JPH02205024A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH02205024A JPH02205024A JP2489489A JP2489489A JPH02205024A JP H02205024 A JPH02205024 A JP H02205024A JP 2489489 A JP2489489 A JP 2489489A JP 2489489 A JP2489489 A JP 2489489A JP H02205024 A JPH02205024 A JP H02205024A
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造装置に関し、特に液体を用い
て半導体ウェーハを加工または処理するウェット処理装
置に関する。
て半導体ウェーハを加工または処理するウェット処理装
置に関する。
半導体ウェーハ（以下単にウェーハという）をエツチン
グしたり洗浄したりするウェット処理装置は、一般に複
数の槽から構成されており、ウェーハの装填されたキャ
リアを順次それらの槽に浸漬し処理を行なう。ウェーハ
の搬送は、従来人手によって行なわれていたが、近年自
動化が進み、機械搬送が主となっている。そして搬送時
にキャリアを保持するために、主にロボットアームまた
はバスケット方式が用いられている。
グしたり洗浄したりするウェット処理装置は、一般に複
数の槽から構成されており、ウェーハの装填されたキャ
リアを順次それらの槽に浸漬し処理を行なう。ウェーハ
の搬送は、従来人手によって行なわれていたが、近年自
動化が進み、機械搬送が主となっている。そして搬送時
にキャリアを保持するために、主にロボットアームまた
はバスケット方式が用いられている。
第４図は、従来のウェット処理装置の一例の断面図であ
り、薬液槽と洗浄槽を示している。
り、薬液槽と洗浄槽を示している。
ウェーハ３の装填されたキャリア２は、搬送アーム１に
より保持され、薬液槽４に一定時間浸漬された後、洗浄
槽６に搬送される。薬液処理槽４゜の薬液としては、代
表的なものに、洗浄であれば、過酸化水素水とアンモニ
ア水、または硫酸等の酸との混合液が用いられ、エツチ
ングであれば、各種濃度の弗酸等の溶液が用いられる。
より保持され、薬液槽４に一定時間浸漬された後、洗浄
槽６に搬送される。薬液処理槽４゜の薬液としては、代
表的なものに、洗浄であれば、過酸化水素水とアンモニ
ア水、または硫酸等の酸との混合液が用いられ、エツチ
ングであれば、各種濃度の弗酸等の溶液が用いられる。
洗浄槽６は薬液を純水で置換するための槽であり、純水
が導入口８から送水され、排水口９より排水される。多
くのウェット処理装置はこれらの組み合せであり、薬液
槽４が複数になったり、洗浄槽６が複数になったりする
。そして最後に乾燥装置が付帯する。
が導入口８から送水され、排水口９より排水される。多
くのウェット処理装置はこれらの組み合せであり、薬液
槽４が複数になったり、洗浄槽６が複数になったりする
。そして最後に乾燥装置が付帯する。
第５図は上述したウェット処理装置におけるキャリアの
搬送経路を示す概念図であり、矢印２０で示す軌跡でキ
ャリアは搬送される。
搬送経路を示す概念図であり、矢印２０で示す軌跡でキ
ャリアは搬送される。
上述した従来のウェット処理装置は、機械搬送によって
キャリアを搬送するためと、液体槽から液体種間の搬送
のため、急速な移動ができない。
キャリアを搬送するためと、液体槽から液体種間の搬送
のため、急速な移動ができない。
そのため、結果的に人手による搬送の数倍の時間を必要
とする。従って搬送の間ウェーハ表面が大気にさらされ
る時間が長くなり乾燥するため、ウェーハ表面に処理液
のじみが生じ、その部分の半導体素子を不良にしてしま
う。特にウェーハの材料となるシリコンは疎水性が強い
ため、簡単にじみを生じやすい。
とする。従って搬送の間ウェーハ表面が大気にさらされ
る時間が長くなり乾燥するため、ウェーハ表面に処理液
のじみが生じ、その部分の半導体素子を不良にしてしま
う。特にウェーハの材料となるシリコンは疎水性が強い
ため、簡単にじみを生じやすい。
また、エツチングにおいては、薬液槽からキャリアを引
き上げた時点においても、ウェーハ表面に付着したエツ
チング液によりエツチングが進行するため、ウェーハ面
内でのエツチングのむらが生じる。このため半導体装置
の歩留り及び信頼性が低下するという欠点がある。
き上げた時点においても、ウェーハ表面に付着したエツ
チング液によりエツチングが進行するため、ウェーハ面
内でのエツチングのむらが生じる。このため半導体装置
の歩留り及び信頼性が低下するという欠点がある。
