JP2009170656A - 単結晶シリコンウェーハおよびその製造方法 - Google Patents
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- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 108
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 108
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 108
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 73
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 61
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 17
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 30
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 25
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 100
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 description 1
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】少なくとも一方の表面から深さ3μmの表層部のCOP密度が2個/cm2以下である単結晶シリコンウェーハ。上記表層部の深さ方向における酸素濃度の極大ピークが、表面から深さ1μmの領域にある。ウェーハ状単結晶シリコン素材を水素および/または希ガス雰囲気下で熱処理すること、上記熱処理後のウェーハ状単結晶シリコン素材を酸化性雰囲気下で1100〜1300℃の範囲の温度まで昇温し、次いで降温する昇降温処理を行うこと、を含む単結晶シリコンウェーハの製造方法。前記降温において、900℃までの降温を10℃/秒以上の降温速度で行う。
【選択図】なし
Description
ウェーハ内部に存在する酸素析出物は金属などの不純物を捕獲するためのゲッタリングサイトとして有効に働くのに対し、表層部のCOPおよび酸素析出物は素子不良の原因となる。一般に、水素やアルゴン雰囲気下での熱処理では、酸素の外方拡散による表層酸素濃度の低下に伴い、表面近傍のCOPや酸素析出物を消失させることができる。しかし、高酸素の基板を用いて、上記熱処理後に表層部全体の酸素濃度を高めると、デバイス作製工程等における熱処理により表層部において酸素析出物(BMD)が再び成長し、素子不良を引き起こすおそれがある。
本発明者らは以上の知見に基づき更に検討を重ねた結果、表層部のCOP密度が低くかつ表層部の深さ方向における酸素濃度の極大値が、表面から深さ1μmの領域にある単結晶シリコンウェーハにより上記目的が達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
[1]少なくとも一方の表面から深さ3μmの表層部のCOP密度が2個/cm2以下であり、かつ上記表層部の深さ方向における酸素濃度の極大ピークが、表面から深さ1μmの領域にあることを特徴とする単結晶シリコンウェーハ。
[2]前記極大ピークの酸素濃度は3×1017atoms/cm3以上である[1]に記載の単結晶シリコンウェーハ。
[3]前記表面から深さ50μm以上の領域に、酸素析出物密度が5×104個/cm2以上となる領域を含む[1]または[2]に記載の単結晶シリコンウェーハ。
[4]前記表層部における酸素析出物密度は1×102個/cm2以下である[1]〜[3]のいずれかに記載の単結晶シリコンウェーハ。
[5]前記単結晶シリコンウェーハは、エピタキシャル膜を有し、該エピタキシャル膜は上記表層部を含む[1]〜[4]のいずれかに記載の単結晶シリコンウェーハ。
[6]ウェーハ状単結晶シリコン素材を水素および/または希ガス雰囲気下で熱処理すること、
上記熱処理後のウェーハ状単結晶シリコン素材を酸化性雰囲気下で1100〜1300℃の範囲の温度まで昇温し、次いで降温する昇降温処理を行うこと、
を含む単結晶シリコンウェーハの製造方法であって、
前記降温において、900℃までの降温を10℃/秒以上の降温速度で行うことを特徴とする、前記製造方法。
[7]前記昇温と降温との間に、1100〜1300℃の範囲の温度を5秒以上維持することを含む[6]に記載の製造方法。
[8]前記昇降温処理は、ランプ式加熱炉において行われる[6]または[7]に記載の製造方法。
[9]前記水素および/または希ガス雰囲気下での熱処理は、1100〜1300℃の範囲の温度において1分以上熱処理することを含む[6]〜[8]のいずれかに記載の製造方法。
[10]前記ウェーハ状単結晶シリコン素材は、チョクラルスキー法によって育成された単結晶シリコン棒からスライスされたものである[6]〜[9]のいずれかに記載の製造方法。
[11][1]〜[5]のいずれかに記載の単結晶シリコンウェーハを製造する[6]〜[10]のいずれかに記載の製造方法。
本発明の単結晶シリコンウェーハは、少なくとも一方の表面から深さ3μmの表層部のCOP密度が2個/cm2以下であり、かつ上記表層部の深さ方向における酸素濃度の極大ピークが、表面から深さ1μmの領域にあることを特徴とする単結晶シリコンウェーハ。
本発明の単結晶シリコンウェーハの製造方法は、ウェーハ状単結晶シリコン素材を水素および/または希ガス雰囲気下で熱処理(以下、「第一処理」ともいう)すること、上記熱処理後のウェーハ状単結晶シリコン素材を酸化性雰囲気下で1100〜1300℃の範囲の温度まで昇温し、次いで降温する昇降温処理(以下、「第二処理」ともいう)を行うこと、を含み、前記降温において、900℃までの降温を10℃/秒以上の降温速度で行うものである。なお、上記温度はシリコン素材の温度であり、例えば放射温度計により測定することができる。
前述のように第一処理は、表層部のCOP密度を低減する作用があり、更には表層部の酸素析出物密度を低減する作用もある。但し、第一処理後のシリコン素材では、表層部に向けて酸素濃度が低下する傾向がある(後述の図2参照)。これに対し、本発明の製造方法では、第二処理により、表層部の極表層領域の酸素濃度を局所的に高めることができる。通常の酸化性雰囲気下での熱処理(酸化熱処理)では、昇温過程において表層部に注入された酸素が降温過程において外方拡散により放出されるため、極表層領域の酸素濃度を高めることは困難である。これに対し、本発明の製造方法では、第二工程の900℃までの降温を10℃/秒以上の降温速度で行うため、外方拡散が起こる前に酸化熱処理を終了することができる。これにより、表層部の極表層領域の酸素濃度を局所的に高めることができる。本発明の製造方法は、前述の本発明のウェーハの製造方法として好適である。ただし、本発明のウェーハは、本発明の製造方法により得られるものに限定されるものではない。
以下に、本発明の単結晶シリコンウェーハの製造方法について、更に詳細に説明する。
第一処理および第二処理を施すウェーハ状単結晶シリコン素材は、通常の方法によりシリコンインゴットからスライシングすることにより得ることができる。ここでシリコンインゴットとしては、チョクラルスキー法により育成された単結晶シリコン棒を用いることが好ましい。チョクラルスキー法によれば、酸素濃度が高く熱処理により過飽和酸素が析出し、ウェーハ内部に酸素析出物を含むゲッター能力を有するシリコンウェーハを形成可能なシリコン素材を得ることができる。また、窒素等をドープした単結晶シリコン棒からウェーハ状シリコン素材をスライシングすることもできる。
スライシング後のシリコン素材は、そのまま第一工程に付すこともできるが、スライシングしたシリコン素材に表面研磨を施した後、第一工程に付すことも可能である。
第二工程における降温において、900℃までの降温を10℃/秒以上の降温速度で行うことにより、昇温時に導入された酸素を極表層領域に保持し、極表層領域の酸素濃度が高いウェーハを得ることができる。
チョクラルスキー法によって育成した単結晶シリコン棒から切り出したウェーハ状シリコン素材に対し表面研磨を施し、直径12インチ、厚さ775μm、酸素濃度1.2×1018atoms/cm3(OLD ASTM F121−1979)のウェーハ状シリコン素材を得た。
このシリコン素材を、内部を100%アルゴン雰囲気とした縦型熱処理炉に導入し、1200℃まで加熱した後、1200℃に60分間維持した。次いで、3℃/秒の降温速度で700℃まで降温した後、一旦炉から取り出し炉内の雰囲気を100%酸素としたRTP炉に導入し 50℃/秒の昇温速度で1175℃まで昇温した。その後、1175℃に30秒間維持し、次いで50℃/秒の降温速度で900℃まで降温した後、ウェーハを炉外へ取り出した。
酸化雰囲気での熱処理における加熱温度および加熱温度での保持時間を、表1に示すように変更した点以外は実施例1と同様の処理を行った。
酸素雰囲気下での熱処理を行わなかった点を除き実施例1と同様の方法でウェーハを処理した後、ウェーハを炉外へ取り出した。
SIMS(二次イオン質量分析計)により、実施例1〜3で得たウェーハおよび比較例1で得たウェーハの深さ方向の酸素濃度分布を測定した。得られた酸素濃度プロファイルを図1(実施例1)、図2(比較例1)および図3(実施例2、3)に示す。
図1および図3に示すように、実施例1〜3により深さ約0.4μmに酸素濃度ピークを有する単結晶シリコンウェーハを得ることができた。これに対し、図2に示すように、比較例1で得たウェーハでは表面に向かって酸素濃度が減少した。
実施例1〜3で得たウェーハのCOP密度の深さ方向分布を確認する為、繰り返し研磨後にKLA/Tencor社製SP1パーティクル測定装置にてサイズ90nm以上のLPD(Light Point Defect)をCOPとしてカウントした。何れも表層5μmの深さまで100個/枚以下(面積換算で0.14個/cm2以下)であり充分なCOP低減効果が得られていることを確認した。
