CN117096055A - 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 - Google Patents

基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 Download PDF

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CN117096055A CN202310527060.8A CN202310527060A CN117096055A CN 117096055 A CN117096055 A CN 117096055A CN 202310527060 A CN202310527060 A CN 202310527060A CN 117096055 A CN117096055 A CN 117096055A
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Abstract

本公开提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，从形成有基板的膜的背面适当地去除异物。本公开的一个方面所涉及的基板处理装置具备：膜处理部，其执行规定的处理，该规定的处理包括基板的表面的抗蚀膜的形成；以及搬入搬出部，其相对于膜处理部进行基板的搬入和搬出。膜处理部具有：抗蚀膜形成部，其在基板的表面形成抗蚀膜；膜去除处理部，其对形成于基板的与表面相反一侧的背面的背面膜供给用于去除背面膜的处理液；以及异物去除处理部，其在使刷子接触了通过膜去除处理部被进行处理后的基板的背面的状态下，使刷子沿基板的背面移动。

Description

基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。
背景技术
在专利文献1中公开了一种去除基板的背面的去除对象物的基板处理方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-21026号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够从基板的形成有膜的背面适当地去除异物的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。
用于解决问题的方案
本公开的一个方面所涉及的基板处理装置具备：膜处理部，其执行规定的处理，该规定的处理包括基板的表面的抗蚀膜的形成；以及搬入搬出部，其相对于膜处理部进行基板的搬入和搬出。膜处理部具有：膜形成部，其对基板的表面供给第一处理液来在基板的表面形成抗蚀膜；膜去除处理部，其对形成于基板的与表面相反一侧的背面的背面膜供给用于去除背面膜的第二处理液；以及异物去除处理部，其在使刷子接触了通过膜去除处理部被进行处理后的基板的背面的状态下，使刷子沿基板的背面移动。
发明的效果
根据本公开，提供一种能够从基板的形成有膜的背面适当地去除异物的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。
附图说明
图1是示意性地示出基板处理系统的一例的立体图。
图2是示意性地示出涂布显影装置的一例的侧视图。
图3是示意性地示出液处理单元的一例的侧视图。
图4是示出背面形成有膜的工件的截面的一例的示意图。
图5是示意性地示出第一背面处理单元的一例的侧视图。
图6是示意性地示出第二背面处理单元的一例的俯视图。
图7是示意性地示出第二背面处理单元的一例的侧视图。
图8是示出基板处理方法的一例的流程图。
图9是示出异物去除处理的一例的流程图。
图10的(a)及图10的(b)是例示异物去除处理的情形的示意图。
图11的(a)及图11的(b)是例示异物去除处理的情形的示意图。
图12的(a)及图12的(b)是例示异物去除处理的情形的示意图。
图13是示意性地示出涂布显影装置的一例的侧视图。
图14是示出基板处理方法的一例的流程图。
图15是示意性地示出涂布显影装置的一例的侧视图。
图16是示意性地示出研磨单元的一例和清洗单元的一例的侧视图。
图17是示意性地示出涂布显影装置的一例的侧视图。
图18是示意性地示出减少膜形成单元的一例的侧视图。
图19是示出基板处理方法的一例的流程图。
图20的(a)、图20的(b)以及图20的(c)是例示减少膜形成的情形的示意图。
图21是示出基板处理方法的一例的流程图。
具体实施方式
下面，参照附图对一个实施方式进行说明。在说明中，对同一要素或具有同一功能的要素标注相同的标记，并且省略重复的说明。在一部分附图中，示出由X轴、Y轴以及Z轴规定的正交坐标系。在以下的实施方式中，Z轴与铅垂方向对应，X轴及Y轴与水平方向对应。Z轴正方向与铅垂向上对应，Z轴负方向与铅垂向下对应。
[第一实施方式]
首先，参照图1～图12来说明第一实施方式所涉及的基板处理系统。图1所示的基板处理系统1(基板处理装置)是对工件W实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光以及该感光性覆膜的显影的系统。作为处理对象的工件W例如是基板、或者通过被实施规定的处理而形成有膜或电路等的状态的基板。作为一例，该基板为硅晶圆。工件W(基板)可以为圆形。工件W可以是玻璃基板、掩模基板或FPD(Flat Panel Display：平板显示器)等。
在工件W的缘部存在斜面(倒角)的情况下，本公开中的工件W的“表面”还包括从工件W的表面侧观察时的斜面部分，工件W的“背面”还包括从工件W的背面侧观察时的斜面部分。工件W的表面(下面，记载为“表面Wa”。)是工件W的一对主面中的形成感光性覆膜的主面。工件W的背面(下面，记载为“背面Wb”。)是上述一对主面中的与表面Wa相反一侧的主面。感光性覆膜例如是抗蚀膜。
如图1和图2所示，基板处理系统1具备涂布显影装置2、曝光装置3以及控制装置100。曝光装置3是对形成于工件W(基板)的抗蚀膜(感光性覆膜)进行曝光的装置。具体地说，曝光装置3通过浸没曝光等方法对抗蚀膜的曝光对象部分照射能量射线。能量射线例如可以是电离辐射或非电离辐射等。
涂布显影装置2(基板处理装置)在通过曝光装置3被进行曝光处理之前进行在工件W的表面Wa形成抗蚀膜的处理。涂布显影装置2例如向工件W的表面Wa涂布抗蚀剂来在工件W的表面Wa形成抗蚀膜。涂布显影装置2除了形成抗蚀膜的处理以外，还可以在曝光处理之后进行抗蚀膜的显影处理。通过曝光装置3选择性地对显影处理前的抗蚀膜的曝光对象部分照射能量射线。涂布显影装置2例如具备承载件块4、处理块5以及接口块6。
承载件块4进行工件W向涂布显影装置2内的导入以及工件W从涂布显影装置2内的导出。承载件块4例如能够支承工件W用的多个承载件C，并且内置有包括交接臂的搬送装置A1。承载件C例如收容多张圆形的工件W。搬送装置A1将工件W从承载件C取出并传递到处理块5，并从处理块5接受工件W将其送回到承载件C内。像这样，包括搬送装置A1的承载件块4向处理块5搬入工件W，从处理块5搬出工件W。处理块5具有处理模块11、12、13、14。
处理模块11内置有液处理单元U1、热处理单元U2以及向这些单元搬送工件W的搬送装置A3。处理模块11利用液处理单元U1和热处理单元U2在工件W的表面Wa上形成下层膜。液处理单元U1向工件W的表面Wa供给用于形成下层膜的处理液，并将该处理液涂布于工件W的表面Wa上。热处理单元U2进行伴随下层膜的形成所要进行的各种热处理。
处理模块12内置有液处理单元U1、热处理单元U2以及向这些单元搬送工件W的搬送装置A3。处理模块12利用液处理单元U1和热处理单元U2在下层膜上形成抗蚀膜。液处理单元U1向工件W的表面Wa供给用于形成抗蚀膜的处理液，并将该处理液涂布于下层膜上。热处理单元U2进行伴随抗蚀膜的形成所要进行的各种热处理。处理模块12中的液处理单元U1和热处理单元U2作为用于在工件W的表面Wa形成抗蚀膜的抗蚀膜形成部发挥功能。
处理模块13内置有液处理单元U1、热处理单元U2以及向这些单元搬送工件W的搬送装置A3。处理模块13利用液处理单元U1和热处理单元U2在抗蚀膜上形成上层膜。液处理单元U1向工件W的表面Wa供给用于形成上层膜的处理液，并将该处理液涂布于抗蚀膜上。热处理单元U2进行伴随上层膜的形成所要进行的各种热处理。
处理模块14内置有液处理单元U1、热处理单元U2以及向这些单元搬送工件W的搬送装置A3。处理模块14利用液处理单元U1和热处理单元U2进行被实施了曝光处理的抗蚀膜的显影处理、以及伴随显影处理所要进行的热处理。液处理单元U1是利用显影液对工件W实施液处理(显影处理)的单元。液处理单元U1向曝光完毕的工件W的表面Wa上供给显影液，来进行形成于工件W的表面Wa上的抗蚀膜的显影处理。液处理单元U1在利用显影液进行显影之后，通过冲洗液将工件W的表面Wa上的显影液冲洗掉。热处理单元U2进行伴随显影处理所要进行的各种热处理。作为热处理的具体例，能够举出显影前的加热处理(PEB：PostExposure Bake：曝光后烘烤)、以及显影后的加热处理(PB：Post Bake：后烘)等。
在处理块5内的靠承载件块4侧设置有架单元U10。架单元U10被划分为沿上下方向排列的多个层格。在架单元U10的附近设置有包括升降臂的搬送装置A7。搬送装置A7使工件W在架单元U10的层格之间进行升降。
在处理块5内的靠接口块6侧设置有架单元U11。架单元U11被划分为沿上下方向排列的多个层格。
接口块6与曝光装置3之间进行工件W的交接。例如，接口块6内置有包括交接臂的搬送装置A8，所述接口块6与曝光装置3连接。搬送装置A8将配置于架单元U11的工件W传递到曝光装置3。搬送装置A8从曝光装置3接受工件W并将其送回到架单元U1。