本発明の半導体装置の製造装置は、半導体ウェーハを処
理する薬液槽と、洗浄槽と、少くとも前記薬液槽と洗浄
槽間に搬送される半導体ウェーハに純水を吹付けるため
の手段とを含ん□で構成される。
理する薬液槽と、洗浄槽と、少くとも前記薬液槽と洗浄
槽間に搬送される半導体ウェーハに純水を吹付けるため
の手段とを含ん□で構成される。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
ウェーハを処理するための薬液槽４と洗浄槽６にはそれ
ぞれ薬液５および純水７が入っており、ウェーハ３を入
れたキャリア２の搬送ア゛−ム１には純水配管１１に接
続されたノズル１０が設けられている。洗浄槽６中の純
水□７は、洗浄効・率を高めるため導入口８から送氷さ
れ、排水口９がら排水される。ウェーハ３の装填された
キャリア２は搬送アーム１により保持され、薬液槽４に
一定時間浸漬される。その後、引き上げられ、薬液槽４
の上Ｍ１２が閉じ、同時にノズル１０から純水が吹き出
す。その状態のままキャリア２は洗浄槽６の中に搬送さ
れ、一定時間浸漬される。
ぞれ薬液５および純水７が入っており、ウェーハ３を入
れたキャリア２の搬送ア゛−ム１には純水配管１１に接
続されたノズル１０が設けられている。洗浄槽６中の純
水□７は、洗浄効・率を高めるため導入口８から送氷さ
れ、排水口９がら排水される。ウェーハ３の装填された
キャリア２は搬送アーム１により保持され、薬液槽４に
一定時間浸漬される。その後、引き上げられ、薬液槽４
の上Ｍ１２が閉じ、同時にノズル１０から純水が吹き出
す。その状態のままキャリア２は洗浄槽６の中に搬送さ
れ、一定時間浸漬される。
このように第１の実施例によれば、薬液槽４から引き上
げられたウェーハ３は、直ちに純水が吹きつけられて洗
浄槽６に浸漬されるため、薬液によるエツチングむらや
乾燥によるじみの発生はなくなる。
げられたウェーハ３は、直ちに純水が吹きつけられて洗
浄槽６に浸漬されるため、薬液によるエツチングむらや
乾燥によるじみの発生はなくなる。
第２図は本発明の第２の実施例の構成図であり、薬液槽
４と２つの洗浄槽６Ａ、６Ｂ及び遠心乾燥機１３とから
構成されている場合を示す。
４と２つの洗浄槽６Ａ、６Ｂ及び遠心乾燥機１３とから
構成されている場合を示す。
ウェーへの入ったキャリア２は薬液槽４から遠心乾燥機
１３の方向に処理、搬送される。ノズル１０からの純水
吹付けは、矢印２ＯＡで示した純水吹出搬送経路で示さ
れる搬送過程において行なわれ、矢印２０Ｂで示される
経路では行なわれない。
１３の方向に処理、搬送される。ノズル１０からの純水
吹付けは、矢印２ＯＡで示した純水吹出搬送経路で示さ
れる搬送過程において行なわれ、矢印２０Ｂで示される
経路では行なわれない。
この第″２の実施例においては、遠心乾燥機に入る迄ウ
ェーハに純水が吹付けられるため、純水等によるじみの
発生は更に少くなる。
ェーハに純水が吹付けられるため、純水等によるじみの
発生は更に少くなる。
ノズル１０からの純水の吹出は、ウェーハ３表面の乾燥
防止が主目的なため霧状に近い方が効果が大きい。但し
、弗酸によるエツチング、用のウェット処理装置等では
、薬液槽から引き上げた時点でウェーハ表面に付着して
いる弗酸を早く純水で置換し、ウェーハ面内のエツチン
グむらを少なくする必要があるため、シャワー状の純水
吹出の・方が効果がある。
防止が主目的なため霧状に近い方が効果が大きい。但し
、弗酸によるエツチング、用のウェット処理装置等では
、薬液槽から引き上げた時点でウェーハ表面に付着して
いる弗酸を早く純水で置換し、ウェーハ面内のエツチン
グむらを少なくする必要があるため、シャワー状の純水
吹出の・方が効果がある。
なおノズルＩＯＡは第３図に示すように、□搬送アーム
１と分離し、多槽の上方に固定・しておいてもよい。こ
の場合は純水配管と、搬送アームを接続する必要がない
ため、特に大型のウェット処理装置のように搬送長が長
い場合に構造が簡易化できる。
１と分離し、多槽の上方に固定・しておいてもよい。こ
の場合は純水配管と、搬送アームを接続する必要がない
ため、特に大型のウェット処理装置のように搬送長が長
い場合に構造が簡易化できる。
以上説明したように本発明は、少くとも薬液槽と洗浄槽
間に搬送される半導体ウェーハに純水を吹きつけ゛る手
段を設けることにより、ウェーハ表面の乾燥を防ぎ、じ
みの発生を防止できる効果がある。また、ウェーハ表面
の薬液をより□早く純水で置換できるという効果もある
・。このため半導体＝５ 一 装置の歩留り及び信頼性を向上させることができる。
間に搬送される半導体ウェーハに純水を吹きつけ゛る手
段を設けることにより、ウェーハ表面の乾燥を防ぎ、じ
