JP4296090B2 - 枚葉式のウエハ乾燥装置及び乾燥方法 - Google Patents
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Description
【0001】
この出願は、2001年11月2日に提出された米国仮特許出願第60/335,335号による優先権を主張しており、上記仮特許出願の内容全体を参照として本願に組み入れる。
この発明は、半導体製造に関し、特に、基板を乾燥するための技術に関する。
【発明の背景】
【0002】
半導体デバイスの幾何学的形状が小さくなり続けるにつれて、超洗浄処理の重要性は増大する。流体タンク(または流体槽)内で洗浄水による洗浄を行なった後、濯ぎ槽(例えば、別個のタンク内、あるいは、洗浄タンクの流体を取り替えることにより)によって濯ぐことにより、所望の洗浄レベルを得ることができる。乾燥装置を使用しないで濯ぎ槽から除去しても、基板の表面から槽液が蒸発するが、筋がついたり、染みがついたり、及び/又は、基板の表面上に槽液の残留物が残ってしまう。そのような筋付き、染み付き、残留物は、その後において、デバイスの故障を引き起こす可能性がある。したがって、基板が水槽から除去される際に基板を乾燥させる方法の向上に十分な注意を向けてきた。
【0003】
マランゴーニ(Marangoni)乾燥として知られる方法は、槽流体が基板上に実質的に残らないように槽流体を基板から流す表面張力勾配を形成し、それにより、筋や染み、残留物痕を生じさせないようにすることができる。具体的には、マランゴーニ乾燥中、槽流体と混和できる溶媒(例えば、IPA蒸気)が、基板が槽から持ち上げられる際あるいは槽流体が基板を通り過ぎて排出される際に形成される流体メニスカスへと導かれる。溶媒蒸気が流体の表面にそって吸収され、吸収された蒸気の濃度がメニスカスの先端で高まる。吸収された蒸気の濃度の高まりにより、表面張力は、流体槽中における場合よりもメニスカスの先端で低下し、これにより、乾燥するメニスカスから流体槽中へと槽流体が流れる。そのような流れは、「マランゴーニ」流として知られており、基板上に筋や染み、残留物痕を生じさせることなく基板乾燥を行なうために使用することができる。
【発明の概要】
【0004】
本発明の第1の態様においては、ウエハを処理するように適合されている第1のモジュールが提供される。このモジュールは処理部を有しており、処理部は、ウエハが貫通して上記処理部内へと下降可能なロードポートと、ウエハを上記処理部の外側へと持ち上げることができるように、上記ロードポートから水平に離間して位置するアンロードポートとを有する。また、モジュールは、導入されたウエハを、ウエハが上記ロードポートと位置合わせされる第1の方向から、ウエハが上記アンロードポートと位置合わせされる第2の方向へと回転させることで傾けるための回転可能なウエハ支持体を有する。
【0005】
本発明の第2の態様においては、ウエハを処理するように適合されている第2のモジュールが提供される。この第2のモジュールは、第1のモジュールに関して説明したロードポート、アンロードポート及びウエハ支持体を有する処理部を備える。また、第2のモジュールは、(1)上記処理部の外面に沿って位置された外側溢れ堰と、(2)上記ロードポートと上記アンロードポートとの間に位置され、上記処理部の上側領域を第1の区域と第2の区域とに分割するとともに、表面流体が上記第1の区域と上記第2の区域との間で移動することを防止する隔壁とを備える。
【0006】
本発明の第3の態様においては、ウエハを処理するように適合されている第3のモジュールが提供される。第3のモジュールは、第1のモジュールに関して説明したロードポート及びウエハ支持体を有する処理部を備える。また、第3のモジュールは、処理中において上記処理部内に収容された流体中に浸漬されるように適合された噴射機構であって、ウエハが上記ロードポートを通じて下降される際に、水中のウエハ表面に対して流体を噴射するように位置決めされている噴射機構を備える。
【0007】
本発明の第4の態様においては、ウエハを処理するように適合されている第4のモジュールが提供される。第4のモジュールは、第1のモジュールに関して説明したロードポート及びアンロードポートを有する処理部を備える。また、第4のモジュールは、(1)上記アンロードポートを通じて持ち上げられたウエハを受けるように適合されたウエハ受け部と、(2)上記ウエハ受け部に結合され、上記アンロードポートから持ち上げられるウエハに接触するとともに、ウエハの持ち上げに伴って上昇するように適合されているキャッチャとを有する出力部を備える。
本発明の第5の態様においては、ウエハを処理するように適合されている第5のモジュールが提供される。第5のモジュールは、第1のモジュールに関して説明したロードポート及びアンロードポートを有する処理部を備える。また、第5のモジュールは、上記アンロードポートを通じて持ち上げられたウエハを受けるように適合されたウエハ受け部と、上記ウエハ受け部を取り囲む包囲体とを有する出力部を備える。上記包囲体は、(1)ウエハを上記処理部から上記アンロードポートを介して上記ウエハ受け部へと持ち上げることができるように適合された第1の開口と、(2)ウエハハンドラがウエハを上記ウエハ受け部から引き出すことができるように適合された第2の開口と、(3)空気の層流を包囲体内に形成することができるように適合された複数の別個の開口とを備える。
【0008】
本発明の第6の態様においては、ウエハを処理するように適合されている第6のモジュールが提供される。第6のモジュールは、第1のモジュールに関して説明したロードポート及びアンロードポートを有する処理部を備える。また、第6のモジュールは、(1)上記アンロードポートを通じて持ち上げられたウエハを受けるように適合された第1のウエハ受け部と、(2)上記アンロードポートを通じて持ち上げられたウエハを受けるように適合された第2のウエハ受け部とを有する出力部を備える。上記第1及び第2のウエハ受け部は、第1のウエハ受け部が上記アンロードポートを通じて持ち上げられるウエハを受けるべく位置される第1の位置と、第2のウエハ受け部が上記アンロードポートを通じて持ち上げられるウエハを受けるべく位置される第2の位置との間で並進するように適合されている。これらの態様及び他の態様に係る方法、装置、システムといった多数の他の態様が提供されている。
【0009】
以下の詳細な説明、添付の請求項、添付図面から、本発明の他の特徴及び態様が更に完全に明らかになる。
【好ましい実施形態の詳細な説明】
【0010】
本発明にしたがって設けられた乾燥装置は、処理部と、出力部とを備える。処理部は、2つの主な態様にしたがって構成されてもよいメインチャンバを備える。第1の態様(浸漬チャンバ18a)は、流体の浴槽中にウエハを浸漬するものであり、図1〜図2Iを参照して説明する。第2の態様(噴射チャンバ18b)は、浸漬されていないウエハに流体を噴射するものであり、図5を参照して説明する。
【0011】
同様に、出力部は、2つの主な態様にしたがって構成されてもよい出力プラットフォームを有する。第1の態様(回転プラットフォーム58)は、略垂直方向から略水平方向へウエハを回転させるものであり、図1〜図2Iを参照して説明する。第2の態様(並進プラットフォーム158)は、略垂直に方向付けられたウエハを複数のウエハ受け部のうちの1つで受けるべく水平に並進するものであり、図3A〜図4Kを参照して説明する。
【0012】
処理部及び出力部の各態様は、それ自体で創作性(進歩性)があると考えられる。したがって、処理部の各態様が出力部のいずれかの態様と共に使用されても良く、また、その逆であってもよい。また、処理部及び出力部の各態様が従来の出力部及び処理部のそれぞれと共に使用されてもよい。最後に、処理部及び出力部の多数の個々の特徴は、図面及び以下の説明を参照すれば明らかなように、創作性(進歩性)がある。
【0013】
図1は、処理部及び出力部が本発明の第1の態様にしたがって構成されている本発明の乾燥装置11の概略側面図である。本発明の乾燥装置11は、処理部10と出力部12とを備える。
【0014】
処理部−第1の態様
処理部10は、脱イオン水等の流体の浴槽中にウエハを浸漬する浸漬チャンバ18aを備える。この浸漬チャンバ18aは、界面活性剤あるいはアプライドマテリアルズ(Applied Materials)社のElectraClean(エレクトラクリーン)(商標)溶液等の他の洗浄化学物質を含んでいても良く、または、含んでいなくてもよい。
【0015】
上側隔壁24(図2A)は、浸漬チャンバ18aを、2つの区域、すなわち、濯ぎ区域26と「乾燥」区域28とに分割する。乾燥区域28を濯ぎ区域26から分離することにより、更に清潔な出口領域が維持されるとともに、粒子が濯ぎ区域26内で除去されてそこから溢れ出る傾向がある場合に、除去された粒子が乾燥中にウエハに再付着する虞が低減される。浸漬チャンバ18aは、チャンバ18aを取り囲む溢れ堰20を有し、この溢れ堰へと流体を溢れ出させることができるようになっていてもよい。流体が例えばチャンバ18aの下部に連続的に供給され、それにより、流体が溢れ堰20へと連続的に溢れ出るようになっていてもよい。溢れ堰20(図2A〜図2I)は、濯ぎ区域26及び乾燥区域28からの粒子の除去に役立つように、上側隔壁24に結合されていてもよい。高流体レベルセンサ及び低流体レベルセンサ(図示せず)がチャンバ18a及び堰20,20aの両方に結合されていてもよい。図示しない他の態様において、溢れ堰20は、処理部10が装着されるチャンバを備えていてもよい。排気ライン(例えば、設備の排気ライン)がチャンバ(例えば、チャンバの底部近傍)に結合されても良く、また、チャンバの底部に沿って排液ラインが配置されてもよい。この場合、チャンバの底部は、排液を容易にするため、傾斜されていてもよい。
【0016】
濯ぎ区域26には、天井噴射ノズル30及び/又は液中噴射ノズル32が設けられていてもよい。これらの各ノズルは、ウエハが濯ぎ区域26内に入ると、ウエハの表面に対して流体を方向付けるように適合されている。一態様においては、濯ぎ区域26を使用することにより、本発明の乾燥装置11内にウエハを搬送する前にウエハ上に噴き付けられてもよい任意の流体膜(例えば界面活性剤)をウエハから洗い落としてもよい。そのような界面活性剤噴射ステップによれば、本発明の装置11へのウエハの搬送中に、疎水性ウエハが乾燥することを防止できることが分かった。したがって、界面活性剤噴射(好ましくは、アルフォニック(Alfonic)界面活性剤等の低濃度の界面活性剤を含む噴射)は、ウエハ上に水位線が形成されることを防止するため、乾燥装置内にウエハをロードする前において行なうことが望ましい。そのような本発明のプロセスは、洗浄器内で行なわれても良く、あるいは、ウエハ搬送中に行なわれてもよい(例えば、ウエハハンドラまたは洗浄器は、洗浄中、または、基板が洗浄器から除去される際、あるいは、ウエハハンドラによってウエハが搬送される最中に基板を界面活性剤で濡らせるための機構を備えていてもよい)。
【0017】
濯ぎ区域26はロードポート34を更に含む。このロードポート34は、ウエハが濯ぎ区域26内に入る際にウエハが単に通り過ぎる場所であっても良く、あるいは、濯ぎ区域26の上端壁または蓋(もしあるとすれば)によって形成される開口であってもよい。
【0018】
浸漬チャンバ18aの底部またはその近傍には揺動体36が配置されている。この揺動体36は、略垂直に方向付けられたウエハ(垂直方向から僅かに傾けられていてもよい)を受けて支持するように適合されている。また、揺動体36は、ロードポート34を介して濯ぎ区域26内に入るウエハを受けることができる第1の位置から、乾燥区域28の出口ポート37を通じてウエハを揺動体36から持ち上げることができる第2の位置へと回転するように適合されている。揺動体36がウエハを濯ぎ区域26から乾燥区域28へと回転させても、ウエハは、流体中に浸漬されたままである。
【0019】
揺動体36を回転させるための機構は、処理部10の外側に装着されるとともに、処理部10の壁を直接に貫通して揺動体36に結合され或いは処理部10の壁を介して磁気的に揺動体36に結合されていることが好ましい。図1の典型的な実施形態において、リンクシステム38は、リンクが下方に作動される際に、揺動体36を第1の位置(濯ぎ区域26内の位置)から第2の位置(乾燥区域28内の位置)へと回転させるとともに、リンクシステム38が上方に作動される際に、揺動体36を乾燥区域28から濯ぎ区域26へと戻すように構成されている。アクチュエータ40がリンクシステム38に結合して示されている。このアクチュエータ40は、エアーシリンダ等の任意の従来のアクチュエータであってもよい。
【0020】
揺動体の回転を行なうための他の構成は、浸漬チャンバ18aの底部に沿って水平に延びるロッド上に揺動体36を装着し、揺動体36がロッドを中心に回転できるようにすることを含んでいてもよい。そのような構成においては、例えば、揺動体36を浸漬チャンバ18aと略同一の幅にして、揺動体36の両側面上に磁石を装着し且つこの磁石をチャンバ18aの側壁を介して外部の磁石に結合できるようにしてもよい。外部の磁石は、アクチュエータ(例えば、空気圧アクチュエータ40)によって前後に駆動されてもよい。揺動体36及び外部磁石の回転を容易にするため、浸漬チャンバ18aの側壁に沿って接触回転するように、揺動体36及び外部磁石に対してローラが装着されてもよい。