上述的涂布显影装置2是基板处理装置的一例，基板处理装置具备执行规定的处理的膜处理部、以及相对于膜处理部进行工件W的搬入和搬出的搬入搬出部即可，可以任意地构成，所述规定的处理包括工件W的表面的抗蚀膜的形成。在上述的涂布显影装置2中，处理块5和接口块6作为执行包括表面Wa的抗蚀膜的形成的规定的处理的膜处理部发挥功能。承载件块4作为相对于膜处理部进行工件W的搬入和搬出的搬入搬出部发挥功能。处理块5和接口块6所执行的规定的处理可以包括曝光后的抗蚀膜的显影，也可以不包括该显影。
控制装置100控制涂布显影装置2局部以及整体。控制装置100由一个以上的控制用计算机构成。在控制装置100由多个控制用计算机构成的情况下，可以使这些多个控制用计算机以彼此能够通信的方式连接。
控制装置100具有作为功能结构的存储部102和控制部104。存储部102存储有用于使涂布显影装置2所包括的各种单元和各种装置进行动作的程序。存储部102还存储有各种数据(例如，与用于使涂布显影装置2所包括的处理单元等进行动作的信号有关的信息)、以及来自设置于各部的传感器等的信息。存储部102例如为半导体存储器、光记录盘、磁记录盘或光磁记录盘。该程序还能够包括于是与存储部102相独立的装置的外部存储装置、或者传播信号等无形的介质中。可以将该程序从这些其它介质安装到存储部102中，并使存储部102存储该程序。
控制部104基于从存储部102读出的程序来控制涂布显影装置2所包括的各种单元和各种装置的动作。控制部104构成为至少进行以下控制：控制处理块5，以使处理块5执行包括工件W的表面Wa的抗蚀膜的形成以及曝光后的抗蚀膜的显影的规定的处理；控制承载件块4，以使承载件块4相对于处理块5进行工件W的搬入和搬出。下面，对涂布显影装置2所包括的各种处理单元进行说明。
(液处理单元)
在图3中示意性地示出处理模块12的液处理单元U1的一例。液处理单元U1是利用处理液对工件W实施液处理的单元。液处理单元U1例如具有壳体21、旋转保持部22、处理液供给部24、罩构件26以及鼓风机28。壳体21用于收容旋转保持部22、处理液供给部24的一部分、罩构件26以及鼓风机28。壳体21形成用于供液处理单元U1使用处理液进行液处理的处理空间S1(第一处理空间)。
旋转保持部22保持工件W并使其旋转。旋转保持部22例如包括旋转驱动部222、轴224以及保持部226。旋转驱动部222基于来自控制装置100的信号进行动作，以使轴224旋转。旋转驱动部222例如包括电动马达等动力源。保持部226设置于轴224的前端部。
工件W被以工件W的表面Wa朝上的状态配置于保持部226上。保持部226例如通过吸附等将工件W大致水平地保持。旋转保持部22在工件W的姿势为大致水平的状态下使工件W绕与工件W的表面Wa垂直的中心轴(旋转轴)旋转。保持部226可以将工件W以述旋转轴与工件W的中心大致一致的方式保持。
处理液供给部24对被保持于旋转保持部22(保持部226)的工件W的表面Wa供给用于形成抗蚀膜的处理液。下面，将由处理液供给部24供给的处理液记载为“处理液L1”，将形成于表面Wa的抗蚀膜记载为“抗蚀膜R”。处理液L1(其它处理液)是用于形成抗蚀膜R的抗蚀液。在本公开中，对工件W的主面(例如，表面Wa)供给呈液体或气体的流体(例如，处理液L1)包括使该流体与已形成于该主面的膜接触。
处理液供给部24例如包括处理液供给源246、喷嘴242、开闭阀244以及喷嘴驱动部248。处理液供给源246是处理液L1的液源，向喷嘴242供给处理液L1。处理液供给源246例如包括用于收容处理液L1的罐、以及用于对处理液L1进行加压输送的泵。喷嘴242将从处理液供给源246供给的处理液L1朝向工件W的表面Wa喷出。
开闭阀244基于来自控制装置100的信号将处理液供给源246与喷嘴242之间的处理液L1的流路进行开闭。喷嘴驱动部248基于来自控制装置100的信号使喷嘴242至少在沿着工件W的表面Wa的方向(水平方向)上移动。
罩构件26设置于旋转保持部22的周围。罩构件26例如包括杯主体262、排液口264以及排气口266。杯主体262作为用于承接为了对工件W进行液处理而供给到工件W的处理液L1的集液容器发挥功能。
排液口264设置于杯主体262的底部。由杯主体262收集到的处理液L1的排液经由排液口264排出到液处理单元U1的外部。在排液口264连接有排液线路lL1(第一排液线路)。排液线路lL1从液处理单元U1中的用于利用处理液L1进行处理的处理空间S1向涂布显影装置2的外部排出处理液L1。排液线路lL1是将处理液L1引导到涂布显影装置2的外部的配管。与一个液处理单元U1连接的排液线路lL1可以与连接与处理模块12中的其它液处理单元U1的排液线路lL1合流，并将处理液L1排出到涂布显影装置2的外部。
排气口266设置于杯主体262的底部。壳体21内的气体被从排气口266排出到液处理单元U1的外部。在排气口266连接有排气线路gL1(第一排气线路)。排气线路gL1将液处理单元U1中的用于利用处理液L1进行处理的处理空间S1内(壳体21内)的气体排出到涂布显影装置2的外部。排气线路gL1是将从壳体21内排出的气体引导到涂布显影装置2的外部的配管。与一个液处理单元U1连接的排气线路gL1可以与连接于处理模块12中的其它液处理单元U1的排气线路gL1合流，并将壳体21内的气体排出到涂布显影装置2的外部。
鼓风机28在壳体21内配置于旋转保持部22和罩构件26的上方。鼓风机28基于来自控制装置100的信号来形成朝向罩构件26和旋转保持部22的下降流。
在液处理单元U1在表面Wa形成处理液L1的涂布膜之后，热处理单元U2进行工件W的热处理，由此形成抗蚀膜R。在图3中，用“R”表示热处理前的处理液L1的涂布膜。如以上那样，处理模块12的液处理单元U1和热处理单元U2进行在工件W的表面Wa形成抗蚀膜的处理(第一处理)。
(翻转单元)
如图2所示，涂布显影装置2的处理块5可以具有一个以上的翻转单元18。涂布显影装置2的处理块5可以具有多个翻转单元18。一个以上的翻转单元18可以配置于架单元U10的一部分层格。一个以上的翻转单元18可以配置于架单元U10的多个层格中的与处理模块11对应的层格。
翻转单元18(翻转处理部)是使工件W的背面Wb上下翻转的单元。翻转单元18使工件W上下翻转，以从背面Wb朝下的状态成为背面Wb朝上的状态。翻转单元18使工件W上下翻转，以从背面Wb朝上的状态成为背面Wb朝下的状态。
<背面Wb的膜>
在图4中示意性地示出工件W的截面的一例。有时为了各种目的而在工件W的背面Wb(与表面Wa相反一侧的主面)形成膜。下面，将形成于工件W的背面Wb的膜记载为“膜F”。膜F(背面膜)可以是单层的膜，也可以是多层的膜。膜F可以包括氧化硅膜F1和氮化硅膜F2。氧化硅膜F1和氮化硅膜F2可以从工件W的背面Wb起按照所述的顺序进行层叠。在氧化硅膜F1与氮化硅膜F2之间可以存在其它膜。在图4中省略了形成于工件W的表面Wa的膜(抗蚀膜R等)。
膜F可以在涂布显影装置2中的处理(抗蚀膜R的形成和显影)之前形成。膜F可以在导入涂布显影装置2之前已经形成。在形成于背面Wb的膜F中存在异物。膜F中存在的异物例如是伴随工件W的背面Wb与其它构件(例如，保持工件W的构件等)的接触、或者针对工件W进行的膜形成等处理而产生的。膜F中存在的异物例如包括附着于工件W的背面Wb的微粒P1、形成于工件W的背面Wb的毛刺B1以及埋入膜F内的微粒P2。
在涂布显影装置2(处理块5和接口块6)中，进行用于从工件W的背面Wb去除异物的处理，来减少背面Wb的缺陷。涂布显影装置2例如具有一个以上的第一背面处理单元30和一个以上的第二背面处理单元40(参照图2)。
(第一背面处理单元)
在图5中示意性地示出第一背面处理单元30的一例。第一背面处理单元30可以设置于处理模块11。第一背面处理单元30(膜去除处理部)针对形成于工件W的与表面Wa相反一侧的背面Wb的膜F进行供给用于去除膜F的处理液的处理(第二处理)。将由第一背面处理单元30供给的处理液记载为“处理液L2”。处理液L2是能够去除膜F的至少一部分的药液。第一背面处理单元30利用能够去除膜F的药液即处理液L2来进行膜F的蚀刻。
第一背面处理单元30可以在将工件W以背面Wb朝下的方式保持的状态下对背面Wb供给用于蚀刻的处理液L2(可以从下方进行供给)。第一背面处理单元30例如具有壳体32、旋转保持部34、处理液供给部35以及罩构件39。
壳体32收容旋转保持部34的一部分、处理液供给部35的一部分以及罩构件39。壳体32形成用于供第一背面处理单元30利用处理液来进行处理的处理空间S2(第二处理空间)。在壳体32的顶部设置有鼓风机32a，鼓风机32a在壳体32内形成下降流。鼓风机32a可以是FFU(Fun Filter Unit：风扇过滤单元)。
旋转保持部34保持工件W并使其旋转。旋转保持部34可以在使工件W以背面Wb朝下的状态下保持工件W的周缘部(周缘和其附近)。旋转保持部34例如包括旋转驱动部342、轴344、保持部346以及多个把持部348。旋转驱动部342基于来自控制装置100的信号进行动作，来使轴344旋转。旋转驱动部342例如包括电动马达等动力源。保持部346设置于轴344的前端部。
多个把持部348设置于保持部346的上表面。多个把持部348把持工件W的周缘部。多个把持部348可以以在保持部346的上表面与工件W之间设置有间隙的状态下把持(保持)工件W的周缘部。多个把持部348以使工件W的背面Wb朝下的状态下保持工件W。旋转保持部34在工件W的姿势为大致水平的状态下使工件W绕与工件W的表面Wa垂直的中心轴(旋转轴)旋转。多个把持部348可以以使上述旋转轴与工件W的中心大致一致的方式把持工件W的周缘部。
处理液供给部35对由多个把持部348把持的工件W的背面Wb供给处理液L2(一种以上的处理液)。处理液供给部35可以从下方对工件W的背面Wb供给处理液L2。在轴344和保持部346的中央部形成有沿上述旋转轴贯通的插入孔，处理液供给部35配置于上述插入孔。处理液供给部35包括沿上述旋转轴延伸并引导处理液L2的流路。处理液供给部35的上端对被多个把持部348把持的工件W的背面Wb喷出处理液L2。
