JP2023171224A - 基板処理装置、基板処理方法、及び、記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の膜が形成された裏面から異物を適切に除去する。
【解決手段】本開示の一側面に係る基板処理装置は、基板の表面におけるレジスト膜の形成を含む所定の処理を実行する膜処理部と、膜処理部に対して、基板の搬入出を行う搬入出部と、を備える。膜処理部は、基板の表面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成部と、基板の表面と反対側の裏面に形成された裏面膜に対して、裏面膜を除去するための処理液を供給する膜除去処理部と、膜除去処理部により処理された基板の裏面に対してブラシを接触させた状態で、ブラシを基板の裏面に沿って移動させる異物除去処理部と、を有する。
【選択図】図２

Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法、及び、記憶媒体に関する。

特許文献１には、基板の裏面の除去対象物を除去する基板処理方法が開示されている。

特開２０１３－２１０２６号公報

本開示は、基板の膜が形成された裏面から異物を適切に除去することが可能な基板処理装置、基板処理方法、及び、記憶媒体を提供する。

本開示の一側面に係る基板処理装置は、基板の表面におけるレジスト膜の形成を含む所定の処理を実行する膜処理部と、膜処理部に対して、基板の搬入出を行う搬入出部と、を備える。膜処理部は、基板の表面に対して第１処理液を供給して、基板の表面にレジスト膜を形成する膜形成部と、基板の表面と反対側の裏面に形成された裏面膜に対して、裏面膜を除去するための第２処理液を供給する膜除去処理部と、膜除去処理部により処理された基板の裏面に対してブラシを接触させた状態で、ブラシを基板の裏面に沿って移動させる異物除去処理部と、を有する。

本開示によれば、基板の膜が形成された裏面から異物を適切に除去することが可能な基板処理装置、基板処理方法、及び、記憶媒体が提供される。

図１は、基板処理システムの一例を模式的に示す斜視図である。 図２は、塗布現像装置の一例を模式的に示す側面図である。 図３は、液処理ユニットの一例を模式的に示す側面図である。 図４は、裏面に膜が形成されたワークの断面の一例を示す模式図である。 図５は、第１裏面処理ユニットの一例を模式的に示す側面図である。 図６は、第２裏面処理ユニットの一例を模式的に示す上面図である。 図７は、第２裏面処理ユニットの一例を模式的に示す側面図である。 図８は、基板処理方法の一例を示すフローチャートである。 図９は、異物除去処理の一例を示すフローチャートである。 図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、異物除去処理の様子を例示する模式図である。 図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、異物除去処理の様子を例示する模式図である。 図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、異物除去処理の様子を例示する模式図である。 図１３は、塗布現像装置の一例を模式的に示す側面図である。 図１４は、基板処理方法の一例を示すフローチャートである。 図１５は、塗布現像装置の一例を模式的に示す側面図である。 図１６は、研磨ユニットの一例及び洗浄ユニットの一例を模式的に示す側面図である。 図１７は、塗布現像装置の一例を模式的に示す側面図である。 図１８は、低減膜形成ユニットの一例を模式的に示す側面図である。 図１９は、基板処理方法の一例を示すフローチャートである。 図２０（ａ）、図２０（ｂ）、及び図２０（ｃ）は、低減膜形成の様子を例示する模式図である。 図２１は、基板処理方法の一例を示すフローチャートである。

以下、図面を参照して一実施形態について説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。一部の図面にはＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸により規定される直交座標系が示される。以下の実施形態では、Ｚ軸が鉛直方向に対応し、Ｘ軸及びＹ軸が水平方向に対応する。Ｚ軸正方向が鉛直上向きに対応し、Ｚ軸負方向が鉛直下向きに対応する。

［第１実施形態］
最初に、図１～図１２を参照して、第１実施形態に係る基板処理システムを説明する。図１に示される基板処理システム１（基板処理装置）は、ワークＷに対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象のワークＷは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜又は回路等が形成された状態の基板である。当該基板は、一例として、シリコンウェハである。ワークＷ（基板）は、円形であってもよい。ワークＷは、ガラス基板、マスク基板、又はＦＰＤ（Flat Panel Display）などであってもよい。

ワークＷの縁にベベル（面取り）が存在する場合、本開示におけるワークＷの「表面」には、ワークＷの表面側から見たときのベベル部分も含まれ、ワークＷの「裏面」には、ワークＷの裏面側から見たときのベベル部分も含まれる。ワークＷの表面（以下、「表面Ｗａ」と表記する。）は、ワークＷにおける一対の主面のうちの感光性被膜が形成される主面である。ワークＷの裏面（以下、「裏面Ｗｂ」と表記する。）は、上記一対の主面のうちの表面Ｗａとは反対側の主面である。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。

図１及び図２に示されるように、基板処理システム１は、塗布現像装置２と、露光装置３と、制御装置１００と、を備える。露光装置３は、ワークＷ（基板）に形成されたレジスト膜（感光性被膜）を露光する装置である。具体的には、露光装置３は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。エネルギー線は、例えば、電離放射線、又は非電離放射線などであってもよい。

塗布現像装置２（基板処理装置）は、露光装置３による露光処理前に、ワークＷの表面Ｗａにレジスト膜を形成する処理を行う。塗布現像装置２は、例えば、ワークＷの表面Ｗａにレジストを塗布してワークＷの表面Ｗａにレジスト膜を形成する。塗布現像装置２は、レジスト膜を形成する処理に加えて、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行ってもよい。現像処理前のレジスト膜の露光対象部分には、露光装置３によって選択的にエネルギー線が照射されている。塗布現像装置２は、例えば、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、を備える。

キャリアブロック４は、塗布現像装置２内へのワークＷの導入及び塗布現像装置２内からのワークＷの導出を行う。キャリアブロック４は、例えば、ワークＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のワークＷを収容する。搬送装置Ａ１は、キャリアＣからワークＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からワークＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。このように、搬送装置Ａ１を含むキャリアブロック４は、処理ブロック５にワークＷを搬入し、処理ブロック５からワークＷを搬出する。処理ブロック５は、処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。

処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりワークＷの表面Ｗａ上に下層膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をワークＷの表面Ｗａに供給し、その処理液をワークＷの表面Ｗａ上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液をワークＷの表面Ｗａに供給し、その処理液を下層膜上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。処理モジュール１２における液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２は、ワークＷの表面Ｗａにレジスト膜を形成するレジスト膜形成部として機能する。

処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の処理液をワークＷの表面Ｗａに供給し、その処理液をレジスト膜上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光処理が施されたレジスト膜の現像処理及び現像処理に伴う熱処理を行う。液処理ユニットＵ１は、現像液を用いた液処理（現像処理）をワークＷに対して施すユニットである。液処理ユニットＵ１は、露光済みのワークＷの表面Ｗａ上に現像液を供給して、ワークＷの表面Ｗａ上に形成されたレジスト膜の現像処理を行う。液処理ユニットＵ１は、現像液による現像を行った後、ワークＷの表面Ｗａ上の現像液をリンス液により洗い流す。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、及び現像後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等が挙げられる。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームを含む搬送装置Ａ７が設けられている。搬送装置Ａ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でワークＷを昇降させる。

処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インタフェースブロック６は、露光装置３との間でワークＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ８を内蔵しており、露光装置３に接続されている。搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたワークＷを露光装置３に渡す。搬送装置Ａ８は、露光装置３からワークＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

上述した塗布現像装置２は基板処理装置の一例であり、基板処理装置は、ワークＷの表面におけるレジスト膜の形成を含む所定の処理を実行する膜処理部と、膜処理部に対して、ワークＷの搬入出を行う搬入出部と、を備えていれば、どのように構成されてもよい。上述の塗布現像装置２において、処理ブロック５及びインタフェースブロック６が、表面Ｗａにおけるレジスト膜の形成を含む所定の処理を実行する膜処理部として機能する。キャリアブロック４が、膜処理部に対して、ワークＷの搬入出を行う搬入出部として機能する。処理ブロック５及びインタフェースブロック６が実行する所定の処理は、露光されたレジスト膜の現像を含んでもよく、当該現像を含まなくてもよい。

制御装置１００は、塗布現像装置２を部分的及び全体的に制御する。制御装置１００は、１以上の制御用コンピュータにより構成される。制御装置１００が複数の制御用コンピュータで構成される場合に、これらの複数の制御用コンピュータが、互いに通信可能に接続されてもよい。

制御装置１００は、機能上の構成として、記憶部１０２と制御部１０４とを有する。記憶部１０２は、塗布現像装置２に含まれる各種ユニット及び各種装置を動作させるためのプログラムを記憶している。記憶部１０２は、各種のデータ（例えば、塗布現像装置２に含まれる処理ユニット等を動作させるための信号に係る情報）、及び各部に設けられたセンサ等からの情報も記憶している。記憶部１０２は、例えば半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、又は、光磁気記録ディスクである。当該プログラムは、記憶部１０２とは別体の外部記憶装置、又は伝播信号などの無形の媒体にも含まれ得る。これらの他の媒体から記憶部１０２に当該プログラムをインストールして、記憶部１０２に当該プログラムを記憶させてもよい。

制御部１０４は、記憶部１０２から読み出したプログラムに基づいて、塗布現像装置２に含まれる各種ユニット及び各種装置の動作を制御する。制御部１０４は、少なくとも、ワークＷの表面Ｗａにおけるレジスト膜の形成と、露光されたレジスト膜の現像とを含む所定の処理を実行するように処理ブロック５を制御することと、処理ブロック５に対して、ワークＷの搬入と搬出とを行うようにキャリアブロック４を制御することと、を実行するように構成されている。以下では、塗布現像装置２に含まれる各種処理ユニットについて説明する。

（液処理ユニット）
図３には、処理モジュール１２の液処理ユニットＵ１の一例が模式的に示されている。液処理ユニットＵ１は、処理液を用いた液処理をワークＷに施すユニットである。液処理ユニットＵ１は、例えば、筐体２１と、回転保持部２２と、処理液供給部２４と、カバー部材２６と、ブロア２８と、を有する。筐体２１は、回転保持部２２、処理液供給部２４の一部、カバー部材２６、及び、ブロア２８を収容する。筐体２１は、液処理ユニットＵ１による処理液を用いた液処理を行うための処理空間Ｓ１（第１処理空間）を形成する。

回転保持部２２は、ワークＷを保持して回転させる。回転保持部２２は、例えば、回転駆動部２２２と、シャフト２２４と、保持部２２６と、を含む。回転駆動部２２２は、制御装置１００からの信号に基づき動作し、シャフト２２４を回転させる。回転駆動部２２２は、例えば、電動モータ等の動力源を含む。保持部２２６は、シャフト２２４の先端部に設けられている。

保持部２２６上には、ワークＷの表面Ｗａが上向きの状態で、ワークＷが配置される。保持部２２６は、例えば、吸着等によりワークＷを略水平に保持する。回転保持部２２は、ワークＷの姿勢が略水平である状態で、ワークＷの表面Ｗａに対して垂直な中心軸（回転軸）まわりにワークＷを回転させる。保持部２２６は、上記回転軸がワークＷの中心に略一致するように、ワークＷを保持してもよい。

処理液供給部２４は、回転保持部２２（保持部２２６）に保持されたワークＷの表面Ｗａに対して、レジスト膜を形成するための処理液を供給する。以下、処理液供給部２４により供給される処理液を「処理液Ｌ１」と表記し、表面Ｗａに形成されるレジスト膜を「レジスト膜Ｒ」と表記する。処理液Ｌ１（別の処理液）は、レジスト膜Ｒを形成するためのレジスト液である。本開示において、液体又は気体の流体（例えば、処理液Ｌ１）をワークＷの主面（例えば、表面Ｗａ）に対して供給することは、その主面に既に形成されている膜に対して当該流体を接触させることを含む。

処理液供給部２４は、例えば、処理液供給源２４６と、ノズル２４２と、開閉バルブ２４４と、ノズル駆動部２４８と、を含む。処理液供給源２４６は、処理液Ｌ１の液源であり、ノズル２４２に処理液Ｌ１を供給する。処理液供給源２４６は、例えば、処理液Ｌ１を収容するタンクと、処理液Ｌ１を圧送するポンプとを含む。ノズル２４２は、処理液供給源２４６から供給される処理液Ｌ１を、ワークＷの表面Ｗａに向けて吐出する。

開閉バルブ２４４は、制御装置１００からの信号に基づいて、処理液供給源２４６とノズル２４２との間の処理液Ｌ１の流路を開閉する。ノズル駆動部２４８は、制御装置１００からの信号に基づいて、少なくともワークＷの表面Ｗａに沿う方向（水平方向）において、ノズル２４２を移動させる。