【0021】
揺動体の第1及び第2の位置を検知できるように、アクチュエータ40、リンクシステム38、及び/又は、揺動体36には、一対のセンサ(図示せず)が結合されていてもよい。また、光センサ等のセンサ(図示せず)が揺動体36上のウエハの存在を検知してもよい。ウエハの存在が検知されると、アクチュエータ40に対して信号が送信され、これにより、アクチュエータ40が揺動体36を第1の位置から第2の位置へと回転させてもよい。
【0022】
乾燥区域28は、最小の接触面積でウエハの下縁部と接触するように適合されていることが好ましいプッシャ44を含んでもよい。そのようなプッシャは、従来、ナイフエッジプッシャと称される。ナイフエッジプッシャ44は、乾燥区域28の後壁に沿って位置された垂直ガイド(図示せず)に結合されるとともに、更に、上記垂直ガイドに沿ってプッシャ44を昇降させるように適合されたアクチュエータ(例えば、モータによって駆動される図1の送りネジ48)に結合(例えば磁気的に)されていても良く、これにより、プッシャ44は、ウエハを乾燥区域28から持ち上げた後、揺動体36よりも下側のプッシャ初期位置に戻るようになっていてもよい。
【0023】
ウエハが乾燥区域28から持ち上げられる際に、プッシャがウエハを傾いた姿勢に維持し、これにより、傾いていない垂直な方向で達成し得る場合よりも再現可能なウエハ姿勢を確保できるように、乾燥区域28の後壁が傾斜(例えば9°)されていることが好ましい。
【0024】
また、乾燥区域28の後壁に対して一対の傾斜したガイド46が結合され、これらのガイドは、ウエハが乾燥区域28を通じて揺動体36から持ち上げられる際にウエハの両縁部と接触するように位置されていてもよい。各ガイド46は、ウエハの縁部を保持する例えばV字形状またはU字形状の溝を有してもよい。あるいは、各ガイド46は、ウエハの縁部が当接できる傾斜面を含んでも良く、また、ガイド46は、ウエハとの接触を最小限に抑えるべくウエハから離れるように曲げられていてもよい。
【0025】
乾燥区域28の出口ポート37は、乾燥区域28の上端壁または蓋によって画成され、これにより、乾燥蒸気を周囲の外気中に逃がすことなく出口ポートから(例えばポンプを介して)排気できるように適合されていることが好ましい。流体の液面よりも上側で且つ出口ポート37よりも下側には、一対の噴射機構50が位置されている。これらの噴射機構50は、ウエハが流体から持ち上げられる時に、ウエハの前面及び後面にわたって蒸気を連続的に噴き付けるように適合されている。噴射機構50は、ウエハが流体から持ち上げられる時に形成するメニスカスに対して蒸気を噴射するように位置されている。噴射機構50は、1つの直線状のノズルまたは複数のノズルを構成してもよいが、一連の穴(例えば、直径が0.005〜0.007インチで且つ8,5インチの等間隔で互いに離間してウエハに隣接する114個の穴)が形成されたチューブを構成していることが好ましい。そのような噴射チューブ50は、石英またはステンレススチールによって形成されていることが好ましい。
【0026】
各噴射チューブ50は、手動で向きを合わせて、蒸気流(例えばIPA蒸気)を所望の角度(例えば、図8Aに示されるように、チューブ50の中心を通り且つ流体面と平行に描かれた水平線に対して所望の角度)に方向付けられるようになっていてもよい。IPA蒸気流は、図6を参照して後述する流れ偏向体を用いて或いは用いることなく、方向付けられてもよい。流れの特定の角度は、乾燥されるウエハの材料に応じて異なっていてもよい。典型的な材料における好ましい流れ角度を示す表が図8Bに示されている。
【0027】
流体メニスカスに供給されるIPA蒸気流は、ウエハ持ち上げ方向と反対の下向きの液体流を生じるマランゴーニ力を形成する。したがって、メニスカスよりも上側のウエハ表面が乾燥される。
【0028】
乾燥区域28内にIPA蒸気を収容し且つ乾燥区域28内のIPA蒸気を排気するため、排気マニホールド51及び窒素ブランケットマニホールド54が設けられる。これらのマニホールドは、噴射機構50よりも上側にある乾燥区域28の上端カバー56中に形成されていてもよい。噴射機構50に結合されたガス流モジュール(図示せず)、排気マニホールド51、窒素ブランケットマニホールド54は、IPA蒸気流量、排気流量、窒素ブランケット流量を制御する。また、排気ライン(図示せず)は、出力部12の下方に配置されていても良く、また、出力部12を通り抜け且つIPA蒸気が乾燥区域28から逃げることを抑える垂直な層流を維持してもよい。噴射機構50は、メニスカスに近接して位置していることが好ましく、また、窒素ブランケットマニホールド54は、アンロードポート37に近接して位置していることが好ましい。
【0029】
ウエハ処理−第1の態様
図2A〜図2Iは、本発明の装置11を通じてウエハが移動される際の様々な段階におけるウエハを示す概略側面図である。図2Aに示されるように、ロボット(例えば、ここには図示しないが、2000年4月26日に提出された米国特許出願第09/558,815号に開示されたウォーキングビームロボット、この特許出願の開示内容全体を参照として本願に組み入れる)がロードポート34を介してウエハWを濯ぎ区域26内にロードすると、ノズル30,32は、DI水をウエハWの両面に対して噴射する。ロボットは、ウエハWを揺動体36上に受け渡した後、濯ぎ区域26から、ロードポート34よりも上側にあるその定位置へと戻る。光センサ(図示せず)は、揺動体36上にウエハがあることを検知して(図2B)、信号をアクチュエータ40に送信する。これにより、リンクシステム38が作動して、揺動体36が濯ぎ区域26から乾燥区域28へと回転する。
【0030】
浸漬タンク18aの底部近傍に位置された揺動体36は、ウエハを濯ぎ区域26から乾燥区域28へと搬送する。この搬送中、ウエハは、流体中に浸漬されたままである。このようにして、揺動体36は、ウエハを受けるための垂直位置から、乾燥区域28を通じてウエハを持ち上げるための傾斜位置(例えば9°の傾斜)へと回転する(図2C)。
【0031】
その後、ウエハWは、ウエハの上端がタンク流体の表面から浮上して現れる(及び、乾燥蒸気噴射が開始される)時からウエハの下縁部(例えば、ウエハの下側部位30〜40mm)がタンク流体の表面から浮上して現れるまで所定の処理速度(例えば10mm/秒)で上昇する上昇速度プロファイルで、プッシャ44によりアンロードポート37へ向けて持ち上げられる。ウエハの下縁部がタンク流体の表面から現れて乾燥蒸気を通過する間、ウエハは、ゆっくりとした速度(例えば5mm/秒を下回る速度)で持ち上げられる。これは、ウエハの下部を乾燥することが難しいからである(ウエハの曲率に起因して)。ウエハ全体が乾燥されたら、ウエハは、搬送位置へ向けて高速(例えば10mm/秒を上回る速度)で持ち上げられてもよい。ウエハが持ち上げられる際、ウエハの縁部は、流体中に浸漬された2つの平行な傾斜ガイド46上に重力によってもたれかかる。
【0032】
ウエハWが持ち上げられて流体から出ると、一対の噴射機構50(図2D)は、IPA蒸気と窒素との混合物を、ウエハWの両面上に形成するメニスカスに噴射する。IPA蒸気流は、図6を参照して後述する流れ偏向体を用いて或いは用いることなく、方向付けられてもよい。流れの特定の角度は、乾燥されるウエハの材料の種類に応じて異なっていてもよい。
【0033】
図8Aは、蒸気流角度について説明するのに役立つ概略図である。図8Aを参照すると、蒸気/キャリアガスのストリーム72の流れ角度θは、図示の水/空気界面(及び/又は、ノズルチューブ50を貫く水平中心線)に対して測定される。(一実施形態において、ノズルチューブ50は、ウエハWから側方に約0.5インチ離れて位置されており、流れ角度が約25°になるように選択され、ノズル高さHNは、水/空気界面よりも上側に約3.7mm離れた高さHVでストリーム72がウエハWと衝突するように選択される。他の横方向間隔、流れ角度、ノズル高さHN、蒸気衝突高さHVを使用してもよい)。典型的な材料における好ましい流れ角度(水/空気界面に対して測定された)を示す表が図8Bに示されている。表面材料とは、乾燥されるウエハ上の材料のことである。ドライ−インまたはウェット−インとは、乾燥装置11内での処理前にウエハが乾燥していること、あるいは、濡れていることを表わしている。ドライ−アウトとは、乾燥装置11からウエハが除去される際にウエハが乾燥していることを意味している。ブラックダイヤモンド(登録商標)とは、アプライドマテリアル社から入手できる低k誘導体(例えば、カーボンがドーピングされた酸化物)のことである。IPA蒸気流は、ウエハ持ち上げ方向と反対の下向きの液体流を生じる「マランゴーニ」力を形成する。したがって、メニスカスよりも上側のウエハ表面が乾燥される。
【0034】
乾燥処理中、IPA蒸気は、排気マニホールド51によって処理部10から排気され、窒素の流れは、出力ポート37(窒素ブランケットマニホールド54により)を横切って方向付けられ、これにより、IPA蒸気が処理部10から排気されることを抑制する。ガス供給モジュール(図示せず)は、IPA蒸気流、排気率、窒素ブランケット流量を制御する。
【0035】
出力部−第1の態様
図1〜図2Iに示される実施形態において、出力部12は、2つの位置、すなわち、乾燥区域28からウエハを受けるための処理位置(図2E)と、ウエハを搬送ロボットへと出力するためのFAB界面位置(図2G)との間で回転するように適合されているプラットフォーム58を備える。処理位置は、ウエハが乾燥区域28から持ち上げられる傾きと一致しており、また、処理位置は略水平である。出力部12に結合されたモータまたは他の駆動機構は、プラットフォーム58を回転させる。
【0036】
出力部12は、ウエハWの移動に伴って移動するように適合されているキャッチャ60を有してもよい。キャッチャ60は、例えば各端部にストッパを有するリニアボールスライド(図示せず)上に装着されていてもよい。プラットフォーム58が処理位置(例えば、傾斜ガイド46と同じ9°の傾きで処理部10に向かって垂直に傾けられた位置)に配置されると、キャッチャ60は、重力によりリニアボールスライドの底部へと移動する。この低い位置は、光センサ(図示せず)によって検知されてもよい。キャッチャ60は、所定距離だけ離間され且つウエハの外周に沿うように厳密に公差付けられてもよい2点でウエハと接触することができる。したがって、キャッチャ60は、正確なウエハの位置決めに役立つことができる。
【0037】
また、出力部12は、ウエハ固定位置とウエハ通過位置との間で移動するように適合されているフィンガ62を備えてもよい。ウエハ固定位置において、フィンガ62は、ウエハがフィンガ62よりも上側に持ち上げられた後、ウエハをロックして固定することができ、これにより、プッシャ44を元の位置に戻して、フィンガ62及びキャッチャ60により出力部12上の所定位置にウエハを保持させたままにすることができる。フィンガ62は、例えば、エアーシリンダ(図示せず)によって作動されるとともに、フィンガ62のウエハ固定位置及びウエハ通過位置を検知する一対のスイッチ(図示せず)を備えていてもよい。また、ウエハがフィンガ62よりも十分上側に位置する時期を検知し、それにより、フィンガ62をウエハ固定位置に安全に配置できるように、光センサ(図示せず)が設けられてもよい。
【0038】
ウエハ出力−第1の態様
乾燥区域28を通じてウエハWを持ち上げる前に、プラットフォーム58は略垂直に傾けられる(例えば、約9°の傾斜で)(図2C)。キャッチャ60はその低い位置に位置され、フィンガ62はウエハ通過位置に位置される。ウエハWが乾燥区域28から出ると(図2D)、ウエハがキャッチャ60を押し出し(例えば、接触する2点で)、これにより、キャッチャ60は、重力に抗して、ウエハと共に上方へ移動する。したがって、ウエハWは、3点で固定される(プッシャ44及びキャッチャ60により)。プッシャ44がその高位置に達すると、フィンガ62は、ウエハ固定位置へと作動され、これにより、ウエハWがプラットフォーム58上に固定される。また、この時、プッシャ44は元の位置に戻ることができる(図2Eにおいて、フィンガ62は、ウエハ固定位置で示されている)。キャッチャ60はウエハWの上昇に伴って移動するため、出力部12への搬送中におけるウエハの擦れ及びパーティクルの形成を低減することができる。
【0039】
ウエハWがプラットフォーム58上に固定された後、プラットフォーム58は、その水平位置まで回転する(図2F)。調整可能なストッパ・ショックアブソーバ(図示せず)を備えてもよいエアーシリンダ64(図1)を使用して、プラットフォーム58を、所定の出力位置まで、例えばウエハハンドラ66(図2H)によってウエハWを引き出すことができる高さまで下げてもよい。その後、フィンガ62が図2Hで示されるように元の位置に戻され、ウエハハンドラ66は、ウエハWを拾い上げて他の場所へ搬送する(例えばカセットへと搬送する)。その後、プラットフォーム58は、次の処理済みのウエハW’が乾燥区域28から持ち上げられる際にそのウエハを受け取ることができる略垂直に傾けられたその処理位置(図2I)へと戻る。
