JPH04305929A - 洗浄装置および洗浄方法 - Google Patents
洗浄装置および洗浄方法Info
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- JPH04305929A JPH04305929A JP3069808A JP6980891A JPH04305929A JP H04305929 A JPH04305929 A JP H04305929A JP 3069808 A JP3069808 A JP 3069808A JP 6980891 A JP6980891 A JP 6980891A JP H04305929 A JPH04305929 A JP H04305929A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S134/902—Semiconductor wafer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】［発明の目的］
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、洗浄装置に関する。
【０００３】
【従来の技術】従来から、被洗浄物例えば半導体ウエハ
を自動的に洗浄する洗浄装置として、材質例えばテフロ
ン等から構成されたウエハキャリア内に複数枚（例えば
２５枚）収容された半導体ウエハを、ウエハキャリアご
と搬送し、洗浄液槽およびリンス液槽等に順次浸漬して
洗浄するよう構成された洗浄装置が知られている。
を自動的に洗浄する洗浄装置として、材質例えばテフロ
ン等から構成されたウエハキャリア内に複数枚（例えば
２５枚）収容された半導体ウエハを、ウエハキャリアご
と搬送し、洗浄液槽およびリンス液槽等に順次浸漬して
洗浄するよう構成された洗浄装置が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年半
導体デバイスは高集積化される傾向にあり、その回路パ
ターンは益々微細化されつつある。ところが、上述した
従来の洗浄装置では、半導体ウエハとともにウエハキャ
リアを洗浄液槽等に浸漬するので、ウエハキャリアによ
る洗浄液等の汚染、例えばウエハキャリアを構成するテ
フロンからの汚染の溶出等が問題となり、より完全に半
導体ウエハ等の洗浄を実施することのできる洗浄装置の
開発が望まれていた。
導体デバイスは高集積化される傾向にあり、その回路パ
ターンは益々微細化されつつある。ところが、上述した
従来の洗浄装置では、半導体ウエハとともにウエハキャ
リアを洗浄液槽等に浸漬するので、ウエハキャリアによ
る洗浄液等の汚染、例えばウエハキャリアを構成するテ
フロンからの汚染の溶出等が問題となり、より完全に半
導体ウエハ等の洗浄を実施することのできる洗浄装置の
開発が望まれていた。
【０００５】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、従来に較べて良好な洗浄処理を実施する
ことのできる洗浄装置を提供しようとするものである。
されたもので、従来に較べて良好な洗浄処理を実施する
ことのできる洗浄装置を提供しようとするものである。
【０００６】［発明の構成］
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の洗浄
装置は、被洗浄物を洗浄するための複数の洗浄処理槽と
、前記洗浄処理槽毎に設けられ、前記被洗浄物を支持し
て洗浄を実施する洗浄用支持手段と、前記被洗浄物を支
持し、搬送して前記洗浄用支持手段にロード・アンロー
ドする搬送用支持手段と、前記搬送用支持手段を洗浄お
よび乾燥する洗浄・乾燥手段とを具備したことを特徴と
する。
装置は、被洗浄物を洗浄するための複数の洗浄処理槽と
、前記洗浄処理槽毎に設けられ、前記被洗浄物を支持し
て洗浄を実施する洗浄用支持手段と、前記被洗浄物を支
持し、搬送して前記洗浄用支持手段にロード・アンロー
ドする搬送用支持手段と、前記搬送用支持手段を洗浄お
よび乾燥する洗浄・乾燥手段とを具備したことを特徴と
する。
【０００８】
【作 用】上記構成の本発明の洗浄装置では、被洗浄
物を支持して洗浄を実施する洗浄用支持手段が洗浄処理
槽毎に設けられており、搬送用支持手段によってこれら
の洗浄用支持手段に被洗浄物をロード・アンロードして
被洗浄物の洗浄処理を実施するので、ウエハキャリア等
を用いずに、半導体ウエハ等の被洗浄物を洗浄すること
ができる。
物を支持して洗浄を実施する洗浄用支持手段が洗浄処理
槽毎に設けられており、搬送用支持手段によってこれら
の洗浄用支持手段に被洗浄物をロード・アンロードして
被洗浄物の洗浄処理を実施するので、ウエハキャリア等
を用いずに、半導体ウエハ等の被洗浄物を洗浄すること
ができる。
【０００９】また、搬送用支持手段は、洗浄液等によっ
て濡れた半導体ウエハ等の被洗浄物を支持するため、洗
浄液等が付着するが、この搬送用支持手段を洗浄および
乾燥する洗浄・乾燥手段を具備しているので、例えば洗
浄および乾燥後の半導体ウエハ等が洗浄液等の付着した
搬送用支持手段によって汚染されることを防止すること
ができる。
て濡れた半導体ウエハ等の被洗浄物を支持するため、洗
浄液等が付着するが、この搬送用支持手段を洗浄および
乾燥する洗浄・乾燥手段を具備しているので、例えば洗
浄および乾燥後の半導体ウエハ等が洗浄液等の付着した
搬送用支持手段によって汚染されることを防止すること
ができる。
【００１０】したがって、従来に較べて良好な洗浄処理
を実施することができる。
を実施することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を半導体ウエハの洗浄処理を行
う洗浄装置に適用した一実施例を図面を参照して説明す
る。
う洗浄装置に適用した一実施例を図面を参照して説明す
る。
【００１２】図１に示すように、本実施例の洗浄装置１
は、直線上に配列された３ つの洗浄処理ユニット２、
３、４を組み合わせて構成されており、搬入側の洗浄処
理ユニット２にはローダ５が、搬出側の洗浄処理ユニッ
ト４にはアンローダ６がそれぞれ設けられている。また
、洗浄処理ユニット２と洗浄処理ユニット３との間、お
よび洗浄処理ユニット３と洗浄処理ユニット４との間に
は、これらのいずれかのユニットに含まれる水中ローダ
７、８が設けられている。
は、直線上に配列された３ つの洗浄処理ユニット２、
３、４を組み合わせて構成されており、搬入側の洗浄処
理ユニット２にはローダ５が、搬出側の洗浄処理ユニッ
ト４にはアンローダ６がそれぞれ設けられている。また
、洗浄処理ユニット２と洗浄処理ユニット３との間、お
よび洗浄処理ユニット３と洗浄処理ユニット４との間に
は、これらのいずれかのユニットに含まれる水中ローダ
７、８が設けられている。
【００１３】搬入側の洗浄処理ユニット２には、中心位
置に被洗浄物（半導体ウエハ）を搬送するための回転搬
送アーム９が設けられており、回転搬送アーム９の周囲
（図中上側と右側）には、洗浄処理槽１０、１１が設け
られている。本実施例では、洗浄処理槽１１はアンモニ
ア処理を行う薬品処理槽として用いられ、洗浄処理槽１
０は水洗処理を行うクイック・ダンプ・リンス（ＱＤＲ
）処理槽として用いられる。
置に被洗浄物（半導体ウエハ）を搬送するための回転搬
送アーム９が設けられており、回転搬送アーム９の周囲
（図中上側と右側）には、洗浄処理槽１０、１１が設け
られている。本実施例では、洗浄処理槽１１はアンモニ
ア処理を行う薬品処理槽として用いられ、洗浄処理槽１
０は水洗処理を行うクイック・ダンプ・リンス（ＱＤＲ
）処理槽として用いられる。
【００１４】中央の洗浄処理ユニット３には、中心位置
に回転搬送アーム１２が設けられており、回転搬送アー
ム１２の周囲（図中右側と左側）には、洗浄処理槽１３
、１４が設けられている。本実施例では、洗浄処理槽１
３はフッ酸処理を行う薬品処理槽として用いられ、洗浄
処理槽１４は水洗オーバーフロー処理槽として用いられ
る。
に回転搬送アーム１２が設けられており、回転搬送アー
ム１２の周囲（図中右側と左側）には、洗浄処理槽１３
、１４が設けられている。本実施例では、洗浄処理槽１
３はフッ酸処理を行う薬品処理槽として用いられ、洗浄
処理槽１４は水洗オーバーフロー処理槽として用いられ
る。
【００１５】搬出側の洗浄処理ユニット４には、中心位
置に回転搬送アーム１５が設けられており、回転搬送ア
ーム１５の周囲には、図中右側に回転搬送アーム１５の
洗浄・乾燥を行う洗浄・乾燥機構１６、図中下側にイソ
プロピルアルコールによる乾燥処理（ＩＰＡ乾燥）を行
うための乾燥処理槽１７が設けられている。
置に回転搬送アーム１５が設けられており、回転搬送ア
ーム１５の周囲には、図中右側に回転搬送アーム１５の
洗浄・乾燥を行う洗浄・乾燥機構１６、図中下側にイソ
プロピルアルコールによる乾燥処理（ＩＰＡ乾燥）を行
うための乾燥処理槽１７が設けられている。
【００１６】上記水中ローダ７、８、洗浄処理槽１０、
１１、１３、１４および乾燥処理槽１７は、それぞれ図
２に示すように、ケース２０に収容されている。このケ
ース２０には、搬入・搬出用の開口部２１が設けられて
おり、開口部２１には図示しないシャッタ機構が設けら
れている。また、これらの水中ローダ７、８、洗浄処理
槽１０、１１、１３、１４および乾燥処理槽１７には、
それぞれ各槽専用のウエハ支持機構として、例えば石英
等から構成されたウエハボート２２が設けられている。 このウエハボート２２は、図３に示すように、駆動機構
に接続されたアーム２３に接続されており、上下動可能
に構成されている。また、図４〜図６に示すように、ウ
エハボート２２は、半導体ウエハ２４を所定位置に支持
するウエハ載置溝２５を形成された３ 本の平行するウ
エハ支持棒２６を有し、このウエハ支持棒２６上に複数
例えば５０枚の半導体ウエハ２４を互いにほぼ平行する
如く支持するよう構成されている。
１１、１３、１４および乾燥処理槽１７は、それぞれ図
２に示すように、ケース２０に収容されている。このケ
ース２０には、搬入・搬出用の開口部２１が設けられて
おり、開口部２１には図示しないシャッタ機構が設けら
れている。また、これらの水中ローダ７、８、洗浄処理
槽１０、１１、１３、１４および乾燥処理槽１７には、
それぞれ各槽専用のウエハ支持機構として、例えば石英
等から構成されたウエハボート２２が設けられている。 このウエハボート２２は、図３に示すように、駆動機構
に接続されたアーム２３に接続されており、上下動可能
に構成されている。また、図４〜図６に示すように、ウ
エハボート２２は、半導体ウエハ２４を所定位置に支持
するウエハ載置溝２５を形成された３ 本の平行するウ
エハ支持棒２６を有し、このウエハ支持棒２６上に複数
例えば５０枚の半導体ウエハ２４を互いにほぼ平行する
如く支持するよう構成されている。
【００１７】また、回転搬送アーム９は図７に示すよう
に、水平回転および伸縮可能な多関節アーム３０の先端
に、半導体ウエハ載置用のウエハフォーク３１を有し、
このウエハフォーク３１上にウエハキャリアなしで複数
枚、例えば５０枚の半導体ウエハ２４を載置可能に構成
されている。すなわち、このウエハフォーク３１は、図
８〜図１０に示すように、半導体ウエハ２４を所定位置
に支持するウエハ載置溝３２を形成された２ 本の平行
するウエハ支持棒３３を有し、このウエハ支持棒３３上
に５０枚の半導体ウエハ２４を互いにほぼ平行する如く
支持するよう構成されている。なお、ウエハ支持棒３３
の下側は、水切りが良いように傾斜面を形成する如く下
方に向かって凸状に形成されている。また、回転搬送ア
ーム１２、１５も上記回転搬送アーム９と同様に構成さ
れている。
に、水平回転および伸縮可能な多関節アーム３０の先端
に、半導体ウエハ載置用のウエハフォーク３１を有し、
このウエハフォーク３１上にウエハキャリアなしで複数
枚、例えば５０枚の半導体ウエハ２４を載置可能に構成
されている。すなわち、このウエハフォーク３１は、図
８〜図１０に示すように、半導体ウエハ２４を所定位置
に支持するウエハ載置溝３２を形成された２ 本の平行
するウエハ支持棒３３を有し、このウエハ支持棒３３上
に５０枚の半導体ウエハ２４を互いにほぼ平行する如く
支持するよう構成されている。なお、ウエハ支持棒３３
の下側は、水切りが良いように傾斜面を形成する如く下
方に向かって凸状に形成されている。また、回転搬送ア
ーム１２、１５も上記回転搬送アーム９と同様に構成さ
れている。
【００１８】このように構成された回転搬送アーム９に
よって５０枚の半導体ウエハ２４を支持して搬送し、搬
入・搬出用の開口部２１からケース２０内のウエハボー
ト２２上に位置させ、この後、ウエハボート２２を上昇
させて回転搬送アーム９（ウエハフォーク３１）からウ
エハボート２２に半導体ウエハ２４を受け渡すよう構成
されている。そして、回転搬送アーム９を後退させ、ウ
エハボート２２を下降させて各槽内に半導体ウエハ２４
を浸漬するよう構成されている。なお、半導体ウエハ２
４をウエハボート２２から回転搬送アーム９（ウエハフ
ォーク３１）に移載する際は、上記手順と逆の手順によ
る。
よって５０枚の半導体ウエハ２４を支持して搬送し、搬
入・搬出用の開口部２１からケース２０内のウエハボー
ト２２上に位置させ、この後、ウエハボート２２を上昇
させて回転搬送アーム９（ウエハフォーク３１）からウ
エハボート２２に半導体ウエハ２４を受け渡すよう構成
されている。そして、回転搬送アーム９を後退させ、ウ
エハボート２２を下降させて各槽内に半導体ウエハ２４
を浸漬するよう構成されている。なお、半導体ウエハ２
４をウエハボート２２から回転搬送アーム９（ウエハフ
ォーク３１）に移載する際は、上記手順と逆の手順によ
る。
【００１９】さらに、洗浄・乾燥機構１６は、図１１に
示すように、回転搬送アーム１５のウエハフォーク３１
の２ 本のウエハ支持棒３３に沿って設けられた２ 本
の棒状の洗浄・乾燥ノズル４０と、反射板４１を備えた
ＩＲヒータ４２およびウエハ支持棒３３の下側に設けら
れた反射板４３等から構成されている。この反射板４３
は、例えばＳｉＯ２ 上にタンタルコーティングを施し
た板状部材から構成されており、ＩＲヒータ４２からの
赤外線を効率よく反射して、ウエハ支持棒３３の下面を
加熱するためのものである。なお、図中に示す洗浄ノズ
ル４０とウエハ支持棒３３との距離Ａは例えば１５ｍｍ
、ＩＲヒータ４２ウエハ支持棒３３との距離Ｂは例えば
５０ｍｍに設定されている。
示すように、回転搬送アーム１５のウエハフォーク３１
の２ 本のウエハ支持棒３３に沿って設けられた２ 本
の棒状の洗浄・乾燥ノズル４０と、反射板４１を備えた
ＩＲヒータ４２およびウエハ支持棒３３の下側に設けら
れた反射板４３等から構成されている。この反射板４３
は、例えばＳｉＯ２ 上にタンタルコーティングを施し
た板状部材から構成されており、ＩＲヒータ４２からの
赤外線を効率よく反射して、ウエハ支持棒３３の下面を
加熱するためのものである。なお、図中に示す洗浄ノズ
ル４０とウエハ支持棒３３との距離Ａは例えば１５ｍｍ
、ＩＲヒータ４２ウエハ支持棒３３との距離Ｂは例えば
５０ｍｍに設定されている。
【００２０】そして、洗浄・乾燥ノズル４０を左右に移
動や上下動させながら、ウエハ支持棒３３に向かって洗
浄液例えば純水を流量例えば１０リットル／分で噴出さ
せ洗浄した後、この洗浄・乾燥ノズル４０から例えば１
００ ℃程度に加熱したドライエアーあるいは窒素ガス
等を噴出させるとともに、ＩＲヒータ４２によって加熱
し、ウエハフォーク３１を洗浄、乾燥するよう構成され
ている。なお、洗浄ノズルと乾燥ノズルを別々に設けて
もよい。洗浄・乾燥ノズル４０を左右に移動させる代わ
りにウエハフォーク３１を左右に移動させてもよい。
動や上下動させながら、ウエハ支持棒３３に向かって洗
浄液例えば純水を流量例えば１０リットル／分で噴出さ
せ洗浄した後、この洗浄・乾燥ノズル４０から例えば１
００ ℃程度に加熱したドライエアーあるいは窒素ガス
等を噴出させるとともに、ＩＲヒータ４２によって加熱
し、ウエハフォーク３１を洗浄、乾燥するよう構成され
ている。なお、洗浄ノズルと乾燥ノズルを別々に設けて
もよい。洗浄・乾燥ノズル４０を左右に移動させる代わ
りにウエハフォーク３１を左右に移動させてもよい。
【００２１】上記構成のこの実施例の洗浄装置１では、
ローダ５に配設された図示しない整列機構により、この
ローダ５上の所定位置に載置された２ つのウエハキャ
リア１９内の半導体ウエハ２４を、オリエンテーション
フラットを利用して整列させる。この後、例えば下方か
らウエハキャリア１９内の半導体ウエハ２４を突き上げ
ること等により、半導体ウエハ２４をウエハキャリア１
９内から取り出し、しかる後、回転搬送アーム９によっ
て、これら２ つのウエハキャリア１９内の合計５０枚
の半導体ウエハ２４を受け取る。
ローダ５に配設された図示しない整列機構により、この
ローダ５上の所定位置に載置された２ つのウエハキャ
リア１９内の半導体ウエハ２４を、オリエンテーション
フラットを利用して整列させる。この後、例えば下方か
らウエハキャリア１９内の半導体ウエハ２４を突き上げ
ること等により、半導体ウエハ２４をウエハキャリア１
９内から取り出し、しかる後、回転搬送アーム９によっ
て、これら２ つのウエハキャリア１９内の合計５０枚
の半導体ウエハ２４を受け取る。
【００２２】そして、回転搬送アーム９によって、これ
らの半導体ウエハ２４を、洗浄処理槽１１、洗浄処理槽
１０、水中ローダ７に順次搬送し、洗浄処理ユニット２
による洗浄処理を実施する。なお、最初の半導体ウエハ
２４を洗浄処理槽１１から洗浄処理槽１０へ搬送した後
は、次の半導体ウエハ２４を洗浄処理槽１１に搬送する
ことにより、連続的に洗浄処理を実施する。
らの半導体ウエハ２４を、洗浄処理槽１１、洗浄処理槽
１０、水中ローダ７に順次搬送し、洗浄処理ユニット２
による洗浄処理を実施する。なお、最初の半導体ウエハ
２４を洗浄処理槽１１から洗浄処理槽１０へ搬送した後
は、次の半導体ウエハ２４を洗浄処理槽１１に搬送する
ことにより、連続的に洗浄処理を実施する。
【００２３】この後、水中ローダ７によって、半導体ウ
エハ２４を洗浄処理ユニット３に移送し、回転搬送アー
ム１２によって、これらの半導体ウエハ２４を、洗浄処
理槽１３、洗浄処理槽１４、水中ローダ８に順次搬送し
、洗浄処理ユニット３による洗浄処理を実施する。
エハ２４を洗浄処理ユニット３に移送し、回転搬送アー
ム１２によって、これらの半導体ウエハ２４を、洗浄処
理槽１３、洗浄処理槽１４、水中ローダ８に順次搬送し
、洗浄処理ユニット３による洗浄処理を実施する。
【００２４】しかる後、水中ローダ８によって、半導体
ウエハ２４を洗浄処理ユニット４に移送し、回転搬送ア
ーム１５によって、これらの半導体ウエハ２４を、乾燥
処理槽１７に搬送する。そして、乾燥処理槽１７におい
ては、前述した如く、イソプロピルアルコールによる半
導体ウエハ２４の乾燥処理（ＩＰＡ乾燥）を行う。この
時、同時に回転搬送アーム１５のウエハフォーク３１を
洗浄・乾燥機構１６内に挿入し、前述したように、洗浄
・乾燥ノズル４０およびＩＲヒータ４２によるウエハフ
ォーク３１の洗浄・乾燥を実施する。
ウエハ２４を洗浄処理ユニット４に移送し、回転搬送ア
ーム１５によって、これらの半導体ウエハ２４を、乾燥
処理槽１７に搬送する。そして、乾燥処理槽１７におい
ては、前述した如く、イソプロピルアルコールによる半
導体ウエハ２４の乾燥処理（ＩＰＡ乾燥）を行う。この
時、同時に回転搬送アーム１５のウエハフォーク３１を
洗浄・乾燥機構１６内に挿入し、前述したように、洗浄
・乾燥ノズル４０およびＩＲヒータ４２によるウエハフ
ォーク３１の洗浄・乾燥を実施する。
【００２５】そして、乾燥処理槽１７における半導体ウ
エハ２４の乾燥処理が終了すると、この洗浄・乾燥を実
施したウエハフォーク３１によって、乾燥処理が終了し
た半導体ウエハ２４を受け取り、アンローダ６にアンロ
ードする。
エハ２４の乾燥処理が終了すると、この洗浄・乾燥を実
施したウエハフォーク３１によって、乾燥処理が終了し
た半導体ウエハ２４を受け取り、アンローダ６にアンロ
ードする。
【００２６】このように、本実施例の洗浄装置１では、
ウエハキャリア１９を用いることなく、半導体ウエハ２
４の洗浄・乾燥を実施することができるので、洗浄液等
がウエハキャリア１９によって汚染されることを防止す
ることができる。
ウエハキャリア１９を用いることなく、半導体ウエハ２
４の洗浄・乾燥を実施することができるので、洗浄液等
がウエハキャリア１９によって汚染されることを防止す
ることができる。
【００２７】また、少なくとも、乾燥処理槽１７によっ
て乾燥処理の終了した半導体ウエハ２４は、常に、洗浄
・乾燥機構１６によって洗浄・乾燥を実施したウエハフ
ォーク３１によってアンロードされるので、この半導体
ウエハ２４に、洗浄液等が付着したり、汚染されたりす
ることを防止することができる。
て乾燥処理の終了した半導体ウエハ２４は、常に、洗浄
・乾燥機構１６によって洗浄・乾燥を実施したウエハフ
ォーク３１によってアンロードされるので、この半導体
ウエハ２４に、洗浄液等が付着したり、汚染されたりす
ることを防止することができる。
【００２８】したがって、従来の洗浄装置に較べて、良
好な洗浄処理を実施することができる。
好な洗浄処理を実施することができる。
【００２９】なお、図１１に示す洗浄・乾燥機構１６は
、図１１に示す処理ユニット２、３の搬送アーム９およ
び１２の上部にも設けることができる。また、上記実施
例において、各槽専用のウエハ支持機構としてのウエハ
ボート２２は駆動機構２３に設けられ、上下移動可能に
構成されているが、上記ウエハ支持機構を各処理槽内に
固定して設け、回転搬送アーム１５に複数の被洗浄物の
周縁部を把持又は支持してこの被洗浄物を保持する保持
機構及び上下移動機構を設け、被洗浄物を各処理槽間搬
送するように構成し、上記保持機構を洗浄・乾燥機構１
６により洗浄・乾燥するようにしてもよい。
、図１１に示す処理ユニット２、３の搬送アーム９およ
び１２の上部にも設けることができる。また、上記実施
例において、各槽専用のウエハ支持機構としてのウエハ
ボート２２は駆動機構２３に設けられ、上下移動可能に
構成されているが、上記ウエハ支持機構を各処理槽内に
固定して設け、回転搬送アーム１５に複数の被洗浄物の
周縁部を把持又は支持してこの被洗浄物を保持する保持
機構及び上下移動機構を設け、被洗浄物を各処理槽間搬
送するように構成し、上記保持機構を洗浄・乾燥機構１
６により洗浄・乾燥するようにしてもよい。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の洗浄装置
によれば、従来に較べて良好な洗浄処理を実施すること
ができる。
によれば、従来に較べて良好な洗浄処理を実施すること
ができる。
【図１】本発明の一実施例の洗浄装置の全体構成を示す
図である。
図である。
【図２】処理槽の構成を示す図である。
【図３】処理槽の構成を示す図である。
【図４】ウエハボートの構成を示す図である。
【図５】ウエハボートの構成を示す図である。
【図６】ウエハボートの構成を示す図である。