カバー部材２６は、回転保持部２２の周囲に設けられている。カバー部材２６は、例えば、カップ本体２６２と、排液口２６４と、排気口２６６と、を含む。カップ本体２６２は、ワークＷに対する液処理のためにワークＷに供給された処理液Ｌ１を受け止める集液容器として機能する。

排液口２６４は、カップ本体２６２の底部に設けられている。カップ本体２６２によって集められた処理液Ｌ１の排液が、排液口２６４を介して、液処理ユニットＵ１の外に排出される。排液口２６４には、排液ラインｌＬ１（第１排液ライン）が接続されている。排液ラインｌＬ１は、液処理ユニットＵ１での処理液Ｌ１による処理を行うための処理空間Ｓ１から、塗布現像装置２の外に、処理液Ｌ１を排出する。排液ラインｌＬ１は、処理液Ｌ１を塗布現像装置２の外に導く配管である。１つの液処理ユニットＵ１に接続される排液ラインｌＬ１は、処理モジュール１２における他の液処理ユニットＵ１に接続される排液ラインｌＬ１と合流したうえで、塗布現像装置２の外に処理液Ｌ１を排出してもよい。

排気口２６６は、カップ本体２６２の底部に設けられている。排気口２６６から、筐体２１内のガスが、液処理ユニットＵ１の外に排出される。排気口２６６には、排気ラインｇＬ１（第１排気ライン）が接続されている。排気ラインｇＬ１は、液処理ユニットＵ１での処理液Ｌ１による処理を行うための処理空間Ｓ１内（筐体２１内）のガスを、塗布現像装置２の外に排出する。排気ラインｇＬ１は、筐体２１内から排出されたガスを塗布現像装置２の外に導く配管である。１つの液処理ユニットＵ１に接続される排気ラインｇＬ１は、処理モジュール１２における他の液処理ユニットＵ１に接続される排気ラインｇＬ１と合流したうえで、塗布現像装置２の外に筐体２１内のガスを排出してもよい。

ブロア２８は、筐体２１内において、回転保持部２２及びカバー部材２６の上方に配置されている。ブロア２８は、制御装置１００からの信号に基づいて、カバー部材２６及び回転保持部２２に向かう下降流を形成する。

液処理ユニットＵ１が処理液Ｌ１の塗布膜を表面Ｗａに形成した後、熱処理ユニットＵ２がワークＷの熱処理を行うことで、レジスト膜Ｒが形成される。図３では、熱処理前の処理液Ｌ１の塗布膜が「Ｒ」で示されている。以上のように、処理モジュール１２の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２は、ワークＷの表面Ｗａにレジスト膜を形成する処理（第１処理）を行う。

（反転ユニット）
図２に示されるように、塗布現像装置２の処理ブロック５は、１以上の反転ユニット１８を有してもよい。塗布現像装置２の処理ブロック５は、複数の反転ユニット１８を有してもよい。１以上の反転ユニット１８は、棚ユニットＵ１０の一部のセルに配置されていてもよい。１以上の反転ユニット１８が、棚ユニットＵ１０の複数のセルのうちの処理モジュール１１に対応するセルに配置されていてもよい。

反転ユニット１８（反転処理部）は、ワークＷの裏面Ｗｂの上下を反転させるユニットである。反転ユニット１８は、裏面Ｗｂが下向きの状態から、裏面Ｗｂが上向きの状態となるように、ワークＷの上下を反転させる。反転ユニット１８は、裏面Ｗｂが上向きの状態から、裏面Ｗｂが下向きの状態となるように、ワークＷの上下を反転させる。

＜裏面Ｗｂにおける膜＞
図４には、ワークＷの断面の一例が模式的に示されている。ワークＷの裏面Ｗｂ（表面Ｗａと反対側の主面）には、種々の目的で膜が形成される場合がある。以下、ワークＷの裏面Ｗｂに形成されている膜を「膜Ｆ」と表記する。膜Ｆ（裏面膜）は、単層の膜であってもよく、多層の膜であってもよい。膜Ｆは、シリコン酸化膜Ｆ１と、シリコン窒化膜Ｆ２とを含んでよい。シリコン酸化膜Ｆ１と、シリコン窒化膜Ｆ２とは、ワークＷの裏面Ｗｂから、この順で積層されてもよい。シリコン酸化膜Ｆ１とシリコン窒化膜Ｆ２との間に、他の膜が存在していてもよい。図４では、ワークＷの表面Ｗａに形成される膜（レジスト膜Ｒ等）は省略されている。

膜Ｆは、塗布現像装置２での処理（レジスト膜Ｒの形成及び現像）の前に、形成されてもよい。膜Ｆは、塗布現像装置２に導入される前に、既に形成されていてもよい。裏面Ｗｂに形成された膜Ｆには、異物が存在している。膜Ｆに存在する異物は、例えば、ワークＷの裏面Ｗｂと他の部材（例えば、ワークＷを保持する部材等）との接触、又は、ワークＷに対する膜形成等の処理に伴って発生する。膜Ｆに存在する異物には、例えば、ワークＷの裏面Ｗｂに付着したパーティクルＰ１、ワークＷの裏面Ｗｂに形成されたバリＢ１、及び、膜Ｆ内に埋め込まれたパーティクルＰ２が含まれる。

塗布現像装置２（処理ブロック５及びインタフェースブロック６）では、ワークＷの裏面Ｗｂから異物を除去するための処理が行われ、裏面Ｗｂにおける欠陥が低減される。塗布現像装置２は、例えば、１以上の第１裏面処理ユニット３０と、１以上の第２裏面処理ユニット４０と、を有する（図２参照）。

（第１裏面処理ユニット）
図５には、第１裏面処理ユニット３０の一例が模式的に示されている。第１裏面処理ユニット３０は、処理モジュール１１に設けられてもよい。第１裏面処理ユニット３０（膜除去処理部）は、ワークＷの表面Ｗａと反対側の裏面Ｗｂに形成された膜Ｆに対して、膜Ｆを除去するための処理液を供給する処理（第２処理）を行う。第１裏面処理ユニット３０により供給される処理液を「処理液Ｌ２」と表記する。処理液Ｌ２は、膜Ｆの少なくとも一部を除去することが可能な薬液である。第１裏面処理ユニット３０は、膜Ｆを除去することが可能な薬液である処理液Ｌ２により、膜Ｆのエッチングを行う。

第１裏面処理ユニット３０は、ワークＷの裏面Ｗｂを下に向けて保持した状態で、裏面Ｗｂに対して、エッチングのための処理液Ｌ２を裏面Ｗｂに供給してもよい（下から供給してもよい）。第１裏面処理ユニット３０は、例えば、筐体３２と、回転保持部３４と、処理液供給部３５と、カバー部材３９と、を有する。

筐体３２は、回転保持部３４の一部、処理液供給部３５の一部、及び、カバー部材３９を収容する。筐体３２は、第１裏面処理ユニット３０による処理液を用いた処理を行うための処理空間Ｓ２（第２処理空間）を形成する。筐体３２の天井部にはブロア３２ａが設けられており、ブロア３２ａは、筐体３２内に下降流を形成する。ブロア３２ａは、ＦＦＵ（Fun Filter Unit）であってもよい。

回転保持部３４は、ワークＷを保持して回転させる。回転保持部３４は、ワークＷの裏面Ｗｂを下に向けた状態で、ワークＷの周縁部（周縁とその近傍）を保持してもよい。回転保持部３４は、例えば、回転駆動部３４２と、シャフト３４４と、保持部３４６と、複数の把持部３４８と、を含む。回転駆動部３４２は、制御装置１００からの信号に基づき動作し、シャフト３４４を回転させる。回転駆動部３４２は、例えば、電動モータ等の動力源を含む。保持部３４６は、シャフト３４４の先端部に設けられている。

複数の把持部３４８は、保持部３４６の上面に設けられている。複数の把持部３４８は、ワークＷの周縁部を把持する。複数の把持部３４８は、保持部３４６の上面とワークＷとの間に隙間を設けた状態で、ワークＷの周縁部を把持（保持）してもよい。複数の把持部３４８は、ワークＷの裏面Ｗｂを下に向けた状態で、ワークＷを保持する。回転保持部３４は、ワークＷの姿勢が略水平である状態で、ワークＷの表面Ｗａに対して垂直な中心軸（回転軸）まわりにワークＷを回転させる。複数の把持部３４８は、上記回転軸がワークＷの中心に略一致するように、ワークＷの周縁部を把持してもよい。

処理液供給部３５は、複数の把持部３４８によって把持されたワークＷの裏面Ｗｂに対して、処理液Ｌ２（１以上の処理液）を供給する。処理液供給部３５は、ワークＷの裏面Ｗｂに対して、下から処理液Ｌ２を供給してもよい。シャフト３４４及び保持部３４６の中央部には、上記回転軸に沿って貫通する挿入孔が形成されており、処理液供給部３５は、上記挿入孔に配置されている。処理液供給部３５は、上記回転軸に沿って延び、処理液Ｌ２を導く流路を含む。処理液供給部３５の上端は、複数の把持部３４８に把持されたワークＷの裏面Ｗｂに対して、処理液Ｌ２を吐出する。

処理液供給部３５には、例えば、第１薬液供給部３６、第２薬液供給部３７、及び、リンス液供給部３８が接続されている。処理液供給部３５には、第１薬液供給部３６、第２薬液供給部３７、及びリンス液供給部３８のいずれか１つの供給部から液が供給され、処理液供給部３５は、その液をワークＷの裏面Ｗｂに対して供給する。処理液供給部３５は、第１薬液供給部３６及び第２薬液供給部３７のいずれか一方から供給される処理液Ｌ２を、裏面Ｗｂに対して吐出する。第１裏面処理ユニット３０は、処理液供給部３５から吐出される処理液Ｌ２を、所定の温度範囲に加熱するヒータを有してもよい。

第１薬液供給部３６は、処理液供給部３５に対して、処理液Ｌ２として第１薬液を供給する。第１薬液は、膜Ｆを除去するための処理液である。第１薬液供給部３６は、第１薬液供給源３６２と、開閉バルブ３６４と、流量調節器３６６と、を含む。第１薬液供給源３６２、開閉バルブ３６４、及び、流量調節器３６６は、第１薬液の流路において、上流側から、この順で配置されている。

第１薬液供給源３６２は、第１薬液の液源であり、例えば、第１薬液を収容するタンクを含む。開閉バルブ３６４は、制御装置１００からの信号に基づき、第１薬液供給源３６２と処理液供給部３５との間の第１薬液の流路を開閉する。流量調節器３６６は、制御装置１００からの信号に基づき、第１薬液供給源３６２から処理液供給部３５に供給される第１薬液の流量を調節する。第１薬液は、フッ酸であってもよい。

第２薬液供給部３７は、処理液供給部３５に対して、処理液Ｌ２として第２薬液を供給する。第２薬液は、膜Ｆを除去するための処理液である。第２薬液供給部３７は、第２薬液供給源３７２と、開閉バルブ３７４と、流量調節器３７６と、を含む。第２薬液供給源３７２、開閉バルブ３７４、及び、流量調節器３７６は、第２薬液の流路において、上流側から、この順で配置されている。

第２薬液供給源３７２は、第２薬液の液源であり、例えば、第２薬液を収容するタンクを含む。開閉バルブ３７４は、制御装置１００からの信号に基づき、第２薬液供給源３７２と処理液供給部３５との間の第２薬液の流路を開閉する。流量調節器３７６は、制御装置１００からの信号に基づき、第２薬液供給源３７２から処理液供給部３５に供給される第２薬液の流量を調節する。第２薬液は、アンモニア、過酸化水素、及び水の混合液であるＳＣ－１であってもよい。本開示において、処理液Ｌ２は、膜Ｆを除去するための第１薬液及び第２薬液の総称である。すなわち、処理液Ｌ２は、第１薬液及び第２薬液のどちらか一方、又は、第１薬液及び第２薬液の双方を意味する。

リンス液供給部３８は、処理液供給部３５に対してリンス液を供給する。リンス液は、ワークＷの裏面Ｗｂに供給された薬液を洗い流すための液であり、ＤＩＷ（Deionized Water）であってもよい。リンス液供給部３８は、リンス液供給源３８２と、開閉バルブ３８４と、流量調節器３８６と、を含む。リンス液供給源３８２、開閉バルブ３８４、及び、流量調節器３８６は、リンス液の流路において、上流側から、この順で配置されている。

リンス液供給源３８２は、リンス液の液源であり、例えば、リンス液を収容するタンクを含む。開閉バルブ３８４は、制御装置１００からの信号に基づき、リンス液供給源３８２と処理液供給部３５との間のリンス液の流路を開閉する。流量調節器３８６は、制御装置１００からの信号に基づき、リンス液供給源３８２から処理液供給部３５に供給されるリンス液の流量を調節する。

