JP2000109999A

JP2000109999A - 基板メッキ装置

Info

Publication number: JP2000109999A
Application number: JP28284598A
Authority: JP
Inventors: Fumio Kuriyama; 文夫栗山; Naoaki Kogure; 直明小榑; Akihisa Hongo; 明久本郷
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 1998-10-05
Filing date: 1998-10-05
Publication date: 2000-04-18
Anticipated expiration: 2018-10-05
Also published as: JP4044223B2

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体ウエハをカセットに入れず１枚ずつ連
続的にメッキ装置内に導入し処理することができると共
に、パーティクル汚染や酸化膜の形成を極力減少でき、
且つ工程を少なくし装置の据付け面積を少さくすること
が可能な基板メッキ装置を提供することを目的とする。【解決手段】基板にメッキ処理を施すメッキ処理部、
該メッキ処理後の基板を洗浄する洗浄処理部を具備する
基板メッキ装置において、メッキ処理される基板を一枚
ずつ当該基板メッキ装置内に導入し、メッキ処理及び水
洗処理をした後、一枚ずつ当該基板メッキ装置外に排出
するように、基板の基板メッキ装置内への導入と、排出
の少なくとも片方をメッキ装置内の基板搬送機で行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は基板にメッキを施す
基板メッキ装置に関し、特に半導体ウエハ等の基板面上
に形成された微細溝及び／又は微細穴からなる配線部に
配線層を形成するメッキ装置として好適な基板メッキ装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体デバイスの回路配線材料に
はアルミニウムが多く用いられている。そして半導体デ
バイスの配線形成は、アルミニウムスパッタにエッチバ
ックを行なう方法が多く行われている。一方、銅等の他
の金属材料による配線形成には上述した方法では配線形
成が困難な場合がある。そこで、基板に配線用の溝や穴
を予め形成し、金属材料を該溝や穴の中に埋め込み、そ
の後表面を化学機械研磨（ＣＭＰ）する方法が採られて
いる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
デバイスの集積度の向上に伴い、配線の微細化が進み配
線の幅は更に小さくなり、ステップカバレッジが大きく
なるに従い、従来行われていたスパッタによる微細溝や
微細穴（微細コンタクトホール）からなる配線部に金属
を埋め込むには限界があり、これら配線部に空孔ができ
易いという問題があった。

【０００４】例えば、半導体デバイスの高集積化によ
り、幅が０．１８μｍや０．１３μｍの配線溝や配線穴
が要求される。このように微細化した配線溝や配線穴に
スパッタにより金属材の埋め込みを行うことはむずかし
い。そこで、スパッタによる金属材の埋め込みに替え、
このような微細溝や微細穴からなる配線部を含む半導体
ウエハ表面に電解メッキや無電解メッキによりＣｕメッ
キ層を形成し、その後該配線部のＣｕメッキ層を残し
て、半導体ウエハ表面のＣｕメッキ層を除去する工程を
１つの装置で実施する技術の開発が要望される。

【０００５】メッキ処理工程の前工程であるシード層の
形成を無電解Ｃｕメッキ又は液組成の異なる電解Ｃｕメ
ッキで行う場合、これらのメッキ処理及び洗浄処理後の
半導体ウエハを乾燥させ、ウエハカセットに入れ該ウエ
ハカセットごと装置間を移動させているが、この方法よ
りも半導体ウエハに洗浄液が付着した状態、即ち濡れた
状態でＣｕメッキ装置に導入した方が乾燥工程等が省略
できる。そのためには半導体ウエハをカセットに入れず
１枚ずつ連続的にＣｕメッキ装置内に導入したほうが半
導体ウエハの汚染の問題が少なくなる。

【０００６】更に、半導体ウエハを１枚ずつＣｕメッキ
装置内に導入後メッキ処理されるまでの待機時間中、パ
ーティクル汚染、酸化膜形成防止のため純水中や希硫酸
中に一時保管させていれば、メッキ液中に半導体ウエハ
を浸漬後に表面酸化被膜を除去するための無通電時間の
設定が不要となる。

