JP3194592B2 - 枚葉式ウェハー洗浄装置 - Google Patents

枚葉式ウェハー洗浄装置

Info

Publication number
JP3194592B2
JP3194592B2 JP08185991A JP8185991A JP3194592B2 JP 3194592 B2 JP3194592 B2 JP 3194592B2 JP 08185991 A JP08185991 A JP 08185991A JP 8185991 A JP8185991 A JP 8185991A JP 3194592 B2 JP3194592 B2 JP 3194592B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
chemical
cleaning
applying
cleaned
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP08185991A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04293236A (ja
Inventor
啓二 篠原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP08185991A priority Critical patent/JP3194592B2/ja
Publication of JPH04293236A publication Critical patent/JPH04293236A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3194592B2 publication Critical patent/JP3194592B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、枚葉式ウェハー洗浄
装置に関する。さらに詳しくは、この発明は、ウェハー
を1枚ずつ洗浄処理するにあたり、スループットを向上
させた枚葉式ウェハー洗浄装置に関する。
【0002】
【従来の技術】VLSIの微細化と共にウェハーの大口
径化が進行しており、ウェハーの口径は現在主流の6''
φから8''φへと推移しつつある。このようなウェハー
の大口径化に伴い、VLSIの製造工程の個々のプロセ
スにおいては、複数枚のウェハーを一度に処理するバッ
チ式から1枚ずつ処理する枚葉式が主流になってきてい
る。ウェハーの洗浄工程においても、従来はバッチ式に
よりなされていたが、1枚ずつ洗浄処理する枚葉式とす
ることによりウェハー間のクロスコンタミネーションを
防止でき、プロセスのクリーン化を向上させることがで
きるので、バッチ式から枚葉式へ切り替える試みがなさ
れている。
【0003】ところでウェハーの洗浄工程には、一般
に、ウェハー表面に付着している有機物その他の汚染物
質を除去するために、硫酸、硝酸、フッ酸、塩酸、過酸
化水素、アンモニア等の薬液中にウェハーを浸漬する薬
液処理と、その後ウェハー表面に付着している水溶性の
薬品等を除去するためにウェハーを純水の流れの中にお
き、次いで乾燥させる洗浄処理が含まれている。
【0004】このため、従来のバッチ式のウェハー洗浄
装置は、通常、一度に複数枚のウェハーを薬液に浸漬
し、その位置で所定の薬液処理時間が経過するまでウェ
ハーを保持する薬液処理部と、薬液処理した複数枚のウ
ェハーを同時に純水で洗浄し、乾燥する洗浄処理部と、
このような薬液処理部から洗浄処理部へウェハーを搬送
する搬送手段を有するものとなっていた。そして、この
ような従来の洗浄装置でウェハーを枚葉に洗浄する場合
には、第1のウェハーを薬液処理部で薬液中に浸漬し、
その位置で薬液処理時間が経過するまで保持し、次い
で、洗浄処理部へ搬送して洗浄処理をすると共に第2の
ウェハーを薬液処理部に搬入して薬液処理を開始すると
いう工程が繰り返されていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような枚葉式のウェハーの洗浄では、第1のウェハーが
薬液処理部で薬液中に浸漬、保持されている薬液処理時
間中は、第2のウェハーに対して薬液処理を始めること
ができない。そのため、枚葉式のウェハーの洗浄におい
ては、バッチ式の洗浄を行う場合に比べて著しくスルー
プットが低下することが問題となっていた。たとえば、
1度に25枚のウェハーをバッチ式により洗浄する場合
に薬液処理時間として10分間かけていたときのスルー
プットに対し、同じ25枚のウェハーを枚葉式で洗浄す
る場合に同様の薬液処理時間をかけるときには、その2
5枚の洗浄処理に250分をも要することとなり、極端
なスループットの低下が生じる。ここでスループットを
向上させるためには1枚当たりの薬液処理時間を短くす
ることが考えられるが、1枚当たりの薬液処理時間を僅
か1分としても、25枚の洗浄処理をするには25分か
かることとなる。このため、薬液処理時間の短縮化では
スループットの低下を十分に阻止することはできない。
また、薬液処理時間を短縮化すると洗浄効果が低減する
という新たな問題も生じる。
【0006】この発明は以上のような従来技術の課題を
解決しようとするものであり、ウェハー等の被洗浄処理
を1枚ずつ枚葉式に洗浄しても、スループットを向上
させることのできる枚葉式被洗浄処理材洗浄装置、特に
枚葉式ウェハー洗浄装置を提供することを目的としてい
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明は、被洗浄処理材(特に、ウェハー面に
枚葉で薬液を適用する薬液処理部と、薬液を適用した
洗浄処理材(特に、ウェハーを洗浄処理する洗浄処理
部を含んでなる枚葉式被洗浄処理材(特に、ウェハー
洗浄装置であって、該薬液処理部で第1の被洗浄処理材
(特に、ウェハーに薬液を適用した後、洗浄処理部に
搬送するまでの間に、少なくとも第2の被洗浄処理材
(特に、ウェハーにも薬液処理部で薬液を適用できる
ようにする被洗浄処理材(特に、ウェハー搬送手段を
し、且つ該薬液処理部が、表面張力で保持される量の
薬液を被洗浄処理材(特に、ウェハー)表面に適用する
薬液適用手段を有し、被洗浄処理材(特に、ウェハー)
搬送手段が、薬液を被洗浄処理材(特に、ウェハー)表
面に表面張力により保持した状態で被洗浄処理材(特
に、ウェハー)を搬送することを特徴とする枚葉式被洗
浄処理材(特に、ウェハー)洗浄装置を提供する。