【0040】
本発明の一または複数の実施形態においては、専用のガス供給及び排気モジュール(図示せず)を使用して、イソプロピルアルコール(IPA)蒸気及び窒素を供給するとともに、これを乾燥装置11(例えば、噴射機構50の近傍)へと排気することができる。例えば、1つまたは複数のベンチュリ(図示せず)と組み合わされた清浄な乾燥空気が排気を行なってもよい(例えば、ガスライン(図示せず)が、アンロードポート42の近傍に装着されたベンチュリの圧力ポートに対して清浄な乾燥空気を供給して排気を行なってもよい)。
【0041】
IPA/窒素流を噴射機構50に供給するため、マスフローコントローラ(図示せず)がIPAバブラー(図示せず)に対して窒素流を所定の割合で供給してもよい。少なくとも一実施形態においては、IPA濃度が約5%のIPA/窒素混合物を供給するために、1.4リットルのバブラーが使用される。他のバブラーサイズ及び/又はIPA濃度を使用してもよい。
【0042】
本発明の特定の一実施形態において、バブラーには、3つのレベルセンサ、すなわち、ローレベルセンサと、ハイレベルセンサと、ハイ−ハイレベルセンサとが設けられていてもよい。最初の2つのレベルセンサは、例えば、IPAバブラーの自動再充填中に使用されてもよい。最後のハイ−ハイレベルセンサは、例えば、バブラーの過充填を防止するためにハードウェアがインターロックする際に使用されてもよい。1リットル容器あるいは適切に寸法付けられた容器等の加圧された供給容器(図示せず)を使用して、バブラーを液体IPAで自動的に再充填してもよい。供給容器は、ローレベルセンサを有していても良く、また、そのローレベルセンサがトリガーされる時に自動でまたは手動で再充填されてもよい。
【0043】
窒素ブランケット流量(例えば、IPA蒸気が処理部10から逃げることを防止するためのもの)は、ニードル弁または他の適当な機構を用いて制御されてもよい。清浄乾燥空気供給ライン及び窒素ブランケット供給ラインにはそれぞれ、安全の目的で、フロースイッチが設けられていてもよい(例えば、IPA蒸気を遮断するために使用できるハードウェアインターロックフロースイッチは、排気ガスまたは窒素ブランケット流が失われると、供給する)。圧力調整器を使用して、各供給ラインの圧力を制御してもよい。
【0044】
出力部−第2の態様
図3A及び図3Bはそれぞれ、本発明の乾燥装置の出力部12の第2の実施形態の概略側面図及び平面図である。図3A及び図3Bの本発明の装置11aは、出力部12を取り囲む包囲体(囲繞体)111を備える。出力部12の並進可能なプラットフォーム158は、2つ以上のウエハ受け部113a,113bを有してもよい。各ウエハ受け部は、図1〜図2Iを参照して前述したキャッチャ60及びフィンガ62を備える。この実施形態において、並進可能なプラットフォーム158は水平に移動する(例えば、送りネジ、空気圧シリンダ、モータ等により)ように適合されており、これにより、乾燥部28から持ち上げられるウエハを第1または第2のウエハ受け部113a,113bのいずれかによって受けることができる。このようにすれば、第1のウエハを第1のウエハ受け部113aで保持してウエハハンドラ(図示せず)によって拾い上げる一方で、第2のウエハを第2のウエハ受け部113bに出力することができ、あるいは、その逆を行なうことができるため、ウエハのスループットを最大にすることができる。
【0045】
包囲体111は、搬送ロボット(図示せず)に隣接して位置されてもよい第1の側壁115aを有する。第1の側壁115aは、搬送ロボットによってウエハを引き出すことができる開口117を有する。また、包囲体111は、第1の側壁115aと反対側に位置され且つ包囲体111を2つのチャンバ111a,111bに分割する内側隔壁115bを有してもよい。第1のチャンバ111aは、並進可能なプラットフォームが前後に並進して第1または第2のウエハ受け部113a,113bのいずれかでウエハを受けることができる十分な空間をもって、並進可能なプラットフォーム158を取り囲んでいる。第2のチャンバ111bは、並進可能なプラットフォーム158及び任意の他の移動部品を並進させるために使用される機構(図3Bでは参照符号159により全体的に示されている)を取り囲んでいる。2つのチャンバを分離するそのような内側隔壁115bは、好ましくは内側隔壁115bの全体を覆う複数の小孔119(図3A)を有する。搬送ロボットに隣接する領域が本発明の乾燥装置11aに隣接する領域よりも高圧に維持されると、エアーは、開口117内を層状に流れて第1及び第2のウエハ受け部113a,113bを横切り(矢印Fで示されるようにウエハの主面に対して平行に横切り)、小孔199を貫通して、第2のチャンバ111b内へと流れることができる。第2のチャンバ111bは、図示しない排気系を介して排気されてもよい。
【0046】
また、出力部12の下側に配置された排気ライン(図示せず)は、出力部12を通じた許容可能な垂直層流を維持するとともに、乾燥区域28から逃げる任意のIPA蒸気を希釈する。出力部12の包囲体111は、乾燥装置11aの周囲の大気中にIPA蒸気が流入することを防止する別個の封じ込め機構として機能する。
【0047】
メインタンク118の処理部26を塞ぐことなくウエハを第1のウエハ受け部113aに出力することができるように、メインタンク118の前壁121(すなわち、処理部26の前壁)は、図3Aに示されるように、傾斜されていてもよい(例えば9°)。処理部26の前壁を傾斜させることにより、ロードポート34を出力ポート37から十分に離して配置して、出力包囲体111による閉塞を避けることができ、更に、直立の前壁が使用された場合ほど処理部10の流量を増大させないで済む。そのような傾斜した前壁を使用する実施形態においては、揺動体36がロードポート34の近傍の位置まで上昇するように適合されており、それにより、上昇した揺動体36上にウエハハンドラがウエハを載置できるようになっていてもよい。このように揺動体36が上昇すれば、回転してロードポート34と処理部10の底部との間で角度を一致させることができないウエハハンドラを使用することができる。上昇可能な揺動体36は、傾斜した前壁の内面に沿って配置されたガイドに結合されていても良く、また、前壁を介して外部アクチュエータに対して磁気的に結合されていても良く、したがって、上昇可能なプッシャ44と同様に動作することができる。
【0048】
ウエハ出力−第2の態様
図4A〜図4Iは、図3A及び図3Bの装置11a内の様々な処理段階にあるウエハを示す概略側面図である。図4Aに示されるように、ウエハW1は、出力プラットフォーム158のウエハ受け部113a上に位置されており、出力プラットフォーム158は、その最も右側の位置に配置されている。この場合、第2のウエハ受け部113bは、乾燥区域28から出力される次のウエハを受けるべく位置されている。ウエハW2は、浸漬された揺動体36上に位置されており、また、プッシャ44は、揺動体36の下側に位置されている。図4Bにおいては、プッシャ44が上昇され(例えば、揺動体36の溝または開口を介して上昇され)、これにより、揺動体36からウエハW2が持ち上げられるとともに、揺動体36が回転して垂直位置へと戻っている。
【0049】
図4Cにおいて、プッシャ44は、ウエハW2がアンロードポート37を貫通する高さに達しており、ウエハW2の上縁がキャッチャ60と接触する。ウエハがアンロードポート37内へと移動すると、IPA蒸気噴射、窒素ブランケット、排気が開始される。また、図4Cにおいては、揺動体36が上昇してロードポート34の内側に位置されており、次に入ってくるウエハを受ける準備をする。
【0050】
図4Dに示されるように、第1のウエハW1は、包囲体111の第1のウエハ受け部113aから引き出されており、キャッチャ60が低い位置に戻っている。第2のウエハW2は、フィンガ62よりも上側の高さまで上昇して第2のウエハ受け部113b上に位置されており、フィンガ62は、第2のウエハW2の下側へと移動されて位置決めされている。また、プッシャ44は、下げられており、フィンガ62とキャッチャ60との間で保持されている第2のウエハW2をもはや支持していない。第3のウエハW3が揺動体36上にロードされており、揺動体36は、処理部10の底部まで下げられている。なお、第3のウエハW3は、ロードポート34を通じて下降される際には、浸漬されたノズル32及び/又は浸漬されていないノズル30(図示せず)による噴射が施されてもよい。
【0051】
図4Eに示されるように、プラットフォーム158は、その最も左側の位置へと移動されており、これにより、第1のウエハ受け部113aは、乾燥区域28から出力される次のウエハを受ける位置に配置される。プッシャ44は、揺動体36の高さよりも低い位置に配置され、揺動体36は、第3のウエハW3を濯ぎ区域26から乾燥区域28へと回転させ始めている。
【0052】
図4Fに示されるように、揺動体36は、第3のウエハW3を乾燥区域28内に位置させるべく回転しており、第3のウエハW3の上部がウエハガイド46上に載置されている。
【0053】
図4Gに示されるように、プッシャ44は、上昇することにより第3のウエハW3を持ち上げて揺動体36から離間させており、揺動体36は、回転して垂直位置へと戻っている。
【0054】
図4Hに示されるように、プッシャ44は、IPA蒸気噴射及び窒素ブランケットを通り抜けて、第3のウエハW3の上端が第1のウエハ受け部113aのキャッチャ60と接触する位置まで第3のウエハW3を持ち上げている。揺動体36は、それ自体、ロードポート34内に位置されており、入ってくる次のウエハを受け取る準備をしている。
【0055】
図4Iに示されるように、第2のウエハW2は、出力包囲体111の第2のウエハ受け部113bから引き出されてしまっており、キャッチャ60はその下端位置に戻されている。第3のウエハW3は、フィンガ62よりも上側の高さまで上昇して第1のウエハ受け部113a上に位置されており、フィンガ62は、第3のウエハW3の下側へと移動されて位置決めされている。また、プッシャ44は、下げられており、フィンガ62とキャッチャ60との間で保持されている第3のウエハW3をもはや支持していない。第4のウエハW4が揺動体36上にロードされており、揺動体36は、濯ぎ部10の底部まで下げられている。なお、第4のウエハW4は、ロードポート34を通じて下降される際には、浸漬されたノズル32及び/又は浸漬されていないノズル(図示せず)による噴射が施されてもよい。
【0056】
処理部−第2の態様
図5は、その処理部10だけを示す本発明の乾燥装置211の概略側面図である。処理部10は、本発明の第2の態様にしたがって構成されている。具体的には、本発明の第2の態様において、メインチャンバは、ウエハを浸漬するメインチャンバ(例えば、図1〜図2Iの浸漬チャンバ18a)ではなく、濯ぎチャンバ226内で、浸漬されていないウエハに対して流体を噴射して、ウエハの濯ぎを行ない及び/又はウエハの湿り気を維持するとともに、乾燥チャンバ228内で、浸漬されていないウエハに対して流体を噴射して、流体メニスカス(マランゴーニ乾燥のため)を形成する。浸漬用として構成される処理部と噴射処理用として構成される処理部との間には、ハードウェアに僅かな違いがあるに過ぎない。
【0057】
図5を参照すれば分かるように、図1〜図2Iの溢れ堰20,20aは省かれていてもよい。ウエハがロードポート34を通じて導入される際に、ウエハの前面及び後面の両方に対して流体を噴射するため、一対の噴射ノズル30が配置されていることが好ましい。図5の実施形態において、隔壁24は、流体噴射が濯ぎ部226から乾燥部228内に設けられた流体ノズルの上側の領域へと跳ね飛ぶことを防止する(したがって、乾燥したウエハを誤って再び湿らせてしまうことを防止する)。乾燥部228内には、IPA供給噴射機構50の下側に、別個の流体供給噴射機構50aが設けられている。
【0058】
動作時、導入されるウエハには、界面活性剤あるいはアプライドマテリアルズ社のElectraClean(エレクトラクリーン)(商標)溶液等の他の洗浄化学物質を含んでいても良く、または、含んでいなくてもよい脱イオン水等の流体が吹き付けられ、これにより、ウエハの濯ぎが行なわれ、及び/又は、ウエハの湿り気が維持される。ウエハが乾燥部228から出ると、ウエハには、界面活性剤または他の洗浄剤を含み或いは含んでいない脱イオン水等の流体が吹き付けられる。この出口流体噴射により、ウエハにわたって均一な流体メニスカスが形成される。IPA噴射機構50は、メニスカスに対してIPA蒸気を噴射し、これにより、ウエハを乾燥させるマランゴーニ流が形成される。なお、処理部10内でのウエハの搬送及び出力部12へのウエハの出力は、図1〜図4Iを参照して説明したそれと同様であってもよい。
流れ偏向体