カバー部材３９は、回転保持部３４の周囲に設けられている。カバー部材３９は、例えば、カップ本体３９２と、排液口３９４と、排気口３９６と、を含む。カップ本体３９２は、ワークＷの裏面Ｗｂに供給された第１薬液等の処理液Ｌ２を受け止める集液容器として機能する。

排液口３９４は、カップ本体３９２の底部に設けられている。カップ本体３９２によって集められた処理液Ｌ２の排液が、排液口３９４を介して、第１裏面処理ユニット３０の外に排出される。排液口３９４には、排液ラインｌＬ２（第２排液ライン）が接続されている。排液ラインｌＬ２は、第１裏面処理ユニット３０での処理液Ｌ２による処理を行うための処理空間Ｓ２から、塗布現像装置２の外に、処理液Ｌ２（処理液Ｌ２及びリンス液）を排出する。

排液ラインｌＬ２は、処理液Ｌ２（処理液Ｌ２及びリンス液）を塗布現像装置２の外に導く配管である。１つの第１裏面処理ユニット３０に接続される排液ラインｌＬ２は、他の第１裏面処理ユニット３０に接続される排液ラインｌＬ２と合流したうえで、塗布現像装置２の外に処理液Ｌ２を排出してもよい。排液ラインｌＬ２は、液処理ユニットＵ１に接続される上述の排液ラインｌＬ１とは独立して、処理液Ｌ２を塗布現像装置２の外に排出する（図２も参照）。この場合、排液ラインｌＬ２は、排液ラインｌＬ１と合流しないで、塗布現像装置２の外に処理液Ｌ２を導く。

排気口３９６は、カップ本体３９２の底部に設けられている。排気口３９６から、筐体３２内のガスが、第１裏面処理ユニット３０の外に排出される。排気口３９６には、排気ラインｇＬ２（第２排気ライン）が接続されている。排気ラインｇＬ２は、第１裏面処理ユニット３０での処理液Ｌ２による処理を行うための処理空間Ｓ２内（筐体３２内）のガスを、塗布現像装置２の外に排出する。

排気ラインｇＬ２は、筐体３２内から排出されたガスを塗布現像装置２の外に導く配管である。１つの第１裏面処理ユニット３０に接続される排気ラインｇＬ２は、他の第１裏面処理ユニット３０に接続される排気ラインｇＬ２と合流したうえで、塗布現像装置２の外に筐体３２内のガスを排出してもよい。排気ラインｇＬ２は、液処理ユニットＵ１に接続される上述の排気ラインｇＬ１とは独立して、筐体３２内のガスを塗布現像装置２の外に排出する（図２も参照）。この場合、排気ラインｇＬ２は、排気ラインｇＬ１とは合流しないで、塗布現像装置２の外に筐体３２内のガスを導く。

以上のように構成された第１裏面処理ユニット３０は、最初に、表面Ｗａが上を向いた（裏面Ｗｂが下を向いた）状態のワークＷの周縁部を複数の把持部３４８によって保持する。そして、第１裏面処理ユニット３０は、回転駆動部３４２により、複数の把持部３４８によって保持されたワークＷを回転させる。その後、第１裏面処理ユニット３０は、回転しているワークＷの裏面Ｗｂの中央の領域に向けて、処理液供給部３５から複数の薬液を順に供給する。一例では、第１裏面処理ユニット３０は、回転するワークＷの裏面Ｗｂの中央領域に向けて、処理液供給部３５から、フッ酸、ＤＩＷ、ＳＣ－１、及び、ＤＩＷをこの順で供給する。

処理液供給部３５から複数の薬液が、ワークＷの裏面Ｗｂの中央領域に向けて供給されることで、裏面Ｗｂに形成されている膜Ｆがエッチングされる。膜Ｆのエッチングに伴って、裏面Ｗｂに付着したパーティクルＰ１と、裏面Ｗｂの膜Ｆの中に埋め込まれたパーティクルＰ２とが除去され得る。第１裏面処理ユニット３０は、リンス液であるＤＩＷにより、裏面Ｗｂに残るＳＣ－１を洗い流すリンス処理を行った後に、薬液が供給されていない状態でワークＷを回転させることで、ワークＷを乾燥させる処理を行う。

（第２裏面処理ユニット）
図６及び図７には、第２裏面処理ユニット４０の一例が模式的に示されている。第２裏面処理ユニット４０（異物除去処理部）は、第１裏面処理ユニット３０により処理されたワークＷの裏面Ｗｂに対してブラシを接触させた状態で、ブラシをワークＷの裏面Ｗｂに沿って移動させる処理（第３処理）を行う。ブラシを接触させて裏面Ｗｂに沿って移動させることで、裏面Ｗｂに存在する異物が除去され得る。裏面Ｗｂに対してブラシ等の部材を接触させることには、裏面Ｗｂに既に形成されている膜Ｆ等の膜に部材を接触させることを含む。

第２裏面処理ユニット４０は、２以上（２種類以上）のブラシを用いて、裏面Ｗｂにおける異物を除去する処理を行ってもよい。２以上のブラシ（２種類以上のブラシ）が用いられる場合、第２裏面処理ユニット４０は、互いに異なるタイミングで、各ブラシを裏面Ｗｂに接触させて、裏面Ｗｂに沿って移動させる。第２裏面処理ユニット４０は、反転ユニット１８により反転された後のワークＷ（裏面Ｗｂが上を向くワークＷ）に対して処理を行う。第２裏面処理ユニット４０は、裏面Ｗｂを上に向けてワークＷを保持した状態で、ワークＷの裏面Ｗｂにおける異物を除去する処理を実行してもよい。以下では、第２裏面処理ユニット４０が、２つのブラシ（２種類のブラシ）を用いて、異物の除去を行う場合を例示する。

第２裏面処理ユニット４０は、ワークＷの裏面Ｗｂに対して研磨処理を行い、研磨処理後に、裏面Ｗｂに対して洗浄処理を行うことで、裏面Ｗｂにおける異物を除去してもよい。第２裏面処理ユニット４０は、研磨処理において、研磨用のブラシを裏面Ｗｂに接触させた状態で、研磨用のブラシを裏面Ｗｂに沿って移動させることで、裏面Ｗｂを研磨する。第２裏面処理ユニット４０は、洗浄処理において、洗浄用のブラシを接触させた状態で、洗浄用のブラシを裏面Ｗｂに沿って移動させることで、裏面Ｗｂを洗浄する。

第２裏面処理ユニット４０は、例えば、筐体４１と、回転保持部４２と、カバー部材４３と、研磨部４４と、洗浄部４５と、第１供給部４７と、第２供給部４８と、を有する。筐体４１は、回転保持部４２の一部、カバー部材４３、研磨部４４、洗浄部４５、第１供給部４７の一部、及び、第２供給部４８の一部を収容する。筐体４１は、第２裏面処理ユニット４０による処理を行うための処理空間を形成する。筐体４１の天井部にはブロア４１ａが設けられており、ブロア４１ａは、筐体４１内に下降流を形成する。ブロア４１ａは、ＦＦＵであってもよい。

回転保持部４２は、ワークＷを保持して回転させる。回転保持部４２は、ワークＷの裏面Ｗｂを上に向けた状態で、ワークＷの周縁部を保持してもよい。回転保持部４２は、例えば、回転駆動部４２２と、シャフト４２４と、本体部４２６と、複数の把持部４２８と、を含む。回転駆動部４２２は、制御装置１００からの信号に基づき動作し、シャフト４２４を回転させる。回転駆動部４２２は、例えば、電動モータ等の動力源を含む。本体部４２６は、シャフト４２４の先端部に設けられている。本体部４２６は、円板状に形成された部材であり、本体部４２６の径は、ワークＷの径よりも大きい。

複数の把持部４２８は、本体部４２６の上面に設けられている。複数の把持部４２８は、ワークＷの周縁部を把持する。複数の把持部４２８は、本体部４２６の上面とワークＷとの間に隙間を設けた状態で、ワークＷの周縁部を把持（保持）してもよい。複数の把持部４２８は、ワークＷの裏面Ｗｂを上に向けた状態で、ワークＷの周縁部を把持（保持）してもよい。回転保持部４２は、ワークＷの姿勢が略水平である状態で、ワークＷの表面Ｗａに対して垂直な中心軸（回転軸）まわりにワークＷを回転させる。複数の把持部４２８は、上記回転軸がワークＷの中心に略一致するように、ワークＷの周縁部を把持してもよい。

カバー部材４３は、回転保持部４２の周囲に設けられている。カバー部材４３は、例えば、カップ本体４３２と、排液口４３４と、排気口４３６と、を含む。カップ本体４３２は、ワークＷの裏面Ｗｂに供給された薬液等を受け止める集液容器として機能する。排液口４３４は、カップ本体４３２の底部に設けられている。カップ本体４３２によって集められた薬液が、排液口４３４を介して、第２裏面処理ユニット４０（塗布現像装置２）の外に排出される。排気口４３６は、カップ本体４３２の底部に設けられている。排気口４３６から、筐体４１内のガスが、第２裏面処理ユニット４０（塗布現像装置２）の外に排出される。

研磨部４４は、複数の把持部４２８に保持されたワークＷの裏面Ｗｂを研磨する。研磨部４４は、例えば、研磨ブラシ４４２（研磨用のブラシ）と、シャフト４４４と、アーム４４５と、レール４４６と、駆動部４４８と、を有する。研磨ブラシ４４２は、砥石を含んでもよい。研磨ブラシ４４２は、ダイヤモンド砥石、又は、ダイヤモンドシートを含んでもよい。研磨ブラシ４４２は、円柱状に形成されてもよい。研磨ブラシ４４２は、その先端部がワークＷの裏面Ｗｂに接触した状態で、裏面Ｗｂに沿って移動することにより、裏面Ｗｂを研磨する。

研磨ブラシ４４２は、Ｚ軸方向に沿って延びるように形成されたシャフト４４４を介してアーム４４５に接続されている。アーム４４５は、水平方向に沿って延びるように形成されており、シャフト４４４を介して研磨ブラシ４４２を支持する。駆動部４４８は、電動モータ等の動力源を含んでおり、アーム４４５をレール４４６に沿って移動させる。駆動部４４８は、アーム４４５をＺ軸方向にも移動させることが可能である。研磨部４４は、研磨ブラシ４４２を通る軸線まわりに研磨ブラシ４４２を回転させる回転駆動部を有してもよい。研磨部４４は、上記回転駆動部により、シャフト４４４に対して研磨ブラシ４４２を回転させてもよい。

洗浄部４５は、研磨部４４による研磨後に、複数の把持部４２８に保持されたワークＷの裏面Ｗｂを洗浄する。洗浄部４５は、例えば、洗浄ブラシ４５２（洗浄用のブラシ）と、シャフト４５４と、アーム４５５と、レール４５６と、駆動部４５８と、を有する。洗浄ブラシ４５２は、ＰＶＣスポンジ、ウレタンスポンジ、又は、ナイロン繊維によって形成されてもよい。洗浄ブラシ４５２は、円柱状に形成されてもよい。洗浄ブラシ４５２は、その先端部がワークＷの裏面Ｗｂに接触した状態で、裏面Ｗｂに沿って移動することにより、裏面Ｗｂを洗浄する。

洗浄ブラシ４５２は、Ｚ軸方向に沿って延びるように形成されたシャフト４５４を介してアーム４５５に接続されている。アーム４５５は、水平方向に沿って延びるように形成されており、シャフト４５４を介して洗浄ブラシ４５２を支持する。駆動部４５８は、電動モータ等の動力源を含んでおり、アーム４５５をレール４５６に沿って移動させる。駆動部４５８は、アーム４５５をＺ軸方向にも移動させることが可能である。洗浄部４５は、洗浄ブラシ４５２を通る軸線まわりに洗浄ブラシ４５２を回転させる回転駆動部を有してもよい。洗浄部４５は、上記回転駆動部により、シャフト４５４に対して洗浄ブラシ４５２を回転させてもよい。

第１供給部４７は、複数の把持部４２８に保持されたワークＷに対して洗浄液及びリンス液を個別に供給する。第１供給部４７は、カバー部材４３の外方に配置されている。第１供給部４７は、例えば、ノズル４７１と、アーム４７２と、駆動部４７３と、開閉バルブ４７４と、第１洗浄液供給源４７５と、開閉バルブ４７６と、リンス液供給源４７７と、を含む。

ノズル４７１は、ワークＷに対して洗浄液を吐出し、ワークＷに対してリンス液を吐出する。アーム４７２は、ノズル４７１を支持する。駆動部４７３は、電動モータ等の動力源を含み、アーム４７２をＺ軸方向に沿う軸線まわりに回転させ、アーム４７２を昇降する。