【０００７】また、半導体デバイスが微細化し、穴中の
シート層の厚さが薄くなると表面酸化被膜を除去する目
的のエッチングは極力少なくなければならない。即ち、
メッキ処理前の酸化膜形成を極力防止しなければならな
い。

【０００８】また、メッキ処理後の半導体ウエハを連続
的に１枚ずつＣｕメッキ装置外に排出したその後工程で
あるＣＭＰ装置を接近させて設置すれば、装置としては
Ｃｕメッキ装置とＣＭＰ装置とは分離してはいるが、ア
ンロードステージや場合によっては乾燥工程が省略でき
るため装置の据付け面積を少なくすることが可能とな
る。

【０００９】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、半導体ウエハをカセットに入れず１枚ずつ連続的に
メッキ装置内に導入し処理することができると共に、パ
ーティクル汚染や酸化膜の形成を極力減少でき、且つ工
程を少なくし装置の据付け面積を小さくすることが可能
な基板メッキ装置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に記載の発明は、基板にメッキ処理を施すメッ
キ処理部、該メッキ処理後の基板を洗浄する洗浄処理部
を具備する基板メッキ装置において、メッキ処理される
基板を一枚ずつ基板メッキ装置内に導入し、メッキ処理
及び水洗処理をした後、一枚ずつ当該基板メッキ装置外
に排出するように、基板の当該基板メッキ装置内への導
入と、排出の少なくとも一方をメッキ装置内の基板搬送
機で行うことを特徴とする。

【００１１】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の基板メッキ装置において、保管液を収容した基
板保管槽を設け、基板メッキ装置内に導入しメッキ処理
部でメッキ処理するまでの待機中の基板又はメッキ処理
部及び洗浄処理部でメッキ処理及び洗浄処理した後の基
板を該基板保管槽の保管液中に浸漬して保管することを
特徴とする。

【００１２】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
に記載の基板メッキ装置において、基板メッキ装置内に
導入された基板の搬入位置からメッキ処理部近傍に達す
るまで及び／又は洗浄処理部近傍から当該基板メッキ装
置の基板排出位置に達するまで、基板を純水中を通して
搬送する基板水中搬送機を設けることを特徴とする。

【００１３】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
に記載の基板メッキ装置において、メッキ処理部及び洗
浄処理部でメッキ処理及び洗浄処理した後の基板を洗浄
液が付着したまま当該基板メッキ装置内に配置されてい
るロボットで当該基板メッキ装置の外に排出することを
特徴とする。

【００１４】また、請求項５に記載の発明は、請求項１
に記載の基板メッキ装置において、メッキ処理部及び洗
浄処理部でメッキ処理及び洗浄処理した後の基板を乾燥
し、当該基板メッキ装置内に配置されているロボットで
当該基板メッキ装置の外に排出することを特徴とする。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。なお、本実施形態例では基板の
メッキ装置を半導体ウエハ配線メッキ装置を例に説明す
る。図１は請求項１に記載の基板メッキ装置の平面構成
を示す図である。図示するように、メッキ装置１０はレ
ール１１の上を矢印Ａに示すように往復動する搬送ロボ
ット１２、Ｃｕメッキ槽１３、１３、洗浄槽１４が配置
されている。

【００１６】メッキ処理を行う半導体ウエハは搬送ロボ
ット１２により、導入口１５から１枚ずつメッキ装置１
０内に導入され、Ｃｕメッキ槽１３でＣｕメッキ処理が
施され、続いて洗浄槽１４で洗浄され、排出口１６から
メッキ装置外に排出する。

【００１７】上記配置構成のメッキ装置において、搬送
ロボット１２により導入口１５から導入される未処理の
半導体ウエハは図２（ａ）に示すように、半導体ウエハ
Ｗ上の導電層１０６の上にＳｉＯ₂からなる絶縁膜１０
５が形成され、該絶縁膜１０５にリソグラフィ・エッチ
ング技術により配線溝１０１及び配線穴（コンタクトホ
ール）１０２からなる配線部が形成されている。

