JPH01184831A - 洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、洗浄方法に関し、特に、半導体ウェーハ等の
裏面の洗浄に用いて好適なものである。

〔発明の概要〕

本発明による洗浄方法は、被洗浄物の一方の主面に清浄
な液体を供給しながら他方の主面をブラシスクラブ洗浄
するようにしている。これによって、被洗浄物の一方の
主面の汚染を生じることなく他方の主面をブラシスクラ
ブ洗浄することができる。

〔従来の技術〕

最近、半導体ウェーハの表面及び裏面を同時にブラシス
クラブ洗浄する両面スクラブ洗浄装置が開発され、既に
市販されている。この両面スクラブ洗浄装置では、半導
体ウェーハの端部を特殊チャックで保持し、この半導体
ウェーハを回転させながらその表面及び裏面を同時にブ
ラシスクラブ洗浄する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明者の知見によれば、例えば半導体集積回路の製造
工程におけるリソグラフィー工程では、半導体ウェーハ
の搬送は通常ベルト搬送（あるいはローラー搬送等）及
び真空チャックにより行われるので、この半導体ウェー
ハの裏面には約数子細にものぼるダスト（主として有機
物ダスト）が付着している。このダストは、半導体集積
回路の製造プロセスで通常用いられる洗浄方法ではほと
んど除去することができず、ブラシスクラブ洗浄により
除去する必要がある。しかしながら、本発明者の検討結
果によれば、上述のように半導体ウェーへの表面及び裏
面を同時にブラシスクラブ洗浄した場合には、裏面のダ
ストは除去されるものの表面はかえってダストにより汚
染されてしまい、この結果、半導体集積回路の製造歩留
まりの低下を招いてしまうという問題があった。

従って本発明の目的は、半導体ウェーハ等の被洗浄物の
一方の主面の汚染を生じることなく他方の主面をブラシ
スクラブ洗浄することができる洗浄方法を提供すること
にある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、被洗浄物（例えば半導体ウェーハ１）の一方
の主面（例えば表面１ｂ）に清浄な液体（例えば純水４
）を供給しながら他方の主面（例えば裏面１ａ）をブラ
シスクラブ洗浄するようにした洗浄方法である。

〔作用〕

上記した手段によれば、被洗浄物の他方の主面がブラシ
スクラブ洗浄される際に一方の主面を清浄な液体で覆う
ことができるので、このブラシスクラブ洗浄の際に他方
の主面にダストが付着するのを防止することができ、従
って被洗浄物の一方の主面の汚染を生じることなく他方
の主面をブラシスクラブ洗浄することができる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。この実施例は半導体ウェーハの洗浄に本発明を適用
した例である。

第１図に示すように、本実施例においては、最初は半導
体ウェーハｌから離れた位置にあった例えば■溝を有す
るプーリ状のチャック２をこの半導体ウェーハ１の中心
に向かって水平移動し、この半導体ウェーハ１の端部を
上記■溝を利用して数箇所でチャックすることにより保
持する。次に、この状態でチャック２を高速で回転させ
ることによりこの半導体ウェーハ１をその中心の回りに
回転させながら、その中心軸の回りに回転する洗浄ブラ
シ３によりこの半導体ウェーハ１の裏面１ａをブラシス
クラブ洗浄する。このブラシスクラブ洗浄を行う際には
、半導体ウェーハ１の素子形成が行われる表面１ｂに例
えばＣ０８バブラーにより中性化された例えば８０°Ｃ
程度の純水４を圧力噴射により供給していわゆる純水リ
ンスを行うとともに、洗浄ブラシ３と半導体ウェーハ１
の裏面１ａとの接触部に純水ジェット５を当てて純水ジ
ェット洗浄を行う、Ｃｏｔバブラーにより中性化された
純水４を用いることにより、この純水４が半導体ウェー
ハＩに噴射されることにより静電気が発生するのを防止
することができる。

上記純水４により半導体ウェーハ１の表面１ｂが覆われ
るとともに、この純水４が半導体ウェーハ１の端部から
下方に流れることにより下方に向かう水流が形成される
。このため、半導体ウェー八ｌの裏面１ａをブラシスク
ラブ洗浄する際に表面１ｂにダストが付着するのを効果
的に防止することができる。また、純水ジェット５によ
り、洗浄ブラシ３によるスクラブ洗浄により半導体ウェ
ーハｌの裏面１ａから除去されたダストを洗い流すこと
ができる。

表１は、本実施例による裏面ブラシスクラブ洗浄の効果
を従来の両面ブラシスクラブ洗浄の効果と比較するため
に行った実験結果の一例を示す。

この表中の数値は半導体ウェーハｌの表面１ｂ及び裏面
１ａで測定された０、３μｍ以上のダスト数を示し、ま
たプロセス投入後のダスト数とはリングラフイー工程を
経た後のダスト数を意味する。

表１ この表１かられかるように、従来の両面ブラシスクラブ
洗浄では半導体ウェーハの裏面のダスト数を低減する効
果はあるものの、表面のダスト数は洗浄前に比べてかえ
って増加している。これに対して、本実施例による裏面
ブラシスクラブ洗浄では、半導体ウェーハ１の裏面１ａ
のダスト数を著しく低減することができることは勿論、
表面のダスト数も６０〜８０個に低減することができる
。

この６０〜８０個というダスト数は、半導体製造装置に
おける半導体ウェーハの搬送系で付着するダスト数であ
り、いわばバックグラウンドのダスト数というべきもの
である。すなわち、本実施例による裏面ブラシスクラブ
洗浄後には、半導体ウェーハ１の裏面１ａのダスト数を
バックグラウンドのレベルまで低減することができる。

このように、本実施例による洗浄方法によれば、半導体
ウェーハ１の表面１ｂに純水４を供給しながら裏面１ａ
を洗浄ブラシ３によりブラシスクラブ洗浄しているので
、この半導体ウェーハ１の裏面１ａがブラシスクラブ洗
浄される際に表面１ｂを純水４により覆うことができ、
これによってこの表面１ｂにダストが付着するのを防止
することができる。このため、半導体ウェーハ１の表面
１ｂの汚染を生じることなく裏面１ａをブラシスクラブ
洗浄することができ、ダスト数を低減することができる
。従って、半導体集積回路等の製造プロセスにおける拡
散工程や酸化工程等でこのダストによる不良が生じる確
率が小さくなり、この結果この半導体ウェーハ１を用い
て製造される半導体集積回路やＣＯＤ　（電荷結合素子
）等の歩留まりの向上を図ることができる。

以上、本発明を実施例につき具体的に説明したが、本発
明は上述の実施例に限定されるものではな（、本発明の
技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、第２図に示すように、内周面に斜面が設けられ
た例えば円弧状あるいはリング状のチャック２を用い、
半導体ウェーハｌをその裏面１ａが上になるようにこの
チャック２の斜面で保持し、表面１ｂに下側から純水４
を供給することによりこの表面１ｂを保護しながら裏面
１ｂを洗浄ブラシ３によりブラシスクラブ洗浄すること
によっても上述の実施例と同様な効果がある。この場合
には、固定されたチャック２の斜面上に上側から半導体
ウェーハ１を置くだけでこの半導体ウェーハ１を保持す
ることができるので、この半導体ウェーハ１のチャック
機構を簡単にすることができるという利点もある。また
、チャック２の形状は第１図及び第２図に示すものと異
なる形状とすることも可能である。さらに、純水４の代
わりに例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）のよう
な他の清浄な液体を用いることが可能である。

また、上述の実施例においては、本発明を半導体ウェー
ハ１の洗浄に適用した場合について説明したが、本発明
は半導体ウェーハ１以外の各種の物の洗浄に適用するこ
とが可能である。

〔発明の効果〕

本発明による洗浄方法によれば、被洗浄物の一方の主面
に清浄な液体を供給しながら他方の主面をブラシスクラ
ブ洗浄するようにしているので、被洗浄物の他方の主面
がブラシスクラブ洗浄される際に一方の主面をこの清浄
な液体で覆うことができ、従って被洗浄物の一方の主面
の汚染を生じることなく他方の主面をブラシスクラブ洗
浄することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による洗浄方法を説明するた
めの断面図、第２図は本発明の詳細な説明するための断
面図である。 図面における主要な符号の説明 １：半導体ウェーハ、　１ａ：裏面、　１ｂ：表面、　
　２：チャック、　　３：洗浄ブラシ、　　４：純水。 代理人　　　弁理士　杉　浦　正　知

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　被洗浄物の一方の主面に清浄な液体を供給しながら他
   方の主面をブラシスクラブ洗浄するようにしたことを特
   徴とする洗浄方法。