JPS583374B2 - シリコン単結晶の処理方法 - Google Patents
シリコン単結晶の処理方法Info
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- JPS583374B2 JPS583374B2 JP52070625A JP7062577A JPS583374B2 JP S583374 B2 JPS583374 B2 JP S583374B2 JP 52070625 A JP52070625 A JP 52070625A JP 7062577 A JP7062577 A JP 7062577A JP S583374 B2 JPS583374 B2 JP S583374B2
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- silicon
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/206—Controlling or regulating the thermal history of growing the ingot
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、シリコン単結晶インゴットからシリコンウ
エハを作製するに際し、積層欠陥の発生を低減するシリ
コン単結晶の処理方法に関する。
エハを作製するに際し、積層欠陥の発生を低減するシリ
コン単結晶の処理方法に関する。
シリコンは半導体素子の重要な材料であり、大規模集積
回路の発達に伴って高精度のものが要求されるようにな
った。
回路の発達に伴って高精度のものが要求されるようにな
った。
ところがシリコン単結晶の処理工程に導入される積層欠
陥、転位等の格子欠陥は、素子の性能や特性に著しく大
きな悪影響を与えるものである そして、上記格子欠陥
は不良品を増大せしめ、歩留りを著しく低減している。
陥、転位等の格子欠陥は、素子の性能や特性に著しく大
きな悪影響を与えるものである そして、上記格子欠陥
は不良品を増大せしめ、歩留りを著しく低減している。
例えばP−N接合での漏洩電流の増大や、CCDにおけ
るキャリアの蓄積時間の減少が積層欠陥による悪影響で
ある。
るキャリアの蓄積時間の減少が積層欠陥による悪影響で
ある。
この積層欠陥は、結晶成長中に導入される不純物と大き
な関連を持つもので、上記不純物は積層欠陥の発生を促
進し、特に高温加熱処理時に多い。
な関連を持つもので、上記不純物は積層欠陥の発生を促
進し、特に高温加熱処理時に多い。
そこで従来より格子欠陥の発生を次のようにして抑制し
ている。
ている。
即ち、シリコン単結晶インゴットからシリコンウエハを
製作したのち、高温加工処理工程に先立って上記ウエハ
の裏面を処理し、ゲツタリングしていた。
製作したのち、高温加工処理工程に先立って上記ウエハ
の裏面を処理し、ゲツタリングしていた。
しかしながら、個々のウエハに対してゲツタリングを行
うことは非常に煩雑な処理を要し、また積層欠陥の発生
の可能性のある処理工程の都度行わねばならず、めんど
うであった。
うことは非常に煩雑な処理を要し、また積層欠陥の発生
の可能性のある処理工程の都度行わねばならず、めんど
うであった。
従って、生産性が低く、また均一で特性の良好なシリコ
ン素子を大量に作ることが難しかった。
ン素子を大量に作ることが難しかった。
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、そ
の目的とするところは、シリコン単結晶インゴット中の
、格子欠陥の発生要因となる不純物を効果的に除去して
格子欠陥の発生を抑制に、簡単な処理で均一で良好なシ
リコン素子を作製することのできるシリコン結晶の処理
方法を提供することにある。
の目的とするところは、シリコン単結晶インゴット中の
、格子欠陥の発生要因となる不純物を効果的に除去して
格子欠陥の発生を抑制に、簡単な処理で均一で良好なシ
リコン素子を作製することのできるシリコン結晶の処理
方法を提供することにある。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
第1図中1はチョクラルスキー法で<111>方向に成
長させた、例えば直径75mmのシリコン単結晶インゴ
ットである。
長させた、例えば直径75mmのシリコン単結晶インゴ
ットである。
このインゴット1を例えば芯無研削盤で研削して、その
外型を成型すると共に格子歪を導入する。
外型を成型すると共に格子歪を導入する。
この格子歪を導入したインゴットを図中2に示す。
しかるのち、該インゴット2を1100℃の水蒸気酸化
雰囲気中で略24時間加熱し、インゴット2の表面積に
酸化膜3を形成し、冷却速度100℃/分で常温まで戻
す。
雰囲気中で略24時間加熱し、インゴット2の表面積に
酸化膜3を形成し、冷却速度100℃/分で常温まで戻
す。