【0008】この発明のウェハーの搬送手段は、第1の
ウェハーに薬液処理部で薬液を適用後、洗浄処理部で洗
浄処理するまでの間、その位置にウェハーを保持するこ
となく、ウェハーを他の場所に移動させて所定の薬液処
理時間を経過させるものであり、これにより第1のウェ
ハーを洗浄処理部に搬送するまでの間に、少なくとも第
2のウェハーも薬液処理部で薬液を適用できるようにす
るものである。このような搬送手段の態様としては、第
1のウェハーに薬液を適用後、第1のウェハーの薬液処
理時間が経過するのを待つことなく第2のウェハーにも
薬液を適用できるようするものであれば特に制限はな
く、たとえば、薬液処理を行う薬液処理室内に薬液を適
用したウェハーを複数保持することのできるステージを
別途設けたり、あるいは薬液処理部から洗浄処理部に至
るまでウェハーが薬液処理時間に応じた時間をかけて搬
送路上を移動するようにしたものとすることができる。
【0009】この発明において、薬液処理部でウェハー
に硫酸、硝酸等の薬液を適用する手段や洗浄処理部でウ
ェハーを洗浄する手段などは従来例と同様に構成するこ
とができるが、薬液の適用手段としては、表面張力で保
持される量の薬液をウェハー表面に適用し、かつその場
合のウェハーの搬送手段としては、薬液がウェハー表面
に表面張力により保持された状態でウェハーを搬送する
ものとすることが好ましい。これにより薬液処理部で使
用する薬液の量を著しく節減することが可能となる。こ
のような薬液の適用手段としては、たとえば、ディスペ
ンサーを適宜調整してウェハー表面に表面張力により保
持される量の薬液が滴下するように設定すればよい。
【0010】
【作用】この発明の枚葉式ウェハー洗浄装置において
は、ウェハーの搬送手段が、第1のウェハーに薬液処理
部で薬液を適用後、その位置にウェハーを保持すること
なく、他の場所に移動させるので、第1のウェハーが洗
浄処理部に搬送されるまでの間に、少なくとも第2のウ
ェハーにも薬液処理部で薬液を適用することが可能とな
り、ウェハー洗浄のスループットが向上する。
【0011】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面に基づいて詳
細に説明する。
【0012】図1は、この発明の枚葉式ウェハー洗浄装
置の概略説明図である。この洗浄装置は、ウェハー1を
枚葉毎に収納すると共にウェハー1の取り出し時にはウ
ェハーの収納位置を上下方向(図中、矢印方向)に動か
してウェハー1を所定の位置に載置するキャリア2、ゲ
ートバルブ3を介してウェハー1をキャリア2から薬液
処理部5へ搬送するアーム4、アーム4により搬入され
たウェハー1に発煙硝酸等の薬液5aを適用する薬液処
理部5、ゲートバルブ6を介して薬液処理したウェハー
1を洗浄処理部8へ搬送するアーム7、アーム7により
搬入されたウェハー1を純水の流水で洗浄し、その後ウ
ェハー1を回転させて乾燥する洗浄処理部8、洗浄処理
したウェハー1をゲートバルブ9を介して洗浄済ウェハ
ー収納用のキャリア11に搬送するアーム10、アーム
10により搬入されたウェハー1を収納するキャリア1
1からなっている。
【0013】この洗浄装置の薬液処理部5におけるウェ
ハーの搬送手段は、図2に示したように複数(例えば4
つ)のウェハーを同心円状に水平に載置し、図1中矢印
方向に回転する円形のステージ5bと、アーム4により
搬入されたウェハー1をステージ5bの所定の位置に載
置するプッシャー5cと薬液5aを適用された後ステー
ジ5bで所定の薬液処理時間が経過したウェハー1をス
テージ5bからアーム7により搬出できるようにするプ
ッシャー5dからなっている。
【0014】また、この薬液処理部5において、薬液5
aは、ディスペンサーによりウェハー1上に表面張力で
保持される量が滴下されるように設定されている。
【0015】この枚葉式ウェハー洗浄装置においては、
アーム4により薬液処理部5に搬入された第1のウェハ
ー1は、まずステージ5bの位置Aに載置され、次いで
その第1のウェハー1上に薬液5aが表面張力で保持さ
れる量滴下され、薬液がウェハー1上に残留した状態と
なる。その後、ステージ5bはウェハー1上の薬液5a
が保持されるような速度で図中矢印方向に1/4回転
し、第1のウェハー1は位置Bで載置されるようにな
る。このとき、第1のウェハー1が移動したあとの位置
Aには第2のウェハー1がアーム4により搬入され、同
様に薬液5aが表面張力で保持される量滴下される。以
下同様にしてステージ5bが1/4ずつ回転する。そし
て第1のウェハー1は、位置Dで載置された後、そこか
らアーム7により洗浄処理部8へ搬出される。従って第
1のウェハーは、図2の矢印で示したように移動する。
【0016】したがって、この例のようにステージ5b
が1分毎に1/4回転するようにすれば、薬液5aがウ
ェハー1上に保持される薬液処理時間は4分となる。ま
たこの場合、ウェハー1は薬液処理部5に1分毎に供給
されるので、薬液処理部5におけるスループットは60
枚/時間になる。従来例で薬液処理時間を4分とした場
合のスループットは15枚/時間であるから、この発明
によれば従来例の4倍にもスループットが向上すること
がわかる。
【0017】なお、上述の例においては、ステージ5b
として、4つのウェハー1を載置できるようにした円形
のステージを採用した場合について説明したが、この発
明の枚葉式ウェハー洗浄装置の態様としてはこれに限ら
れることなく、種々の形状のステージを用いることがで
き、また、そこに載置できるようにするウェハーの数に
も特に制限がないことはいうまでもない。
【0018】
【発明の効果】この発明の枚葉式ウェハー洗浄装置によ
れば、ウェハーを1枚ずつ枚葉式に洗浄するにあたり、
十分な薬液処理時間を確保しつつスループットを向上さ
せるが可能となる。特に、薬液をウェハー上に表面張力
で保持される量だけ適用することにより、薬液の使用量
も大巾に節減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1はこの発明の枚葉式ウェハー洗浄装置の概
略説明図である。
【図2】図2は図1の枚葉式ウェハー洗浄装置のステー
ジの平面図である。
【符号の説明】
1 ウェハー 5 薬液処理部 5a 薬液 5b ステージ 5c プッシャー 8 洗浄処理部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 641 H01L 21/304 648