处理液供给部35例如与第一药液供给部36、第二药液供给部37以及冲洗液供给部38连接。从第一药液供给部36、第二药液供给部37以及冲洗液供给部38中的任一供给部向处理液供给部35供给液体，处理液供给部35将该液体供给到工件W的背面Wb。处理液供给部35将从第一药液供给部36和第二药液供给部37中的任一方供给的处理液L2喷出到背面Wb。第一背面处理单元30可以具有将从处理液供给部35喷出的处理液L2加热到规定的温度范围的加热器。
第一药液供给部36对处理液供给部35供给第一药液来作为处理液L2。第一药液是用于去除膜F的处理液。第一药液供给部36包括第一药液供给源362、开闭阀364以及流量调节器366。第一药液供给源362、开闭阀364以及流量调节器366在第一药液的流路中从上游侧起按照所述的顺序配置。
第一药液供给源362是第一药液的液源，例如包括用于收容第一药液的罐。开闭阀364基于来自控制装置100的信号将第一药液供给源362与处理液供给部35之间的第一药液的流路进行开闭。流量调节器366基于来自控制装置100的信号来调节从第一药液供给源362向处理液供给部35供给的第一药液的流量。第一药液可以是氢氟酸。
第二药液供给部37对处理液供给部35供给第二药液来作为处理液L2。第二药液是用于去除膜F的处理液。第二药液供给部37包括第二药液供给源372、开闭阀374以及流量调节器376。第二药液供给源372、开闭阀374以及流量调节器376在第二药液的流路中从上游侧起按照所述的顺序配置。
第二药液供给源372是第二药液的液源，例如包括用于收容第二药液的罐。开闭阀374基于来自控制装置100的信号将第二药液供给源372与处理液供给部35之间的第二药液的流路进行开闭。流量调节器376基于来自控制装置100的信号来调节从第二药液供给源372向处理液供给部35供给的第二药液的流量。第二药液可以是氨、过氧化氢以及水的混合液即SC-1。在本公开中，处理液L2是用于去除膜F的第一药液与第二药液的统称。即，处理液L2是指第一药液和第二药液中的任一方、或者第一药液和第二药液这两方。
冲洗液供给部38对处理液供给部35供给冲洗液。冲洗液是用于将被供给到工件W的背面Wb的药液冲洗掉的液体，可以是DIW(Deionized Water：去离子水)。冲洗液供给部38包括冲洗液供给源382、开闭阀384以及流量调节器386。冲洗液供给源382、开闭阀384以及流量调节器386在冲洗液的流路中从上游侧起按照所述的顺序配置。
冲洗液供给源382是冲洗液的液源，例如包括用于收容冲洗液的罐。开闭阀384基于来自控制装置100的信号将冲洗液供给源382与处理液供给部35之间的冲洗液的流路进行开闭。流量调节器386基于来自控制装置100的信号来调节从冲洗液供给源382向处理液供给部35供给的冲洗液的流量。
罩构件39设置于旋转保持部34的周围。罩构件39例如包括杯主体392、排液口394以及排气口396。杯主体392作为用于承接被供给到工件W的背面Wb的第一药液等处理液L2的集液容器发挥功能。
排液口394设置于杯主体392的底部。由杯主体392收集到的处理液L2的排液经由排液口394排出到第一背面处理单元30的外部。在排液口394连接有排液线路lL2(第二排液线路)。排液线路lL2从第一背面处理单元30中的用于利用处理液L2进行处理的处理空间S2向涂布显影装置2的外部排出处理液L2(处理液L2和冲洗液)。
排液线路lL2是将处理液L2(处理液L2和冲洗液)引导到涂布显影装置2的外部的配管。与一个第一背面处理单元30连接的排液线路lL2可以与连接于其它第一背面处理单元30的排液线路lL2合流，并将处理液L2排出到涂布显影装置2的外部。排液线路lL2与连接于液处理单元U1的上述的排液线路lL1相独立，将处理液L2排出到涂布显影装置2的外部(还参照图2)。在该情况下，排液线路lL2以不与排液线路lL1合流的方式将处理液L2引导到涂布显影装置2的外部。
排气口396设置于杯主体392的底部。壳体32内的气体被从排气口396排出到第一背面处理单元30的外部。在排气口396连接有排气线路gL2(第二排气线路)。排气线路gL2将第一背面处理单元30中的用于利用处理液L2进行处理的处理空间S2内(壳体32内)的气体排出到涂布显影装置2的外部。
排气线路gL2是将从壳体32内排出的气体引导到涂布显影装置2的外部的配管。与一个第一背面处理单元30连接的排气线路gL2可以与连接于其它第一背面处理单元30的排气线路gL2合流，并将壳体32内的气体排出到涂布显影装置2的外部。排气线路gL2与连接于液处理单元U1的上述的排气线路gL1相独立，将壳体32内的气体排出到涂布显影装置2的外部(还参照图2)。在该情况下，排气线路gL2以不与排气线路gL1合流的方式将壳体32内的气体引导到涂布显影装置2的外部。
如以上那样构成的第一背面处理单元30首先通过多个把持部348来保持表面Wa朝上的(背面Wb朝下的)状态的工件W的周缘部。而且，第一背面处理单元30通过旋转驱动部342使由多个把持部348保持的工件W旋转。之后，第一背面处理单元30从处理液供给部35朝向旋转的工件W的背面Wb的中央的区域依次供给多种药液。在一例中，第一背面处理单元30从处理液供给部35朝向旋转的工件W的背面Wb的中央区域按照氢氟酸、DIW、SC-1以及DIW的顺序供给这些液体。
通过从处理液供给部35朝向工件W的背面Wb的中央区域供给多种药液，来对形成于背面Wb的膜F进行蚀刻。伴随膜F的蚀刻，附着于背面Wb的微粒P1和埋入背面Wb的膜F之中的微粒P2能够被去除。第一背面处理单元30在进行利用作为冲洗液的DIW将残留于背面Wb的SC-1冲走的冲洗处理之后，使工件W在未被供给药液的状态下旋转，由此进行使工件W干燥的处理。
(第二背面处理单元)
在图6和图7中示意性地示出第二背面处理单元40的一例。第二背面处理单元40(异物去除处理部)进行如下处理(第三处理)：在使刷子接触了通过第一背面处理单元30被进行处理后的工件W的背面Wb的状态下，使刷子沿工件W的背面Wb移动。通过使刷子接触背面W并沿背面Wb移动，能够将存在于背面Wb的异物去除。使刷子等构件接触背面Wb包括使构件接触已形成于背面Wb的膜F等膜。
第二背面处理单元40可以使用两个以上(两种以上)的刷子来进行用于去除背面Wb处的异物的处理。在使用两个以上的刷子(两种以上的刷子)的情况下，第二背面处理单元40在互不相同的定时使各刷子接触背面Wb并沿背面Wb移动。第二背面处理单元40对通过翻转单元18进行翻转后的工件W(背面Wb朝上的工件W)进行处理。第二背面处理单元40可以在将工件W以背面Wb朝上的方式保持的状态下，执行将工件W的背面Wb处的异物去除的处理。下面，例示出第二背面处理单元40使用两个刷子(两种刷子)来进行异物的去除的情况。
第二背面处理单元40可以对工件W的背面Wb进行研磨处理，并在研磨处理后对背面Wb进行清洗处理，由此去除背面Wb处的异物。在研磨处理中，第二背面处理单元40在使研磨用的刷子接触了背面Wb的状态下使研磨用的刷子沿背面Wb移动，由此对背面Wb进行研磨。在清洗处理中，第二背面处理单元40在使清洗用的刷子接触了背面Wb的状态下，使清洗用的刷子沿移动，由此对背面Wb进行清洗。
第二背面处理单元40例如具有壳体41、旋转保持部42、罩构件43、研磨部44、清洗部45、第一供给部47以及第二供给部48。壳体41用于收容旋转保持部42的一部分、罩构件43、研磨部44、清洗部45、第一供给部47的一部分以及第二供给部48的一部分。壳体41形成用于通过第二背面处理单元40进行处理的处理空间。在壳体41的顶部设置有鼓风机41a，鼓风机41a在壳体41内形成下降流。鼓风机41a可以是FFU。
旋转保持部42保持工件W并使其旋转。旋转保持部42可以在使工件W的背面Wb朝上的状态下保持工件W的周缘部。旋转保持部42例如包括旋转驱动部422、轴424、主体部426以及多个把持部428。旋转驱动部422基于来自控制装置100的信号进行动作，来使轴424旋转。旋转驱动部422例如包括电动马达等动力源。主体部426设置于轴424的前端部。主体部426是形成为圆板状的构件，主体部426的直径比工件W的直径大。
多个把持部428设置于主体部426的上表面。多个把持部428把持工件W的周缘部。多个把持部428可以以在主体部426的上表面与工件W之间设置有间隙的状态把持(保持)工件W的周缘部。多个把持部428可以在使工件W的背面Wb朝上的状态下把持(保持)工件W的周缘部。旋转保持部42使工件W在工件W的姿势为大致水平的状态下绕与工件W的表面Wa垂直的中心轴(旋转轴)旋转。多个把持部428可以以使上述旋转轴与工件W的中心大致一致的方式把持工件W的周缘部。
罩构件43设置于旋转保持部42的周围。罩构件43例如包括杯主体432、排液口434以及排气口436。杯主体432作为用于承接被供给到工件W的背面Wb的药液等的集液容器发挥功能。排液口434设置于杯主体432的底部。由杯主体432收集到的药液经由排液口434排出到第二背面处理单元40(涂布显影装置2)的外部。排气口436设置于杯主体432的底部。壳体41内的气体被从排气口436排出到第二背面处理单元40(涂布显影装置2)的外部。
研磨部44对保持于多个把持部428的工件W的背面Wb进行研磨。研磨部44例如具有研磨刷442(研磨用的刷)、轴444、臂445、导轨446以及驱动部448。研磨刷442可以包括磨石。研磨刷442可以包括金刚石磨石或金刚石片。研磨刷442可以形成为圆柱状。研磨刷442在其前端部接触了工件W的背面Wb的状态下沿背面Wb移动，由此对背面Wb进行研磨。
研磨刷442经由形成为沿Z轴方向延伸的轴444而与臂445连接。臂445以沿水平方向延伸的方式形成，经由轴444来支承研磨刷442。驱动部448包括电动马达等动力源，以使臂445沿导轨446移动。驱动部448能够使臂445还沿Z轴方向移动。研磨部44可以具有使研磨刷442绕通过研磨刷442的轴线旋转的旋转驱动部。研磨部44可以通过上述旋转驱动部使研磨刷442相对于轴444旋转。
在通过研磨部44进行研磨后，清洗部45对保持于多个把持部428的工件W的背面Wb进行清洗。清洗部45例如具有清洗刷452(清洗用的刷)、轴454、臂455、导轨456以及驱动部458。清洗刷452可以由PVC海绵体、聚氨酯海绵体或尼龙纤维形成。清洗刷452可以形成为圆柱状。清洗刷452在其前端部接触了工件W的背面Wb的状态下沿背面Wb移动，由此对背面Wb进行清洗。
清洗刷452经由以沿Z轴方向延伸的方式形成的轴454而与臂455连接。臂455以沿水平方向延伸的方式形成，经由轴454来支承清洗刷452。驱动部458包括电动马达等动力源，以使臂455沿导轨456移动。驱动部458能够使臂455还沿Z轴方向移动。清洗部45可以具有使清洗刷452绕通过清洗刷452的轴线旋转的旋转驱动部。清洗部45可以通过上述旋转驱动部来使清洗刷452相对于轴454旋转。
第一供给部47对保持于多个把持部428的工件W单独地供给清洗液和冲洗液。第一供给部47配置于罩构件43的外方。第一供给部47例如包括喷嘴471、臂472、驱动部473、开闭阀474、第一清洗液供给源475、开闭阀476以及冲洗液供给源477。
喷嘴471对工件W喷出清洗液，并且对工件W喷出冲洗液。臂472支承喷嘴471。驱动部473包括电动马达等动力源，使臂472绕沿着Z轴方向的轴线旋转，并使臂472进行升降。
喷嘴471经由开闭阀474等而与第一清洗液供给源475连接。开闭阀474基于来自控制装置100的信号将喷嘴471与第一清洗液供给源475之间的流路进行开闭。在开闭阀474为开状态时，喷嘴471将从第一清洗液供给源475供给的第一清洗液供给到工件W的背面Wb。从第一清洗液供给源475供给的第一清洗液例如是SC-1。
喷嘴471经由开闭阀476等而与冲洗液供给源477连接。开闭阀476基于来自控制装置100的信号将喷嘴471与冲洗液供给源477之间的流路进行开闭。在开闭阀476为开状态时，喷嘴471将从冲洗液供给源477供给的冲洗液喷出到工件W的背面Wb。从冲洗液供给源477供给的冲洗液例如为DIW。
第二供给部48对保持于多个把持部428的工件W供给通过将清洗液与气体混合而得到的雾化后的清洗液。第二供给部48配置于罩构件43的外方。第二供给部48例如包括喷嘴481、臂482、驱动部483、开闭阀484、第二清洗液供给源485、开闭阀486以及气体供给源487。
喷嘴481例如为双流体喷嘴，对工件W喷出雾化后的清洗液。臂482支承喷嘴481。驱动部483包括电动马达等动力源，使臂482绕沿着Z轴方向的轴线旋转，并使臂482进行升降。
喷嘴481经由开闭阀484等而与第二清洗液供给源485连接，并经由开闭阀486等而与气体供给源487连接。开闭阀484基于来自控制装置100的信号将喷嘴481与第二清洗液供给源485之间的流路进行开闭。开闭阀486基于来自控制装置100的信号将喷嘴481与气体供给源487之间的流路进行开闭。
第二供给部48将从第二清洗液供给源485供给的第二清洗液与从气体供给源487供给的气体在喷嘴481内进行混合，然后将混合而得到的雾化后的清洗液从喷嘴481喷出到工件W的背面Wb。从第二清洗液供给源485供给的第二清洗液例如为DIW，从气体给源487供给的气体例如为氮气等非活性气体。
如以上那样构成的第二背面处理单元40可以对通过翻转单元18使背面Wb朝上翻转后的状态的工件W执行处理。第二背面处理单元40首先在背面Wb朝上的状态下利用多个把持部428来保持工件W的周缘部。而且，第二背面处理单元40利用旋转驱动部422使由多个把持部428保持的工件W旋转。在工件W旋转的状态下，第二背面处理单元40利用研磨部44的驱动部448使研磨刷442从上方接触工件W的背面Wb。之后，第二背面处理单元40一边使研磨刷442相对于轴444旋转，一边通过驱动部448在维持着研磨刷442与背面Wb接触的状态的同时使研磨刷442沿工件W的径向移动。由此，对工件W的背面Wb进行研磨(进行针对背面Wb的研磨处理)，从而能够去除残留于工件W的背面Wb的毛刺B1。
在进行针对背面Wb的研磨处理之后，第二背面处理单元40一边从第一供给部47对旋转的工件W的背面Wb供给第一清洗液，一边通过清洗部45的驱动部458使清洗刷452从上方接触工件W的背面Wb。而且，第二背面处理单元40一边使清洗刷452相对于轴454旋转，一边通过驱动部458在维持着清洗刷452与背面Wb接触的状态的同时使清洗刷452沿工件W的径向移动。由此，对工件W的背面Wb进行清洗(针对背面Wb进行清洗处理)，从而能够去除在研磨处理后残留于背面Wb的毛刺B1的磨削屑。
在进行针对背面Wb的清洗处理之后，第二背面处理单元40通过第二供给部48的驱动部483将喷嘴481配置于旋转的工件W的背面Wb的上方，并从喷嘴481对工件W的背面Wb供给雾化后的第二清洗液。由此，进一步对工件W的背面Wb进行清洗，从而能够将通过第一背面处理单元30中的蚀刻处理、利用研磨刷442进行的研磨处理、以及利用清洗刷452进行的清洗处理未被去除的异物从背面Wb去除。
在利用来自第二供给部48的雾化后的第二清洗液进行清洗之后，第二背面处理单元40从第一供给部47对工件W的背面Wb供给冲洗液。由此，将残留于工件W的背面Wb的药液冲洗掉(针对背面Wb进行冲洗处理)。而且，第二背面处理单元40在未对工件W供给药液等状态下使工件W旋转，由此进行使工件W干燥的处理(干燥处理)。
在通过第二背面处理单元40执行全部处理之后，翻转单元18(第二翻转处理部)使通过第二背面处理单元40被处理后的工件W的背面Wb上下翻转。在第二背面处理单元40的处理之后以使背面Wb朝下的方式使工件W上下翻转的翻转单元18与在第二背面处理单元40的处理之前使工件W上下翻转的翻转单元18可以是同一单元，也可以是不同的单元。在第二背面处理单元40的处理之前使工件W上下翻转的翻转单元18可以使通过第一背面处理单元30被处理后的工件W的背面Wb翻转，来使背面Wb从朝下的状态变化为朝上的状态。
[基板处理方法]
接着，作为基板处理方法的一例，对在涂布显影装置2中执行的涂布显影处理进行说明。图8是示出控制装置100对一张工件W执行的一系列处理的一例的流程图。首先，控制装置100执行步骤S11。在步骤S11中，例如控制装置100的控制部104控制搬送装置A1，以将承载件C内的工件W搬送到架单元U10，并且控制搬送装置A7，以将工件W配置于架单元U10中的处理模块11用的层格。通过执行步骤S11，工件W被搬入处理块5和接口块6。
接着，控制装置100执行步骤S12。在步骤S12中，例如控制部104控制翻转单元18、第一背面处理单元30以及第二背面处理单元40，以工件W的背面Wb实施用于去除异物的处理(下面，称作“异物去除处理”。)。在后文中叙述步骤S12的异物去除处理的详情。
接着，控制装置100执行步骤S13。在步骤S13中，例如控制部104控制搬送装置A3，以将架单元U10(翻转单元18)的工件W搬送到处理模块11内的液处理单元U1和热处理单元U2。另外，控制部104控制液处理单元U1和热处理单元U2，以在该工件W的表面Wa上形成下层膜。之后，控制装置100控制搬送装置A3，以将形成有下层膜的工件W送回到架单元U10，并且控制搬送装置A7，以将该工件W配置于处理模块12用的层格。
接着，控制装置100执行步骤S14。在步骤S14中，例如控制部104控制搬送装置A3，以将架单元U10的工件W搬送到处理模块12内的液处理单元U1和热处理单元U2。另外，控制部104控制液处理单元U1和热处理单元U2，以在该工件W的表面Wa形成抗蚀膜R。之后，控制部104控制搬送装置A3，以将工件W送回到架单元U10，并且控制搬送装置A7，以将该工件W配置于处理模块13用的层格。
接着，控制装置100执行步骤S15。在步骤S15中，例如控制部104控制搬送装置A3，以将架单元U10的工件W搬送到处理模块13内的各单元。另外，控制部104控制液处理单元U1和热处理单元U2，以在该工件W的抗蚀膜R上形成上层膜。之后，控制部104控制搬送装置A3，以将工件W搬送到架单元U11。
接着，执行步骤S16。在执行步骤S16之前，控制部104控制搬送装置A8，以将架单元U11的工件W送出到曝光装置3。在步骤S16中，通过曝光装置3对该工件W进行曝光处理。在执行步骤S16之后，控制部104控制搬送装置A8，以从曝光装置3接受被实施曝光处理后的工件W，并将其配置于架单元U11中的处理模块14用的层格。
接着，控制装置100执行步骤S17。在步骤S17中，例如控制部104控制搬送装置A3，以将架单元U11的工件W搬送到处理模块14内的各单元。另外，控制部104控制液处理单元U1和热处理单元U2，以对该工件W的抗蚀膜R进行显影处理和伴随显影处理所要进行的热处理。通过进行抗蚀膜R的显影处理，来在工件W的表面Wa形成抗蚀图案。
接着，控制装置100执行步骤S18。在步骤S18中，例如控制部104控制搬送装置A3，以将工件W送回到架单元U10，并且控制搬送装置A7和搬送装置A1，以将该工件W送回到承载件C内。通过执行步骤S18，来从处理块5和接口块6搬出工件W。
通过以上处理，针对一张工件W的涂布显影处理完成。控制装置100使涂布显影装置2针对后续的多个工件W也分别与上述的步骤S11～S18的处理同样地执行涂布显影处理。
图9是示出步骤S12的异物去除处理的一例的流程图。在步骤S12中，控制装置100首先执行步骤S21。在步骤S21中，例如控制部104如图10的(a)所示那样控制第一背面处理单元30等，以将工件W保持于旋转保持部34的多个把持部348。在该阶段中，例如在形成有膜F的背面Wb存在作为异物的微粒P1、微粒P2以及毛刺B1。在将工件W保持于多个把持部348之后，控制部104控制第一背面处理单元30，以对工件W的背面Wb实施蚀刻处理。
在蚀刻处理中，控制部104如图10的(b)所示那样通过旋转驱动部342使保持于多个把持部348的工件W旋转。在使工件W旋转的状态下，控制部104通过处理液供给部35朝向旋转的工件W的背面Wb供给第一药液(例如，氢氟酸)。从处理液供给部35供给的氢氟酸的浓度可以为45％～55％，其温度可以为20℃～50℃。氢氟酸的供给时间可以是10秒钟～180秒钟。
之后，控制部104通过处理液供给部35朝向旋转的工件W的背面Wb供给第二药液(例如，SC-1)。SC-1的混合比为氨∶过氧化氢∶水＝1∶1∶5～1∶10∶100，其温度可以为20℃～70℃。SC-1的供给时间可以为10秒钟～30秒钟。在供给第二药液之后，控制部104通过处理液供给部35朝向旋转的工件W的背面Wb供给冲洗液(例如，DIW)。在供给冲洗液之后，控制部104使工件W的转速增加，并且通过旋转驱动部342使工件W的旋转持续规定时间，由此将残留于工件W的背面Wb的药液排出到工件W的外部以使工件W干燥。
控制部104可以以在蚀刻处理后残留膜F的一部分的方式执行骤S21。在该情况下，能够抑制在蚀刻处理之后执行的其它处理(例如，研磨处理)使工件W的背面Wb受损。在步骤S21中，依次向工件W的背面Wb供给多种药液来进行膜F的蚀刻。通过使用多种药液，能够选择性地蚀刻膜F中的作为表层的氮化硅膜F2。
接着，控制装置100执行步骤S22。在步骤S22中，例如控制部104控制搬送装置A3，以将工件W从第一背面处理单元30搬送到翻转单元18。而且，控制部104通过翻转单元18使工件W上下翻转，以使背面Wb朝上(表面Wa朝下)。
接着，控制装置100执行步骤S23。在步骤S23中，例如控制部104控制搬送装置A3，以将背面Wb朝上的工件W从翻转单元18搬送到第二背面处理单元40。控制部104控制搬送装置A3，以将工件W以背面Wb朝向上方的状态(表面Wa朝向下方的状态)搬入到第二背面处理单元40的壳体41内。
在搬入工件W时，控制部104如图11的(a)所示那样控制第二背面处理单元40等，以将工件W保持于旋转保持部42的多个把持部428。在该阶段中，在工件W的背面Wb残留有作为异物的毛刺B1。而且，控制部104控制第二背面处理单元40，以在工件W的背面Wb朝上的状态下对背面Wb实施研磨处理。
在研磨处理中，控制部104如图11的(b)所示那样通过旋转驱动部422使保持于多个把持部428的工件W旋转。在使工件W旋转的状态下，控制部104通过研磨部44的驱动部448使研磨刷442的前端部从上方接触工件W的背面Wb。而且，控制部104一边使研磨刷442旋转，一边通过驱动部448使研磨刷442沿工件W的径向(例如，从工件W的中心部朝向工件W的外缘之外)移动。在步骤S23中，在研磨刷442接触了背面Wb的状态下使研磨刷442沿背面Wb(相对于背面Wb相对地)移动，由此对工件W的背面Wb进行研磨，其结果是，毛刺B1被去除。在该阶段中，毛刺B1的磨削屑作为异物残留于背面Wb。
接着，控制装置100执行步骤S24。在步骤S24中，例如控制部104控制第二背面处理单元40，以对背面Wb实施第一清洗处理。在第一清洗处理中，控制部104在如图12的(a)所示那样通过旋转驱动部422使工件W旋转的状态下，通过清洗部45的驱动部458使清洗刷452的前端部从上方接触工件W的背面Wb。而且，控制部104一边使清洗刷452旋转，一边通过驱动部458使清洗刷452沿工件W的径向(例如，从工件W的中心部朝向工件W的外缘之外)移动。
在清洗刷452移动的同时，控制部104控制第一供给部47，以从配置于旋转的工件W的上方的喷嘴471朝向背面Wb供给第一清洗液(例如，SC-1)。从喷嘴471喷出的SC-1的混合比可以是氨∶过氧化氢∶水＝1∶1∶5～1∶10∶100，SC-1的温度可以是20℃～70℃。在步骤S24中，清洗刷452在接触了背面Wb的状态下沿背面Wb(相对于背面Wb相对地)移动，由此对工件W的背面Wb进行清洗，其结果是，残留于背面Wb的毛刺B1的磨削屑被去除。
接着，控制装置100执行步骤S25。在步骤S25中，例如控制部104控制第二背面处理单元40，以对背面Wb实施第二清洗处理。在第二清洗处理中，如图12的(b)所示那样控制第二供给部48，以从配置于旋转的工件W的上方的喷嘴481朝向背面Wb供给雾化后的第二清洗液。通过供给雾化后的第二清洗液，来对工件W的背面Wb进行清洗，能够将通过蚀刻处理、研磨处理以及第一清洗处理未被去除的异物从背面Wb去除。
接着，控制部104执行步骤S26。在步骤S26中，例如控制部104控制第二背面处理单元40，以对背面Wb实施冲洗处理。在冲洗处理中，控制部104控制第一供给部47，以从配置于旋转的工件W的上方的喷嘴471朝向背面Wb供给冲洗液。通过冲洗处理，来将残留于工件W的背面Wb上的药液冲走。
接着，控制部104执行步骤S27。在步骤S27中，例如控制部104控制第二背面处理单元40，以对工件W实施干燥处理。在干燥处理中，控制部104通过旋转驱动部422来使工件W的转速增加，并使工件W的旋转继续规定时间。通过干燥处理，残留于工件W的背面Wb的冲洗液被排出到工件W的外部，由此进行工件W的干燥。
接着，控制装置100执行步骤S28。在步骤S28中，例如控制部104控制搬送装置A3，以将工件W从第二背面处理单元40搬送到翻转单元18。而且，控制部104通过翻转单元18使工件W上下翻转，以使背面Wb朝下(表面Wa朝上)。通过以上处理，步骤S12的异物去除处理结束。
在图8和图9所示的一系列处理中，第一背面处理单元30和第二背面处理单元40在形成抗蚀膜R之前执行针对背面Wb的处理。具体地说，第一背面处理单元30和第二背面处理单元40在将工件W搬入到处理块5之后且通过处理模块12在表面Wa形成抗蚀膜R之前，对背面Wb执行处理。在上述一系列处理中，在通过第一背面处理单元30进行蚀刻处理之后，不利用处理液对工件W进行其它处理，由第二背面处理单元40执行研磨处理和第一清洗处理。
[第二实施方式]
在图13中示意性地示出第二实施方式所涉及的基板处理系统1具备的涂布显影装置2A。涂布显影装置2A在由处理模块13代替处理模块11具备第一背面处理单元30和第二背面处理单元40这一点与涂布显影装置2不同。在涂布显影装置2A中，可以是一个以上的翻转单元18配置于架单元U10的多个层格中的与处理模块13对应的层格。一个以上的翻转单元18可以配置于架单元U11的层格。
图14是示出在具备涂布显影装置2A的基板处理系统1中由控制装置100执行的一系列处理的流程图。相比于图8所示的一系列处理，在图14所示的一系列处理中，步骤S12的异物去除处理的执行顺序不同。控制装置100的控制部104可以在步骤S15的上层膜的形成之后且步骤S16的曝光处理之前执行步骤S12。
在图14所示的一系列处理中，设置于处理模块13的第一背面处理单元30和第二背面处理单元40在通过处理模块12在表面Wa形成抗蚀膜R之后且对工件W实施曝光处理之前，执行针对背面Wb的处理。在图14所示的一系列处理中，在进行表面Wa的膜的形成之后，不利用处理液对工件W进行其它处理，控制部104执行步骤S12。
[第三实施方式]
在图15中示意性地示出第三实施方式所涉及的基板处理系统1所具备的涂布显影装置2B。涂布显影装置2B在具备研磨单元60和清洗单元70来代替第二背面处理单元40这一点与涂布显影装置2A不同。在涂布显影装置2B中，研磨单元60和清洗单元70的各单元、或者研磨单元60及清洗单元70作为在使刷子接触了W的背面Wb的状态下使刷子沿背面Wb移动的异物去除处理部发挥功能。研磨单元60和清洗单元70可以配置于接口块6。
研磨单元60在使研磨用的刷子接触了背面Wb的状态下，使研磨用的刷子沿背面Wb移动，由此对工件W的背面Wb进行研磨。研磨单元60在将工件W以背面Wb朝下的方式保持的状态下执行将背面Wb的异物去除的处理(研磨处理)。研磨单元60对通过配置于处理模块13的第一背面处理单元30被进行处理后的工件W执行研磨处理。在第一背面处理单元30与研磨单元60之间的处理中，不通过翻转单元18进行工件W上下翻转。在第一背面处理单元30与研磨单元60之间的处理中，可以不利用处理液对工件W进行其它处理。
在图16中示意性地示出研磨单元60的一例。研磨单元60例如具有壳体61、两个吸附垫62、框体63、保持部64、轴66、驱动部67、升降销68以及研磨刷65。
壳体61以其上部具有开口的方式形成。两个吸附垫62以能够保持工件W的背面Wb的周缘区域的方式设置为在俯视时将保持部64夹在两个吸附垫62之间。两个吸着垫62分别以向水平的一个方向延伸形成。框体63支承两个吸附垫62各自的两端部。框体63通过驱动部沿水平方向和上下方向移动自如。能够在两个吸附垫62与保持部64之间进行工件W的交接。
保持部64将背面Wb朝下的状态的工件W保持为水平的状态。保持部64可以通过吸附来保持工件W的背面Wb的中央区域。保持部64经由轴66而与驱动部67连接。保持部64通过驱动部67旋转以及升降自如。升降销68设置于保持部64(轴66)的周围，通过升降驱动部升降自如。
研磨刷65(研磨用的刷子)由支承体632支承。支承体632与驱动部634连接。驱动部634设置于壳体61，使支承体632沿图16中与纸面垂直的方向移动。研磨刷65可以通过设置于支承体632内的驱动部绕通过研磨刷65的轴线旋转自如。
研磨单元60通过驱动部634使研磨刷65在研磨刷65的上表面接触了工件W的背面Wb的状态下沿背面Wb移动，由此对背面Wb进行研磨。研磨单元60在两个吸附垫62保持着工件W的状态下，通过研磨刷65对背面Wb的中央区域进行研磨。研磨单元60在保持部64保持着工件W的状态下，通过研磨刷65对背面Wb的周缘区域进行研磨。
在图16中示意性地示出清洗单元70的一例。清洗单元70在使清洗用的刷子接触了背面Wb的状态下使清洗用的刷子沿背面Wb移动，由此对工件W的背面Wb进行清洗。清洗单元70在将工件W以背面Wb朝下的方式保持的状态下，执行将背面Wb的异物去除的处理(清洗处理)。清洗单元70对通过研磨单元60被进行处理后的工件W执行清洗处理。在研磨单元60与清洗单元70之间的处理中，不利用处理液对工件W进行其它处理。
清洗单元70可以与研磨单元60同样地构成。清洗单元70例如具有壳体71、两个吸附垫72、框体73、保持部74、轴76、驱动部77、升降销79以及清洗刷75。除了清洗刷75与研磨刷65不同地由清洗用的材质(例如，塑料纤维)形成以外，清洗单元70的各构件可以具有与研磨单元60中的对应的构件同样的结构和功能。
清洗刷75(清洗用的刷子)由支承体732支承。支承体732与驱动部734连接。支承体732和驱动部734分别具有与支承体632及驱动部634同样的结构和功能。清洗单元70通过驱动部734使清洗刷75在清洗刷75的上表面接触了工件W的背面Wb的状态下沿背面Wb移动，由此对背面Wb进行清洗。清洗单元70在两个吸附垫72保持着工件W的状态下，通过清洗刷75对背面Wb的中央区域进行清洗。清洗单元70在保持部74保持着工件W的状态下，通过清洗刷75对背面Wb的周缘区域进行清洗。
在具备涂布显影装置2B的基板处理系统1中，控制装置100也可以执行图14所示的一系列处理。在该情况下，研磨单元600在步骤S12中执行研磨处理，清洗单元70在步骤S12中执行清洗处理。涂布显影装置2B可以具备利用研磨用的刷子进行研磨处理并且在研磨处理后利用清洗用的刷子进行清洗处理的一个背面处理单元(异物去除处理部)，来代替研磨单元60和清洗单元70，。
[变形例]
涂布显影装置2、2A、2B除了异物去除处理以外还可以进行在工件W的背面Wb形成摩擦减少膜的处理。摩擦减少膜是用于在进行曝光装置3中的曝光处理时减少保持工件W的背面Wb的部分与工件W的背面Wb之间的摩擦的膜。下面，以第一实施方式所涉及的涂布显影装置2进行用于形成摩擦减少膜的处理的情况为例进行说明。如图17所示，涂布显影装置2可以具备减少膜形成单元80(减少膜形成部)。可以是由处理块5和接口块6构成的膜处理部具有减少膜形成单元80。减少膜形成单元80例如配置于处理模块13。
减少膜形成单元80例如通过使包含用于形成摩擦减少膜的材料的气体(下面，称作“原料气体”。)蒸镀于工件W的背面Wb来在背面Wb形成摩擦减少膜。在表面Wa朝向上方的状态下，有时工件W以工件W的周缘部分相比于中央部分向下方挠曲的方式翘曲。当将包括这样的翘曲的工件W吸附并保持于用于在曝光装置3中进行曝光处理时保持工件W的保持部分(载置台的保持面)时，可能会对保持于载置台的工件W的周缘部施加过度的应力。
另一方面，在工件W的背面Wb形成有上述摩擦减少膜的情况下，该摩擦减少膜相对于曝光装置3的上述保持部分具有高的接触角，因此相比于不形成摩擦减少膜的情况，背面Wb与曝光装置3的保持部分之间的摩擦系数下降。在该情况下，通过摩擦减少膜使工件W以在曝光装置3的保持部分上滑动的方式被载置，能够减少上述的周缘部处的应力。此外，摩擦减少膜的种类只要能够减少摩擦即可，没有特别限定，在一例中，使用氟烃树脂膜。减少膜形成单元80可以在通过第二背面处理单元40被进行处理后的工件W的背面Wb形成摩擦减少膜。
在图18中示意性地示出减少膜形成单元80的一例，在图18中示出减少膜形成单元80的一部分截面。减少膜形成单元80例如具有腔室802、升降驱动部808、加热器810、支承部812、支承部814、升降驱动部816以及气体供给部830。
腔室802形成用于收容工件W并进行形成摩擦减少膜的处理的处理空间K。腔室802包括上部腔室804和下部腔室806。上部腔室804可以固定于规定位置。下部腔室806可以设置为能够升降，升降驱动部808使下部腔室806进行升降。下部腔室806上升并与上部腔室804密接，由此在腔室802的内部形成密闭的处理空间K。另一方面，当下部腔室806下降时，腔室802的内部被向大气开放。
加热器810将配置于处理空间K的工件W进行加热。加热器810可以设置于上部腔室804。支承部812和支承部814分别支承工件W。支承部812可以包括三个升降销，支承部814可以包括三个升降销。支承部812和支承部814设置为能够单独地进行升降，通过升降驱动部816进行升降。在下部腔室806中形成有用于插入支承部812和支承部814所包括的多个升降销的各升降销的贯通孔806a。
气体供给部830对支承于支承部812或支承部814的工件W的背面Wb供给原料气体。气体供给部830设置于腔室802的内部底面的中央部。气体供给部830可以构成为能够对工件W的背面Wb的整面喷射原料气体。
在气体供给部830连接有供原料气体流通的气体供给管831。气体供给管831与使液体状的原料液体气化为原料气体的气化器832连接。在气化器832连接有供原料液流通的液供给管833以及供氮气流通的气体供给管834。液供给管833与用于贮存原料液的原料罐835连接，在液供给管833设置有用于从原料罐835向气化器832加压输送原料液的泵836。气体供给管834与向气化器832供给氮气的氮气供给源837连接。
在气化器832的内部设置有加热器，以将从原料罐835导入的原料液进行加热使其气化。在原料气体为氟烃树脂、例如特氟纶(注册商标)树脂的情况下，气化器832中的加热温度例如为180℃。在气化器832中气化后的原料气体通过从氮气供给源837供给的氮气而被加压输送，并被供给到气体供给部830。
在下部腔室806的侧壁的内部设置有用于从腔室300的内部(处理空间K)排出气体的排气路径840。在排气路径840连接有排气线路，排气线路例如与真空泵等排气装置连接，以将气体从处理空间K排出到涂布显影装置2的外部。此外，减少膜形成单元80只要能够在工件W的背面Wb形成摩擦减少膜即可，可以任意地构成。
涂布显影装置2可以具备对工件W的背面Wb照射紫外线的紫外线照射单元。紫外线照射单元可以在通过减少膜形成单元80在背面Wb形成摩擦减少膜之前对背面Wb照射紫外线，由此使背面Wb活性化。紫外线照射单元可以在曝光处理之后对形成于工件W的背面Wb的摩擦减少膜照射紫外线，由此将该摩擦减少膜去除。
图19是示出在涂布显影装置2具备减少膜形成单元80和紫外线照射单元的情况下由控制装置100执行的一系列处理的流程图。相比于图8所示的一系列处理，在图19所示的一系列处理中还执行步骤S31和步骤S32这一点不同。控制装置100可以在通过步骤S13形成下层膜之后且在步骤S14中形成抗蚀膜R之前执行步骤S31。
在步骤S31中，例如控制装置100的控制部104控制减少膜形成单元80，以在通过步骤S12被实施异物去除处理后的工件W的背面Wb的整面形成摩擦减少膜。在一例中，在步骤S31中，控制部104如图20的(a)所示那样控制减少膜形成单元80等，以在通过升降驱动部808使下部腔室806下降了的状态下将工件W搬入腔室802的内部。在工件W被搬入到腔室802的内部时，工件W的背面Wb由支承部812支承。
而且，控制部104如图20的(b)所示那样通过升降驱动部808使下部腔室806上升，来在腔室802的内部形成密闭的处理空间K。另外，控制部104通过升降驱动部816使支承部812上升，由此将工件W配置于规定的处理位置。之后，控制部104控制减少膜形成单元80等，以通过加热器810将工件W加热到规定的温度(例如，120℃左右)，并且从气体供给部830对工件W的背面Wb供给原料气体。由此，在工件W的背面Wb，原料气体蒸镀于被支承部812支承的部位以外的部位，由此形成摩擦减少膜。为了促进背面Wb与原料气体之间的反应，利用加热器810进行加热。
当在被支承部812支承的部位以外的部位形成摩擦减少膜之后，控制部104如图20的(c)所示那样通过升降驱动部816使支承部814上升，来使工件W支承于支承部814，并且通过升降驱动部816使支承部812下降。而且，控制减少膜形成单元80等，以从气体供给部830对工件W的背面Wb供给原料气体。由此，气体还蒸镀于由支承部812支承过的部位，从而在工件W的背面Wb的整面形成摩擦减少膜。在从气体供给部830供给原料气体的期间，经由排气路径840进行处理空间K的排气，因此能够抑制原料气体绕到工件W的表面Wa。
控制装置100可以在通过步骤S17对抗蚀膜R进行显影之后且通过步骤S18搬出工件W之前执行步骤S32。在步骤S32中，例如控制部104控制上述紫外线照射单元，以对背面Wb照射紫外线来将形成于背面Wb的摩擦减少膜去除(剥离)。
在以上的例子中，在步骤S13与步骤S14之间执行步骤S31，但也可以在执行步骤S12之后且执行步骤S16之前的期间的某个定时执行步骤S31。例如，可以在通过步骤S15形成上层膜之后且步骤S16的曝光处理之前执行步骤S31。在该情况下，在通过步骤S31形成摩擦减少膜之后且曝光处理之前，可以不利用处理液执行其它处理。
当在减少膜形成单元80中形成摩擦减少膜时，存在少量的原料气体绕到工件W的表面Wa的可能性。通过在表面Wa形成所有要形成的膜之后且即将进行曝光处理之前形成摩擦减少膜，能够避免由于原料气体绕到表面Wa而对膜形成产生影响。另一方面，通过在形成抗蚀膜R之前在背面Wb形成摩擦减少膜，能够避免由于形成摩擦减少膜时的加热而对抗蚀膜R产生影响。关于在什么时机执行用于形成摩擦减少膜的处理，可以考虑要形成于表面Wa的膜的种类(材料)以及各种制造条件等来决定。
减少膜形成单元80可以在由第一背面处理单元30进行处理之前的工件W的背面Wb形成摩擦减少膜。在该情况下，减少膜形成单元80可以在背面Wb的整面形成摩擦减少膜。即使在背面Wb的整面形成摩擦减少膜，在第一背面处理单元30中的蚀刻处理中，由于工件W的周缘部被夹持，因此能够去除背面Wb的除了周缘部以外的摩擦减少膜。即使仅在背面Wb的周缘部残留有摩擦减少膜，在曝光处理时也能够通过摩擦减少膜来减少对工件W的周缘部施加的应力。
减少膜形成单元80可以仅在背面Wb的周缘部形成摩擦减少膜，以取代在背面Wb的整面形成摩擦减少膜。例如，减少膜形成单元80的气体供给部830可以构成为仅对背面Wb的周缘部喷射原料气体，也可以是能够选择性地对背面Wb的周缘部喷射原料气体。形成摩擦减少膜的周缘部的范围(圆环状的部分的宽度)可以是工件W的半径的1/15左右或1/30左右。例如，在工件W的半径为150mm的情况下，构成形成摩擦减少膜的周缘部的圆环状的部分的沿着径向的宽度为10mm左右或5mm左右。
具体地说，第二实施方式所涉及的涂布显影装置2A可以具备减少膜形成单元80和紫外线照射单元。图21是示出在涂布显影装置2A具备减少膜形成单元80和紫外线照射单元的情况下由控制装置100执行的一系列处理的流程图。相比于图14所示的一系列处理，在图21所示的一系列处理中还执行步骤S31和步骤S32这一点不同。控制装置100可以在通过步骤S13形成下层膜之后且通过步骤S14形成抗蚀膜R之前执行步骤S31。
在图21所示的一系列处理中，在步骤S12的异物去除处理之前执行步骤S31。步骤S31可以在执行步骤S11之后且执行步骤S12之前的期间的任意时机执行。在步骤S12的异物去除处理中，第一背面处理单元30对工件W的背面Wb的周缘部以外的区域进行用于去除膜F的处理，第二背面处理单元40对工件W的背面Wb的周缘部以外的区域进行研磨处理和清洗处理。
第三实施方式所涉及的涂布显影装置2B可以具备减少膜形成单元80和紫外线照射单元。减少膜形成单元80可以配置于涂布显影装置2的外部。在该情况下，可以是在导入涂布显影装置2(处理块5和接口块6)之前已经在工件W的背面Wb形成有摩擦减少膜。
本公开的内容不限于上述的第一实施方式、第二实施方式以及第三实施方式。在任意实施方式中说明的一部分事项可以应用于其它实施方式中。图8、图9、图14、图19以及图21各自的一系列处理是一例，能够适当地进行变更。控制装置100的控制部104可以在一系列处理过程中并行地执行一个步骤和下一个步骤，也可以按照与上述的例子不同的顺序执行各步骤。控制部104可以省略某个步骤，也可以在某个步骤中执行与上述的例子不同的处理。
涂布显影装置2、2A、2B的异物去除处理部可以不执行研磨处理，执行清洗处理来作为用于去除背面Wb处的异物的处理。涂布显影装置2、2A可以具备背面处理单元(异物去除处理部)来代替第二背面处理单元40，所述背面处理单元不具备研磨用的刷子，通过清洗用的刷子进行清洗处理。涂布显影装置2B可以不具备研磨单元60，具备清洗单元70(异物去除处理部)。涂布显影装置2、2A、2B的异物去除处理部可以不执行清洗处理，执行研磨处理来作为用于去除背面Wb处的异物的处理。
第一背面处理单元30可以将工件W以背面Wb朝上的状态保持，并对背面Wb供给处理液L2。第一背面处理单元30和第二背面处理单元40可以在表面Wa形成下层膜之后且在表面Wa形成抗蚀膜R之前，执行针对背面Wb的处理。第一背面处理单元30和第二背面处理单元40可以在表面Wa形成抗蚀膜R之后且在表面Wa形成上层膜之前，执行针对背面Wb的处理。
形成抗蚀膜R的方法不限于通过处理液L1的供给来进行形成的方法。涂布显影装置2的膜处理部可以具备通过蒸镀(例如，CVD：Chemical Vapor Deposition(化学气相沉积))来形成抗蚀膜R的抗蚀膜形成部。在以上所说明的各种例子中的一个例子中，可以组合在其它例子中所说明的事项的至少一部分。
[异物去除处理的评价结果]
背面Wb的平坦度对曝光处理或曝光装置产生影响。背面Wb包括多种异物，在异物之中还发现了如微粒P2那样埋入膜F中的异物的高度(相对于周围突出的程度)比其它种类的异物的高度高。因此，发现了埋入膜F中的异物(下面，称作“埋入异物”。)对背面Wb的平坦度较大地产生影响。对如上述的实施方式那样执行利用处理液L2进行的蚀刻处理、以及研磨处理或清洗处理(利用刷子进行的清洗处理)中的至少一方的情况下的埋入异物的高度的变化进行评价。
在埋入异物的高度(与工件W垂直的方向上的背面Wb的测定部位的位置)的测定中，在观察背面Wb的周缘区域并提取埋入异物之后，计算提取出的异物的高度的平均值。对针对背面Wb的处理前后的埋入异物的高度的减少率(＝处理后的高度的测量值/处理前的高度的测量值)进行了评价。以比较例1、2以及实施例1～3的条件进行了用于去除异物的处理。评价结果如表1所示。
【表1】
蚀刻处理 研磨处理 清洗处理 高度的减少率
比较例1 - 有 有 0.96
比较例2 有(T) - - 0.82
实施例1 有(T/2) 有 有 0.72
实施例2 有(T) - 有 0.62
实施例3 有(T) 有 有 0.34
在比较例1、2以及实施例1～3中，以下面的条件执行了针对背面Wb的处理。在比较例1中，不进行蚀刻处理，进行研磨处理和清洗处理。在比较例2中，进行设定时间T的蚀刻处理，不进行研磨处理和清洗处理。将设定时间T设定为能够将膜F中的氮化硅膜F2大致全部去除的程度。在实施例1中，进行设定时间T的一半的时间的蚀刻处理，并进行研磨处理和清洗处理。在实施例2中，进行设定时间T的蚀刻处理，不进行研磨处理，进行清洗处理。在实施例3中，进行设定时间T的蚀刻处理，并且进行研磨处理和清洗处理。
根据表1所示的评价结果可知：相比于比较例1、2，实施例1～3中的埋入异物的高度的减少率较大。即，可知：相比于比较例1、2的针对背面Wb的处理，通过实施例1～3中的针对背面Wb的处理使背面Wb处的平坦度进一步提高了。根据实施例2和实施例3的比较结果可知：通过在蚀刻处理之后进行研磨处理和清洗处理这两方，减少率进一步增加(平坦度进一步提高了)。
[实施方式的效果]
以上所说明的涂布显影装置2、2A、2B具备：膜处理部，其执行规定的处理，该规定的处理包括工件W的表面Wa的抗蚀膜R的形成；以及搬入搬出部，其相对于膜处理部进行工件W的搬入和搬出。膜处理部具有：抗蚀膜形成部，其在工件W的表面Wa形成抗蚀膜R；膜去除处理部，其对形成于工件W的与表面Wa相反一侧的背面Wb的膜F供给用于去除膜F的处理液L2；以及异物去除处理部，其在使刷子接触了通过膜去除处理部被进行处理后的工件W的背面Wb的状态下，使刷子沿工件W的背面Wb移动。
在涂布显影装置2、2A、2B中，在进行形成于背面Wb的膜F的蚀刻处理之后，利用刷子执行研磨处理和清洗处理中的至少一方。通过蚀刻处理，能够从背面Wb去除附着于膜F的异物以及埋入膜F的异物，通过使刷子接触背面Wb并移动，能够去除残留于背面Wb的异物。因而，能够适当地从形成有膜F的背面Wb去除异物。
在上述涂布显影装置2、2A、2B中，上述刷子可以是清洗刷452、75。异物去除处理部可以在使与清洗用的刷子相分别的研磨刷442、65接触了工件W的背面Wb的状态下，使研磨刷442、65沿工件W的背面Wb移动，由此对工件W的背面Wb进行研磨。异物去除处理部可以在对工件W的背面Wb进行研磨之后，在使清洗刷452、75接触了工件W的背面Wb的状态下，使清洗刷452、75沿工件W的背面Wb移动，由此对工件W的背面Wb进行清洗。在该情况下，通过蚀刻处理后的研磨将形成于背面Wb的毛刺去除，通过研磨后的清洗，能够从背面Wb去除残留于背面Wb的毛刺的磨削屑。因而，能够更适当地从形成有膜F的背面Wb去除异物。
在上述涂布显影装置2、2A、2B中，膜去除处理部可以在将工件W以工件W的背面Wb朝下的方式保持的状态下，对工件W的背面Wb供给处理液L2。被供给到背面Wb的处理液向下落下，因此通过在背面Wb朝下的状态下供给处理液L2，容易收集处理液L2的排液。因而，能够进行处理液L2的排液的高效回收。
在上述涂布显影装置2、2A、2B中，异物去除处理部可以在将工件W以工件W的背面Wb朝下的方式保持的状态下，执行去除工件W的背面Wb的异物的处理。在表面Wa形成抗蚀膜的情况下，大多以表面Wa朝上的方式进行用于形成膜的处理。在上述结构中，在进行异物去除处理时，无需使工件W上下翻转，因此能够将处理工序简化。
上述涂布显影装置2、2A、2B还可以具备使工件W的背面Wb上下翻转的翻转处理部。异物去除处理部可以对通过翻转处理部翻转后的工件W执行处理。异物去除处理部可以在将工件W以工件W的背面Wb朝上的方式保持的状态下，执行去除工件W的背面Wb处的异物的处理。被保持的工件W的上方的区域相比于下方的区域而言未配置其它构件。在上述结构中，通过使刷子从上方碰触工件W的背面Wb，能够执行针对背面Wb的去除异物的处理。因此，不易与其它构件发生干扰，容易使刷子碰触背面Wb，能够简化异物去除处理部的结构。
在上述涂布显影装置2、2A、2B中，膜去除处理部可以在将工件W以工件W的背面Wb朝下的方式保持的状态下，对工件W的背面Wb供给处理液L2。翻转处理部可以使通过膜去除处理部被进行处理后的工件W的背面Wb上下翻转。被供给到背面Wb的处理液向下落下，因此通过在背面Wb朝下的状态下供给处理液L2，容易收集处理液L2的排液。因而，能够进行处理液L2的排液的高效回收。
上述涂布显影装置2、2A、2B还可以具备使通过异物去除处理部被进行处理后的工件W的背面Wb上下翻转的第二翻转处理部。在该情况下，即使在以背面Wb朝上的方式进行异物去除处理的情况下，也能够在异物去除处理之后以表面Wa朝上的方式执行其它处理。因而，能够实现异物的适当的去除和基板处理的高效化这两方。
在上述涂布显影装置2、2A、2B中，膜去除处理部和异物去除处理部可以在由抗蚀膜形成部在工件W的表面Wa形成抗蚀膜R之后且对工件W实施曝光处理之前，对工件W的背面Wb执行处理。在该情况下，由于在曝光处理之前对背面Wb进行去除异物的处理，因此能够减小由于背面Wb的异物对曝光处理或曝光装置产生的影响。另外，由于形成抗蚀膜R的处理，能够在背面Wb产生异物。在上述结构中，在形成抗蚀膜R之后进行背面Wb的异物去除处理，因此能够在曝光处理和曝光装置中减小伴随抗蚀膜R的形成产生的异物对背面Wb的影响。
在上述涂布显影装置2、2A、2B中，膜去除处理部和异物去除处理部可以在工件W被搬入膜处理部之后且由抗蚀膜形成部在工件W的表面Wa形成抗蚀膜R之前，对工件W的背面Wb执行处理。由于在形成抗蚀膜R之后进行曝光处理，因此在曝光处理前对背面Wb进行去除异物的处理。因此，能够减小由于背面Wb的异物对曝光处理或曝光装置产生的影响。另外，在形成抗蚀膜R之前进行背面Wb处的异物去除处理，因此能够在形成抗蚀膜R的阶段中减小背面Wb的异物的影响。