この処理によってシリコン単結晶インゴット2はアニー
ルされる。
ルされる。
なおこのとき、上記加熱したインゴット2を急冷すると
、前記研削処理した研削面から結晶にスリップが導入さ
れる虞れがある。
、前記研削処理した研削面から結晶にスリップが導入さ
れる虞れがある。
従ってこれを防止するために、上記冷却速度以下で除冷
することか重要である。
することか重要である。
次に、上記アニールしたインゴット2を図示しないフツ
硝酸液中に浸漬し、先に形成された酸化膜及び、その境
界層附近のシリコン結晶を約500μmエッチング処理
して除去する。
硝酸液中に浸漬し、先に形成された酸化膜及び、その境
界層附近のシリコン結晶を約500μmエッチング処理
して除去する。
この処理によって格子欠陥が除去され、不純物による積
層欠陥の発生要因が除去される。
層欠陥の発生要因が除去される。
このようにして処理されたインゴット2をダイヤモンド
カツタ等によってスライス加工し、シリコンウエハ4を
作製する。
カツタ等によってスライス加工し、シリコンウエハ4を
作製する。
このンリコンウエハ4はラツピングによって鏡面処理さ
れ、半導体基板として、種々の半導体素子に供されるも
のである。
れ、半導体基板として、種々の半導体素子に供されるも
のである。
このように本発明方法による処理がなされたシリコンウ
エハの顕微鏡写真を第2図aに示す。
エハの顕微鏡写真を第2図aに示す。
また第2図bは従来方法で作製されたシリコンウエハの
顕微鏡写真である。
顕微鏡写真である。
これらの第2図a、bは、製作したシリコンウエハのゲ
ツタ効果を調べるもので、本発明方法の処理に係るシリ
コンウエハと、従来方法の処理に係るシリコンウエハと
を、同時に1100℃で40分間水蒸気酸化を行い、フ
ツ酸によって酸化膜を除去したのち、ジルトルエッチン
グを行った。
ツタ効果を調べるもので、本発明方法の処理に係るシリ
コンウエハと、従来方法の処理に係るシリコンウエハと
を、同時に1100℃で40分間水蒸気酸化を行い、フ
ツ酸によって酸化膜を除去したのち、ジルトルエッチン
グを行った。
そして、上記2枚のシリコンウエハをそれぞれ顕微鏡観
察したものである。
察したものである。
これらの第2図a,bに示されるように、従来方法の処
理に係るンリコンウエハには矢印6に示すシヤローピッ
トや、矢印7に示す積層欠陥が多く発生している。
理に係るンリコンウエハには矢印6に示すシヤローピッ
トや、矢印7に示す積層欠陥が多く発生している。
しかしながら、本発明方法の処理に係るシリコンウエハ
では、わずかにシヤローピットが発生しているのみで、
積層欠陥が生じないことがわかる。
では、わずかにシヤローピットが発生しているのみで、
積層欠陥が生じないことがわかる。
即ち、本発明方法によれば、極めて効果的にゲツタ効果
が発揮されている。
が発揮されている。
かくして本発明方法によれば、積層欠陥の発生を効果的
に抑制せしめ、特性の良好な半導体ウエハを量産するこ
とができる。
に抑制せしめ、特性の良好な半導体ウエハを量産するこ
とができる。
その上、その処理は上述したようにインゴットの状態で
行われる為に非常に簡単であり、工場生産に好適である
。
行われる為に非常に簡単であり、工場生産に好適である
。
従つて製作されるシリコン素子の歩留りを高めることが
できると共に、種々のシリコン素子、特に大規模集積回
路の基板として有効である。
できると共に、種々のシリコン素子、特に大規模集積回
路の基板として有効である。
また、引上げられたシリコン単結晶インゴットは表面に
少なからず凹凸があるため、研削加工により成型する工
程が不可欠であるが、本発明ではこの研削加工工程がイ
ンゴット表面に格子歪を導入する工程を兼ねている。
少なからず凹凸があるため、研削加工により成型する工
程が不可欠であるが、本発明ではこの研削加工工程がイ
ンゴット表面に格子歪を導入する工程を兼ねている。
従ってゲツタリングのためにけがき傷を形成するという
格別の工程を必要としない点においても、本発明は工程
の簡略化にとって非常に有利である。
格別の工程を必要としない点においても、本発明は工程
の簡略化にとって非常に有利である。
しかも本発明によれば、アニールに際して100℃/分
以下という非常に遅い冷却速度で従冷することにより、
結晶へのスリップの導入を確実に防止することができる
。
以下という非常に遅い冷却速度で従冷することにより、
結晶へのスリップの導入を確実に防止することができる
。
なお本発明は上記実施例にのみ、限定されるものではな
い。
い。
以下に他の実施例を述べる。シリコン単結晶インゴット
を1100℃の水蒸気酸素雰囲気中で熱処理した。
を1100℃の水蒸気酸素雰囲気中で熱処理した。
そして、その熱処理時間を1,2,5,10,15,2
4,36,48時間と変えて各々20枚のウエハについ
て実験を行った。
4,36,48時間と変えて各々20枚のウエハについ
て実験を行った。
その結果、2時間以下の熱処理では従来方法の処理に係
るシリコンウエハと殆んど差異が認められず、積層欠陥
が観察された。
るシリコンウエハと殆んど差異が認められず、積層欠陥
が観察された。
5時間ないし10時間のものでは周辺部の積層欠陥が除
去されたが、中心部での効果はさほど顕著ではない。
去されたが、中心部での効果はさほど顕著ではない。
そして、15時間以上のウエハでは、積層欠陥は殆んど
観察されず、効果が顕著である。
観察されず、効果が顕著である。
このときのウエハ欠陥密度は、実験において約40%で
あった。
あった。
また24時間のものでは略20%、36時間のものでは
略10%であり、36時間以上では、その効果に差異が
殆んど生じていない。
略10%であり、36時間以上では、その効果に差異が
殆んど生じていない。
このような欠陥密度の減少はシリコンウエハ中の酸素拡
散係数に依るものであり、シリコン結晶の比抵抗等によ
って異なるものである。
散係数に依るものであり、シリコン結晶の比抵抗等によ
って異なるものである。
一方、シリコン単結晶インゴットを1200℃窒素雰囲
気中で、またアルゴン雰囲気中で同様にして24時間の
熱処理した場合にも、先に説明した実施例と同様な効果
が得られた またシリコン単結晶インゴットを1100℃の乾燥酸素
雰囲気中で熱処理したとき、本発明者らの種々の実験の
中で、最良の結果を得ることができた。
気中で、またアルゴン雰囲気中で同様にして24時間の
熱処理した場合にも、先に説明した実施例と同様な効果
が得られた またシリコン単結晶インゴットを1100℃の乾燥酸素
雰囲気中で熱処理したとき、本発明者らの種々の実験の
中で、最良の結果を得ることができた。
また浮遊帯去で成長させたシリコン単結晶インゴットに
おいても同様に作用することが確認された。
おいても同様に作用することが確認された。
このように本発明方法は、その要旨を逸脱しない範囲で
、種々変形して実施することができ、上述した如く、半
導体技術上、極めて絶大なる処理方法を提供するもので
ある。
、種々変形して実施することができ、上述した如く、半
導体技術上、極めて絶大なる処理方法を提供するもので
ある。
第1図は本発明の一実施例を示す処理工程図、第2図a
,bはそれぞれ本発明の方法および従来法により作製さ
れたシリコンウエハ表面の顕微鏡写真による組織図であ
る。 1,2・・・シリコン半導体インゴット、3・・・酸化
膜、4・・・シリコンウエハ、6・・・シャローピット
、7・・・積層欠陥。
,bはそれぞれ本発明の方法および従来法により作製さ
れたシリコンウエハ表面の顕微鏡写真による組織図であ
る。 1,2・・・シリコン半導体インゴット、3・・・酸化
膜、4・・・シリコンウエハ、6・・・シャローピット
、7・・・積層欠陥。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 シリコン単結晶インゴットに対し、その表面を研削
加工して成型した後、高温加熱を行い100℃/分以下
の冷却速度で徐冷するアニール処理を施し、このアニー
ルされたインゴットの表面層をエッチング処理して格子
歪及びシリコン破枠層を除去することを特徴とするシリ
コン単結晶の処理方法。 2 前記高温加熱工程は、1000℃〜1200℃で少
くとも15時間行うものである特許請求の範囲第1項記
載のシリコン単結晶の処理方法。 3 前記高温加熱工程は、窒素、アルゴン、乾燥酸素ま
たはウエット酸素の雰囲気中で行うものである特許請求
の範囲第1項記載のシリコン単結晶の処理方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52070625A JPS583374B2 (ja) | 1977-06-15 | 1977-06-15 | シリコン単結晶の処理方法 |
US05/915,870 US4193783A (en) | 1977-06-15 | 1978-06-15 | Method of treating a silicon single crystal ingot |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52070625A JPS583374B2 (ja) | 1977-06-15 | 1977-06-15 | シリコン単結晶の処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS545378A JPS545378A (en) | 1979-01-16 |
JPS583374B2 true JPS583374B2 (ja) | 1983-01-21 |
Family
ID=13436978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52070625A Expired JPS583374B2 (ja) | 1977-06-15 | 1977-06-15 | シリコン単結晶の処理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4193783A (ja) |