ウエハ/空気/水の界面(すなわち、メニスカス)に対するIPA蒸気の供給効率は、各IPA蒸気供給ノズル/チューブ50と関連付けて蒸気流偏向体を設けることにより向上させることができる。そのような1つの配置構成が図6に概略的に示されている。図を簡略化するため、ノズルチューブ50(前述したチューブ50を構成してもよい)及び流れ偏向体68は、ウエハWの一方側にだけ示されているが、実際には、ノズルチューブ50及び流れ偏向体68は、ウエハWの両側に設けられていてもよい。また、ウエハWは、水面76に対して垂直に抜け出るように示されているが、所定の傾きをもって(例えば、垂直に対して約9°の傾きであってもよいが、他の角度を使用してもよい)水面76から抜け出てもよい。
【0059】
本発明の一実施形態において、流れ偏向体68は、ノズルチューブ50の周囲に嵌合するように適合されている2部品スリーブの形態を成してもよい。流れ偏向体68の第1の部品69は、IPA蒸気のストリーム(流れ)72(例えば、窒素等のキャリアガスと混合された)がその内部へと噴射されるV字形状の空間70を画成するとともに、例えばノズル50の中心を通り且つ水面と平行な水平線Lに対してストリーム72を特定の角度に方向付けるように形成されている。流れ偏向体68の第2の部品(例えば、下側ウイング74)は、水面76下に浸って、IPA蒸気に晒される水の容積を制限してもよい。図6に示されるように、IPA蒸気のストリーム72は、流れ偏向体68の第1の部品69の内面78と衝突するように、下方へと傾斜されることが好ましい。その後、IPA蒸気のストリーム72は、内面78によって反射され(図示せず)、ウエハ/空気/水の界面に形成されるメニスカス80へと向かう。一または複数の実施形態において、IPAストリーム72と内面78との間の角度は45°を超えないが、IPAストリーム72の角度は、(図8A及び図8Bを参照して後述するように)IPA蒸気が所望の角度範囲内で及び/又は所望の流速をもってメニスカス80と衝突し、それによって、メニスカス80に対するIPA蒸気の供給を最適化するように選択されることが好ましい。
【0060】
典型的な一実施形態において、流れ偏向体68は、スリット開口82を有する。このスリット開口82は、IPAをメニスカス80に対して効率的に供給するために、幅が0.05インチで、水面76から上側に例えば0.10インチ離れ且つウエハWから0.10インチ離間してもよい。他のスリット開口幅、水面76から上側への離間距離及び/又はウエハWからの距離、を使用してもよい。流れ偏向体68は、水面76に対して45°の角度を狙ってもよいが、他の角度を使用してもよい。スリット開口82は、メニスカス80の真下に向かって狙いを定めることが好ましい。
【0061】
流れ偏向体68は、IPA蒸気に晒される水の容積を制限することにより、IPAの無駄及び消費を抑えて、乾燥効率及び性能を向上させ、安全上の危険性を低下させるのに役立つ。一実施形態において、IPAに晒される水の容積の範囲は、300mmウエハの場合には約0〜12ミリリットルであり、200mmウエハの場合には約0〜8ミリリットルであるが、他の範囲を使用してもよい。
【0062】
流れ偏向体68が使用されない場合、IPA蒸気のストリーム72は、22°〜30°の範囲の角度で水面76と衝突することができる。この角度範囲は、ウエハ上に形成される幾つかの異なるタイプの膜を乾燥するのに適していることが分かった。他の衝突角度を使用してもよい。流れ偏向体68は、1つの材料片によって形成されても良く、あるいは、3つ以上の部品から成っていてもよい。流れ偏向体68は、ステンレススチールまたは他の適当な材料によって形成されてもよい。
低IPA濃度混合物
IPA/キャリアガス混合物中のIPA蒸気の濃度を減少させる(例えば、0.2%以下まで減少させる)ことにより、混合物の流量を増大させつつ(例えば、少なくとも2〜3リットル/分まで、好ましくは約5リットル/分まで増大させつつ)、洗浄/乾燥モジュールの安全性及び効率を更に向上させることができる。流量を増大させると、IPAの濃度低下を補償することができるとともに、高い乾燥速度(例えば、10mm/秒;これにより、乾燥時間は、ウエハ持ち上げ速度が一定であるとすると、200mmウエハの場合、20秒となる)をもって効率を高め且つ乾燥不良を低減することができる。図7は、様々なIPA濃度及び様々な流量を持つガス(窒素)によって乾燥されるウエハ上で見られる0.12μよりも大きいパーティクル(図3の所謂「付加物(adder)」)の数をプロットしたグラフである。また、これらの結果は、ノズルの直径、ウエハ表面からのノズルの離間距離、流れ偏向体の使用及び角度等によって大きく左右され得る。キャリアガス流量が5リットル/分の場合、IPA蒸気の濃度が1%から0.2%へと減少すると、シリコンウエハ及び低k誘電体含有ウエハにおける欠陥数が増大しないことが実験データにより分かっている。
【0063】
先に記載したように、ウエハWの下部が乾燥されている場合には、ウエハ持ち上げ速度を低下させてもよい。同様に、ウエハWの下部が乾燥されている場合には、IPA/キャリアガス混合物中のIPA濃度を増加させても良く、及び/又は、IPA/キャリアガス混合物の流量を増加させてもよい。窒素の代わりに、他の不活性ガスを使用できることは言うまでもない。また、IPAを、マランゴーニ乾燥等で従来から使用されている他の有機蒸気に取って代えることができることは言うまでもない。
*********
本発明を好ましい実施形態と共に開示してきたが、他の実施形態が本発明の思想及び範囲内に含まれ得ることは言うまでもない。特に、本発明の上昇プロファイル及び本発明のIPA偏向体は、任意の乾燥システム内で使用することができることは明らかであり、開示されたシステム内での使用に限定されない。同様に、基板が濯ぎタンク内に導入される時に基板を濯ぐための噴射ノズルは(水中及び/又は水/流体槽上)、ここで開示されたシステム以外のシステムで使用されてもよい。ウエハを周知の方向で出力するための傾斜したウエハガイドを有する傾斜壁を備えたモジュールは、積極的な出力キャッチャであるため、創作性(進歩性)があると考えられる。更に、本発明の特徴は、ウエハ(特に、浸漬されたウエハ)を第1の角度から第2の角度へと搬送するための方法及び装置と、ウエハを一方の角度から次の角度まで搬送して、ウエハを入力ポートに位置合わせされる状態から出力ポートに位置合わせされる状態へと移動させるモジュールとを含む。したがって、ここで説明した実施形態は単なる典型例であり、本発明の装置が本発明の特徴のうちの1つまたは複数を使用してもよいことは言うまでもない。
【0064】
個別に使用できる本発明の特徴の幾つかを以下に示す。
【0065】
・濯ぎが施されたウエハの表面を空気に晒すことなく濯ぎ区域と乾燥区域とを組み合わせたモジュール。
【0066】
・界面活性剤及び処理タンクパーティクスをうまく除去するための液中噴射ノズル及び/又は天井噴射ノズルが設けられた濯ぎ区域(天井噴射が最も積極的な濯ぎを行なう)。
【0067】
・ローディングポートとアンローディングポートとを分離するために2つの区域を有するメインタンク。
【0068】
・IPA蒸気を正確に供給して(例えば、メニスカスの先端に供給して)IPA消費量を最小限に抑えるためのチューブ、ノズル、及び/又は、流れ偏向体。
【0069】
・IPAをメニスカスに供給するための最良の角度に正確に方向付けることができるIPA噴射チューブ(2001年3月5日に提出され且つスプレーバーと題された米国特許出願第60/273,786号参照:この特許出願の開示内容全体を参照として本願に組み入れる)。
【0070】
・出力ステーション上に装着された「キャッチャ」を使用する摩擦が無いガイド機構。
【0071】
・濯ぎ区域から乾燥区域への水中ウエハ搬送を容易にする揺動体。
【0072】
・所定の上昇速度プロファイルを有する速度可変プッシャ。
【0073】
・傾斜した後壁及び/又は傾斜した前壁。
【0074】
・別個の入力ポート及び出力ポートを有するタンクのための内側溢れ堰。
【0075】
・層状の空気流を伴う包囲出力部。
【0076】
・乾燥(例えばIPA)蒸気に晒される流体の表面積を制限する偏向体。
【0077】
・有機溶媒濃度を薄めるためのベンチュリを使用する排気装置。
【0078】
・低濃度の有機溶媒を有する乾燥ガス混合物及び高流量の使用。
【0079】
・乾燥部からの出力とロボットによる拾い上げとを少なくとも部分的に同時に行なうための複数の出力ウエハ支持体。
【0080】
・濯ぎ区域とマランゴーニ乾燥に適合する区域とを有し、両方の区域がウエハ浸漬ではなく噴射機構を使用するモジュール。
【0081】
従来のSRDと比較すると、本発明の装置11は、優れた性能と、疎水性のウエハ表面及び親水性のウエハ表面の両方を乾燥させることができる幅広いプロセスウインドウとを与えることができる。「マランゴーニ」原理に基づく新規な乾燥技術は、一例において、蒸発の場合、たった3nm厚の層しか残さない。これに対し、従来のSRDは、200nm厚の層を残す可能性がある。本発明の装置は、処理モジュールと出力ステーションとを組み合わせることにより、高速乾燥を行なうことができ、多種多様な異なる膜において高いスループットを得ることができる。また、濯ぎ区域の噴射ノズルは、洗浄中及び乾燥モジュールへの搬送中に親水性ウエハに加えられる場合がある界面活性剤を除去することができる。
【0082】
なお、窒素ブランケットは単なる一例であり、任意の不活性ガスまたは空気または複数のガス(空気を含む)から成るブランケットを使用することにより、出力ポートを横切るブランケットを形成して、乾燥蒸気が装置から逃げることを防止することができる。また、IPA蒸気は単なる一例であり、流体(乾燥区域に加えられる流体)と混和してウエハ表面を乾燥させるマランゴーニ流を形成できる他の蒸気またはガスを同様に使用してもよい。
【0083】
したがって、ここでは、そのような蒸気またはガスを乾燥ガスと称している。また、ここで使用される用語「キャッチャ」、「フィンガ」、「揺動体」は、任意の特定の形状または構造に限定しようとするものではなく、むしろ、ここで説明したキャッチャ、フィンガ、揺動体と同様の機能を果たす任意の構造を全体として示すものである。
【0084】
したがって、本発明をその好ましい実施形態と共に説明してきたが、他の実施形態も、以下の請求項によって規定される本発明の思想及び範囲内に入ることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【0085】
【図1】第1の態様にしたがって構成された処理部及び出力部の両方を備える本発明の乾燥装置の概略側面図である。
【図2A】本発明の乾燥装置を通じたウエハ搬送及び本発明の乾燥装置からのウエハ出力の一連の段階を示す、図1の本発明の乾燥装置の概略側面図である。
【図2B】本発明の乾燥装置を通じたウエハ搬送及び本発明の乾燥装置からのウエハ出力の一連の段階を示す、図1の本発明の乾燥装置の概略側面図である。
【図2C】本発明の乾燥装置を通じたウエハ搬送及び本発明の乾燥装置からのウエハ出力の一連の段階を示す、図1の本発明の乾燥装置の概略側面図である。
【図2D】本発明の乾燥装置を通じたウエハ搬送及び本発明の乾燥装置からのウエハ出力の一連の段階を示す、図1の本発明の乾燥装置の概略側面図である。
【図2E】本発明の乾燥装置を通じたウエハ搬送及び本発明の乾燥装置からのウエハ出力の一連の段階を示す、図1の本発明の乾燥装置の概略側面図である。
【図2F】本発明の乾燥装置を通じたウエハ搬送及び本発明の乾燥装置からのウエハ出力の一連の段階を示す、図1の本発明の乾燥装置の概略側面図である。
【図2G】本発明の乾燥装置を通じたウエハ搬送及び本発明の乾燥装置からのウエハ出力の一連の段階を示す、図1の本発明の乾燥装置の概略側面図である。
【図2H】本発明の乾燥装置を通じたウエハ搬送及び本発明の乾燥装置からのウエハ出力の一連の段階を示す、図1の本発明の乾燥装置の概略側面図である。
【図2I】本発明の乾燥装置を通じたウエハ搬送及び本発明の乾燥装置からのウエハ出力の一連の段階を示す、図1の本発明の乾燥装置の概略側面図である。
【図3A】第2の態様にしたがって出力部が構成された図1の乾燥装置を示す概略側面図及び平面図である。
【図3B】第2の態様にしたがって出力部が構成された図1の乾燥装置を示す概略側面図及び平面図である。
【図4A】出力部へのウエハ出力中における出力部の一連の位置を示す図3A及び図3Bの本発明の乾燥装置の概略側面図である。
【図4B】出力部へのウエハ出力中における出力部の一連の位置を示す図3A及び図3Bの本発明の乾燥装置の概略側面図である。
【図4C】出力部へのウエハ出力中における出力部の一連の位置を示す図3A及び図3Bの本発明の乾燥装置の概略側面図である。
【図4D】出力部へのウエハ出力中における出力部の一連の位置を示す図3A及び図3Bの本発明の乾燥装置の概略側面図である。
【図4E】出力部へのウエハ出力中における出力部の一連の位置を示す図3A及び図3Bの本発明の乾燥装置の概略側面図である。
【図4F】出力部へのウエハ出力中における出力部の一連の位置を示す図3A及び図3Bの本発明の乾燥装置の概略側面図である。
【図4G】出力部へのウエハ出力中における出力部の一連の位置を示す図3A及び図3Bの本発明の乾燥装置の概略側面図である。
【図4H】出力部へのウエハ出力中における出力部の一連の位置を示す図3A及び図3Bの本発明の乾燥装置の概略側面図である。