ノズル４７１は、開閉バルブ４７４等を介して第１洗浄液供給源４７５に接続されている。開閉バルブ４７４は、制御装置１００からの信号に基づき、ノズル４７１と第１洗浄液供給源４７５との間の流路を開閉する。開閉バルブ４７４が開状態であるときに、ノズル４７１は、第１洗浄液供給源４７５から供給される第１洗浄液をワークＷの裏面Ｗｂに対して吐出する。第１洗浄液供給源４７５から供給される第１洗浄液は、例えば、ＳＣ－１である。

ノズル４７１は、開閉バルブ４７６等を介してリンス液供給源４７７に接続されている。開閉バルブ４７６は、制御装置１００からの信号に基づき、ノズル４７１とリンス液供給源４７７との間の流路を開閉する。開閉バルブ４７６が開状態であるときに、ノズル４７１は、リンス液供給源４７７から供給されるリンス液をワークＷの裏面Ｗｂに対して吐出する。リンス液供給源４７７から供給されるリンス液は、例えば、ＤＩＷである。

第２供給部４８は、複数の把持部４２８に保持されたワークＷに対して、洗浄液と気体とを混合することで得られるミスト化した洗浄液を供給する。第２供給部４８は、カバー部材４３の外方に配置されている。第２供給部４８は、例えば、ノズル４８１と、アーム４８２と、駆動部４８３と、開閉バルブ４８４と、第２洗浄液供給源４８５と、開閉バルブ４８６と、気体供給源４８７と、を含む。

ノズル４８１は、例えば、２流体ノズルであり、ミスト化した洗浄液をワークＷに対して吐出する。アーム４８２は、ノズル４８１を支持する。駆動部４８３は、電動モータ等の動力源を含み、アーム４８２をＺ軸方向に沿う軸線まわりに回転させ、アーム４８２を昇降させる。

ノズル４８１は、開閉バルブ４８４等を介して第２洗浄液供給源４８５に接続されており、開閉バルブ４８６等を介して気体供給源４８７に接続されている。開閉バルブ４８４は、制御装置１００からの信号に基づき、ノズル４８１と第２洗浄液供給源４８５との間の流路を開閉する。開閉バルブ４８６は、制御装置１００からの信号に基づき、ノズル４８１と気体供給源４８７との間の流路を開閉する。

第２供給部４８は、第２洗浄液供給源４８５から供給される第２洗浄液と、気体供給源４８７から供給される気体とをノズル４８１内で混合したうえで、混合して得られるミスト化した洗浄液をノズル４８１からワークＷの裏面Ｗｂに吐出する。第２洗浄液供給源４８５から供給される第２洗浄液は、例えば、ＤＩＷであり、気体供給源４８７から供給される気体は、例えば、窒素ガス等の不活性ガスである。

以上のように構成された第２裏面処理ユニット４０は、反転ユニット１８により裏面Ｗｂが上向きに反転された状態のワークＷに対して処理を実行してもよい。第２裏面処理ユニット４０は、最初に、裏面Ｗｂが上向きの状態で複数の把持部４２８によりワークＷの周縁部を保持する。そして、第２裏面処理ユニット４０は、回転駆動部４２２により、複数の把持部４２８によって保持されたワークＷを回転させる。第２裏面処理ユニット４０は、ワークＷが回転している状態で、研磨部４４の駆動部４４８により、研磨ブラシ４４２をワークＷの裏面Ｗｂに上方から接触させる。その後、第２裏面処理ユニット４０は、研磨ブラシ４４２をシャフト４４４に対して回転させながら、駆動部４４８により、裏面Ｗｂに接触した状態を維持しつつ、研磨ブラシ４４２をワークＷの径方向に沿って移動させる。これにより、ワークＷの裏面Ｗｂが研磨され（裏面Ｗｂに対する研磨処理が行われ）、ワークＷの裏面Ｗｂに残るバリＢ１が除去され得る。

裏面Ｗｂに対する研磨処理を行った後、第２裏面処理ユニット４０は、回転するワークＷの裏面Ｗｂに対して第１供給部４７から第１洗浄液を供給しながら、洗浄部４５の駆動部４５８により、洗浄ブラシ４５２をワークＷの裏面Ｗｂに上方から接触させる。そして、第２裏面処理ユニット４０は、洗浄ブラシ４５２をシャフト４５４に対して回転させながら、駆動部４５８により、裏面Ｗｂに接触した状態を維持しつつ、洗浄ブラシ４５２をワークＷの径方向に沿って移動させる。これにより、ワークＷの裏面Ｗｂが洗浄され（裏面Ｗｂに対する洗浄処理が行われ）、研磨処理後に裏面Ｗｂに残る、バリＢ１の削り屑を除去することができる。

裏面Ｗｂに対する洗浄処理の後、第２裏面処理ユニット４０は、第２供給部４８の駆動部４８３により、回転するワークＷの裏面Ｗｂの上方にノズル４８１を配置して、ノズル４８１からワークＷの裏面Ｗｂに対して、ミスト化された第２洗浄液を供給する。これにより、ワークＷの裏面Ｗｂが更に洗浄され、第１裏面処理ユニット３０でのエッチング処理、研磨ブラシ４４２による研磨処理、及び、洗浄ブラシ４５２による洗浄処理によって除去されなかった異物を裏面Ｗｂから除去することができる。

第２供給部４８からのミスト化された第２洗浄液による洗浄の後、第２裏面処理ユニット４０は、ワークＷの裏面Ｗｂに対して第１供給部４７からリンス液を供給する。これにより、ワークＷの裏面Ｗｂに残る薬液が洗い流される（裏面Ｗｂに対するリンス処理が行われる）。そして、第２裏面処理ユニット４０は、ワークＷに対して薬液等が供給されていない状態で、ワークＷを回転させることによって、ワークＷを乾燥させる処理（乾燥処理）を行う。

第２裏面処理ユニット４０による全ての処理が実行された後、反転ユニット１８（第２反転処理部）は、第２裏面処理ユニット４０により処理が行われた後のワークＷの裏面Ｗｂの上下を反転させる。第２裏面処理ユニット４０の処理後に裏面Ｗｂが下向きとなるようにワークＷの上下を反転させる反転ユニット１８は、第２裏面処理ユニット４０の処理前に上下を反転させる反転ユニット１８と同一のユニットであってもよく、異なるユニットであってもよい。第２裏面処理ユニット４０の処理前に上下を反転させる反転ユニット１８は、第１裏面処理ユニット３０により処理が行われた後のワークＷの裏面Ｗｂを反転させて、裏面Ｗｂを下向きの状態から上向きの状態に変化させてもよい。

［基板処理方法］
続いて、基板処理方法の一例として、塗布現像装置２において実行される塗布現像処理を説明する。図８は、１枚のワークＷに関して制御装置１００が実行する一連の処理の一例を示すフローチャートである。まず、制御装置１００は、ステップＳ１１を実行する。ステップＳ１１では、例えば、制御装置１００の制御部１０４が、キャリアＣ内のワークＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように搬送装置Ａ１を制御して、棚ユニットＵ１０における処理モジュール１１用のセルにワークＷを配置するように搬送装置Ａ７を制御する。ステップＳ１１の実行により、処理ブロック５及びインタフェースブロック６に対して、ワークＷが搬入される。

次に、制御装置１００は、ステップＳ１２を実行する。ステップＳ１２では、例えば、制御部１０４が、ワークＷの裏面Ｗｂに対して異物を除去するための処理（以下、「異物除去処理」という。）を施すように、反転ユニット１８、第１裏面処理ユニット３０、及び第２裏面処理ユニット４０を制御する。ステップＳ１２の異物除去処理の詳細については、後述する。

次に、制御装置１００は、ステップＳ１３を実行する。ステップＳ１３では、例えば、制御部１０４が、棚ユニットＵ１０（反転ユニット１８）のワークＷを処理モジュール１１内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御部１０４は、このワークＷの表面Ｗａ上に下層膜を形成するように、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後、制御装置１００は、下層膜が形成されたワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

次に、制御装置１００は、ステップＳ１４を実行する。ステップＳ１４では、例えば、制御部１０４が、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１２内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御部１０４は、このワークＷの表面Ｗａにレジスト膜Ｒを形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後、制御部１０４は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

次に、制御装置１００は、ステップＳ１５を実行する。ステップＳ１５では、例えば、制御部１０４が、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御部１０４は、このワークＷのレジスト膜Ｒ上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後、制御部１０４は、ワークＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。

次に、ステップＳ１６が実行される。ステップＳ１６の実行前に、制御部１０４は、棚ユニットＵ１１のワークＷを露光装置３に送り出すように搬送装置Ａ８を制御する。ステップＳ１６では、露光装置３によって、そのワークＷに対して露光処理が行われる。ステップＳ１６の実行後、制御部１０４は、露光処理が施されたワークＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように搬送装置Ａ８を制御する。

次に、制御装置１００は、ステップＳ１７を実行する。ステップＳ１７では、例えば、制御部１０４が、棚ユニットＵ１１のワークＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御部１０４は、このワークＷのレジスト膜Ｒに対する現像処理及び現像処理に伴う熱処理を行うように、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。レジスト膜Ｒの現像処理が行われることで、ワークＷの表面Ｗａには、レジストパターンが形成される。

次に、制御装置１００は、ステップＳ１８を実行する。ステップＳ１８では、例えば、制御部１０４が、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷをキャリアＣ内に戻すように搬送装置Ａ７及び搬送装置Ａ１を制御する。ステップＳ１８の実行により、処理ブロック５及びインタフェースブロック６から、ワークＷが搬出される。

以上により１枚のワークＷについての塗布現像処理が完了する。制御装置１００は、後続の複数のワークＷのそれぞれについても、上述のステップＳ１１～Ｓ１８の処理と同様に、塗布現像処理を塗布現像装置２に実行させる。

図９は、ステップＳ１２の異物除去処理の一例を示すフローチャートである。ステップＳ１２では、制御装置１００が、最初にステップＳ２１を実行する。ステップＳ２１では、例えば、制御部１０４が、図１０（ａ）に示されるように、ワークＷが回転保持部３４の複数の把持部３４８に保持されるように、第１裏面処理ユニット３０等を制御する。この段階では、例えば、膜Ｆが形成されている裏面Ｗｂにおいて、異物として、パーティクルＰ１、パーティクルＰ２、及び、バリＢ１が存在している。複数の把持部３４８にワークＷが保持された後、制御部１０４が、ワークＷの裏面Ｗｂに対してエッチング処理を施すように、第１裏面処理ユニット３０を制御する。

エッチング処理では、制御部１０４が、図１０（ｂ）に示されるように、回転駆動部３４２により、複数の把持部３４８に保持されたワークＷを回転させる。ワークＷを回転させている状態で、制御部１０４は、処理液供給部３５により、回転するワークＷの裏面Ｗｂに向けて第１薬液（例えば、フッ酸）を供給する。処理液供給部３５から供給されるフッ酸の濃度は４５％～５５％であってもよく、その温度が２０℃～５０℃であってもよい。フッ酸の供給時間が、１０秒間～１８０秒間であってもよい。

その後、制御部１０４は、処理液供給部３５により、回転するワークＷの裏面Ｗｂに向けて第２薬液（例えば、ＳＣ－１）を供給する。ＳＣ－１の混合比が、アンモニア：過酸化水素：水＝１：１：５～１：１０：１００であり、その温度が２０℃～７０℃であってもよい。ＳＣ－１の供給時間が、１０秒間～３０秒間であってもよい。第２薬液の供給後、制御部１０４は、処理液供給部３５により、回転するワークＷの裏面Ｗｂに向けてリンス液（例えば、ＤＩＷ）を供給する。リンス液の供給後、制御部１０４は、ワークＷの回転数を増加させて、回転駆動部３４２によりワークＷの回転を所定時間継続することで、ワークＷの裏面Ｗｂに残る薬液をワークＷの外に排出してワークＷを乾燥させる。

制御部１０４は、エッチング処理後において膜Ｆの一部が残るように、ステップＳ２１を実行してもよい。この場合、エッチング処理の後に実行される他の処理（例えば、研磨処理）において、ワークＷの裏面Ｗｂが傷付けられるのを抑制できる。ステップＳ２１では、ワークＷの裏面Ｗｂに複数の薬液が順次供給されて、膜Ｆのエッチングが行われる。複数の薬液を用いることで、膜Ｆのうち、表層であるシリコン窒化膜Ｆ２を選択的にエッチングすることができる。