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウェハー面に枚葉で薬液を適用する薬液
    処理部と、薬液を適用したウェハーを洗浄処理する洗浄
    処理部を含んでなる枚葉式ウェハー洗浄装置であって、
    該薬液処理部で第1のウェハーに薬液を適用した後、洗
    浄処理部に搬送するまでの間に、少なくとも第2のウェ
    ハーにも薬液処理部で薬液を適用できるようにするウェ
    ハー搬送手段を有し、且つ該薬液処理部が、表面張力で
    保持される量の薬液をウェハー表面に適用する薬液適用
    手段を有し、ウェハー搬送手段が、薬液が表面張力によ
    り保持された複数のウェハーを同一面上で保持した状態
    で搬送できるステージ又は搬送路を有することを特徴と
    する枚葉式ウェハー洗浄装置。
  2. 【請求項2】 被洗浄処理材面に枚葉で薬液を適用する
    薬液処理部と、薬液を適用した被洗浄処理材を洗浄処理
    する洗浄処理部を含んでなる枚葉式被洗浄処理材洗浄装
    置であって、該薬液処理部で第1の被洗浄処理材に薬液
    を適用した後、洗浄処理部に搬送するまでの間に、少な
    くとも第2の被洗浄処理材にも薬液処理部で薬液を適用
    できるようにする被洗浄処理材搬送手段を有し、且つ該
    薬液処理部が、表面張力で保持される量の薬液を被洗浄
    処理材表面に適用する薬液適用手段を有し、被洗浄処理
    材搬送手段が、薬液が表面張力により保持された複数の
    被洗浄処理剤材を同一面上で保持した状態で搬送できる
    ステージ又は搬送路を有することを特徴とする枚葉式被
    洗浄処理材洗浄装置。
JP08185991A 1991-03-20 1991-03-20 枚葉式ウェハー洗浄装置 Expired - Fee Related JP3194592B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP08185991A JP3194592B2 (ja) 1991-03-20 1991-03-20 枚葉式ウェハー洗浄装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP08185991A JP3194592B2 (ja) 1991-03-20 1991-03-20 枚葉式ウェハー洗浄装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04293236A JPH04293236A (ja) 1992-10-16
JP3194592B2 true JP3194592B2 (ja) 2001-07-30

