JPH04255228A - 半導体ウエハの製造方法 - Google Patents
半導体ウエハの製造方法Info
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- JPH04255228A JPH04255228A JP3951691A JP3951691A JPH04255228A JP H04255228 A JPH04255228 A JP H04255228A JP 3951691 A JP3951691 A JP 3951691A JP 3951691 A JP3951691 A JP 3951691A JP H04255228 A JPH04255228 A JP H04255228A
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Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高集積化・高密度化
に好適な半導体ウエハの製造方法に関するものである。
に好適な半導体ウエハの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のウエハの製造方法として
、図２に示すものがあった。図２（ａ） において、Ｘ
線方位測定によりインゴット１は切断機に正しくセット
され、刃（ブレード）２を高速回転しながら結晶と相対
的に移動してウエハが切断される。図２（ｂ） におい
て、ウエハ周辺の接触などによる「かけ」や、これによ
る他のウエハに対する粒子付着などの原因、またエピタ
キシャル成長時のウエハ周辺で異常成長を防止するため
に真空チャック６によりウエハ４を吸着して、砥石５を
で研磨することにより、ある決まった形状で面取り加工
が行われる。図２（ｃ） において、洗浄液を充填した
洗浄槽７にウエハ４を浸すことにより、各工程にそれぞ
れ適した洗浄がおこなわれる。図２（ｄ） において、
成長したウエハに発生したドナーにより目標の抵抗率が
得られないため、酸化炉９またはランプ加熱により、ウ
エハに再び６００℃以上の熱処理を短時間行ってドナー
を消去する。 図２（ｅ） において、ウエハ形状や加工歪層のばらつ
きを矯正するため、砥粒に粒径１０μｍ前後のＡｌ２
Ｏ３ やＳｉＣが適量の水でウエハ４の両面に運ばれ鏡
面研磨される。このときウエハはその表面に研磨布１１
が張られた回転ステージ１０に搭載されており、ワック
ス１２によりウエハをこの回転ステージと逆方向に回転
する。
、図２に示すものがあった。図２（ａ） において、Ｘ
線方位測定によりインゴット１は切断機に正しくセット
され、刃（ブレード）２を高速回転しながら結晶と相対
的に移動してウエハが切断される。図２（ｂ） におい
て、ウエハ周辺の接触などによる「かけ」や、これによ
る他のウエハに対する粒子付着などの原因、またエピタ
キシャル成長時のウエハ周辺で異常成長を防止するため
に真空チャック６によりウエハ４を吸着して、砥石５を
で研磨することにより、ある決まった形状で面取り加工
が行われる。図２（ｃ） において、洗浄液を充填した
洗浄槽７にウエハ４を浸すことにより、各工程にそれぞ
れ適した洗浄がおこなわれる。図２（ｄ） において、
成長したウエハに発生したドナーにより目標の抵抗率が
得られないため、酸化炉９またはランプ加熱により、ウ
エハに再び６００℃以上の熱処理を短時間行ってドナー
を消去する。 図２（ｅ） において、ウエハ形状や加工歪層のばらつ
きを矯正するため、砥粒に粒径１０μｍ前後のＡｌ２
Ｏ３ やＳｉＣが適量の水でウエハ４の両面に運ばれ鏡
面研磨される。このときウエハはその表面に研磨布１１
が張られた回転ステージ１０に搭載されており、ワック
ス１２によりウエハをこの回転ステージと逆方向に回転
する。
【０００３】図２（ｆ） において、上記のラップや面
取りにおいて結晶に残留する加工歪層を除去するために
ＳｉＯ２ の粉末１３をサンドブラストし、化学エッチ
ングを行う。図２（ｇ） において、デバイスプロセス
の高熱処理中にデバイスがつくられる表面を汚染する重
金属がある場合に、これを裏面による歪に吸収させ、デ
バイス特性の劣化を防止するために、裏面ひずみ加工を
行ない、裏面にダメージを与える。図２（ｈ） におい
て、洗浄液１５を充填した洗浄槽１４にウエハ４を浸す
ことにより、微粒子を除去する機械的洗浄と有機物を除
去する化学的洗浄と金属不純物を除去する化学的洗浄の
３つの要素を含むウエハの洗浄を行う。図２（ｉ） に
おいて、シリコンの場合光学的な鏡面の他に欠陥発生の
原因や不純物の汚染源を除去する必要があるため、研磨
を行なう。この研磨としては化学的，機械的研磨の方法
がとられる。ここでは機械的研磨の方法を示しており、
図２（ｅ） の場合と同様、表面に研磨布１７が張られ
た回転ステージ１６上にウエハ４を搭載し、ワックス１
８により回転ステージ１６と逆方向にウエハを回転する
ことにより研磨を行なう。
取りにおいて結晶に残留する加工歪層を除去するために
ＳｉＯ２ の粉末１３をサンドブラストし、化学エッチ
ングを行う。図２（ｇ） において、デバイスプロセス
の高熱処理中にデバイスがつくられる表面を汚染する重
金属がある場合に、これを裏面による歪に吸収させ、デ
バイス特性の劣化を防止するために、裏面ひずみ加工を
行ない、裏面にダメージを与える。図２（ｈ） におい
て、洗浄液１５を充填した洗浄槽１４にウエハ４を浸す
ことにより、微粒子を除去する機械的洗浄と有機物を除
去する化学的洗浄と金属不純物を除去する化学的洗浄の
３つの要素を含むウエハの洗浄を行う。図２（ｉ） に
おいて、シリコンの場合光学的な鏡面の他に欠陥発生の
原因や不純物の汚染源を除去する必要があるため、研磨
を行なう。この研磨としては化学的，機械的研磨の方法
がとられる。ここでは機械的研磨の方法を示しており、
図２（ｅ） の場合と同様、表面に研磨布１７が張られ
た回転ステージ１６上にウエハ４を搭載し、ワックス１
８により回転ステージ１６と逆方向にウエハを回転する
ことにより研磨を行なう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のウエハ製造工程
は以上のように構成されているので、洗浄工程やバック
サイドダメージ工程では薬品飛沫や研磨材等による微粒
子が発生しゴミの原因となっていた。また、これらの粒
子がウエハ裏面に付着したままになっているなどの問題
点があった。
は以上のように構成されているので、洗浄工程やバック
サイドダメージ工程では薬品飛沫や研磨材等による微粒
子が発生しゴミの原因となっていた。また、これらの粒
子がウエハ裏面に付着したままになっているなどの問題
点があった。
【０００５】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので，ウエハに付着した薬品ミスト
を蒸発させ取り除くことができるとともに、ウエハの裏
面に付着した微粒子の「ごみ」を脱落させることができ
る半導体ウエハの製造方法を得ることを目的とする。
るためになされたもので，ウエハに付着した薬品ミスト
を蒸発させ取り除くことができるとともに、ウエハの裏
面に付着した微粒子の「ごみ」を脱落させることができ
る半導体ウエハの製造方法を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体ウ
エハの製造方法は、バックサイドダメージの工程の後に
、熱処理の工程を付加したものである。
エハの製造方法は、バックサイドダメージの工程の後に
、熱処理の工程を付加したものである。
【０００７】
【作用】この発明におけるウエハ製造方法では、洗浄工
程やバックサイドダメージ工程などで発生した薬品ミス
トや研磨材などを含むゴミを、熱処理工程でシリコンウ
エハとゴミとの熱膨張係数の差を利用することにより、
ウエハから脱落させ低減することができる。
程やバックサイドダメージ工程などで発生した薬品ミス
トや研磨材などを含むゴミを、熱処理工程でシリコンウ
エハとゴミとの熱膨張係数の差を利用することにより、
ウエハから脱落させ低減することができる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図１は本発明の一実施例による半導体ウエハの製造
方法を示す。図１（ａ） において、Ｘ線方位測定によ
りインゴット１は切断機に正しくセットされ、刃（ブレ
ード）２を高速回転しながら結晶と相対的に移動してウ
エハが切断される。図１（ｂ） において、ウエハ周辺
の接触などによるかけや、これによる他のウエハに対す
る粒子付着などの原因、またエピタキシャル成長時のウ
エハ周辺で異常成長を防止するために真空チャック６に
よりウエハ４を吸着して、砥石５で研磨することにより
、ある決まった形状で面取り加工が行われる。図１（ｃ
） において、洗浄液を充填した洗浄槽７にウエハ４を
浸すことにより、各工程にそれぞれ適した洗浄が行われ
る。図１（ｄ） において、成長したウエハに発生した
ドナーのために、目標の抵抗率が得られないため、酸化
炉６またはランプ加熱により、ウエハに再び６００℃以
上の熱処理を短時間に行ってドナーを消去する。図１（
ｅ） において、ウエハ形状や加工歪層ばらつきを矯正
するため、砥粒に粒径１０μｍ前後のＡｌ２ Ｏ３ や
ＳｉＣが適量の水でウエハ４の両面に運ばれ研磨される
。このときウエハはその表面に研磨布１１が張られた回
転ステージ１０に搭載されており、ワックス１２により
ウエハをこの回転ステージと逆方向に回転する。
る。図１は本発明の一実施例による半導体ウエハの製造
方法を示す。図１（ａ） において、Ｘ線方位測定によ
りインゴット１は切断機に正しくセットされ、刃（ブレ
ード）２を高速回転しながら結晶と相対的に移動してウ
エハが切断される。図１（ｂ） において、ウエハ周辺
の接触などによるかけや、これによる他のウエハに対す
る粒子付着などの原因、またエピタキシャル成長時のウ
エハ周辺で異常成長を防止するために真空チャック６に
よりウエハ４を吸着して、砥石５で研磨することにより
、ある決まった形状で面取り加工が行われる。図１（ｃ
） において、洗浄液を充填した洗浄槽７にウエハ４を
浸すことにより、各工程にそれぞれ適した洗浄が行われ
る。図１（ｄ） において、成長したウエハに発生した
ドナーのために、目標の抵抗率が得られないため、酸化
炉６またはランプ加熱により、ウエハに再び６００℃以
上の熱処理を短時間に行ってドナーを消去する。図１（
ｅ） において、ウエハ形状や加工歪層ばらつきを矯正
するため、砥粒に粒径１０μｍ前後のＡｌ２ Ｏ３ や
ＳｉＣが適量の水でウエハ４の両面に運ばれ研磨される
。このときウエハはその表面に研磨布１１が張られた回
転ステージ１０に搭載されており、ワックス１２により
ウエハをこの回転ステージと逆方向に回転する。
【０００９】図１（ｆ） において、上記のラップや面
取りにおいて結晶に残留する加工歪層を除去するために
ＳｉＯ２ の粉末１３をサンドブラストし、化学エッチ
ングを行う。図１（ｇ） において、デバイスプロセス
の高温熱処理中にデバイスがつくられる表面を汚染する
重金属がある場合に、これを裏面による歪みに吸収させ
、デバイス特有の劣化を防止するために、裏面ひずみ加
工を行ない、裏面にダメージを与える。図１（ｈ） に
おいて、洗浄液１５を充填した洗浄槽１４にウエハ４を
浸すことにより、微粒子を除去する機械的洗浄と有機物
を除去する化学的洗浄と金属不純物を除去する化学的洗
浄の３つの要素を含むウエハの洗浄を行う。図１（ｉ）
において、ウエハに付着した薬品ミストを蒸発させ、
シリコンウエハと付着したゴミとの熱膨張係数の差を利
用して、ウエハ裏面に付着した微粒子を脱落させるため
、酸化炉１９またはランプ加熱によりウエハに熱処理を
加える。図１（ｊ） において、シリコンの場合光学的
な鏡面の他に欠陥発生の原因や不純物の汚染源を除去す
る必要があるため、研磨を行なう。この研磨の方法とし
ては化学的，機械的研磨の方法がとられる。この研磨と
しては化学的、機械的研磨の方法がとられる。ここでは
機械的研磨の方法を示しており、図１（ｅ） の場合と
同様、表面に研磨布１７が張られた回転ステージ１６上
にウエハ４を搭載し、ワックス１８により回転ステージ
１６と逆方向にウエハを回転することにより研磨を行な
う。
取りにおいて結晶に残留する加工歪層を除去するために
ＳｉＯ２ の粉末１３をサンドブラストし、化学エッチ
ングを行う。図１（ｇ） において、デバイスプロセス
の高温熱処理中にデバイスがつくられる表面を汚染する
重金属がある場合に、これを裏面による歪みに吸収させ
、デバイス特有の劣化を防止するために、裏面ひずみ加
工を行ない、裏面にダメージを与える。図１（ｈ） に
おいて、洗浄液１５を充填した洗浄槽１４にウエハ４を
浸すことにより、微粒子を除去する機械的洗浄と有機物
を除去する化学的洗浄と金属不純物を除去する化学的洗
浄の３つの要素を含むウエハの洗浄を行う。図１（ｉ）
において、ウエハに付着した薬品ミストを蒸発させ、
シリコンウエハと付着したゴミとの熱膨張係数の差を利
用して、ウエハ裏面に付着した微粒子を脱落させるため
、酸化炉１９またはランプ加熱によりウエハに熱処理を
加える。図１（ｊ） において、シリコンの場合光学的
な鏡面の他に欠陥発生の原因や不純物の汚染源を除去す
る必要があるため、研磨を行なう。この研磨の方法とし
ては化学的，機械的研磨の方法がとられる。この研磨と
しては化学的、機械的研磨の方法がとられる。ここでは
機械的研磨の方法を示しており、図１（ｅ） の場合と
同様、表面に研磨布１７が張られた回転ステージ１６上
にウエハ４を搭載し、ワックス１８により回転ステージ
１６と逆方向にウエハを回転することにより研磨を行な
う。
【００１０】このように、本実施例によれば、図１（ｈ
） の洗浄工程の後に、熱処理工程でシリコンウエハと
ゴミとの熱膨張係数の差を利用することにより、ウエハ
に付着したゴミを脱落させ低減するようにするとともに
、デバイス制作中に微粒子等の付着で発生するパターン
欠陥などを低減できるようにしたので、洗浄工程やバッ
クサイドダメージ工程で発生していたゴミを除去でき、
より一層の高集積化，高密度化に適した半導体ウエハを
製造することができる。
） の洗浄工程の後に、熱処理工程でシリコンウエハと
ゴミとの熱膨張係数の差を利用することにより、ウエハ
に付着したゴミを脱落させ低減するようにするとともに
、デバイス制作中に微粒子等の付着で発生するパターン
欠陥などを低減できるようにしたので、洗浄工程やバッ
クサイドダメージ工程で発生していたゴミを除去でき、
より一層の高集積化，高密度化に適した半導体ウエハを
製造することができる。
【００１１】なお、上記実施例では図１（ｈ） の洗浄
工程の後にただちに熱処理工程を行なう場合を示したが
、図１（ｈ） の洗浄工程で発生する薬品ミストや研磨
材等の微粒子を除去するための洗浄工程を、この洗浄工
程と熱処理工程の間に別途行なうようにしてもよく、こ
の場合、より一層の清浄化が可能となることは言うまで
もない。
工程の後にただちに熱処理工程を行なう場合を示したが
、図１（ｈ） の洗浄工程で発生する薬品ミストや研磨
材等の微粒子を除去するための洗浄工程を、この洗浄工
程と熱処理工程の間に別途行なうようにしてもよく、こ
の場合、より一層の清浄化が可能となることは言うまで
もない。
【００１２】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る半導体ウ
エハの製造方法によれば、ウエハ工程の最終段階におい
て熱処理を加えることによって、洗浄工程やバックサイ
ドダメージなどで発生した薬品ミストや研磨材やバック
サイドダメージ形成などのゴミを、シリコンウエハとの
熱膨張係数の差を利用し脱落させるようにしたので、ウ
エハに付着したゴミを除去，低減させることができ、よ
り一層の高集積化，高密度化に適した半導体ウエハを製
造することができる効果がある。
エハの製造方法によれば、ウエハ工程の最終段階におい
て熱処理を加えることによって、洗浄工程やバックサイ
ドダメージなどで発生した薬品ミストや研磨材やバック
サイドダメージ形成などのゴミを、シリコンウエハとの
熱膨張係数の差を利用し脱落させるようにしたので、ウ
エハに付着したゴミを除去，低減させることができ、よ
り一層の高集積化，高密度化に適した半導体ウエハを製
造することができる効果がある。
【図１】この発明の一実施例による半導体ウエハの製造
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図２】従来の半導体ウエハの製造方法を示す図である
。
。
１ ウエハ
２ ブレード
３ カーボン
４ ウエハ
５ 砥石
６ 真空チャック
７，１４ 洗浄槽
８，１５ 洗浄液
９，１９ 酸化炉
１０，１６ 回転ステージ
１１，１７ 研磨布
１２，１８ ワックス
１３ ＳｉＯ２ 粉末
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウエハのスライスを行う工程と、面
取りを行う工程と、清浄を行う工程と、ドナーキラーを
行う工程と、ラップを行う工程と、エッチングを行う工
程と、バックサイドダメージを行う工程と、研磨を行う
工程とを含む半導体ウエハの製造方法において、バック
サイドダメージ工程と研磨工程との間に、熱処理を行う
工程を含めたことを特徴とする半導体ウエハの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3039516A JP3014152B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 半導体ウエハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3039516A JP3014152B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 半導体ウエハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04255228A true JPH04255228A (ja) | 1992-09-10 |
| JP3014152B2 JP3014152B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=12555209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3039516A Expired - Lifetime JP3014152B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 半導体ウエハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3014152B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58216426A (ja) * | 1982-06-11 | 1983-12-16 | 小松電子金属株式会社 | シリコン基板の製造方法 |
| JPS61154134A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-02-07 JP JP3039516A patent/JP3014152B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58216426A (ja) * | 1982-06-11 | 1983-12-16 | 小松電子金属株式会社 | シリコン基板の製造方法 |
| JPS61154134A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3014152B2 (ja) | 2000-02-28 |
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