JPS61121337A - ウエハの処理方法 - Google Patents
ウエハの処理方法Info
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- JPS61121337A JPS61121337A JP24285284A JP24285284A JPS61121337A JP S61121337 A JPS61121337 A JP S61121337A JP 24285284 A JP24285284 A JP 24285284A JP 24285284 A JP24285284 A JP 24285284A JP S61121337 A JPS61121337 A JP S61121337A
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- JP
- Japan
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- wafer
- etching
- washing
- tank
- carrier
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ウェハ等の洗浄処理、エツチング処理の方法
に関するものである。
に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来はウェハ等をキャリヤーにセクトして洗浄槽、水洗
槽、エツチング槽、水洗槽等の各種に順番に浸漬したり
、引上げたシして処理した後、キャリヤーのま＼スピン
ナーに入れ、高速回転遠心分離方式での乾燥方法が一般
に多く使用されている。又アルミニウムのエツチングと
いった特定のものにおいてはキャリヤーからウェハを水
平に一枚ずつ送り出し、ゴムベルトによって搬送すると
共にスプレーエツチング、スプレー水洗等の処理を行な
った後エアーナイフカットによって乾燥した後キャリヤ
ーに一枚ずつ挿入する方法が使用されている。
槽、エツチング槽、水洗槽等の各種に順番に浸漬したり
、引上げたシして処理した後、キャリヤーのま＼スピン
ナーに入れ、高速回転遠心分離方式での乾燥方法が一般
に多く使用されている。又アルミニウムのエツチングと
いった特定のものにおいてはキャリヤーからウェハを水
平に一枚ずつ送り出し、ゴムベルトによって搬送すると
共にスプレーエツチング、スプレー水洗等の処理を行な
った後エアーナイフカットによって乾燥した後キャリヤ
ーに一枚ずつ挿入する方法が使用されている。
しかし、従来のキャリヤ一方式では、キャリヤーによる
洗浄液及びエツチング液の持ち出しが多く次工程での水
洗に長時間を要すること、ウェハ間隔が狭くエツチング
液での反応がキャリヤー中の全てのウニ・・に均一に起
らずムラを生じること、更に将来ウェハの口径が犬きく
なった場合には均一性が悪くなるという問題があった０
次にキャリヤーによるスピンナー乾燥方法は静電帯電量
が多くダストの吸着現象を生じること、遠心分離で分離
した水がスピンナー乾燥槽の槽壁からはね返り、ウェハ
上にシミを残すという欠点を有する。
洗浄液及びエツチング液の持ち出しが多く次工程での水
洗に長時間を要すること、ウェハ間隔が狭くエツチング
液での反応がキャリヤー中の全てのウニ・・に均一に起
らずムラを生じること、更に将来ウェハの口径が犬きく
なった場合には均一性が悪くなるという問題があった０
次にキャリヤーによるスピンナー乾燥方法は静電帯電量
が多くダストの吸着現象を生じること、遠心分離で分離
した水がスピンナー乾燥槽の槽壁からはね返り、ウェハ
上にシミを残すという欠点を有する。
又従来のウェハを水平にベルト搬送する方式ではスプレ
ーエツチングを使用しているがこれではエツチング液中
に空気が混合されやすく、シリコンウェハの酸化膜除去
のエツチングでは、エツチングされた表面がすぐに酸化
されてしまうため不適当であること＼水平送りのためウ
ェハの表裏のエツチングが不均一になりやすいという欠
点を有する〇 更にキャリヤ一方式、ウエノ）を水平にベルト搬送する
方式共に設備の設置スペースを広くとるという欠点を持
っている。
ーエツチングを使用しているがこれではエツチング液中
に空気が混合されやすく、シリコンウェハの酸化膜除去
のエツチングでは、エツチングされた表面がすぐに酸化
されてしまうため不適当であること＼水平送りのためウ
ェハの表裏のエツチングが不均一になりやすいという欠
点を有する〇 更にキャリヤ一方式、ウエノ）を水平にベルト搬送する
方式共に設備の設置スペースを広くとるという欠点を持
っている。
発明の目的
本発明はウェハの洗浄処理、エツチング処理等を一枚ず
つ処理することによって処理の均一性を高める方法を提
供することを目的とする。
つ処理することによって処理の均一性を高める方法を提
供することを目的とする。
発明の構成
本発明は、先ずキャリヤー内に収納されたウェハを一枚
ずつプッシャーで突き上げて押し出し、次に押し出され
たウェハを治具に挿入し、一枚のウェハを処理するのに
充分な大きさの洗浄槽、エツチング槽、水洗槽、の各処
理槽等で処理し、さらに垂直なウェハを左右から高圧エ
アーあるいは窒素ガスで乾燥させる方法であり、ウェハ
の表裏両面を同時に処理でき洗浄、エツチング等の品質
が向上する。
ずつプッシャーで突き上げて押し出し、次に押し出され