Family

ID=13758216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP08185991A Expired - Fee Related JP3194592B2 (ja) 1991-03-20 1991-03-20 枚葉式ウェハー洗浄装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3194592B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6672358B2 (en) 1998-11-06 2004-01-06 Canon Kabushiki Kaisha Sample processing system
TW484184B (en) 1998-11-06 2002-04-21 Canon Kk Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method
JP2000150836A (ja) * 1998-11-06 2000-05-30 Canon Inc 試料の処理システム
JP2002353423A (ja) 2001-05-25 2002-12-06 Canon Inc 板部材の分離装置及び処理方法
JP2002353081A (ja) 2001-05-25 2002-12-06 Canon Inc 板部材の分離装置及び分離方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04293236A (ja) 1992-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6711775B2 (en) System for cleaning a semiconductor wafer
JPH04305929A (ja) 洗浄装置および洗浄方法
JP3194592B2 (ja) 枚葉式ウェハー洗浄装置
JP3197304B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP3326994B2 (ja) 被処理材の液体処理装置、ウエハの液体処理装置、液体処理方法、並びに半導体装置の製造方法
JP2505263Y2 (ja) ウエハの表面処理装置のウエハ移送装置
JP2005051099A (ja) 基板の洗浄方法
JP3164739B2 (ja) 塗布膜形成方法及びその装置
JPH05166715A (ja) 処理装置
JPH08340035A (ja) 基板処理装置
JPH04142741A (ja) 半導体製造装置
JP3333664B2 (ja) 洗浄方法及び洗浄装置
JP3720612B2 (ja) 基板処理装置
JPH07183268A (ja) 半導体ウェハの洗浄装置
JPH0821566B2 (ja) 半導体ウエ−ハの洗浄方法
JP3197539B2 (ja) 基板の洗浄装置及び洗浄方法
JPH05166714A (ja) 処理装置
JP2004146447A (ja) 基板の処理装置及び処理方法
JPH02205024A (ja) 半導体装置の製造装置
JP3141006B2 (ja) 被処理体の洗浄方法
JP2001244229A (ja) 基板の処理装置
TWM647657U (zh) 晶圓濕式處理與清洗系統
JP2000109999A (ja) 基板メッキ装置
JP2001053044A (ja) 基板洗浄方法と基板洗浄装置
JP2024041501A (ja) 基板処理方法および基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090601

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees