JPS6260225A - シリコンウエハの洗浄方法 - Google Patents
シリコンウエハの洗浄方法Info
- Publication number
- JPS6260225A JPS6260225A JP20008785A JP20008785A JPS6260225A JP S6260225 A JPS6260225 A JP S6260225A JP 20008785 A JP20008785 A JP 20008785A JP 20008785 A JP20008785 A JP 20008785A JP S6260225 A JPS6260225 A JP S6260225A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- water
- air
- nozzles
- silicon wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
シリコンウェハ表面からホーニング用微粉を洗い落しお
よび乾燥するシリコンウェハの洗浄方法に関するもので
ある。
よび乾燥するシリコンウェハの洗浄方法に関するもので
ある。
ＩＣ，Ｉ、ＳＴなどの半心体素子の製造に用いられるシ
リコンミラーウェハの裏面にはホーニングによって機械
的なひずみを残留させることが行われている。これを、
一般にバックサイドダメージ（ＢＳＩ））と称されてい
る。液体ホーニングでＢＳ Ｄを行うと、ウェハの裏表
両面にホーニング用微粉が多量に付着する。この微粉は
乾燥すると表面から容易に除去できなくなるために、ウ
ェハが濡れているうちに取出して超音波にかけて水槽中
で水洗している。この作業を自動化する場合に。
リコンミラーウェハの裏面にはホーニングによって機械
的なひずみを残留させることが行われている。これを、
一般にバックサイドダメージ（ＢＳＩ））と称されてい
る。液体ホーニングでＢＳ Ｄを行うと、ウェハの裏表
両面にホーニング用微粉が多量に付着する。この微粉は
乾燥すると表面から容易に除去できなくなるために、ウ
ェハが濡れているうちに取出して超音波にかけて水槽中
で水洗している。この作業を自動化する場合に。
ウェハが濡れていると取出装置側を濡らしてしまいホー
ニング用微粉が取出装置側に付着し、動作障害を起す問
題が生ずる。
ニング用微粉が取出装置側に付着し、動作障害を起す問
題が生ずる。
本発明は上述する問題点に着目し、コンベア上を一定速
度で移動させながら、シリコンウェハに水噴射、エアー
吹付けおよび乾燥の順次処理を施すことによってウェハ
の上下両面からホーニング用微粉を効果的に洗い落すこ
とのできるシリコンウェハの洗浄方法を達成することを
目的とする。
度で移動させながら、シリコンウェハに水噴射、エアー
吹付けおよび乾燥の順次処理を施すことによってウェハ
の上下両面からホーニング用微粉を効果的に洗い落すこ
とのできるシリコンウェハの洗浄方法を達成することを
目的とする。
本発明は上記目的を達成すべく鋭意研究の結果、一定速
度で移動するコンベア上に位置するウェハステージ（特
願昭５９−２１３３４３号）に載置したシリコンウェハ
の」−下両面にウェハがステージ内で浮き上らせる程度
の圧力の水噴射およびエアー吹付処理を順次に行って、
ホーニング後の予備洗浄を簡単、かつ効率よく行うこと
のできる優れたシリコンウェハの洗浄方法を開発し、本
発明に到達した。
度で移動するコンベア上に位置するウェハステージ（特
願昭５９−２１３３４３号）に載置したシリコンウェハ
の」−下両面にウェハがステージ内で浮き上らせる程度
の圧力の水噴射およびエアー吹付処理を順次に行って、
ホーニング後の予備洗浄を簡単、かつ効率よく行うこと
のできる優れたシリコンウェハの洗浄方法を開発し、本
発明に到達した。
本発明のシリコンウェハの洗浄方法は、一定速度で移動
するコンベア上に位置するウェハステージにシリコンウ
ェハを載置し、このウェハの上下両面に水噴射ノズルか
ら水を噴射し、この場合ウェハを噴射水によりステージ
内で浮き上らせ：上記水噴射処理後、ウェハの上下両面
にエアーノズルから高圧エアーを吹付け、この場合上記
ニ［程と同様にウェハをエアー吹付けによりステージ内
で浮き上らせ； 次いで、−１−記エアー吹付は処理後、ウェハを１・分
に乾燥することを特徴とする。
するコンベア上に位置するウェハステージにシリコンウ
ェハを載置し、このウェハの上下両面に水噴射ノズルか
ら水を噴射し、この場合ウェハを噴射水によりステージ
内で浮き上らせ：上記水噴射処理後、ウェハの上下両面
にエアーノズルから高圧エアーを吹付け、この場合上記
ニ［程と同様にウェハをエアー吹付けによりステージ内
で浮き上らせ； 次いで、−１−記エアー吹付は処理後、ウェハを１・分
に乾燥することを特徴とする。
−１−述するように、本発明の方法は水噴射処理、エア
ー吹付は処理および乾燥処理の順次工程からなり、これ
らの各処理工程を実施するのに用いる好適な装置を第１
図に示している。水噴射工８Ａは第１図に示すように一
定速度で移動する搬送コンベア］−１−に位置するウェ
ハステージ２に載置したシリコンウェハ３の−に面の上
部に設けた１本の水噴射ノズル４、およびウェハ３の下
面の下部に設けた複数本、好ましくは４本のノズル５か
ら構成されており、これらのノズル４および５はいずれ
もウェハ而から約１〜Ｌｏａｎ離間して設ける。
ー吹付は処理および乾燥処理の順次工程からなり、これ
らの各処理工程を実施するのに用いる好適な装置を第１
図に示している。水噴射工８Ａは第１図に示すように一
定速度で移動する搬送コンベア］−１−に位置するウェ
ハステージ２に載置したシリコンウェハ３の−に面の上
部に設けた１本の水噴射ノズル４、およびウェハ３の下
面の下部に設けた複数本、好ましくは４本のノズル５か
ら構成されており、これらのノズル４および５はいずれ
もウェハ而から約１〜Ｌｏａｎ離間して設ける。
下部ノズル５は第１図に示すように外方からウェハの周
縁付近に向は斜め側方よりウェハ３に水を噴射するよう
にある角度、例えばウェハの中心軸線に対して約３０°
〜８０°の範囲の角度、好ましくは約６０°で傾斜させ
る。また、ノズル径において、上部ノズル４を下部ノズ
ル５より大きくし、例えば上部ノズル４の下部ノズル径
は約８〜１５＋ｎｍ、好ましくけ約１０ｎｎ＋とじ、下
部ノズル５のノズル径は約３〜６＋ｎｍ、好ましくは約
４１１ＩＩｌとする。このように、上部および下部ノズ
ルのノズル径を異にすることはノズルから噴射される噴
射圧に差を生じさせ、すなわち、下側噴射圧を上側噴射
圧より幾分大きくさせ、ウェハ３をウェハステージ２内
で浮き上らせるために必要である。水噴射工程において
、ウェハ３を特定の噴射圧下でウェハ３の上下両面およ
び側面を含む全表面から微粉を効果的に水洗することが
できる。
縁付近に向は斜め側方よりウェハ３に水を噴射するよう
にある角度、例えばウェハの中心軸線に対して約３０°
〜８０°の範囲の角度、好ましくは約６０°で傾斜させ
る。また、ノズル径において、上部ノズル４を下部ノズ
ル５より大きくし、例えば上部ノズル４の下部ノズル径
は約８〜１５＋ｎｍ、好ましくけ約１０ｎｎ＋とじ、下
部ノズル５のノズル径は約３〜６＋ｎｍ、好ましくは約
４１１ＩＩｌとする。このように、上部および下部ノズ
ルのノズル径を異にすることはノズルから噴射される噴
射圧に差を生じさせ、すなわち、下側噴射圧を上側噴射
圧より幾分大きくさせ、ウェハ３をウェハステージ２内
で浮き上らせるために必要である。水噴射工程において
、ウェハ３を特定の噴射圧下でウェハ３の上下両面およ
び側面を含む全表面から微粉を効果的に水洗することが
できる。
上述する水噴射工程に引続いて、水洗されたウェハ３は
エアー吹付処理上８Ｂに送られる。この工程Ｂは第１図
に示すようにシリコンウェハ３の上部に複数本、好まし
くは２本のエアーブローノズル６（ノズル径：約５〜１
０ｎｍ、好ましくは約６＋＋ｗ＋＋）と下部に複数本、
好ましくは１０本のエアーブローノズル７（ノズル径：
約２〜５ｍ、好ましくは約４ｍｍ）から構成され、上部
ノズル６はつ＝４− エバ３の中心軸線上に平行に配置し、下部ノズル７はあ
る角度、例えば約３０°〜８０’ に傾斜させて設ける
。これらの−１三下両ノズルから高圧エアーを吹付け、
」−配水噴射工程におけると同様にウェハをステージ２
内で浮き上らせながら、エアー吹付は処理してウェハに
付着している水をウェハの全表面から水を容易に吹き飛
ばすようにする。
エアー吹付処理上８Ｂに送られる。この工程Ｂは第１図
に示すようにシリコンウェハ３の上部に複数本、好まし
くは２本のエアーブローノズル６（ノズル径：約５〜１
０ｎｍ、好ましくは約６＋＋ｗ＋＋）と下部に複数本、
好ましくは１０本のエアーブローノズル７（ノズル径：
約２〜５ｍ、好ましくは約４ｍｍ）から構成され、上部
ノズル６はつ＝４− エバ３の中心軸線上に平行に配置し、下部ノズル７はあ
る角度、例えば約３０°〜８０’ に傾斜させて設ける
。これらの−１三下両ノズルから高圧エアーを吹付け、
」−配水噴射工程におけると同様にウェハをステージ２
内で浮き上らせながら、エアー吹付は処理してウェハに
付着している水をウェハの全表面から水を容易に吹き飛
ばすようにする。
次いで、水を除去されたウェハは第１−図に示すように
乾燥処理工程Ｃに送られ、こりでウェハ取出しに十分な
程度に乾燥する。この乾燥は第１図に示すようにウェハ
ーに面の上部に設けられているエアーブローノズル８か
らエアーを吹付けて行う。
乾燥処理工程Ｃに送られ、こりでウェハ取出しに十分な
程度に乾燥する。この乾燥は第１図に示すようにウェハ
ーに面の上部に設けられているエアーブローノズル８か
らエアーを吹付けて行う。
必要に応じてホットエアーを吹付ることができる。
上述するように、本発明はウェハの洗浄をコンベアーＬ
で、各処理工程において水噴射ノズルからの水噴射およ
びエアーブローノズルからのエアー吹付けにより順次に
処理できるので、自動化が可能であり、しかも簡単、か
つ効果的にホーニング用微粉を洗浄できるためホーニン
グ液による取出装置Ｈの汚染を防止することができた。
で、各処理工程において水噴射ノズルからの水噴射およ
びエアーブローノズルからのエアー吹付けにより順次に
処理できるので、自動化が可能であり、しかも簡単、か
つ効果的にホーニング用微粉を洗浄できるためホーニン
グ液による取出装置Ｈの汚染を防止することができた。
ホーニング処理されたシリコンウェハを第１図に示す装
置のウェハステージ２に載置し、コンベアを約１．５ｍ
／ｍｉｎの速度で移動させながら次に示すノズルからな
る水噴射処理およびエアー吹付は処理を行った： 水噴射ノズル ノズル数 ノズル径 ウェハ下部 ４本 ４ｍｍウェハ上部
１本 １０ｍｍエアーブローノズル ノズル数 ノズル径 ウェハ下部 １０本 ４ｍｍウェハ上部
２本 ６ｍｍエアーブローノズルとワーク間
距離：約３０ｍｍ」−述するように水噴射およびエアー
吹付は処理したウェハをその上面よりエアーブローノズ
ルよりエアーを吹付けて乾燥した。
置のウェハステージ２に載置し、コンベアを約１．５ｍ
／ｍｉｎの速度で移動させながら次に示すノズルからな
る水噴射処理およびエアー吹付は処理を行った： 水噴射ノズル ノズル数 ノズル径 ウェハ下部 ４本 ４ｍｍウェハ上部
１本 １０ｍｍエアーブローノズル ノズル数 ノズル径 ウェハ下部 １０本 ４ｍｍウェハ上部
２本 ６ｍｍエアーブローノズルとワーク間
距離：約３０ｍｍ」−述するように水噴射およびエアー
吹付は処理したウェハをその上面よりエアーブローノズ
ルよりエアーを吹付けて乾燥した。
このように、水噴射およびエアー吹付けで順次処理する
ことによりホーニング用微粉をｆｆｆＶＳ、かつ効果的
に除去することができた。
ことによりホーニング用微粉をｆｆｆＶＳ、かつ効果的
に除去することができた。
第１図は本発明の方法を実施するのに用いる装置の各処
理］―程を示す説明用線図である。 〕−・・・搬送コンベア ２・・・ウェハステージ ３・・シリコンウェハ ４．５・・・水噴射ノズル ６．７．８・・・エアーブローノズル Ａ・・・水噴射処理工程 Ｂ・・エアー吹付は処理工程 Ｃ・・・乾燥処理工程
理］―程を示す説明用線図である。 〕−・・・搬送コンベア ２・・・ウェハステージ ３・・シリコンウェハ ４．５・・・水噴射ノズル ６．７．８・・・エアーブローノズル Ａ・・・水噴射処理工程 Ｂ・・エアー吹付は処理工程 Ｃ・・・乾燥処理工程
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一定速度で移動するコンベア上に位置するウェハステー
ジにシリコンウェハを載置し、このウェハの上下両面に
水噴射ノズルから水を噴射し、この場合ウェハを噴射水
によりステージ内で浮き上らせ； 上記水噴射処理後、ウェハの上下両面にエアーブローノ
ズルから高圧エアーを吹付け、この場合上記工程と同様
にウェハをエアー吹付けによりステージ内で浮き上らせ
； 次いで、上記エアー吹付け処理後、ウェハを十分に乾燥
することを特徴とするシリコンウェハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20008785A JPS6260225A (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | シリコンウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20008785A JPS6260225A (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | シリコンウエハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6260225A true JPS6260225A (ja) | 1987-03-16 |
Family
ID=16418637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20008785A Pending JPS6260225A (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | シリコンウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6260225A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06285440A (ja) * | 1992-04-16 | 1994-10-11 | Seikosha Co Ltd | 洗浄乾燥装置 |
| US6964724B2 (en) * | 1999-03-15 | 2005-11-15 | Nec Corporation | Etching and cleaning methods and etching and cleaning apparatuses used therefor |
| CN103406314A (zh) * | 2013-08-27 | 2013-11-27 | 山东禹城汉能光伏有限公司 | 一种工件架硅粉清除方法及清除装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632727A (en) * | 1979-08-27 | 1981-04-02 | Fujitsu Ltd | Mask washing apparatus |
| JPS5645017A (en) * | 1979-09-20 | 1981-04-24 | Toshiba Corp | Moving method and apparatus for semiconductor wafer |
| JPS60143634A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-29 | Fujitsu Ltd | ウエ−ハ処理方法及び装置 |