次に、制御装置１００は、ステップＳ２２を実行する。ステップＳ２２では、例えば、制御部１０４が、第１裏面処理ユニット３０から反転ユニット１８にワークＷを搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。そして、制御部１０４は、反転ユニット１８により、裏面Ｗｂが上向きとなるように（表面Ｗａが下向きとなるように）、ワークＷの上下を反転させる。

次に、制御装置１００は、ステップＳ２３を実行する。ステップＳ２３では、例えば、制御部１０４が、裏面Ｗｂが上向きとなったワークＷを反転ユニット１８から第２裏面処理ユニット４０に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。制御部１０４は、裏面Ｗｂが上方に向けられた状態（表面Ｗａが下方に向けられた状態）で、第２裏面処理ユニット４０の筐体４１内にワークＷを搬入するように搬送装置Ａ３を制御する。

制御部１０４は、ワークＷを搬入する際に、図１１（ａ）に示されるように、ワークＷが回転保持部４２の複数の把持部４２８に保持されるように、第２裏面処理ユニット４０等を制御する。この段階では、ワークＷの裏面Ｗｂには、異物として、バリＢ１が残っている。そして、制御部１０４は、ワークＷの裏面Ｗｂが上を向いた状態で、裏面Ｗｂに対して研磨処理を施すように、第２裏面処理ユニット４０を制御する。

研磨処理では、制御部１０４が、図１１（ｂ）に示されるように、回転駆動部４２２により、複数の把持部４２８に保持されたワークＷを回転させる。ワークＷを回転させている状態で、制御部１０４は、研磨部４４の駆動部４４８により、研磨ブラシ４４２の先端部をワークＷの裏面Ｗｂに上方から接触させる。そして、制御部１０４は、研磨ブラシ４４２を回転させながら、駆動部４４８により、研磨ブラシ４４２をワークＷの径方向（例えば、ワークＷの中心部からワークＷの外縁の外に向かって）移動させる。ステップＳ２３では、研磨ブラシ４４２が裏面Ｗｂに接触した状態で、裏面Ｗｂに沿って研磨ブラシ４４２が（裏面Ｗｂに対して相対的に）移動することで、ワークＷの裏面Ｗｂが研磨され、その結果、バリＢ１が除去される。この段階では、バリＢ１の削り屑が異物として裏面Ｗｂに残っている。

次に、制御装置１００は、ステップＳ２４を実行する。ステップＳ２４では、例えば、制御部１０４が、裏面Ｗｂに対して第１洗浄処理を施すように、第２裏面処理ユニット４０を制御する。第１洗浄処理では、制御部１０４が、図１２（ａ）に示されるように、回転駆動部４２２によりワークＷを回転させている状態で、洗浄部４５の駆動部４５８により、洗浄ブラシ４５２の先端部をワークＷの裏面Ｗｂに上方から接触させる。そして、制御部１０４は、洗浄ブラシ４５２を回転させながら、駆動部４５８により、洗浄ブラシ４５２をワークＷの径方向（例えば、ワークＷの中心部からワークＷの外縁の外に向かって）移動させる。

洗浄ブラシ４５２の移動と共に、制御部１０４は、回転するワークＷの上方に配置されたノズル４７１から裏面Ｗｂに向けて第１洗浄液（例えば、ＳＣ－１）を供給するように第１供給部４７を制御する。ノズル４７１から吐出されるＳＣ－１の混合比は、アンモニア：過酸化水素：水＝１：１：５～１：１０：１００であってもよく、ＳＣ－１の温度は、２０℃～７０℃であってもよい。ステップＳ２４では、洗浄ブラシ４５２が裏面Ｗｂに接触した状態で、裏面Ｗｂに沿って（裏面Ｗｂに対して相対的に）移動することで、ワークＷの裏面Ｗｂが洗浄され、その結果、裏面Ｗｂに残るバリＢ１の削り屑が除去される。

次に、制御装置１００は、ステップＳ２５を実行する。ステップＳ２５では、例えば、制御部１０４が、裏面Ｗｂに対して第２洗浄処理を施すように第２裏面処理ユニット４０を制御する。第２洗浄処理では、図１２（ｂ）に示されるように、回転するワークＷの上方に配置されたノズル４８１から裏面Ｗｂに向けて、ミスト化された第２洗浄液を供給するように、第２供給部４８を制御する。ミスト化された第２洗浄液の供給により、ワークＷの裏面Ｗｂが洗浄され、エッチング処理、研磨処理、及び、第１洗浄処理によって除去されなかった異物を裏面Ｗｂから除去することができる。

次に、制御部１０４は、ステップＳ２６を実行する。ステップＳ２６では、例えば、制御部１０４が、裏面Ｗｂに対してリンス処理を施すように第２裏面処理ユニット４０を制御する。リンス処理では、制御部１０４が、回転するワークＷの上方に配置されたノズル４７１から裏面Ｗｂに向けてリンス液を供給するように、第１供給部４７を制御する。リンス処理により、ワークＷの裏面Ｗｂ上に残る薬液が洗い流される。

次に、制御部１０４は、ステップＳ２７を実行する。ステップＳ２７では、例えば、制御部１０４が、ワークＷに対して乾燥処理を施すように第２裏面処理ユニット４０を制御する。乾燥処理では、制御部１０４が、回転駆動部４２２により、ワークＷの回転数を増加させて、所定時間だけワークＷの回転を継続する。乾燥処理により、ワークＷの裏面Ｗｂに残るリンス液がワークＷの外に排出され、ワークＷの乾燥が行われる。

次に、制御装置１００は、ステップＳ２８を実行する。ステップＳ２８では、例えば、制御部１０４が、第２裏面処理ユニット４０から反転ユニット１８にワークＷを搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。そして、制御部１０４は、反転ユニット１８により、裏面Ｗｂが下向きとなるように（表面Ｗａが上向きとなるように）、ワークＷの上下を反転させる。以上により、ステップＳ１２の異物除去処理が終了する。

図８及び図９に示される一連の処理では、第１裏面処理ユニット３０及び第２裏面処理ユニット４０は、レジスト膜Ｒが形成される前に、裏面Ｗｂに対する処理を実行する。具体的には、第１裏面処理ユニット３０及び第２裏面処理ユニット４０は、処理ブロック５にワークＷが搬入された後、処理モジュール１２により表面Ｗａにレジスト膜Ｒが形成される前に、裏面Ｗｂに対して処理を実行する。上記一連の処理では、第１裏面処理ユニット３０によりエッチング処理が行われた後、処理液を用いたワークＷに対する他の処理が行われることなく、第２裏面処理ユニット４０が、研磨処理及び第１洗浄処理を実行する。

［第２実施形態］
図１３には、第２実施形態に係る基板処理システム１が備える塗布現像装置２Ａが模式的に示されている。塗布現像装置２Ａは、処理モジュール１１に代えて、処理モジュール１３が、第１裏面処理ユニット３０及び第２裏面処理ユニット４０を備える点において、塗布現像装置２と相違する。塗布現像装置２Ａでは、１以上の反転ユニット１８が、棚ユニットＵ１０の複数のセルのうちの処理モジュール１３に対応するセルに配置されてもよい。１以上の反転ユニット１８が、棚ユニットＵ１１のセルに配置されてもよい。

図１４は、塗布現像装置２Ａを備える基板処理システム１において、制御装置１００が実行する一連の処理を示すフローチャートである。図８に示される一連の処理に比べて、図１４に示される一連の処理では、ステップＳ１２の異物除去処理の実行順序が異なっている。制御装置１００の制御部１０４は、ステップＳ１５の上層膜の形成後、ステップＳ１６の露光処理の前に、ステップＳ１２を実行してもよい。

図１４に示される一連の処理では、処理モジュール１３に設けられた第１裏面処理ユニット３０及び第２裏面処理ユニット４０が、処理モジュール１２により表面Ｗａにレジスト膜Ｒが形成された後、ワークＷに対して露光処理が施される前に、裏面Ｗｂに対する処理を実行する。図１４に示される一連の処理では、表面Ｗａにおける膜の形成が行われた後、ワークＷに対する処理液を用いた他の処理が行われることなく、制御部１０４がステップＳ１２を実行する。

［第３実施形態］
図１５には、第３実施形態に係る基板処理システム１が備える塗布現像装置２Ｂが模式的に示されている。塗布現像装置２Ｂは、第２裏面処理ユニット４０に代えて、研磨ユニット６０及び洗浄ユニット７０を備える点で、塗布現像装置２Ａと装置する。塗布現像装置２Ｂでは、研磨ユニット６０及び洗浄ユニット７０のそれぞれ、又は、研磨ユニット６０及び洗浄ユニット７０が、ワークＷの裏面Ｗｂに対してブラシを接触させて状態で、ブラシを裏面Ｗｂに沿って移動させる異物除去処理部として機能する。研磨ユニット６０及び洗浄ユニット７０は、インタフェースブロック６に配置されていてもよい。

研磨ユニット６０は、裏面Ｗｂに対して研磨用のブラシを接触させた状態で、研磨用のブラシを裏面Ｗｂに沿って移動させることで、ワークＷの裏面Ｗｂを研磨する。研磨ユニット６０は、裏面Ｗｂを下に向けてワークＷを保持した状態で、裏面Ｗｂにおける異物を除去する処理（研磨処理）を実行する。研磨ユニット６０は、処理モジュール１３に配置された第１裏面処理ユニット３０により処理が行われた後のワークＷに対して研磨処理を実行する。第１裏面処理ユニット３０と研磨ユニット６０との間の処理において、反転ユニット１８によるワークＷの上下の反転は行われない。第１裏面処理ユニット３０と研磨ユニット６０との間の処理において、ワークＷに対して処理液を用いた他の処理は行われなくてもよい。

図１６には、研磨ユニット６０の一例が模式的に示されている。研磨ユニット６０は、例えば、筐体６１と、２つの吸着パッド６２と、枠体６３と、保持部６４と、シャフト６６と、駆動部６７と、昇降ピン６８と、研磨ブラシ６５と、を有する。

筐体６１は、その上部が開口するように形成されている。２つの吸着パッド６２は、ワークＷの裏面Ｗｂの周縁領域を保持できるように、平面視にて保持部６４を間に挟んで設けらる。２つの吸着パッド６２それぞれは、水平な一方向に延びるように形成されている。枠体６３は、２つの吸着パッド６２それぞれの両端部を支持する。枠体６３は、駆動部により、水平方向及び上下方向に沿って移動自在である。２つの吸着パッド６２と、保持部６４との間で、ワークＷの受け渡しが可能である。

保持部６４は、裏面Ｗｂを下に向けた状態のワークＷを水平な状態に保持する。保持部６４は、吸着によりワークＷの裏面Ｗｂの中央領域を保持してもよい。保持部６４は、シャフト６６を介して駆動部６７に接続されている。保持部６４は、駆動部６７により回転及び昇降自在である。昇降ピン６８は、保持部６４（シャフト６６）の周囲に設けられており、昇降駆動部により昇降自在である。

研磨ブラシ６５（研磨用のブラシ）は、支持体６３２により支持されている。支持体６３２は、駆動部６３４に接続されている。駆動部６３４は、筐体６１に設けられ、図１６において紙面に対して垂直な方向に沿って支持体６３２を移動させる。研磨ブラシ６５は、支持体６３２内に設けられた駆動部により、研磨ブラシ６５を通る軸線まわりに回転自在であってもよい。

研磨ユニット６０は、駆動部６３４により、研磨ブラシ６５の上面をワークＷの裏面Ｗｂに接触させた状態で、裏面Ｗｂに沿って研磨ブラシ６５を移動させることで、裏面Ｗｂを研磨する。研磨ユニット６０は、２つの吸着パッド６２がワークＷを保持した状態で、研磨ブラシ６５により、裏面Ｗｂの中央領域を研磨する。研磨ユニット６０は、保持部６４がワークＷを保持した状態で、研磨ブラシ６５により、裏面Ｗｂの周縁領域を研磨する。

図１６には、洗浄ユニット７０の一例が模式的に示されている。洗浄ユニット７０は、裏面Ｗｂに対して洗浄用のブラシを接触させた状態で、洗浄用のブラシを裏面Ｗｂに沿って移動させることで、ワークＷの裏面Ｗｂを洗浄する。洗浄ユニット７０は、裏面Ｗｂを下に向けてワークＷを保持した状態で、裏面Ｗｂにおける異物を除去する処理（洗浄処理）を実行する。洗浄ユニット７０は、研磨ユニット６０により処理が行われた後のワークＷに対して洗浄処理を実行する。研磨ユニット６０及び洗浄ユニット７０との間の処理において、ワークＷに対して処理液を用いた他の処理は行われない。

