生原因となる結晶欠陥の平均密度
と、表面から深さ５μｍの平面における酸化誘起積層欠
陥発生原因となる結晶欠陥の平均密度とがほぼ同じであ
ることを特徴とするシリコンウエーハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6232516A JP2652344B2 (ja) | 1994-09-02 | 1994-09-02 | シリコンウエーハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6232516A JP2652344B2 (ja) | 1994-09-02 | 1994-09-02 | シリコンウエーハ |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26135185A Division JPS62123098A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | シリコン単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07165495A JPH07165495A (ja) | 1995-06-27 |
| JP2652344B2 true JP2652344B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=16940559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6232516A Expired - Lifetime JP2652344B2 (ja) | 1994-09-02 | 1994-09-02 | シリコンウエーハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2652344B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10154713A (ja) | 1996-11-22 | 1998-06-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエーハの熱処理方法およびシリコンウエーハ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51134071A (en) * | 1975-05-16 | 1976-11-20 | Nippon Denshi Kinzoku Kk | Method to eliminate crystal defects of silicon |
| JPS5885534A (ja) * | 1981-11-18 | 1983-05-21 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | 半導体シリコン基板の製造法 |
-
1994
- 1994-09-02 JP JP6232516A patent/JP2652344B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｊ．Ｍ．ＧＲＥＥＮ，ＥＴ ＡＬ，ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＶＯＬ．３，ＮＯ．２，（１９７４），ＰＰ．５７９−５９９ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07165495A (ja) | 1995-06-27 |
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