【図4I】出力部へのウエハ出力中における出力部の一連の位置を示す図3A及び図3Bの本発明の乾燥装置の概略側面図である。
【図5】第2の態様にしたがって処理部が構成された本発明の乾燥装置を示す概略側面図である。
【図6】乾燥装置の蒸気ノズルと関連して設けられてもよい蒸気流れ偏向体の概略側面図である。
【図7】様々なIPA濃度及び様々な流量によって乾燥されたウエハ上に見られるパーティクスの数をプロットしたグラフである。
【図8A】蒸気流角度の説明に役立つ概略図である。
【図8B】様々な材料を含む基板を乾燥させるための好ましい蒸気流角度を示す表である。
【符号の説明】
【0086】
10…乾燥装置、11…処理部、12…出力部、18a…浸漬チャンバ、30…天井噴射ノズル、32…液中噴射ノズル、34…ロードポート、36…揺動体、37…アンロードポート、38…リンクシステム、40…アクチュエータ、44…プッシャ、46…ガイド、48…送りネジ、58…プラットフォーム、60…キャッチャ、64…エアーシリンダ。
Claims (5)
- 処理部と出力部とを備えるモジュールであって、
前記処理部は、
ウエハが貫通して前記処理部内へと下降可能なロードポートと、
ウエハを前記処理部の外側へと持ち上げることができるように、前記ロードポートから水平に離間して位置するアンロードポートと、
を有し、
前記出力部は、
前記アンロードポートを通じて持ち上げられたウエハを受けるように適合されたウエハ受け部と、
前記ウエハ受け部に結合され、前記アンロードポートから持ち上げられるウエハに接触するとともに、ウエハの持ち上げに伴って上昇するように適合されているキャッチャと、
を有するモジュール。 - 前記キャッチャは、ウエハの上側部位を固定するように適合されている、請求項1に記載のモジュール。
- 前記ウエハ受け部に結合され、ウエハ通過位置とウエハ固定位置との間で選択的に移動するように適合されているフィンガを更に備え、前記ウエハ固定位置は、ウエハの下側部位と接触してこれを固定するように適合されており、これにより、前記フィンガがウエハ固定位置にある時に前記キャッチャと前記フィンガとの間でウエハが固定される、請求項2に記載のモジュール。
- 処理部と出力部とを備え、ウエハを洗浄して乾燥させるように適合されたモジュールであって、
前記処理部は、
ウエハが貫通して前記処理部内へと下降可能なロードポートと、
ウエハを前記処理部の外側へと持ち上げることができるように、前記ロードポートから水平に離間して位置するアンロードポートと、
を有し、
前記出力部は、
前記アンロードポートを通じて持ち上げられたウエハを受けるように適合されたウエハ受け部と、
前記ウエハ受け部を取り囲む包囲体と、
を有し、
前記包囲体は、
ウエハを前記処理部から前記アンロードポートを介して前記ウエハ受け部へと持ち上げることができるように適合された第1の開口と、
ウエハハンドラがウエハを前記ウエハ受け部から引き出すことができるように適合された第2の開口と、
空気の層流を包囲体内に形成することができるように適合された複数の別個の開口と、
を有するモジュール。 - 処理部と出力部とを備えるモジュールであって、
前記処理部は、
ウエハが貫通して前記処理部内へと下降可能なロードポートと、
ウエハを前記処理部の外側へと持ち上げることができるように、前記ロードポートから水平に離間して位置するアンロードポートと、
を有し、
前記出力部は、
前記アンロードポートを通じて持ち上げられたウエハを受けるように適合された第1のウエハ受け部と、
前記アンロードポートを通じて持ち上げられたウエハを受けるように適合された第2のウエハ受け部と、
を有し、
前記第1及び第2のウエハ受け部は、第1のウエハ受け部が前記アンロードポートを通じて持ち上げられるウエハを受けるべく位置される第1の位置と、第2のウエハ受け部が前記アンロードポートを通じて持ち上げられるウエハを受けるべく位置される第2の位置との間で並進するように適合されていると共に、
前記第1及び第2のウエハ受け部を取り囲む包囲体を更に備え、
前記包囲体は、
ウエハを前記処理部から前記アンロードポートを介して前記第1及び第2のウエハ受け部のうちの一方へと持ち上げることができるように適合された第1の開口と、
ウエハハンドラがウエハを前記第1及び第2のウエハ受け部のうちの一方から引き出すことができるように適合された第2の開口と、
空気の層流を包囲体内に形成することができるように適合された複数の別個の開口と、
を有する、モジュール。
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CN101499413B (zh) * | 2001-11-02 | 2011-05-04 | 应用材料股份有限公司 | 单个晶片的干燥装置和干燥方法 |
US7513062B2 (en) * | 2001-11-02 | 2009-04-07 | Applied Materials, Inc. | Single wafer dryer and drying methods |
US20080000495A1 (en) * | 2001-12-07 | 2008-01-03 | Eric Hansen | Apparatus and method for single substrate processing |
US20090029560A1 (en) * | 2001-12-07 | 2009-01-29 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for single substrate processing |
US20040031167A1 (en) | 2002-06-13 | 2004-02-19 | Stein Nathan D. | Single wafer method and apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife |
US20040200409A1 (en) * | 2002-12-16 | 2004-10-14 | Applied Materials, Inc. | Scrubber with integrated vertical marangoni drying |
US7244315B2 (en) * | 2003-06-27 | 2007-07-17 | Fsi International, Inc. | Microelectronic device drying devices and techniques |
JP4248989B2 (ja) * | 2003-10-10 | 2009-04-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 高圧処理装置および高圧処理方法 |
US20060003570A1 (en) * | 2003-12-02 | 2006-01-05 | Arulkumar Shanmugasundram | Method and apparatus for electroless capping with vapor drying |
KR100634374B1 (ko) * | 2004-06-23 | 2006-10-16 | 삼성전자주식회사 | 기판을 건조하는 장치 및 방법 |
US7127830B2 (en) * | 2004-08-02 | 2006-10-31 | Wafertech, Llc | Reticle carrier apparatus and method that tilts reticle for drying |
JP4758846B2 (ja) * | 2005-11-18 | 2011-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 乾燥装置、乾燥方法、及び乾燥プログラム、並びに、これらを有する基板処理装置、基板処理方法、及び基板処理プログラム |
JP4580327B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2010-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の取り出し方法及びプログラム記憶媒体並びに載置機構 |
JP4901395B2 (ja) * | 2006-09-26 | 2012-03-21 | 富士フイルム株式会社 | 塗布膜の乾燥方法 |
EP2067162B1 (en) * | 2006-10-02 | 2017-12-13 | Lam Research AG | Device and method for removing liquid from a surface of a disc-like article |
US20080155852A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | Olgado Donald J K | Multiple substrate vapor drying systems and methods |
US7980000B2 (en) | 2006-12-29 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Vapor dryer having hydrophilic end effector |
US20080163900A1 (en) * | 2007-01-05 | 2008-07-10 | Douglas Richards | Ipa delivery system for drying |
US7694688B2 (en) | 2007-01-05 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Wet clean system design |
US7950407B2 (en) | 2007-02-07 | 2011-05-31 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for rapid filling of a processing volume |
US20080293329A1 (en) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for identifying a substrate edge profile and adjusting the processing of the substrate according to the identified edge profile |
US20090205686A1 (en) * | 2008-02-19 | 2009-08-20 | United Microelectronics Corp. | Wafer cleaning apparatus |
US8002901B1 (en) | 2009-01-15 | 2011-08-23 | Wd Media, Inc. | Temperature dependent pull speeds for drying of a wet cleaned workpiece |
JP5140641B2 (ja) * | 2009-06-29 | 2013-02-06 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
US20110289795A1 (en) * | 2010-02-16 | 2011-12-01 | Tomoatsu Ishibashi | Substrate drying apparatus, substrate drying method and control program |
US9293356B2 (en) | 2011-06-03 | 2016-03-22 | Tel Nexx, Inc. | Parallel single substrate processing system |
WO2013162638A1 (en) * | 2012-04-26 | 2013-10-31 | Applied Materials, Inc. | Vapor dryer module with reduced particle generation |
US8869422B2 (en) | 2012-04-27 | 2014-10-28 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for marangoni substrate drying using a vapor knife manifold |
CN102914139B (zh) * | 2012-10-19 | 2015-12-09 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 晶圆干燥设备及其形成方法 |
CN103909072A (zh) * | 2013-01-07 | 2014-07-09 | 台湾暹劲股份有限公司 | 电子元件清洗装置及其应用的作业设备 |
CN103017483A (zh) * | 2013-01-11 | 2013-04-03 | 彩虹(佛山)平板显示有限公司 | 一种掩膜版清洗后的干燥方法 |