JP (1) | JPS583374B2 (ja) |
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GB2190368B (en) * | 1986-04-16 | 1989-12-13 | Westinghouse Electric Corp | Method of removing film from dendritic web silicon |
JPH0750713B2 (ja) * | 1990-09-21 | 1995-05-31 | コマツ電子金属株式会社 | 半導体ウェーハの熱処理方法 |
JP2613498B2 (ja) * | 1991-03-15 | 1997-05-28 | 信越半導体株式会社 | Si単結晶ウエーハの熱処理方法 |
US5564409A (en) * | 1995-06-06 | 1996-10-15 | Corning Incorporated | Apparatus and method for wire cutting glass-ceramic wafers |
KR100521897B1 (ko) * | 1996-09-30 | 2005-12-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학소자제조방법 |
US6332922B1 (en) * | 1998-02-26 | 2001-12-25 | Nikon Corporation | Manufacturing method for calcium fluoride and calcium fluoride for photolithography |
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JP2000294549A (ja) * | 1999-02-02 | 2000-10-20 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
DE102005046726B4 (de) * | 2005-09-29 | 2012-02-02 | Siltronic Ag | Nichtpolierte monokristalline Siliziumscheibe und Verfahren zu ihrer Herstellung |
JP4667263B2 (ja) * | 2006-02-02 | 2011-04-06 | シャープ株式会社 | シリコンウエハの製造方法 |
US8721901B2 (en) * | 2007-10-05 | 2014-05-13 | Micron Technology, Inc. | Methods of processing substrates and methods of forming conductive connections to substrates |
CN102241077B (zh) * | 2011-06-15 | 2013-12-18 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 铸造法生产类似单晶硅锭晶种制作方法 |
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CN111515792A (zh) * | 2020-04-28 | 2020-08-11 | 福建晶安光电有限公司 | 一种适合石墨烯生长的衬底材料及其制作方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5028753A (ja) * | 1973-07-13 | 1975-03-24 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS5412364Y2 (ja) * | 1973-07-07 | 1979-05-31 |
-
1977
- 1977-06-15 JP JP52070625A patent/JPS583374B2/ja not_active Expired
-
1978
- 1978-06-15 US US05/915,870 patent/US4193783A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5028753A (ja) * | 1973-07-13 | 1975-03-24 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4193783A (en) | 1980-03-18 |
JPS545378A (en) | 1979-01-16 |
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