【図７】洗浄処理ユニット２の構成を示す図である。
【図８】ウエハフォークの構成を示す図である。
【図９】ウエハフォークの構成を示す図である。
【図１０】ウエハフォークの構成を示す図である。
【図１１】洗浄・乾燥機構の構成を示す図である。
１ 洗浄装置
２，３，４ 洗浄処理ユニット
５ ローダ
６ アンローダ
７，８ 水中ローダ
９，１２，１５ 回転搬送アーム
１０，１１，１３，１４ 洗浄処理槽１６ 洗浄・
乾燥機構 １７ 乾燥処理槽 １９ ウエハキャリア
乾燥機構 １７ 乾燥処理槽 １９ ウエハキャリア
Claims (1)
- 【請求項１】 被洗浄物を洗浄するための複数の洗浄
処理槽と、前記洗浄処理槽毎に設けられ、前記被洗浄物
を支持して洗浄を実施する洗浄用支持手段と、前記被洗
浄物を支持し、搬送して前記洗浄用支持手段にロード・
アンロードする搬送用支持手段と、前記搬送用支持手段
を洗浄および乾燥する洗浄・乾燥手段とを具備したこと
を特徴とする洗浄装置。
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|---|---|---|---|
| JP3069808A JP2901098B2 (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | 洗浄装置および洗浄方法 |
| US07/862,357 US5261431A (en) | 1991-04-02 | 1992-04-02 | Washing apparatus |
| US08/120,813 US5421905A (en) | 1991-04-02 | 1993-10-13 | Method for washing wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3069808A JP2901098B2 (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | 洗浄装置および洗浄方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04305929A true JPH04305929A (ja) | 1992-10-28 |
| JP2901098B2 JP2901098B2 (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=13413426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3069808A Expired - Fee Related JP2901098B2 (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | 洗浄装置および洗浄方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5261431A (ja) |
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- 1991-04-02 JP JP3069808A patent/JP2901098B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-04-02 US US07/862,357 patent/US5261431A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-10-13 US US08/120,813 patent/US5421905A/en not_active Expired - Lifetime
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