JP6351993B2 (ja) * | 2013-03-18 | 2018-07-04 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US9728428B2 (en) * | 2013-07-01 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | Single use rinse in a linear Marangoni drier |
US9922801B2 (en) | 2013-08-23 | 2018-03-20 | Mapper Lithography Ip B.V. | Drying apparatus for use in a lithography system |
NL2011710C2 (en) * | 2013-10-31 | 2015-05-04 | F G J Lammertink Beheer B V | Device for cleaning a stylus of a measuring probe. |
KR20160026302A (ko) * | 2014-08-29 | 2016-03-09 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치와 기판 처리 방법 및 집적회로 소자 제조 방법 |
US9984867B2 (en) | 2014-12-19 | 2018-05-29 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for rinsing and drying substrates |
US9352471B1 (en) | 2015-01-21 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Substrate gripper apparatus and methods |
CN107845590B (zh) * | 2017-11-02 | 2020-03-31 | 德淮半导体有限公司 | 清洗装置 |
US11430672B2 (en) * | 2019-03-04 | 2022-08-30 | Applied Materials, Inc. | Drying environments for reducing substrate defects |
CN109887865B (zh) * | 2019-03-07 | 2021-08-20 | 上海华力微电子有限公司 | 一种晶圆清洗干燥装置、方法及化学机械研磨机台 |
CN111092036B (zh) * | 2020-03-23 | 2020-07-14 | 杭州众硅电子科技有限公司 | 一种晶圆清洗干燥装置 |
US11682567B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Cleaning system with in-line SPM processing |
CN111785663B (zh) * | 2020-07-10 | 2023-02-28 | 华海清科股份有限公司 | 一种晶圆后处理系统 |
CN111540702B (zh) * | 2020-07-10 | 2020-09-29 | 清华大学 | 竖直马兰戈尼晶圆处理装置 |
CN111900109A (zh) * | 2020-07-23 | 2020-11-06 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | Cmp清洗烘干装置 |
KR102360343B1 (ko) * | 2020-10-07 | 2022-02-09 | 주식회사 한양티에스 | 유닛형태의 테스트 인쇄회로기판용 세정 및 건조장치 |
CN214747111U (zh) * | 2021-01-22 | 2021-11-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 风干装置 |
KR20240121815A (ko) * | 2021-12-22 | 2024-08-09 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 연마된 웨이퍼의 결함을 줄이는 방법 |
Family Cites Families (118)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3868272A (en) * | 1973-03-05 | 1975-02-25 | Electrovert Mfg Co Ltd | Cleaning of printed circuit boards by solid and coherent jets of cleaning liquid |
US4647266A (en) * | 1979-12-21 | 1987-03-03 | Varian Associates, Inc. | Wafer coating system |
JPS58182235A (ja) | 1982-04-19 | 1983-10-25 | Nippon Texas Instr Kk | ウエハ洗浄装置 |
US4569695A (en) * | 1983-04-21 | 1986-02-11 | Nec Corporation | Method of cleaning a photo-mask |
US4534314A (en) * | 1984-05-10 | 1985-08-13 | Varian Associates, Inc. | Load lock pumping mechanism |
US4548699A (en) * | 1984-05-17 | 1985-10-22 | Varian Associates, Inc. | Transfer plate rotation system |
US4633893A (en) * | 1984-05-21 | 1987-01-06 | Cfm Technologies Limited Partnership | Apparatus for treating semiconductor wafers |
US4984597B1 (en) * | 1984-05-21 | 1999-10-26 | Cfmt Inc | Apparatus for rinsing and drying surfaces |
US4911761A (en) * | 1984-05-21 | 1990-03-27 | Cfm Technologies Research Associates | Process and apparatus for drying surfaces |
US4778532A (en) * | 1985-06-24 | 1988-10-18 | Cfm Technologies Limited Partnership | Process and apparatus for treating wafers with process fluids |
US4790155A (en) * | 1986-11-18 | 1988-12-13 | Burlington Industries, Inc. | Replaceable fluid dye applicator for inert-blanketed regions |
NL8900480A (nl) * | 1989-02-27 | 1990-09-17 | Philips Nv | Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof. |
US5045120A (en) * | 1989-03-06 | 1991-09-03 | Electrovert Ltd. | Method for cleaning electronic and other devices |
US5115576A (en) * | 1989-10-27 | 1992-05-26 | Semifab Incorporated | Vapor device and method for drying articles such as semiconductor wafers with substances such as isopropyl alcohol |
US4977688A (en) * | 1989-10-27 | 1990-12-18 | Semifab Incorporated | Vapor device and method for drying articles such as semiconductor wafers with substances such as isopropyl alcohol |
JPH0418436A (ja) | 1990-05-11 | 1992-01-22 | Mitsubishi Kasei Corp | 多孔性樹脂の製造方法 |
US5082518A (en) * | 1990-10-29 | 1992-01-21 | Submicron Systems, Inc. | Sparger plate for ozone gas diffusion |
JPH04179228A (ja) | 1990-11-14 | 1992-06-25 | Sonitsuku Fueroo Kk | 精密洗浄の乾燥方法 |
US5205303A (en) * | 1990-12-06 | 1993-04-27 | Electrovert Ltd. | Liquid cleaning process and apparatus for circuit boards and the like |
US5186192A (en) * | 1990-12-14 | 1993-02-16 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Apparatus for cleaning silicon wafer |
JP2901098B2 (ja) * | 1991-04-02 | 1999-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置および洗浄方法 |
US5154730A (en) * | 1991-05-17 | 1992-10-13 | Materials Research Corporation | Semiconductor wafer processing module having an inclined rotating wafer handling turret and a method of using the module |
US5215420A (en) * | 1991-09-20 | 1993-06-01 | Intevac, Inc. | Substrate handling and processing system |
US6391117B2 (en) * | 1992-02-07 | 2002-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of washing substrate with UV radiation and ultrasonic cleaning |
JP2727481B2 (ja) * | 1992-02-07 | 1998-03-11 | キヤノン株式会社 | 液晶素子用ガラス基板の洗浄方法 |
US5555981A (en) * | 1992-05-26 | 1996-09-17 | Empak, Inc. | Wafer suspension box |
JPH06459A (ja) | 1992-06-19 | 1994-01-11 | T H I Syst Kk | 洗浄乾燥方法とその装置 |
US5464480A (en) * | 1993-07-16 | 1995-11-07 | Legacy Systems, Inc. | Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid |
US5489341A (en) * | 1993-08-23 | 1996-02-06 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing with non-jetting fluid stream discharge array |
US5885138A (en) * | 1993-09-21 | 1999-03-23 | Ebara Corporation | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
KR100390293B1 (ko) * | 1993-09-21 | 2003-09-02 | 가부시끼가이샤 도시바 | 폴리싱장치 |
JP3126858B2 (ja) | 1993-10-29 | 2001-01-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の表面処理装置 |