在上述涂布显影装置2、2A、2B中，抗蚀膜形成部可以对工件W的表面Wa供给用于形成抗蚀膜R的处理液L1，来在工件W的表面Wa形成抗蚀膜R。上述涂布显影装置2、2A、2B还具备：排液线路lL1，其从抗蚀膜形成部中的用于通过处理液L1来进行处理的处理空间S1向涂布显影装置2、2A的外部排出处理液L1；排气线路gL1，其将处理空间S1内的气体排出到涂布显影装置2、2A的外部；排液线路lL2，其与排液线路lL1相互独立，从膜去除处理部中的用于通过处理液L2进行处理的处理空间S2向涂布显影装置2、2A的外部排出处理液L2；以及排气线路gL2，其与排气线路gL1相互独立，将处理空间S2内的气体排出到涂布显影装置2、2A的外部。在该情况下，即使用于去除膜F的处理液L2中包含了不期望与处理液L1的成分混合的成分，也能够利用处理液L2在涂布显影装置2、2A的内部执行蚀刻处理。
上述涂布显影装置2还可以具备减少膜形成部，用于在通过异物去除处理部被进行处理后的工件W的背面Wb形成摩擦减少膜，该摩擦减少膜用于在曝光处理时减少保持工件W的背面Wb的部分与工件W的背面Wb之间的摩擦。在该情况下，在曝光处理时使工件W以相对于保持背面Wb的部分滑动的方式被载置，因此即使工件W的周缘部以向下方挠曲的方式翘曲，也能够在曝光处理中减少施加于工件W的周缘部的应力。
上述涂布显影装置2A、2B还可以具备减少膜形成部，该减少膜形成部用于在通过膜去除处理部被进行处理前的工件W的背面Wb形成摩擦减少膜，该摩擦减少膜用于在曝光处理时减少保持工件W的背面Wb的部分与工件W的背面Wb之间的摩擦。在该情况下，在曝光处理时使工件W以相对于保持背面Wb的部分滑动的方式被载置，因此即使工件W的周缘部以向下方挠曲的方式翘曲，也能够在曝光处理中减小施加于工件W的周缘部的应力。
在上述涂布显影装置2A、2B中，减少膜形成部可以在工件W的背面Wb的周缘部形成摩擦减少膜。膜去除处理部可以对工件W的背面Wb的周缘部以外的区域进行用于去除背面膜的处理。在该情况下，形成摩擦减少膜的区域相比于形成于背面Wb的整面的情况而言缩小，另外，在利用膜去除处理部进行的处理中无需包括摩擦减少膜地去除背面膜。因此，能够实现形成摩擦减少膜的处理以及去除背面膜的处理的简化。
附图标记说明
1：基板处理系统；2、2A、2B：涂布显影装置；U1：液处理单元；L1：处理液；S1：处理空间；lL1：排液线路；gL1：排气线路；U2：热处理单元；18：翻转单元；30：第一背面处理单元；S2：处理空间；lL2：排液线路；gL2：排气线路；40：第二背面处理单元；442：研磨刷；452：清洗刷；60：研磨单元；65：研磨刷；70：清洗单元；75：清洗刷；80：减少膜形成单元；W：工件；Wa：表面；Wb：背面；F：膜。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，具备：
膜处理部，其执行规定的处理，该规定的处理包括基板的表面的抗蚀膜的形成；以及
搬入搬出部，其相对于所述膜处理部进行所述基板的搬入和搬出，
其中，所述膜处理部具有：
抗蚀膜形成部，其在所述基板的表面形成所述抗蚀膜；
膜去除处理部，其对形成于所述基板的与表面相反一侧的背面的背面膜供给用于去除所述背面膜的处理液；以及
异物去除处理部，其在使刷子接触了通过所述膜去除处理部被进行处理后的所述基板的背面的状态下，使所述刷子沿所述基板的背面移动。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述刷子是清洗用的刷子，
所述异物去除处理部在使与所述清洗用的刷子相分别的研磨用的刷子接触了所述基板的背面的状态下，使所述研磨用的刷子沿所述基板的背面移动，由此对所述基板的背面进行研磨，
所述异物去除处理部在对所述基板的背面进行研磨之后，在使所述清洗用的刷子接触了所述基板的背面的状态下，使所述清洗用的刷子沿所述基板的背面移动，由此对所述基板的背面进行清洗。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述膜去除处理部在将所述基板以所述基板的背面朝下的方式保持的状态下，对所述基板的背面供给所述处理液。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述异物去除处理部在将所述基板以所述基板的背面朝下的方式保持的状态下，执行将所述基板的背面的异物去除的处理。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备翻转处理部，所述翻转处理部使所述基板的背面上下翻转，
所述异物去除处理部对通过所述翻转处理部进行翻转后的所述基板执行处理，
所述异物去除处理部在将所述基板以所述基板的背面朝上的方式保持的状态下，执行将所述基板的背面的异物去除的处理。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
所述膜去除处理部在将所述基板以所述基板的背面朝下的方式保持的状态下，对所述基板的背面供给所述处理液，
所述翻转处理部使通过所述膜去除处理部被进行处理后的所述基板的背面上下翻转。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备第二翻转处理部，所述第二翻转处理部使通过所述异物去除处理部被进行处理后的所述基板的背面上下翻转。
8.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
在由所述抗蚀膜形成部在所述基板的表面形成所述抗蚀膜之后且对所述基板实施曝光处理之前，所述膜去除处理部和所述异物去除处理部对所述基板的背面执行处理。
9.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述基板被搬入到所述膜处理部之后且由所述抗蚀膜形成部在所述基板的表面形成所述抗蚀膜之前，所述膜去除处理部和所述异物去除处理部对所述基板的背面执行处理。
10.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述抗蚀膜形成部对所述基板的表面供给用于形成所述抗蚀膜的其它处理液，来在所述基板的表面形成所述抗蚀膜，
所述基板处理装置还具备：
第一排液线路，其从所述抗蚀膜形成部中的用于利用所述其它处理液来进行处理的第一处理空间向所述基板处理装置的外部排出所述其它处理液；
第一排气线路，其将所述第一处理空间内的气体排出到所述基板处理装置的外部；
第二排液线路，其与所述第一排液线路相互独立，从所述膜去除处理部中的用于利用所述处理液进行处理的第二处理空间向所述基板处理装置的外部排出所述处理液；以及
第二排气线路，其与所述第一排气线路相互独立，将所述第二处理空间内的气体排出到所述基板处理装置的外部。
11.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备减少膜形成部，所述减少膜形成部在通过所述异物去除处理部被进行处理后的所述基板的背面形成摩擦减少膜，该摩擦减少膜用于在曝光处理时减少保持所述基板的背面的部分与所述基板的背面之间的摩擦。
12.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备减少膜形成部，所述减少膜形成部在通过所述膜去除处理部进行处理前的所述基板的背面形成摩擦减少膜，该摩擦减少膜用于在曝光处理时减少保持所述基板的背面的部分与所述基板的背面之间的摩擦。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
所述减少膜形成部在所述基板的背面的周缘部形成所述摩擦减少膜，
所述膜去除处理部对所述基板的背面的周缘部以外的区域进行用于去除所述背面膜的处理。
14.一种基板处理方法，包括：
在膜处理部中执行规定的处理，该规定的处理包括基板的表面的抗蚀膜的形成；以及
相对于所述膜处理部进行所述基板的搬入和搬出，
其中，所述规定的处理还包括：
第一处理，在所述基板的表面形成所述抗蚀膜；
第二处理，对形成于所述基板的与表面相反一侧的背面的背面膜供给用于去除所述背面膜的处理液；以及
第三处理，在使刷子接触了被执行所述第二处理后的所述基板的背面的状态下，使所述刷子沿所述基板的背面移动。
15.根据权利要求14所述的基板处理方法，其特征在于，
所述刷子为清洗用的刷子，
所述第三处理包括：
在使与所述清洗用的刷子相分别的研磨用的刷子接触了所述基板的背面的状态下，使所述研磨用的刷子沿所述基板的背面移动，由此对所述基板的背面进行研磨；以及
在对所述基板的背面进行研磨之后，在使所述清洗用的刷子接触了所述基板的背面的状态下，使所述清洗用的刷子沿所述基板的背面移动，由此对所述基板的背面进行清洗。
16.根据权利要求14或15所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述第二处理中，在将所述基板以所述基板的背面朝下的方式保持的状态下，对所述基板的背面供给所述处理液。
17.根据权利要求14或15所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述第三处理中，在将所述基板以所述基板的背面朝下的方式保持的状态下，执行将所述基板的背面的异物去除的处理。
18.根据权利要求14或15所述的基板处理方法，其特征在于，
还包括通过翻转处理部使所述基板的背面上下翻转，
在所述第三处理中，对通过所述翻转处理部进行翻转后的所述基板执行处理，
在所述第三处理中，在将所述基板以所述基板的背面朝上的方式保持的状态下，执行将所述基板的背面的异物去除的处理。
19.根据权利要求18所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述第二处理中，在将所述基板以所述基板的背面朝下的方式保持的状态下，对所述基板的背面供给所述处理液，
通过所述翻转处理部使所述基板的背面上下翻转包括通过所述翻转处理部使被进行所述第二处理后的所述基板的背面上下翻转。
20.一种计算机可读存储介质，存储有用于使装置执行根据权利要求14或15所述的基板处理方法的程序。
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