たウェハを治具に挿入し、一枚のウェハを処理するのに
充分な大きさの洗浄槽、エツチング槽、水洗槽、の各処
理槽等で処理し、さらに垂直なウェハを左右から高圧エ
アーあるいは窒素ガスで乾燥させる方法であり、ウェハ
の表裏両面を同時に処理でき洗浄、エツチング等の品質
が向上する。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例を第１図〜第３図に示す。本実
施例はウェハの自然酸化膜を除去するディップエツチン
グ処理に関するものである。
施例はウェハの自然酸化膜を除去するディップエツチン
グ処理に関するものである。
第１図においてウェハ１に収納したキャリヤー２から垂
直にプッシャー３で矢印入方向に突き上げ、キャリヤー
２の上部の治具４ａ、４ｂＫ挿入し、矢印Ｂ及びＣ方向
に閉じてウェハ１を保持する。第２図に処理方法を示す
。処理装置は搬送ロボット６、ウェハ１を治具４に取り
付けるローダ部６．ディップエツチング槽７．水洗槽８
，９、最終水洗と乾燥を兼ねた槽１０．治具４からキャ
リヤー２に戻すアンローダ一部１１より構成されている
。先ず垂直に立てたウェハ１を搬送ロボット６の矢印り
方向の間欠動作及び矢印Ｅ方向の動作によりディソプエ
ソチング槽γに浸漬する。この時のエツチング条件は次
の通りである。液組成はＨＦ／Ｈ２ｏ＝１／１ｏ、液温
は２３±２°Ｃ２時間は酸化膜厚によって異なるが６〜
３０秒である。又エツチング液は絶えず循環ろ過する方
式をとシ、液中のダストを除去して品質を高めるように
している。エツチング終了後、エツチング槽下よりウェ
ハ１を引き上げ、水洗槽８，９で充分に水洗し、更に最
終水洗槽１ｏで処理した後、ウエノ）１を徐々に矢印Ｆ
方向に引き上げる時に、第３図に示すようにウェハ１の
左右両面より３００〜４６°の角度に傾けたノズル１２
ａ、１２ｂより加温した空気又は窒；ガスを吹きつけて
乾燥する０処理済みのウェハ１を次のアンローダ一部１
１で一枚ずつキャリヤーに収納する。
直にプッシャー３で矢印入方向に突き上げ、キャリヤー
２の上部の治具４ａ、４ｂＫ挿入し、矢印Ｂ及びＣ方向
に閉じてウェハ１を保持する。第２図に処理方法を示す
。処理装置は搬送ロボット６、ウェハ１を治具４に取り
付けるローダ部６．ディップエツチング槽７．水洗槽８
，９、最終水洗と乾燥を兼ねた槽１０．治具４からキャ
リヤー２に戻すアンローダ一部１１より構成されている
。先ず垂直に立てたウェハ１を搬送ロボット６の矢印り
方向の間欠動作及び矢印Ｅ方向の動作によりディソプエ
ソチング槽γに浸漬する。この時のエツチング条件は次
の通りである。液組成はＨＦ／Ｈ２ｏ＝１／１ｏ、液温
は２３±２°Ｃ２時間は酸化膜厚によって異なるが６〜
３０秒である。又エツチング液は絶えず循環ろ過する方
式をとシ、液中のダストを除去して品質を高めるように
している。エツチング終了後、エツチング槽下よりウェ
ハ１を引き上げ、水洗槽８，９で充分に水洗し、更に最
終水洗槽１ｏで処理した後、ウエノ）１を徐々に矢印Ｆ
方向に引き上げる時に、第３図に示すようにウェハ１の
左右両面より３００〜４６°の角度に傾けたノズル１２
ａ、１２ｂより加温した空気又は窒；ガスを吹きつけて
乾燥する０処理済みのウェハ１を次のアンローダ一部１
１で一枚ずつキャリヤーに収納する。
以上の連続処理によって高品質のディップエツチング処
理を行なうことができた。
理を行なうことができた。
上記実施例においてはディノプエノチングについて記述
したが、本方法は洗浄、エツチング、レジスト除去等の
ウェット処理全てに応用展開が可能である。
したが、本方法は洗浄、エツチング、レジスト除去等の
ウェット処理全てに応用展開が可能である。
発明の効果
以上、本発明によると以下の効果を有する。
（１）一枚ずつウェハの表裏両面を同時に処理すること
ができ、洗浄、エツチング等の品質の向上が可能である
。
ができ、洗浄、エツチング等の品質の向上が可能である
。
♀） 従来のキャリヤ一方式及びウェハを水平にベルト
搬送する方式と比較して装置の設置スペースが狭くでき
る。
搬送する方式と比較して装置の設置スペースが狭くでき
る。
（３） ウェハ全面にわたって均一な処理が可能であ
りウェハの大口径化への対応が可能である。
りウェハの大口径化への対応が可能である。
第１図は本発明の一実施例におけるウェハを保持、する
治具およびキャリヤーの斜視図、第２図はウェハの処理
装置の斜視図、第３図はウェハの乾燥装置の部分断面図
である。 ２・・・・・・キャリヤー、３・・・・・・グツシャー
、４ａ。 ４ｂ・・・・・・治具、了・・・・・・ディッグエソチ
ング槽、８・・・・・・水洗槽。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ＩＡ 第 ２ 図 第３図
治具およびキャリヤーの斜視図、第２図はウェハの処理
装置の斜視図、第３図はウェハの乾燥装置の部分断面図
である。 ２・・・・・・キャリヤー、３・・・・・・グツシャー
、４ａ。 ４ｂ・・・・・・治具、了・・・・・・ディッグエソチ
ング槽、８・・・・・・水洗槽。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ＩＡ 第 ２ 図 第３図
Claims (1)
- キャリヤー内に収納されたウェハを一枚ずつプッシャ