US5575079A (en) | 1993-10-29 | 1996-11-19 | Tokyo Electron Limited | Substrate drying apparatus and substrate drying method |
JP3102826B2 (ja) | 1993-11-08 | 2000-10-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US5524654A (en) * | 1994-01-13 | 1996-06-11 | Kabushi Gaisha Ishii Hyoki | Etching, developing and peeling apparatus for printed board |
JPH07249605A (ja) | 1994-03-11 | 1995-09-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
JPH07263397A (ja) | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Hitachi Ltd | 超音波洗浄方法 |
DE4413077C2 (de) * | 1994-04-15 | 1997-02-06 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Behandlung von Substraten |
JPH07328572A (ja) | 1994-06-08 | 1995-12-19 | Hitachi Ltd | 超音波洗浄方法及び装置 |
US5542441A (en) * | 1994-08-03 | 1996-08-06 | Yieldup International | Apparatus for delivering ultra-low particle counts in semiconductor manufacturing |
US5931721A (en) * | 1994-11-07 | 1999-08-03 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Aerosol surface processing |
US5958146A (en) * | 1994-11-14 | 1999-09-28 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner using heated fluids |
US5772784A (en) * | 1994-11-14 | 1998-06-30 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
US5571337A (en) * | 1994-11-14 | 1996-11-05 | Yieldup International | Method for cleaning and drying a semiconductor wafer |
US5601655A (en) * | 1995-02-14 | 1997-02-11 | Bok; Hendrik F. | Method of cleaning substrates |
US5593505A (en) * | 1995-04-19 | 1997-01-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for cleaning semiconductor wafers with sonic energy and passing through a gas-liquid-interface |
US5660642A (en) * | 1995-05-26 | 1997-08-26 | The Regents Of The University Of California | Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor |
US5762749A (en) * | 1995-07-21 | 1998-06-09 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for removing liquid from substrates |
JP3333830B2 (ja) | 1995-07-27 | 2002-10-15 | 株式会社タクマ | 基板のリンス及び乾燥の方法及び装置 |
JPH1022257A (ja) | 1996-07-05 | 1998-01-23 | Tokyo Electron Ltd | 乾燥処理装置 |
US5975098A (en) | 1995-12-21 | 1999-11-02 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for and method of cleaning substrate |
US6286688B1 (en) * | 1996-04-03 | 2001-09-11 | Scp Global Technologies, Inc. | Compliant silicon wafer handling system |
JP3470501B2 (ja) | 1996-04-24 | 2003-11-25 | ソニー株式会社 | 半導体ウエハ遠心乾燥方法 |
JPH104078A (ja) | 1996-06-17 | 1998-01-06 | Sony Corp | 枚葉型ウエハ浸漬洗浄装置 |
JPH1022249A (ja) | 1996-07-01 | 1998-01-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 電解イオン水洗浄装置 |
JPH1022256A (ja) | 1996-07-05 | 1998-01-23 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄・乾燥処理装置及び洗浄・乾燥処理方法 |
US6041938A (en) * | 1996-08-29 | 2000-03-28 | Scp Global Technologies | Compliant process cassette |
JPH10106918A (ja) | 1996-09-26 | 1998-04-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液吐出ノズルおよび基板処理装置 |
US6045624A (en) * | 1996-09-27 | 2000-04-04 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for and method of cleaning objects to be processed |
US5749457A (en) * | 1996-12-23 | 1998-05-12 | Motorola Inc. | Electronic device with switch and pivotable actuator assembly |
US5942037A (en) * | 1996-12-23 | 1999-08-24 | Fsi International, Inc. | Rotatable and translatable spray nozzle |
JPH10189528A (ja) | 1996-12-27 | 1998-07-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
US6350322B1 (en) * | 1997-03-21 | 2002-02-26 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing water spotting and oxide growth on a semiconductor structure |
US6068002A (en) * | 1997-04-02 | 2000-05-30 | Tokyo Electron Limited | Cleaning and drying apparatus, wafer processing system and wafer processing method |
JP3552190B2 (ja) | 1997-09-10 | 2004-08-11 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置ならびに基板乾燥方法 |
JP3937508B2 (ja) | 1997-05-22 | 2007-06-27 | 株式会社Sumco | 半導体基板の洗浄装置 |
JPH10335298A (ja) | 1997-05-27 | 1998-12-18 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
JP3156074B2 (ja) | 1997-06-13 | 2001-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄・乾燥処理装置 |
JP3156075B2 (ja) | 1997-06-27 | 2001-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 乾燥処理装置 |
JP4001662B2 (ja) | 1997-06-27 | 2007-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | シリコンの洗浄方法および多結晶シリコンの作製方法 |
JP3550277B2 (ja) | 1997-07-24 | 2004-08-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US5884640A (en) | 1997-08-07 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for drying substrates |
US6119706A (en) * | 1997-09-22 | 2000-09-19 | Lucent Technologies Inc. | Apparatus for cleaning electronic components |
US5928432A (en) * | 1997-09-22 | 1999-07-27 | Lucent Techologies Inc. | Method for cleaning electronic components |
US5807439A (en) * | 1997-09-29 | 1998-09-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Apparatus and method for improved washing and drying of semiconductor wafers |
US6068441A (en) * | 1997-11-21 | 2000-05-30 | Asm America, Inc. | Substrate transfer system for semiconductor processing equipment |
JPH11176798A (ja) | 1997-12-08 | 1999-07-02 | Toshiba Corp | 基板洗浄・乾燥装置及び方法 |
US5913981A (en) * | 1998-03-05 | 1999-06-22 | Micron Technology, Inc. | Method of rinsing and drying semiconductor wafers in a chamber with a moveable side wall |
JPH11257851A (ja) * | 1998-03-10 | 1999-09-24 | Tokyo Electron Ltd | 乾燥装置及び乾燥方法 |
US6083566A (en) * | 1998-05-26 | 2000-07-04 | Whitesell; Andrew B. | Substrate handling and processing system and method |
US6273100B1 (en) | 1998-08-27 | 2001-08-14 | Micron Technology, Inc. | Surface cleaning apparatus and method |
US6264036B1 (en) * | 1998-10-09 | 2001-07-24 | Scp Global Technologies, Inc. | Process cassette |