洗浄ユニット７０は、研磨ユニット６０と同様に構成されてもよい。洗浄ユニット７０は、例えば、筐体７１と、２つの吸着パッド７２と、枠体７３と、保持部７４と、シャフト７６と、駆動部７７と、昇降ピン７９と、洗浄ブラシ７５と、を有する。洗浄ブラシ７５が、研磨ブラシ６５とは異なり洗浄用の材質（例えば、プラスチック繊維）で形成されること以外は、洗浄ユニット７０の各部材は、研磨ユニット６０の対応する部材と同様の構成及び機能を有してもよい。

洗浄ブラシ７５（洗浄用のブラシ）は、支持体７３２により支持されている。支持体７３２は、駆動部７３４に接続されている。支持体７３２及び駆動部７３４は、それぞれ支持体６３２及び駆動部６３４と同様の構成及び機能を有する。洗浄ユニット７０は、駆動部７３４により、洗浄ブラシ７５の上面をワークＷの裏面Ｗｂに接触させた状態で、裏面Ｗｂに沿って洗浄ブラシ７５を移動させることで、裏面Ｗｂを洗浄する。洗浄ユニット７０は、２つの吸着パッド７２がワークＷを保持した状態で、洗浄ブラシ７５により裏面Ｗｂの中央領域を洗浄する。洗浄ユニット７０は、保持部７４がワークＷを保持した状態で、洗浄ブラシ７５により裏面Ｗｂの周縁領域を洗浄する。

塗布現像装置２Ｂを備える基板処理システム１においても、制御装置１００は、図１４に示される一連の処理を実行してもよい。この場合、研磨ユニット６００が、ステップＳ１２において研磨処理を実行し、洗浄ユニット７０が、ステップＳ１２において洗浄処理を実行する。塗布現像装置２Ｂは、研磨ユニット６０及び洗浄ユニット７０に代えて、研磨用のブラシによる研磨処理を行い、研磨処理後に洗浄用のブラシによる洗浄処理を行う１つの裏面処理ユニット（異物除去処理部）を備えてもよい。

［変形例］
塗布現像装置２，２Ａ，２Ｂは、異物除去処理に加えて、ワークＷの裏面Ｗｂに摩擦低減膜を形成する処理を行ってもよい。摩擦低減膜は、露光装置３における露光処理時にワークＷの裏面Ｗｂを保持する部分と、ワークＷの裏面Ｗｂとの間の摩擦を低減する膜である。以下、第１実施形態に係る塗布現像装置２が、摩擦低減膜を形成する処理を行う場合を例に説明を行う。図１７に示されるように、塗布現像装置２は、低減膜形成ユニット８０（低減膜形成部）を備えてもよい。処理ブロック５及びインタフェースブロック６で構成される膜処理部が、低減膜形成ユニット８０を有してもよい。低減膜形成ユニット８０は、例えば、処理モジュール１３に配置される。

低減膜形成ユニット８０は、例えば、摩擦低減膜を形成するための材料を含むガス（以下、「原料ガス」という。）をワークＷの裏面Ｗｂに蒸着させることで、裏面Ｗｂに摩擦低減膜を形成する。表面Ｗａが上方を向いた状態において、ワークＷの周縁部分が中央部分に比べて下方に撓むようにワークＷが反っている場合がある。このような反りが含まれるワークＷが、露光装置３において露光処理を行う際にワークＷを保持する保持部分（ステージの保持面）に吸着して保持されると、ステージに保持されたワークＷの周縁部において過度なストレスが加わるおそれがある。

一方、ワークＷの裏面Ｗｂに上記摩擦低減膜が形成された場合、その摩擦低減膜は、露光装置３の上記保持部分に対して高い接触角を有するので、摩擦低減膜を形成しない場合に比べて、裏面Ｗｂと露光装置３の保持部分との間の摩擦係数が低下する。この場合、摩擦低減膜によって露光装置３の保持部分上を滑るようにワークＷが載せられ、上述した周縁部でのストレスを低減することができる。なお、摩擦低減膜の種類は、摩擦を低減することができれば特に限定されないが、一例では、フッ素樹脂膜が用いられる。低減膜形成ユニット８０は、第２裏面処理ユニット４０により処理が行われた後のワークＷの裏面Ｗｂに摩擦低減膜を形成してもよい。

図１８には、低減膜形成ユニット８０の一例が模式的に示されており、図１８では、低減膜形成ユニット８０の一部の断面が示されている。低減膜形成ユニット８０は、例えば、チャンバ８０２と、昇降駆動部８０８と、ヒータ８１０と、支持部８１２と、支持部８１４と、昇降駆動部８１６と、ガス供給部８３０と、を有する。

チャンバ８０２は、ワークＷを収容し、摩擦低減膜を形成する処理を行うための処理空間Ｋを形成する。チャンバ８０２は、上部チャンバ８０４と、下部チャンバ８０６とを含む。上部チャンバ８０４は、所定位置に固定されていてもよい。下部チャンバ８０６は、昇降可能に設けられてもよく、昇降駆動部８０８は、下部チャンバ８０６を昇降させる。下部チャンバ８０６が上昇して上部チャンバ８０４に密着することで、チャンバ８０２の内部に密閉された処理空間Ｋが形成される。一方、下部チャンバ８０６が下降すると、チャンバ８０２の内部が大気に開放される。

ヒータ８１０は、処理空間Ｋに配置されたワークＷを加熱する。ヒータ８１０は、上部チャンバ８０４に設けられてもよい。支持部８１２及び支持部８１４それぞれは、ワークＷを支持する。支持部８１２は、３つの昇降ピンを含んでもよく、支持部８１４は、３つの昇降ピンを含んでもよい。支持部８１２及び支持部８１４は、個別に昇降可能となるように設けられており、昇降駆動部８１６によって昇降する。下部チャンバ８０６には、支持部８１２及び支持部８１４に含まれる複数の昇降ピンそれぞれを挿入するための貫通孔８０６ａが形成されている。

ガス供給部８３０は、支持部８１２又は支持部８１４に支持されたワークＷの裏面Ｗｂに対して、原料ガスを供給する。ガス供給部８３０は、チャンバ８０２の内部底面の中央部に設けられている。ガス供給部８３０は、ワークＷの裏面Ｗｂの全面に対して原料ガスを噴射できるように構成されていてもよい。

ガス供給部８３０には、原料ガスが流通するガス供給管８３１が接続されている。ガス供給管８３１は、液体状の原料液を原料ガスに気化させる気化器８３２に接続されている。気化器８３２には、原料液が流通する液供給管８３３と、窒素ガスが流通するガス供給管８３４とが接続されている。液供給管８３３は原料液を貯留する原料タンク８３５に接続されており、液供給管８３３には原料タンク８３５から気化器８３２に原料液を圧送するためのポンプ８３６が設けられている。ガス供給管８３４は、気化器８３２に窒素ガスを供給する窒素ガス供給源８３７に接続されている。

気化器８３２の内部にはヒータが設けられており、原料タンク８３５から導入された原料液を加熱して気化させる。原料ガスがフッ素樹脂、例えばテフロン（登録商標）樹脂である場合、気化器８３２における加熱温度は、例えば１８０℃である。気化器８３２において気化された原料ガスは、窒素ガス供給源８３７から供給された窒素ガスによって圧送され、ガス供給部８３０に供給される。

下部チャンバ８０６の側壁の内部には、チャンバ３００の内部（処理空間Ｋ）からガスを排出する排気路８４０が設けられている。排気路８４０には排気ラインが接続され、排気ラインは、例えば真空ポンプなどの排気装置に接続されており、処理空間Ｋから塗布現像装置２の外までガスを排出する。なお、低減膜形成ユニット８０は、ワークＷの裏面Ｗｂに摩擦低減膜を形成できる限り、どのように構成されてもよい。

塗布現像装置２は、ワークＷの裏面Ｗｂに対して紫外線を照射する紫外線照射ユニットを備えてもよい。紫外線照射ユニットは、低減膜形成ユニット８０において裏面Ｗｂに摩擦低減膜が形成される前に、裏面Ｗｂに対して紫外線を照射することで裏面Ｗｂを活性化させてもよい。紫外線照射ユニットは、露光処理後において、ワークＷの裏面Ｗｂに形成された摩擦低減膜に対して紫外線を照射することで、その摩擦低減膜を除去してもよい。

図１９は、塗布現像装置２が低減膜形成ユニット８０及び紫外線照射ユニットを備える場合において、制御装置１００が実行する一連の処理を示すフローチャートである。図８に示される一連の処理に比べて、図１９に示される一連の処理では、ステップＳ３１及びステップＳ３２が更に実行される点において相違する。制御装置１００は、ステップＳ１３において下層膜が形成された後、ステップＳ１４においてレジスト膜Ｒを形成する前に、ステップＳ３１を実行してもよい。

ステップＳ３１では、例えば、制御装置１００の制御部１０４が、ステップＳ１２での異物除去処理が施された後のワークＷの裏面Ｗｂの全面に摩擦低減膜を形成するように低減膜形成ユニット８０を制御する。一例では、ステップＳ３１において、制御部１０４は、図２０（ａ）に示されるように、昇降駆動部８０８により下部チャンバ８０６を下降させた状態で、チャンバ８０２の内部にワークＷを搬入するように低減膜形成ユニット８０等を制御する。チャンバ８０２の内部に搬入される際に、ワークＷの裏面Ｗｂが、支持部８１２によって支持される。

そして、制御部１０４は、図２０（ｂ）に示されるように、昇降駆動部８０８により下部チャンバ８０６を上昇させて、チャンバ８０２の内部に密閉された処理空間Ｋを形成する。また、制御部１０４は、昇降駆動部８１６により支持部８１２を上昇させることで、ワークＷを所定の処理位置に配置する。その後、制御部１０４は、ヒータ８１０によりワークＷを所定の温度（例えば、１２０℃程度）に加熱しつつ、ワークＷの裏面Ｗｂに対してガス供給部８３０から原料ガスを供給するように低減膜形成ユニット８０等を制御する。これにより、ワークＷの裏面Ｗｂにおいて、支持部８１２に支持された箇所以外に原料ガスが蒸着し、摩擦低減膜が形成される。ヒータ８１０による加熱は、裏面Ｗｂと原料ガスとの反応を促進するために行われる。

支持部８１２に支持された箇所以外に摩擦低減膜が形成された後、制御部１０４は、図２０（ｃ）に示されるように、昇降駆動部８１６により支持部８１４を上昇させて、支持部８１４にワークＷを支持させると共に、昇降駆動部８１６により支持部８１２を下降させる。そして、ワークＷの裏面Ｗｂに対してガス供給部８３０から原料ガスを供給するように低減膜形成ユニット８０等を制御する。これにより、支持部８１２によって支持されていた箇所にも原料ガスが蒸着し、ワークＷの裏面Ｗｂの全面において摩擦低減膜が形成される。ガス供給部８３０から原料ガスが供給されている間、排気路８４０を介して処理空間Ｋの排気が行われるので、原料ガスが、ワークＷの表面Ｗａに回り込むのを抑制できる。

制御装置１００は、ステップＳ１７においてレジスト膜Ｒが現像された後、ステップＳ１８においてワークＷが搬出される前に、ステップＳ３２を実行してもよい。ステップＳ３２では、例えば、制御部１０４が、裏面Ｗｂに対して紫外線を照射して、裏面Ｗｂに形成された摩擦低減膜を除去（剥離）するように上記紫外線照射ユニットを制御する。

以上の例では、ステップＳ１３とステップＳ１４との間において、ステップＳ３１が実行されるが、ステップＳ３１は、ステップＳ１２の実行後、且つステップＳ１６の実行前の期間において、どのタイミングで実行されてもよい。例えば、ステップＳ３１は、ステップＳ１５における上層膜の形成後、ステップＳ１６の露光処理の前に実行されてもよい。この場合、ステップＳ３１で摩擦低減膜が形成された後、露光処理の前に、処理液を用いた他の処理が実行されなくてもよい。

低減膜形成ユニット８０において摩擦低減膜を形成する際に、ワークＷの表面Ｗａに少量の原料ガスが回り込む可能性がある。表面Ｗａに形成される膜が全て形成された後、露光処理の直前に、摩擦低減膜を形成することで、表面Ｗａへの原料ガスの回り込みに起因した膜形成への影響を避けることができる。一方、レジスト膜Ｒを形成する前に、裏面Ｗｂに摩擦低減膜を形成することで、摩擦低減膜を形成する際の加熱に起因したレジスト膜Ｒへの影響を避けることができる。どのタイミングで摩擦低減膜を形成する処理を実行するかは、表面Ｗａに形成する膜の種別（材料）、及び各種の製造条件等を考慮して決定されてもよい。

