JPS61100937A - ウエハ−の処理方法 - Google Patents
ウエハ−の処理方法Info
- Publication number
- JPS61100937A JPS61100937A JP22341784A JP22341784A JPS61100937A JP S61100937 A JPS61100937 A JP S61100937A JP 22341784 A JP22341784 A JP 22341784A JP 22341784 A JP22341784 A JP 22341784A JP S61100937 A JPS61100937 A JP S61100937A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- water
- carrier
- drying
- wafers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はシリコンウェハー等の清浄化処理方法に関する
ものである。
ものである。
従来例の構成とその問題点
従来のウェハーの清浄化処理の方法は、第２図。
第３図にその具体構成を示す。第１図に示すように、処
理されるべきウエノ・−１は、通常キャリア２に複数枚
収納されている。第２因において、キャリア２は、ハン
ガー３でつかまれて、薬液処理槽または水洗槽４，５．
６に順次浸漬されて、清浄化された後、遠心分離方式等
による水切り、乾燥がされていた。
理されるべきウエノ・−１は、通常キャリア２に複数枚
収納されている。第２因において、キャリア２は、ハン
ガー３でつかまれて、薬液処理槽または水洗槽４，５．
６に順次浸漬されて、清浄化された後、遠心分離方式等
による水切り、乾燥がされていた。
しかしながらこの方法では、キャリア２に収納されたウ
ェハー１は、清浄化された後水切り乾燥までに少くとも
１〜２分の時間を必要とするために、ウェハーの表面は
部分乾燥がすすみ、ウエノ・−表面上の自然酸化膜形成
にムラが生じる問題があった。また、ウェハー表面の水
滴部分に空気中のダストが付着し、乾燥後シミとして残
ることもある。これらの酸化膜のムラやシミ、付着した
ダストは、ウェハの表面に形成する集積回路の微細化（
例えば０．５〜１μｍパターン）につれて、回路のシせ
−ト、断線、特性不良など回路欠陥につながるという問
題が発生していた。
ェハー１は、清浄化された後水切り乾燥までに少くとも
１〜２分の時間を必要とするために、ウェハーの表面は
部分乾燥がすすみ、ウエノ・−表面上の自然酸化膜形成
にムラが生じる問題があった。また、ウェハー表面の水
滴部分に空気中のダストが付着し、乾燥後シミとして残
ることもある。これらの酸化膜のムラやシミ、付着した
ダストは、ウェハの表面に形成する集積回路の微細化（
例えば０．５〜１μｍパターン）につれて、回路のシせ
−ト、断線、特性不良など回路欠陥につながるという問
題が発生していた。
また、第３図に示す方法においては、ウェハー１′は入
方向に間欠動作する昇降装置７にセツティングされたキ
ャリア２からモーター９で駆動されるコンベア８上に取
り出されて、そのままＢ方向へ搬送される。ウェハー１
はコンベア８上において、パイプ１１．１２のノズル１
１ム、１２ムから吹き出す薬液により処理され、その後
、パイプ１３．１４のノズル１３人、１４ムから吹き出
す純水により水洗され清浄化される。さらに、パイプ１
５．１６のノズル１６人、１６人から吹き出すチッソガ
ス等の気体−により水切り乾燥される。
方向に間欠動作する昇降装置７にセツティングされたキ
ャリア２からモーター９で駆動されるコンベア８上に取
り出されて、そのままＢ方向へ搬送される。ウェハー１
はコンベア８上において、パイプ１１．１２のノズル１
１ム、１２ムから吹き出す薬液により処理され、その後
、パイプ１３．１４のノズル１３人、１４ムから吹き出
す純水により水洗され清浄化される。さらに、パイプ１
５．１６のノズル１６人、１６人から吹き出すチッソガ
ス等の気体−により水切り乾燥される。
乾燥ヶ終、ええ↓、２、−、ム降や、、７ヤー、、７ケ
インクされたキャリア２に収納される。昇降装置１７は
Ｃ方向に間欠送りされる。
インクされたキャリア２に収納される。昇降装置１７は
Ｃ方向に間欠送りされる。
この方法においては、ウェハー１は薬液処理から水洗、
乾燥まで連続的に処理されるものの、ノズル１１人、１
２人から吹き出す薬液が空気を巻き込むために均一な処
理ができないという問題があった。また、薬液処理、水
洗を十分にするためには、コンベア長さを長くするか、
コンベアスピードを遅くする必要があるという問題があ
った。
乾燥まで連続的に処理されるものの、ノズル１１人、１
２人から吹き出す薬液が空気を巻き込むために均一な処
理ができないという問題があった。また、薬液処理、水
洗を十分にするためには、コンベア長さを長くするか、
コンベアスピードを遅くする必要があるという問題があ
った。
発明の目的
本発明は上記問題を解決するものであり、ウェハー表面
上の自然酸化膜のムラやシミを発生させることなく、薬
液処理ムラのないコンパクトな装置を実現する方法を提
供するものである。
上の自然酸化膜のムラやシミを発生させることなく、薬
液処理ムラのないコンパクトな装置を実現する方法を提
供するものである。
発明の構成
本発明は、水洗槽内に浸漬したウェハーを複数個収納す
るキャリアの最上段から順次、水面近房において、水平
状態で、回路形成面（表面）を上にしてウェハーを取り
出すことにより、前記ウェハーの表面に水の表面張力に
よる水の膜を形成せしめ、ウェハーの一一一・ら１．気
竺圧力と水の表面張力により漸次水切り乾燥することに
より、ウェハー表面の部分乾燥による自然酸化膜ムラや
シミを発生させず、キャリア単位により水洗まで処理が
可能なために、能率の良い方法を提供するという効果を
有する。
るキャリアの最上段から順次、水面近房において、水平
状態で、回路形成面（表面）を上にしてウェハーを取り
出すことにより、前記ウェハーの表面に水の表面張力に
よる水の膜を形成せしめ、ウェハーの一一一・ら１．気
竺圧力と水の表面張力により漸次水切り乾燥することに
より、ウェハー表面の部分乾燥による自然酸化膜ムラや
シミを発生させず、キャリア単位により水洗まで処理が
可能なために、能率の良い方法を提供するという効果を
有する。
実施例の説明
以下本発明の方法を具体化した一実施例について、図面
にもとすき説明する。
にもとすき説明する。
第４図は、本発明の一実施例の断面図を示すものである
。図において、１はウェハー、２はキャリアー、１８は
水洗槽、１９は最終水洗槽、２０はプッシャー、２１は
シャワー水洗槽、２２は乾燥部、２３は丸ベルトコンベ
ア、２４は丸ベルトコンベア２３を駆動するモーターで
ある。２６゜２６は純水供給用パイプであり、２５人、
２６人は純水シャワーノズルである。２７．２８は水切
乾燥のためのチッソガス供給用パイプであり、２７人、
２８人はチッソガスを吹出すノズルである。２９は乾燥
済みのウェハー１を収納するキャリア２人を間欠的に上
昇させる昇降装置である。
。図において、１はウェハー、２はキャリアー、１８は
水洗槽、１９は最終水洗槽、２０はプッシャー、２１は
シャワー水洗槽、２２は乾燥部、２３は丸ベルトコンベ
ア、２４は丸ベルトコンベア２３を駆動するモーターで
ある。２６゜２６は純水供給用パイプであり、２５人、
２６人は純水シャワーノズルである。２７．２８は水切
乾燥のためのチッソガス供給用パイプであり、２７人、
２８人はチッソガスを吹出すノズルである。２９は乾燥
済みのウェハー１を収納するキャリア２人を間欠的に上
昇させる昇降装置である。
以上のように構成された装置により、ウェハー処理方法
を説明する。
を説明する。
まず、ウェハー１を収納するキャリア２は薬液処理を終
えて、水洗槽１８に浸漬される。所定時間水洗されたキ
ャリア２はＥ方向に水がオーバーフローする最終水洗槽
１９内においてウェハー１が水平になるように保持具１
９人にセツティングされ、水面下に浸漬される。保持具
１９人が１ピツチＦ方向へ上昇することにより、最上段
のウェハー１が水面近房に水平に保たれる。この後、プ
ッシャー２０のＣ方向の動作により、最上段のウェハー
は、キャリア２より押し出されて、丸ベルトコンベア２
３によってＨ方向へ搬送される。ウェハー１の表面はシ
ャワー水洗槽２１内において、パイプ２６．２６に設け
られたノズル２６ム。
えて、水洗槽１８に浸漬される。所定時間水洗されたキ
ャリア２はＥ方向に水がオーバーフローする最終水洗槽
１９内においてウェハー１が水平になるように保持具１
９人にセツティングされ、水面下に浸漬される。保持具
１９人が１ピツチＦ方向へ上昇することにより、最上段
のウェハー１が水面近房に水平に保たれる。この後、プ
ッシャー２０のＣ方向の動作により、最上段のウェハー
は、キャリア２より押し出されて、丸ベルトコンベア２
３によってＨ方向へ搬送される。ウェハー１の表面はシ
ャワー水洗槽２１内において、パイプ２６．２６に設け
られたノズル２６ム。
２６ムからシャワーされる純水により乾燥が防止され、
第５図に示すように水の表面張力による純水の膜３ｏが
維持される。さらに、乾燥部２２内において、パイプ２
７．２８に設けられたノズル２７人、２８人から吹出す
チッソガスにより、ウェハー１の表面は第６図に示すよ
うに、Ｊ方向に吹き出すチッソガスの圧力と、水の膜３
０の表面張力により、漸次水切り乾燥される。乾燥を終
えたウェハー１は工方向に間欠動作する昇降装置２９に
セツティングされたキャリア２人に収納される。以上の
動作を連続して行なうことにより、ウェハー１は１１Ｆ
１次乾燥まで処理され、全てキャリア２人に収納される
。
第５図に示すように水の表面張力による純水の膜３ｏが
維持される。さらに、乾燥部２２内において、パイプ２
７．２８に設けられたノズル２７人、２８人から吹出す
チッソガスにより、ウェハー１の表面は第６図に示すよ
うに、Ｊ方向に吹き出すチッソガスの圧力と、水の膜３
０の表面張力により、漸次水切り乾燥される。乾燥を終
えたウェハー１は工方向に間欠動作する昇降装置２９に
セツティングされたキャリア２人に収納される。以上の
動作を連続して行なうことにより、ウェハー１は１１Ｆ
１次乾燥まで処理され、全てキャリア２人に収納される
。
次に第７図にもとすき、最終水洗槽１９の構成及び動作
について詳しく説明する。図において、３１はキャリア
２を保持する保持具１９人を固定するアームである。３
２はアーム３１をに方向に回転させる回転アクチェータ
、３３はアーム３１及び回転アクチェータ３２を支持す
る昇降ブロック、３４Ａ、３４Ｂはベース３６に固定さ
れたガイド軸、３６はモーター３７で駆動されて、昇降
ブロック３３を？方向へ動作させるネジである。
について詳しく説明する。図において、３１はキャリア
２を保持する保持具１９人を固定するアームである。３
２はアーム３１をに方向に回転させる回転アクチェータ
、３３はアーム３１及び回転アクチェータ３２を支持す
る昇降ブロック、３４Ａ、３４Ｂはベース３６に固定さ
れたガイド軸、３６はモーター３７で駆動されて、昇降
ブロック３３を？方向へ動作させるネジである。
３８はブラケット３９に固定されてプッシャー２０をＬ
方向に動作させるモーターである。プッシャー２０はモ
ーター３８の回転により前進してキャリア２内のウエノ
・−１を押し出し、コンベア２３上へ移載する。プッシ
ャー２０が後退した後、モーター３７を回転させ、ネジ
３６の推力により昇降ブロック３３を所定ピッチ上昇さ
せる。以上の動作を繰返すことによりウェー・−１は順
次最終水洗槽１９より取り出される。
方向に動作させるモーターである。プッシャー２０はモ
ーター３８の回転により前進してキャリア２内のウエノ
・−１を押し出し、コンベア２３上へ移載する。プッシ
ャー２０が後退した後、モーター３７を回転させ、ネジ
３６の推力により昇降ブロック３３を所定ピッチ上昇さ
せる。以上の動作を繰返すことによりウェー・−１は順
次最終水洗槽１９より取り出される。
以上のように、本実施例によれは、最終水洗槽１９に浸
漬したウェハー１を複数個収納するキャリア２の最上段
から順次、水面近房において、水平状態で、表面を上に
してウェハー１を取り出すことにより、ウェハー１の表
面に水の膜を形成した１ま乾燥部へ搬送できるために、
乾燥ムラによるシミの発生を防止でき、自然酸化膜のム
ラを防止できる。また、最終水洗槽１９に至るまでキャ
リア２の単位で薬液処理ができるために、処理の能率が
高い。また、最終水洗槽１９内においてキャリア２を回
転することにより、自動移載装置等により種間でキャリ
ア２の自動移載が可能となる。
漬したウェハー１を複数個収納するキャリア２の最上段
から順次、水面近房において、水平状態で、表面を上に
してウェハー１を取り出すことにより、ウェハー１の表
面に水の膜を形成した１ま乾燥部へ搬送できるために、
乾燥ムラによるシミの発生を防止でき、自然酸化膜のム
ラを防止できる。また、最終水洗槽１９に至るまでキャ
リア２の単位で薬液処理ができるために、処理の能率が
高い。また、最終水洗槽１９内においてキャリア２を回
転することにより、自動移載装置等により種間でキャリ
ア２の自動移載が可能となる。
発明の効果
以上のように本発明は、水洗槽内からウェハーを表面が
水で保護された状態で取り出すことにより、自然乾燥ム
ラによる自然酸化膜ムラ、シミの発生を防止できる効果
を有するものである。
水で保護された状態で取り出すことにより、自然乾燥ム
ラによる自然酸化膜ムラ、シミの発生を防止できる効果
を有するものである。
第１図は対象とするウェハーを収納するキャリアの斜視
図、第２図は従来のキャリア単位で処理する方法を示す
処理装置の断面図、第３図は従来の連続式ウェハ処理方
法を示す処理装置の断面図、第４図は本発明を具体化し
た一実施例の断面図、第５図はウェハー表面への水の膜
の形成を示す側面図、第６図はウェハー表面の水切り乾
燥の状態を示す側面図、第７図は本発明を具体化した一
実施例の水洗槽の部分斜視図である。 １・・・・・・ウェハー、２・・・・・・キャリア、１
９・・・・・・最終水洗槽、１９人・・・・・・キャリ
ア保持具、２ｏ・・・・・・プッシャー、２３・・・・
・・丸ベルトコンベア、２７・・・・・・パイプ、２７
ム・・・・・・ノズル。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 、？ 第３図 第４図 第６図 第７図
図、第２図は従来のキャリア単位で処理する方法を示す
処理装置の断面図、第３図は従来の連続式ウェハ処理方
法を示す処理装置の断面図、第４図は本発明を具体化し
た一実施例の断面図、第５図はウェハー表面への水の膜
の形成を示す側面図、第６図はウェハー表面の水切り乾
燥の状態を示す側面図、第７図は本発明を具体化した一
実施例の水洗槽の部分斜視図である。 １・・・・・・ウェハー、２・・・・・・キャリア、１
９・・・・・・最終水洗槽、１９人・・・・・・キャリ
ア保持具、２ｏ・・・・・・プッシャー、２３・・・・
・・丸ベルトコンベア、２７・・・・・・パイプ、２７
ム・・・・・・ノズル。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 、？ 第３図 第４図 第６図 第７図
Claims (2)
- （１）水洗槽内に浸漬したウェハーを複数個収納するキ
ャリアの最上段から順次、水面近房において、水平状態
で、回路形成面を上にしてウェハーを取り出すことによ
り、前記ウェハーの表面に、水の表面張力による水の膜
を形成せしめ、前記ウェハーの一端から、気体圧力と水
の表面張力により漸次水切り乾燥することを特徴とする
ウェハーの処理方法。 - （２）ウェハーを複数個収納するキャリアを、水洗槽内
において、前記ウェハーの姿勢が垂直状態から回路形成
面を上にして水平状態となるように略９０°回転させる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のウェハー
の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22341784A JPS61100937A (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | ウエハ−の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22341784A JPS61100937A (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | ウエハ−の処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61100937A true JPS61100937A (ja) | 1986-05-19 |
Family
ID=16797812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22341784A Pending JPS61100937A (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | ウエハ−の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61100937A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6277203B1 (en) | 1998-09-29 | 2001-08-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces |
| KR100735601B1 (ko) * | 2001-04-02 | 2007-07-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 웨이퍼 건조방법 |
-
1984
- 1984-10-23 JP JP22341784A patent/JPS61100937A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6277203B1 (en) | 1998-09-29 | 2001-08-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces |
| US6319330B1 (en) | 1998-09-29 | 2001-11-20 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces |
| KR100735601B1 (ko) * | 2001-04-02 | 2007-07-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 웨이퍼 건조방법 |
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