US6045621A (en) * | 1998-10-26 | 2000-04-04 | Scd Mountain View, Inc. | Method for cleaning objects using a fluid charge |
US6199564B1 (en) * | 1998-11-03 | 2001-03-13 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and apparatus |
US6220259B1 (en) * | 1998-11-11 | 2001-04-24 | Applied Materials, Inc. | Tank design for sonic wafer cleaning |
US6311702B1 (en) * | 1998-11-11 | 2001-11-06 | Applied Materials, Inc. | Megasonic cleaner |
US6098643A (en) * | 1998-11-14 | 2000-08-08 | Miranda; Henry R. | Bath system for semiconductor wafers with obliquely mounted transducers |
US6256555B1 (en) * | 1998-12-02 | 2001-07-03 | Newport Corporation | Robot arm with specimen edge gripping end effector |
US6230406B1 (en) * | 1999-01-11 | 2001-05-15 | Electric Motion Company, Inc. | Flexible bond harness and manufacturing method therefor |
JP3174038B2 (ja) * | 1999-01-18 | 2001-06-11 | 東邦化成株式会社 | 基板乾燥方法およびその装置 |
US6098741A (en) * | 1999-01-28 | 2000-08-08 | Eaton Corporation | Controlled torque steering system and method |
US6245250B1 (en) * | 1999-03-05 | 2001-06-12 | Scp Global Technologies Inc. | Process vessel |
US6328814B1 (en) * | 1999-03-26 | 2001-12-11 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cleaning and drying substrates |
US6095741A (en) * | 1999-03-29 | 2000-08-01 | Lam Research Corporation | Dual sided slot valve and method for implementing the same |
JP3708742B2 (ja) | 1999-03-30 | 2005-10-19 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US6575177B1 (en) | 1999-04-27 | 2003-06-10 | Applied Materials Inc. | Semiconductor substrate cleaning system |
US6799583B2 (en) * | 1999-05-13 | 2004-10-05 | Suraj Puri | Methods for cleaning microelectronic substrates using ultradilute cleaning liquids |
US6468362B1 (en) | 1999-08-25 | 2002-10-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning/drying hydrophobic wafers |
US6192600B1 (en) * | 1999-09-09 | 2001-02-27 | Semitool, Inc. | Thermocapillary dryer |
US6395101B1 (en) * | 1999-10-08 | 2002-05-28 | Semitool, Inc. | Single semiconductor wafer processor |
JP2001176833A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
US6530388B1 (en) | 2000-02-15 | 2003-03-11 | Quantum Global Technologies, Llc | Volume efficient cleaning systems |
US6401353B2 (en) * | 2000-03-08 | 2002-06-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate dryer |
EP1168422B1 (en) | 2000-06-27 | 2009-12-16 | Imec | Method and apparatus for liquid-treating and drying a substrate |
US6558477B1 (en) * | 2000-10-16 | 2003-05-06 | Micron Technology, Inc. | Removal of photoresist through the use of hot deionized water bath, water vapor and ozone gas |
US20020121289A1 (en) * | 2001-03-05 | 2002-09-05 | Applied Materials, Inc. | Spray bar |
US6578369B2 (en) * | 2001-03-28 | 2003-06-17 | Fsi International, Inc. | Nozzle design for generating fluid streams useful in the manufacture of microelectronic devices |
JP3535853B2 (ja) * | 2001-09-18 | 2004-06-07 | エム・エフエスアイ株式会社 | 基板の支持固定具、及びこれを用いた基板表面の乾燥方法 |
US7513062B2 (en) * | 2001-11-02 | 2009-04-07 | Applied Materials, Inc. | Single wafer dryer and drying methods |
CN101499413B (zh) | 2001-11-02 | 2011-05-04 | 应用材料股份有限公司 | 单个晶片的干燥装置和干燥方法 |
US6704220B2 (en) * | 2002-05-03 | 2004-03-09 | Infineon Technologies Ag | Layout for thermally selected cross-point MRAM cell |
US6875289B2 (en) * | 2002-09-13 | 2005-04-05 | Fsi International, Inc. | Semiconductor wafer cleaning systems and methods |
US20040200409A1 (en) | 2002-12-16 | 2004-10-14 | Applied Materials, Inc. | Scrubber with integrated vertical marangoni drying |
US20040129297A1 (en) * | 2003-01-03 | 2004-07-08 | Settlemyer Kenneth T. | Method and system for reducing effects of halfpitch wafer spacing during wet processes |
US7244315B2 (en) * | 2003-06-27 | 2007-07-17 | Fsi International, Inc. | Microelectronic device drying devices and techniques |
EP1652224A2 (en) * | 2003-07-31 | 2006-05-03 | FSI International, Inc. | Controlled growth of highly uniform, oxide layers, especially ultrathin layers |
JP4179228B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2008-11-12 | ぺんてる株式会社 | ボールペンチップ |
US20060124155A1 (en) * | 2004-12-13 | 2006-06-15 | Suuronen David E | Technique for reducing backside particles |
-
2002
- 2002-11-01 CN CN2009101281209A patent/CN101499413B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-01 US US10/286,404 patent/US6955516B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-01 KR KR1020047006610A patent/KR100939596B1/ko active IP Right Grant
- 2002-11-01 CN CNB028219694A patent/CN100477071C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-01 CN CN2008101660361A patent/CN101414547B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-01 CN CN2008101660376A patent/CN101414548B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-01 KR KR1020087025343A patent/KR20080095310A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-11-01 EP EP02789348A patent/EP1446827A2/en not_active Withdrawn
- 2002-11-01 TW TW091132449A patent/TWI285911B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-11-01 CN CN200710103401XA patent/CN101086955B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-11-01 WO PCT/US2002/034973 patent/WO2003041131A2/en active Application Filing
- 2002-11-01 JP JP2003543076A patent/JP4296090B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-07-12 US US11/179,926 patent/US20050241684A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-04-04 US US11/398,058 patent/US20060174921A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-08-28 US US11/846,400 patent/US7980255B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-12-29 US US12/345,642 patent/US20090241996A1/en not_active Abandoned
- 2008-12-29 US US12/345,605 patent/US20100006124A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101086955B (zh) | 2013-03-27 |
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