低減膜形成ユニット８０は、第１裏面処理ユニット３０により処理が行われる前のワークＷの裏面Ｗｂに摩擦低減膜を形成してもよい。この場合、低減膜形成ユニット８０は、裏面Ｗｂの全面に対して摩擦低減膜を形成してもよい。裏面Ｗｂの全面に摩擦低減膜が形成されても、第１裏面処理ユニット３０でのエッチング処理において、ワークＷの周縁部が挟持されているので、裏面Ｗｂの周縁部を除いて摩擦低減膜が除去され得る。裏面Ｗｂの周縁部のみに摩擦低減膜が残っても、露光処理時においては、摩擦低減膜によってワークＷの周縁部にかかるストレスが低減し得る。

低減膜形成ユニット８０は、裏面Ｗｂの全面に代えて、裏面Ｗｂの周縁部のみに摩擦低減膜を形成してもよい。例えば、低減膜形成ユニット８０のガス供給部８３０が、裏面Ｗｂの周縁部のみに対して原料ガスを噴射するように構成されてもよく、裏面Ｗｂの周縁部に選択的に原料ガスを噴射可能であってもよい。摩擦低減膜が形成される周縁部の範囲（円環状の部分の幅）は、ワークＷの半径の１／１５程度又は１／３０程度であってもよい。例えば、ワークＷの半径が１５０ｍｍである場合、摩擦低減膜が形成される周縁部を構成する円環状の部分の径方向に沿った幅は、１０ｍｍ程度又は５ｍｍ程度である。

具体的には、第２実施形態に係る塗布現像装置２Ａが、低減膜形成ユニット８０及び紫外線照射ユニットを備えてもよい。図２１は、塗布現像装置２Ａが低減膜形成ユニット８０及び紫外線照射ユニットを備える場合において、制御装置１００が実行する一連の処理を示すフローチャートである。図１４に示される一連の処理に比べて、図２１に示される一連の処理では、ステップＳ３１及びステップＳ３２が更に実行される点において相違する。制御装置１００は、ステップＳ１３において下層膜が形成された後、ステップＳ１４においてレジスト膜Ｒを形成する前に、ステップＳ３１を実行してもよい。

図２１に示される一連の処理では、ステップＳ３１が、ステップＳ１２の異物除去処理の前に実行される。ステップＳ３１は、ステップＳ１１の実行後、且つステップＳ１２の実行前の期間において、どのタイミングで実行されてもよい。ステップＳ１２の異物除去処理では、第１裏面処理ユニット３０は、ワークＷの裏面Ｗｂの周縁部以外の領域に対して、膜Ｆを除去する処理を行い、第２裏面処理ユニット４０は、ワークＷの裏面Ｗｂの周縁部以外の領域に対して、研磨処理及び洗浄処理を行う。

第３実施形態に係る塗布現像装置２Ｂが、低減膜形成ユニット８０及び紫外線照射ユニットを備えてもよい。低減膜形成ユニット８０が、塗布現像装置２の外に配置されてもよい。この場合、塗布現像装置２（処理ブロック５及びインタフェースブロック６）に導入される前に、ワークＷの裏面Ｗｂに摩擦低減膜が既に形成されていてもよい。

本開示の内容は、上述した第１実施形態、第２実施形態、及び、第３実施形態に限られない。いずれかの実施形態で説明した一部の事項が、他の実施形態に適用されてもよい。図８、図９、図１４、図１９、及び図２１それぞれの一連の処理は一例であり、適宜変更可能である。制御装置１００の制御部１０４は、一連の処理において、一のステップと次のステップとを並列に実行してもよく、上述した例とは異なる順序で各ステップを実行してもよい。制御部１０４は、いずれかのステップを省略してもよく、いずれかのステップにおいて上述の例とは異なる処理を実行してもよい。

塗布現像装置２，２Ａ，２Ｂの異物除去処理部は、裏面Ｗｂにおける異物を除去するための処理として、研磨処理を実行せず、洗浄処理を実行してもよい。塗布現像装置２，２Ａは、第２裏面処理ユニット４０に代えて、研磨用のブラシを備えず、洗浄用のブラシにより洗浄処理を行う裏面処理ユニット（異物除去処理部）を備えてもよい。塗布現像装置２Ｂは、研磨ユニット６０を備えずに、洗浄ユニット７０（異物除去処理部）を備えてもよい。塗布現像装置２，２Ａ，２Ｂの異物除去処理部は、裏面Ｗｂにおける異物を除去するための処理として、洗浄処理を実行せずに、研磨処理を実行してもよい。

第１裏面処理ユニット３０は、裏面Ｗｂを上に向けた状態でワークＷを保持して、処理液Ｌ２を裏面Ｗｂに対して供給してもよい。第１裏面処理ユニット３０及び第２裏面処理ユニット４０は、下層膜が表面Ｗａに形成された後、レジスト膜Ｒが表面Ｗａに形成される前に、裏面Ｗｂに対する処理を実行してもよい。第１裏面処理ユニット３０及び第２裏面処理ユニット４０は、レジスト膜Ｒが表面Ｗａに形成された後、上層膜が表面Ｗａに形成される前に、裏面Ｗｂに対する処理を実行してもよい。

レジスト膜Ｒを形成する方法は、処理液Ｌ１の供給により形成する方法に限られない。塗布現像装置２の膜処理部は、蒸着（例えば、ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）によりレジスト膜Ｒを形成するレジスト膜形成部を備えてもよい。以上に説明した種々の例のうちの１つの例において、他の例において説明した事項の少なくとも一部が組み合わされてもよい。

［異物除去処理の評価結果］
裏面Ｗｂにおける平坦度が露光処理又は露光装置に影響を及ぼす。裏面Ｗｂには複数種の異物が含まれ、異物の中でも、パーティクルＰ２のように膜Ｆに埋め込まれた異物の高さ（周囲から突出する程度）が、他の種類の異物の高さよりも大きいことが見出された。そのため、膜Ｆに埋め込まれた異物（以下、「埋め込み異物」という。）が、裏面Ｗｂにおける平坦度に大きく影響を及ぼすことが見出された。上述した実施形態のように、処理液Ｌ２を用いたエッチング処理と、研磨処理又は洗浄処理（ブラシを用いた洗浄処理）の少なくとも一方とを実行した場合の埋め込み異物の高さの変化を評価した。

埋め込み異物の高さ（ワークＷに垂直な方向における裏面Ｗｂの測定箇所の位置）の測定では、裏面Ｗｂの周縁領域を観察して埋め込み異物を抽出した後に、抽出した異物の高さの平均値を算出した。裏面Ｗｂに対する処理の前後での埋め込み異物の高さの減少率（＝処理後の高さの計測値／処理前の高さの計測値）を評価した。比較例１，２及び実施例１～３の条件で異物除去のための処理を行った。評価結果は、表１に示すとおりであった。

比較例１，２及び実施例１～３は、以下の条件で裏面Ｗｂに対する処理を実行した。比較例１では、エッチング処理を行わずに、研磨処理及び洗浄処理を行った。比較例２では、設定時間Ｔのエッチング処理を行い、研磨処理及び洗浄処理を行わなかった。設定時間Ｔは、膜Ｆのうちのシリコン窒化膜Ｆ２の略全てが除去できる程度に設定した。実施例１では、設定時間Ｔの半分の時間のエッチング処理を行い、研磨処理及び洗浄処理を行った。実施例２では、設定時間Ｔのエッチング処理を行い、研磨処理を行わずに洗浄処理を行った。実施例３では、設定時間Ｔのエッチング処理を行い、研磨処理及び洗浄処理を行った。

表１に示される評価結果から、比較例１，２に比べて、実施例１～３での埋め込み異物の高さの減少率が大きいことがわかる。すなわち、比較例１，２の裏面Ｗｂに対する処理に比べて、実施例１～３での裏面Ｗｂに対する処理によって、裏面Ｗｂにおける平坦度がより向上していることがわかる。実施例２と実施例３との比較結果から、エッチング処理後に研磨処理及び洗浄処理の双方を行うことで、減少率が更に大きくなること（平坦度が更に向上している）ことがわかる。

［実施形態の効果］
以上に説明した塗布現像装置２，２Ａ，２Ｂは、ワークＷの表面Ｗａにおけるレジスト膜Ｒの形成を含む所定の処理を実行する膜処理部と、膜処理部に対して、ワークＷの搬入出を行う搬入出部と、を備える。膜処理部は、ワークＷの表面Ｗａにレジスト膜Ｒを形成するレジスト膜形成部と、ワークＷの表面Ｗａと反対側の裏面Ｗｂに形成された膜Ｆに対して、膜Ｆを除去するための処理液Ｌ２を供給する膜除去処理部と、膜除去処理部により処理されたワークＷの裏面Ｗｂに対してブラシを接触させた状態で、ブラシをワークＷの裏面Ｗｂに沿って移動させる異物除去処理部と、を有する。

塗布現像装置２，２Ａ，２Ｂでは、裏面Ｗｂに形成された膜Ｆのエッチング処理が行われた後に、ブラシを用いた研磨処理又は洗浄処理の少なくとも一方が実行される。エッチング処理により、膜Ｆに付着した異物、及び、膜Ｆに埋め込まれた異物を裏面Ｗｂから除去することができ、ブラシを接触させて移動させることで、裏面Ｗｂに残る異物を除去することができる。したがって、膜Ｆが形成された裏面Ｗｂから異物を適切に除去することが可能である。

上記塗布現像装置２，２Ａ，２Ｂにおいて、上記ブラシは、洗浄ブラシ４５２，７５であってもよい。異物除去処理部は、ワークＷの裏面Ｗｂに対して洗浄用のブラシとは別の研磨ブラシ４４２，６５を接触させた状態で、研磨ブラシ４４２，６５をワークＷの裏面Ｗｂに沿って移動させることで、ワークＷの裏面Ｗｂを研磨してもよい。異物除去処理部は、ワークＷの裏面Ｗｂを研磨した後に、ワークＷの裏面Ｗｂに対して洗浄ブラシ４５２，７５を接触させた状態で、洗浄ブラシ４５２，７５をワークＷの裏面Ｗｂに沿って移動させることで、ワークＷの裏面Ｗｂを洗浄してもよい。この場合、エッチング処理後の研磨により、裏面Ｗｂに形成されたバリが除去され、研磨後の洗浄により、裏面Ｗｂに残るバリの削り屑を裏面Ｗｂから除去できる。したがって、膜Ｆが形成された裏面Ｗｂから異物をより適切に除去することが可能である。

上記塗布現像装置２，２Ａ，２Ｂにおいて、膜除去処理部は、ワークＷの裏面Ｗｂを下に向けてワークＷを保持した状態で、ワークＷの裏面Ｗｂに対して処理液Ｌ２を供給してもよい。裏面Ｗｂに対して供給された処理液は下に落下するので、裏面Ｗｂを下に向けた状態で処理液Ｌ２を供給することで、処理液Ｌ２の排液を集めやすい。したがって、処理液Ｌ２の排液の効率的な回収が可能である。

上記塗布現像装置２，２Ａ，２Ｂにおいて、異物除去処理部は、ワークＷの裏面Ｗｂを下に向けてワークＷを保持した状態で、ワークＷの裏面Ｗｂにおける異物を除去する処理を実行してもよい。表面Ｗａにレジスト膜を形成する場合には、表面Ｗａを上に向けて、膜を形成するための処理を行う場合が多い。上記構成では、異物除去処理を行う際に、ワークＷの上下を反転させる必要がないので、処理工程の簡素化が可能である。

上記塗布現像装置２，２Ａ，２Ｂは、ワークＷの裏面Ｗｂの上下を反転させる反転処理部を更に備えてもよい。異物除去処理部は、反転処理部により反転された後のワークＷに対して処理を実行してもよい。異物除去処理部は、ワークＷの裏面Ｗｂを上に向けてワークＷを保持した状態で、ワークＷの裏面Ｗｂにおける異物を除去する処理を実行してもよい。保持されたワークＷの上方の領域は、下方の領域に比べて他の部材が配置されていない。上記構成では、ワークＷの裏面Ｗｂに対してブラシを上から当てることで、裏面Ｗｂに対する異物を除去する処理を実行することができる。そのため、他の部材と干渉し難く、ブラシを裏面Ｗｂに当てるのが容易であり、異物除去処理部の構成の簡素化が可能である。

上記塗布現像装置２，２Ａ，２Ｂにおいて、膜除去処理部は、ワークＷの裏面Ｗｂを下に向けてワークＷを保持した状態で、ワークＷの裏面Ｗｂに対して処理液Ｌ２を供給してもよい。反転処理部は、膜除去処理部により処理が行われた後のワークＷの裏面Ｗｂの上下を反転させてもよい。裏面Ｗｂに対して供給された処理液は下に落下するので、裏面Ｗｂを下に向けた状態で処理液Ｌ２を供給することで、処理液Ｌ２の排液を集めやすい。したがって、処理液Ｌ２の排液の効率的な回収が可能である。