みの発生を防止できる効果がある。また、ウェーハ表面
の薬液をより□早く純水で置換できるという効果もある
・。このため半導体＝５ 一 装置の歩留り及び信頼性を向上させることができる。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は本発
明の第２の実施例の構成図、第３図は本発明の実施例に
用いられるノズルの他の位置を説明するための図、第４
図及び第５図は従来例を説明するたの薬液槽と洗浄槽の
断面図である。 １・・・搬送アーム、２・・・キャリア、３・・・ウェ
ーハ、４・・・薬液槽、５・・・薬液、６，６Ａ、６Ｂ
・・・洗浄槽、７・・・純水、８・・・導入口、９・・
・排水口、１０、ＩＯＡ・・・ノズル、１１・・・純水
配管、１２・・・上蓋、１３・・・遠心乾燥機。
明の第２の実施例の構成図、第３図は本発明の実施例に
用いられるノズルの他の位置を説明するための図、第４
図及び第５図は従来例を説明するたの薬液槽と洗浄槽の
断面図である。 １・・・搬送アーム、２・・・キャリア、３・・・ウェ
ーハ、４・・・薬液槽、５・・・薬液、６，６Ａ、６Ｂ
・・・洗浄槽、７・・・純水、８・・・導入口、９・・
・排水口、１０、ＩＯＡ・・・ノズル、１１・・・純水
配管、１２・・・上蓋、１３・・・遠心乾燥機。
Claims (1)
- 半導体ウェーハを処理する薬液槽と、洗浄槽と、少くと
も前記薬液槽と洗浄槽間に搬送される半導体ウェーハに
純水を吹付けるための手段とを含むことを特徴とする半
導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2489489A JPH02205024A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2489489A JPH02205024A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02205024A true JPH02205024A (ja) | 1990-08-14 |
Family
ID=12150893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2489489A Pending JPH02205024A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02205024A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0320030A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Matsushita Electron Corp | ウェハ洗浄方法 |
| DE4332857A1 (de) * | 1992-09-25 | 1994-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterreinigungsvorrichtung |
| JP2017011212A (ja) * | 2015-06-25 | 2017-01-12 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法及びその装置 |
-
1989
- 1989-02-02 JP JP2489489A patent/JPH02205024A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0320030A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Matsushita Electron Corp | ウェハ洗浄方法 |
| DE4332857A1 (de) * | 1992-09-25 | 1994-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterreinigungsvorrichtung |
| DE4332857C2 (de) * | 1992-09-25 | 1999-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterreinigungsvorrichtung |
| JP2017011212A (ja) * | 2015-06-25 | 2017-01-12 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法及びその装置 |
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