ーにより突き上げて押し出す工程と、押し出されたウェ
ハを治具に挿入して保持する工程と、垂直に立てた状態
でウェハを洗浄、エッチング、水洗等の各処理槽で処理
する工程と、最終の処理槽からウェハを垂直に引き上げ
る時にウェハの左右から高圧エアーあるいは窒素ガスで
乾燥させる工程を有したウェハの処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24285284A JPS61121337A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | ウエハの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24285284A JPS61121337A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | ウエハの処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61121337A true JPS61121337A (ja) | 1986-06-09 |
Family
ID=17095232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24285284A Pending JPS61121337A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | ウエハの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61121337A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6419724A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-23 | Hitachi Ltd | Wet treatment equipment |
| JPS6419726A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-23 | Hitachi Ltd | Wet treater |
| JPH0513343U (ja) * | 1991-08-05 | 1993-02-23 | 東京電気株式会社 | 電気掃除機の集塵フイルター |
| US5328514A (en) * | 1990-12-21 | 1994-07-12 | Osaka Gas Company Limited | Device for forming film by photo-chemical vapor deposition |
| WO1998036443A1 (de) * | 1997-02-17 | 1998-08-20 | Steag Microtech Gmbh | Vorrichtung und verfahren zum behandeln von substraten in einem fluid-behälter |
-
1984
- 1984-11-16 JP JP24285284A patent/JPS61121337A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6419724A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-23 | Hitachi Ltd | Wet treatment equipment |
| JPS6419726A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-23 | Hitachi Ltd | Wet treater |
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| JPH0513343U (ja) * | 1991-08-05 | 1993-02-23 | 東京電気株式会社 | 電気掃除機の集塵フイルター |
| JP2562742Y2 (ja) * | 1991-08-05 | 1998-02-16 | 株式会社テック | 電気掃除機の集塵フィルター |
| WO1998036443A1 (de) * | 1997-02-17 | 1998-08-20 | Steag Microtech Gmbh | Vorrichtung und verfahren zum behandeln von substraten in einem fluid-behälter |
| KR100375866B1 (ko) * | 1997-02-17 | 2003-03-10 | 매트슨 웨트 프로덕츠 게엠베하 | 유체 컨테이너에서 기판을 처리하기 위한 방법 및 장치 |
| US6647641B1 (en) | 1997-02-17 | 2003-11-18 | Steag Microtech Gmbh | Device and method for the treatment of substrates in a fluid container |
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