上記塗布現像装置２，２Ａ，２Ｂは、異物除去処理部により処理が行われた後のワークＷの裏面Ｗｂの上下を反転させる第２反転処理部を更に備えてもよい。この場合、裏面Ｗｂを上向きにして異物除去処理を行う場合でも、異物除去処理後に表面Ｗａを上向きにして他の処理を実行することができる。したがって、異物の適切な除去と、基板処理の効率化との両立を図ることが可能である。

上記塗布現像装置２，２Ａ，２Ｂにおいて、膜除去処理部及び異物除去処理部は、レジスト膜形成部によりワークＷの表面Ｗａにレジスト膜Ｒが形成された後、ワークＷに対して露光処理が施される前に、ワークＷの裏面Ｗｂに対して処理を実行してもよい。この場合、露光処理前に、裏面Ｗｂに対して異物を除去する処理が行われるので、裏面Ｗｂの異物に起因した露光処理又は露光装置への影響を低減することが可能である。また、レジスト膜Ｒが形成される処理に起因して、裏面Ｗｂに異物が発生し得る。上記構成では、レジスト膜Ｒの形成後に裏面Ｗｂでの異物除去処理が行われるので、露光処理及び露光装置において、レジスト膜Ｒの形成に伴う裏面Ｗｂの異物の影響を低減することが可能である。

上記塗布現像装置２，２Ａ，２Ｂにおいて、膜除去処理部及び異物除去処理部は、膜処理部にワークＷが搬入された後、レジスト膜形成部によりワークＷの表面Ｗａにレジスト膜Ｒが形成される前に、ワークＷの裏面Ｗｂに対して処理を実行してもよい。レジスト膜Ｒの形成後に露光処理が行われるので、露光処理前に、裏面Ｗｂに対して異物を除去する処理が行われる。そのため、裏面Ｗｂの異物に起因した露光処理又は露光装置への影響を低減することが可能である。また、レジスト膜Ｒの形成前に裏面Ｗｂでの異物除去処理が行われるので、レジスト膜Ｒを形成する段階において、裏面Ｗｂの異物の影響を低減することが可能である。

上記塗布現像装置２，２Ａ，２Ｂにおいて、レジスト膜形成部は、ワークＷの表面Ｗａに対してレジスト膜Ｒを形成するための処理液Ｌ１を供給して、ワークＷの表面Ｗａにレジスト膜Ｒを形成してもよい。上記塗布現像装置２，２Ａ，２Ｂは、レジスト膜形成部での処理液Ｌ１による処理を行うための処理空間Ｓ１から、塗布現像装置２，２Ａの外に、処理液Ｌ１を排出する排液ラインｌＬ１と、処理空間Ｓ１内のガスを、塗布現像装置２，２Ａの外に排出する排気ラインｇＬ１と、膜除去処理部での処理液Ｌ２による処理を行うための処理空間Ｓ２から、塗布現像装置２，２Ａの外に、排液ラインｌＬ１とは独立して、処理液Ｌ２を排出する排液ラインｌＬ２と、処理空間Ｓ２内のガスを、排気ラインｇＬ１とは独立して、塗布現像装置２，２Ａの外に排出する排気ラインｇＬ２と、を更に備えてもよい。この場合、膜Ｆを除去するための処理液Ｌ２に、処理液Ｌ１の成分と混合させることが望ましくない成分が含まれていても、処理液Ｌ２を用いたエッチング処理を塗布現像装置２，２Ａの内部において実行することが可能である。

上記塗布現像装置２は、異物除去処理部により処理が行われた後のワークＷの裏面Ｗｂに、露光処理時にワークＷの裏面Ｗｂを保持する部分と、ワークＷの裏面Ｗｂとの間の摩擦を低減する摩擦低減膜を形成する低減膜形成部を更に備えてもよい。この場合、露光処理時に裏面Ｗｂを保持する部分に対して滑るようにワークＷが載せられるので、ワークＷの周縁部が下方に撓むように反っていても、露光処理においてワークＷの周縁部に加わるストレスを低減することができる。

上記塗布現像装置２Ａ，２Ｂは、膜除去処理部により処理が行われる前のワークＷの裏面Ｗｂに、露光処理時にワークＷの裏面Ｗｂを保持する部分と、ワークＷの裏面Ｗｂとの間の摩擦を低減する摩擦低減膜を形成する低減膜形成部を更に備えてもよい。この場合、露光処理時に裏面Ｗｂを保持する部分に対して滑るようにワークＷが載せられるので、ワークＷの周縁部が下方に撓むように反っていても、露光処理においてワークＷの周縁部に加わるストレスを低減することができる。

上記塗布現像装置２Ａ，２Ｂにおいて、低減膜形成部は、ワークＷの裏面Ｗｂの周縁部に摩擦低減膜を形成してもよい。膜除去処理部は、ワークＷの裏面Ｗｂの周縁部以外の領域に対して、裏面膜を除去する処理を行ってもよい。この場合、摩擦低減膜を形成する領域が、裏面Ｗｂの全面に形成する場合に比べて縮小され、また、膜除去処理部による処理において摩擦低減膜を含めて裏面膜を除去する必要がない。そのため、摩擦低減膜を形成する処理、及び裏面膜を除去する処理の簡素化が図られる。

１…基板処理システム、２，２Ａ，２Ｂ…塗布現像装置、Ｕ１…液処理ユニット、Ｌ１…処理液、Ｓ１…処理空間、ｌＬ１…排液ライン、ｇＬ１…排気ライン、Ｕ２…熱処理ユニット、１８…反転ユニット、３０…第１裏面処理ユニット、Ｓ２…処理空間、ｌＬ２…排液ライン、ｇＬ２…排気ライン、４０…第２裏面処理ユニット、４４２…研磨ブラシ、４５２…洗浄ブラシ、６０…研磨ユニット、６５…研磨ブラシ、７０…洗浄ユニット、７５…洗浄ブラシ、８０…低減膜形成ユニット、Ｗ…ワーク、Ｗａ…表面、Ｗｂ…裏面、Ｆ…膜。

Claims (20)

1. 基板の表面におけるレジスト膜の形成を含む所定の処理を実行する膜処理部と、
   前記膜処理部に対して、前記基板の搬入出を行う搬入出部と、を備え、
   前記膜処理部は、
   前記基板の表面に前記レジスト膜を形成するレジスト膜形成部と、
   前記基板の表面と反対側の裏面に形成された裏面膜に対して、前記裏面膜を除去するための処理液を供給する膜除去処理部と、
   前記膜除去処理部により処理された前記基板の裏面に対してブラシを接触させた状態で、前記ブラシを前記基板の裏面に沿って移動させる異物除去処理部と、を有する、基板処理装置。
2. 前記ブラシは、洗浄用のブラシであり、
   前記異物除去処理部は、
   前記基板の裏面に対して前記洗浄用のブラシとは別の研磨用のブラシを接触させた状態で、前記研磨用のブラシを前記基板の裏面に沿って移動させることで、前記基板の裏面を研磨し、
   前記基板の裏面を研磨した後に、前記基板の裏面に対して前記洗浄用のブラシを接触させた状態で、前記洗浄用のブラシを前記基板の裏面に沿って移動させることで、前記基板の裏面を洗浄する、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記膜除去処理部は、前記基板の裏面を下に向けて前記基板を保持した状態で、前記基板の裏面に対して前記処理液を供給する、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
4. 前記異物除去処理部は、前記基板の裏面を下に向けて前記基板を保持した状態で、前記基板の裏面における異物を除去する処理を実行する、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
5. 前記基板の裏面の上下を反転させる反転処理部を更に備え、
   前記異物除去処理部は、前記反転処理部により反転された後の前記基板に対して処理を実行し、
   前記異物除去処理部は、前記基板の裏面を上に向けて前記基板を保持した状態で、前記基板の裏面における異物を除去する処理を実行する、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
6. 前記膜除去処理部は、前記基板の裏面を下に向けて前記基板を保持した状態で、前記基板の裏面に対して前記処理液を供給し、
   前記反転処理部は、前記膜除去処理部により処理が行われた後の前記基板の裏面の上下を反転させる、請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記異物除去処理部により処理が行われた後の前記基板の裏面の上下を反転させる第２反転処理部を更に備える、請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記膜除去処理部及び前記異物除去処理部は、前記レジスト膜形成部により前記基板の表面に前記レジスト膜が形成された後、前記基板に対して露光処理が施される前に、前記基板の裏面に対して処理を実行する、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
9. 前記膜除去処理部及び前記異物除去処理部は、前記膜処理部に前記基板が搬入された後、前記レジスト膜形成部により前記基板の表面に前記レジスト膜が形成される前に、前記基板の裏面に対して処理を実行する、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
10. 前記レジスト膜形成部は、前記基板の表面に対して前記レジスト膜を形成するための別の処理液を供給して、前記基板の表面に前記レジスト膜を形成し、
    前記基板処理装置は、
    前記レジスト膜形成部での前記別の処理液による処理を行うための第１処理空間から、前記基板処理装置の外に、前記別の処理液を排出する第１排液ラインと、
    前記第１処理空間内のガスを、前記基板処理装置の外に排出する第１排気ラインと、
    前記膜除去処理部での前記処理液による処理を行うための第２処理空間から、前記基板処理装置の外に、前記第１排液ラインとは独立して、前記処理液を排出する第２排液ラインと、
    前記第２処理空間内のガスを、前記第１排気ラインとは独立して、前記基板処理装置の外に排出する第２排気ラインと、を更に備える、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
11. 前記異物除去処理部により処理が行われた後の前記基板の裏面に、露光処理時に前記基板の裏面を保持する部分と、前記基板の裏面との間の摩擦を低減する摩擦低減膜を形成する低減膜形成部を更に備える、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
12. 前記膜除去処理部により処理が行われる前の前記基板の裏面に、露光処理時に前記基板の裏面を保持する部分と、前記基板の裏面との間の摩擦を低減する摩擦低減膜を形成する低減膜形成部を更に備える、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
13. 前記低減膜形成部は、前記基板の裏面の周縁部に前記摩擦低減膜を形成し、
    前記膜除去処理部は、前記基板の裏面の周縁部以外の領域に対して、前記裏面膜を除去する処理を行う、請求項１２に記載の基板処理装置。
14. 膜処理部において、基板の表面におけるレジスト膜の形成を含む所定の処理を実行することと、
    前記膜処理部に対して、前記基板の搬入出を行うことと、を含み、
    前記所定の処理は、
    前記基板の表面に前記レジスト膜を形成する第１処理と、
    前記基板の表面と反対側の裏面に形成された裏面膜に対して、前記裏面膜を除去するための処理液を供給する第２処理と、
    前記第２処理が実行された前記基板の裏面に対してブラシを接触させた状態で、前記ブラシを前記基板の裏面に沿って移動させる第３処理と、を更に含む、基板処理方法。
15. 前記ブラシは、洗浄用のブラシであり、
    前記第３処理は、
    前記基板の裏面に対して前記洗浄用のブラシとは別の研磨用のブラシを接触させた状態で、前記研磨用のブラシを前記基板の裏面に沿って移動させることで、前記基板の裏面を研磨することと、
    前記基板の裏面を研磨した後に、前記基板の裏面に対して前記洗浄用のブラシを接触させた状態で、前記洗浄用のブラシを前記基板の裏面に沿って移動させることで、前記基板の裏面を洗浄することと、を含む、請求項１４に記載の基板処理方法。
16. 前記第２処理では、前記基板の裏面を下に向けて前記基板を保持した状態で、前記基板の裏面に対して前記処理液が供給される、請求項１４又は１５に記載の基板処理方法。
17. 前記第３処理では、前記基板の裏面を下に向けて前記基板を保持した状態で、前記基板の裏面における異物を除去する処理が実行される、請求項１４又は１５に記載の基板処理方法。
18. 反転処理部により、前記基板の裏面の上下を反転させることを更に含み、
    前記第３処理では、前記反転処理部により反転された後の前記基板に対して処理が実行され、
    前記第３処理では、前記基板の裏面を上に向けて前記基板を保持した状態で、前記基板の裏面における異物を除去する処理が実行される、請求項１４又は１５に記載の基板処理方法。
19. 前記第２処理では、前記基板の裏面を下に向けて前記基板を保持した状態で、前記基板の裏面に対して前記処理液が供給され、
    前記反転処理部により前記基板の裏面の上下を反転させることは、前記第２処理が行われた後の前記基板の裏面の上下を前記反転処理部により反転させることを含む、請求項１８に記載の基板処理方法。
20. 請求項１４又は１５に記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

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