実施例1〜3で得たウェーハの表層部酸素析出物密度を測定した。780℃3hr+1000℃16hrからなる2段評価熱処理を行った後、ウェーハを劈開し断面を2μm選択エッチングし光学顕微鏡で劈開面を観察することにより測定を行った結果、ウェーハ表面から20μmまでの深さにおいて何れも検出下限以下である1×102/cm2以下の無欠陥層が得られていることを確認した。
実施例1〜3で得たウェーハの内部酸素析出物密度を測定した。評価方法は前述の表層部酸素析出物密度検査と同じ手法を用いた。ウェーハ表面から50μm以上の深さにおいて何れも5×105個/cm2程度の酸素析出物密度が得られていることを確認した。
1100℃でのエピタキシャル成長により3μmのエピタキシャル膜を形成したエピタキシャルウェーハ(比抵抗5Ω・cm)に対し、実施例1と同様の方法により酸素雰囲気下での昇降温処理を行った。SIMSにより、得られたエピタキシャルウェーハの深さ方向の酸素濃度プロファイルを測定し、実施例1〜3と同様の酸素濃度プロファイルを示すことを確認した。なお、前述のように、エピタキシャルウェーハの表層部には、COPはほとんど存在しない(2個/cm2以下)。
Claims (11)
- 少なくとも一方の表面から深さ3μmの表層部のCOP密度が2個/cm2以下であり、かつ上記表層部の深さ方向における酸素濃度の極大ピークが、表面から深さ1μmの領域にあることを特徴とする単結晶シリコンウェーハ。
- 前記極大ピークの酸素濃度は3×1017atoms/cm3以上である請求項1に記載の単結晶シリコンウェーハ。
- 前記表面から深さ50μm以上の領域に、酸素析出物密度が5×104個/cm2以上となる領域を含む請求項1または2に記載の単結晶シリコンウェーハ。
- 前記表層部における酸素析出物密度は1×102個/cm2以下である請求項1〜3のいずれか1項に記載の単結晶シリコンウェーハ。
- 前記単結晶シリコンウェーハは、エピタキシャル膜を有し、該エピタキシャル膜は上記表層部を含む請求項1〜4のいずれか1項に記載の単結晶シリコンウェーハ。
- ウェーハ状単結晶シリコン素材を水素および/または希ガス雰囲気下で熱処理すること、
上記熱処理後のウェーハ状単結晶シリコン素材を酸化性雰囲気下で1100〜1300℃の範囲の温度まで昇温し、次いで降温する昇降温処理を行うこと、
を含む単結晶シリコンウェーハの製造方法であって、
前記降温において、900℃までの降温を10℃/秒以上の降温速度で行うことを特徴とする、前記製造方法。 - 前記昇温と降温との間に、1100〜1300℃の範囲の温度を5秒以上維持することを含む請求項6に記載の製造方法。
- 前記昇降温処理は、ランプ式加熱炉において行われる請求項6または7に記載の製造方法。
- 前記水素および/または希ガス雰囲気下での熱処理は、1100〜1300℃の範囲の温度において1分以上熱処理することを含む請求項6〜8のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記ウェーハ状単結晶シリコン素材は、チョクラルスキー法によって育成された単結晶シリコン棒からスライスされたものである請求項6〜9のいずれか1項に記載の製造方法。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の単結晶シリコンウェーハを製造する請求項6〜10のいずれか1項に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008007105A JP5251137B2 (ja) | 2008-01-16 | 2008-01-16 | 単結晶シリコンウェーハおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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JP2009170656A true JP2009170656A (ja) | 2009-07-30 |
JP5251137B2 JP5251137B2 (ja) | 2013-07-31 |
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5251137B2 (ja) |
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JP2017076772A (ja) * | 2015-06-12 | 2017-04-20 | キヤノン株式会社 | 撮像装置およびその製造方法ならびにカメラ |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP5251137B2 (ja) | 2013-07-31 |
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