-
1985
- 1985-09-10 JP JP20008785A patent/JPS6260225A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632727A (en) * | 1979-08-27 | 1981-04-02 | Fujitsu Ltd | Mask washing apparatus |
| JPS5645017A (en) * | 1979-09-20 | 1981-04-24 | Toshiba Corp | Moving method and apparatus for semiconductor wafer |
| JPS60143634A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-29 | Fujitsu Ltd | ウエ−ハ処理方法及び装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06285440A (ja) * | 1992-04-16 | 1994-10-11 | Seikosha Co Ltd | 洗浄乾燥装置 |
| US6964724B2 (en) * | 1999-03-15 | 2005-11-15 | Nec Corporation | Etching and cleaning methods and etching and cleaning apparatuses used therefor |
| US7862658B2 (en) | 1999-03-15 | 2011-01-04 | Renesas Electronics Corporation | Etching and cleaning methods and etching and cleaning apparatuses used therefor |
| US8420549B2 (en) | 1999-03-15 | 2013-04-16 | Renesas Electronics Corporation | Etching and cleaning methods and etching and cleaning apparatuses used therefor |
| CN103406314A (zh) * | 2013-08-27 | 2013-11-27 | 山东禹城汉能光伏有限公司 | 一种工件架硅粉清除方法及清除装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5868866A (en) | Method of and apparatus for cleaning workpiece | |
| KR100451615B1 (ko) | 폴리싱장치 | |
| KR100271772B1 (ko) | 반도체 습식 식각설비 | |
| US4974619A (en) | Wafer cleaning device for use in manufacturing a semiconductor device | |
| GB2334145A (en) | Methods and apparatus for cleaning,rinsing and drying wafers | |
| JP3341727B2 (ja) | ウエット装置 | |
| JPS6260225A (ja) | シリコンウエハの洗浄方法 | |
| JPS5947457B2 (ja) | 半導体ウェファ−の洗浄方法 | |
| KR20210098137A (ko) | 제1 세정 장치, 이를 포함하는 세정 장비 및 방법 | |
| JPH04283075A (ja) | サンドブラスト装置 | |
| JPH02252238A (ja) | 基板の洗浄装置 | |
| JPH10189526A (ja) | レチクルの洗浄方法及びその装置 | |
| JP2996579B2 (ja) | 把持装置の洗浄処理装置と洗浄処理方法及び基板の洗浄処理装置 | |
| JP2000150428A (ja) | ダイシング装置 | |
| JPS6281718A (ja) | 基板乾燥装置 | |
| JPS61121337A (ja) | ウエハの処理方法 | |
| JP2003007668A (ja) | 半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法 | |
| KR100645217B1 (ko) | 웨이퍼 세정장치 및 세정 방법 | |
| JPS61100937A (ja) | ウエハ−の処理方法 | |
| KR200248930Y1 (ko) | 웨이퍼의이물제거장치 | |
| JP2006302974A (ja) | 半導体ウエハ枚葉洗浄装置 | |
| JPH04118067A (ja) | 塗布装置および塗布処理方法 | |
| KR200156133Y1 (ko) | 웨이퍼 배면 클리닝장치 | |
| JPS5987819A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPH0528758Y2 (ja) |