【００１８】このような半導体ウエハにＣｕメッキ槽１
３でＣｕメッキ処理を施すと図２（ｂ）に示すように、
配線溝１０１や配線穴１０２からなる配線部を含む半導
体ウエハＷの表面上にＣｕメッキ層１０３を形成する。
なお、図２において、１０４はＴｉＮ等からなるバリア
層である。

【００１９】Ｃｕメッキ槽１３、１３で行われるメッキ
処理は無電解メッキでも電解メッキでもよく、例えば前
段が無電解メッキ、後段を電解メッキとしてもよい。Ｃ
ｕメッキ処理により、Ｃｕメッキ層１０３が形成された
半導体ウエハは洗浄槽１４で純水等の洗浄液で洗浄さ
れ、洗浄液が付着した状態で搬送ロボット１２で排出口
１６から、メッキ装置１０の外に排出される。

【００２０】排出口１６から洗浄液が付着されたまま排
出された半導体ウエハは、次の工程である例えば図示し
ないＣＭＰ装置に移送され、該ＣＭＰ装置で図２（ｃ）
に示すように、Ｃｕメッキ層１０３から配線溝１０１や
配線穴１０２に形成したＣｕメッキ層を残して半導体ウ
エハＷの表面上のＣｕメッキ層を除去する。従って、Ｃ
ＭＰ装置を排出口１６に隣接して配置すれば、メッキ処
理及び洗浄処理した後の半導体ウエハの乾燥処理工程は
不要となる。

【００２１】図３は請求項２に記載の基板メッキ装置の
平面構成を示す図である。図示するように、メッキ装置
１０には保管液を収容した基板保管槽１７が設けられて
いる。搬送ロボット１２により、導入口１５から１枚ず
つメッキ装置１０内に導入された未処理の半導体ウエハ
はＣｕメッキ槽１３、１３でＣｕメッキ処理するまでの
待機時間中該基板保管槽１７の保管液中に浸漬して保管
する。

【００２２】図４は基板保管槽１７の構成を示す図であ
る。基板保管槽１７は図示するように、保管槽１７−１
を具備し、その底部にはウエハカセット１７−２を載置
する載置台１７−３及び保管液を供給する保管液供給ノ
ズル１７−４が配置され、更に保管槽１７−１の上端部
には保管槽１７−１の上端からオーバーフローする保管
液を回収するための回収樋１７−５が設けられている。
ここで保管液としては純水の他に希硫酸液又はＣｕメッ
キ層１０３の表面の酸化を防止する酸化防止液等を用い
る。これによりメッキ処理の待機時間中に半導体ウエハ
の表面にメッキ処理の障害となる酸化被膜の形成やパー
ティクル汚染を防止できる。

【００２３】上記構成のメッキ装置１０において、導入
口１５からメッキ装置１０内に導入される未処理の半導
体ウエハの処理方法は、下記の３通りが考えられる。

【００２４】第１の処理方法は、基板保管槽１７に一時
保管し、保管後Ｃｕメッキ槽１３、１３でＣｕメッキ処
理し、洗浄槽１４で洗浄し、排出口１６から排出する。

【００２５】第２の処理方法は、導入された未処理の半
導体ウエハをＣｕメッキ槽１３、１３でＣｕメッキ処理
し、洗浄槽１４で洗浄し、基板保管槽１７に一時保管
し、排出口１６から排出する。

【００２６】第３の方法は、基板保管槽１７に一時保管
し、保管後Ｃｕメッキ槽１３、１３でＣｕメッキ処理
し、洗浄槽１４で洗浄し、基板保管槽１７に一時保管
し、排出口１６から排出する。

【００２７】図５は請求項３に記載の基板メッキ装置の
平面構成を示す図である。図示するように、メッキ装置
１０には導入口１５からＣｕメッキ槽１３の近傍に達す
るように基板水中搬送機１８が配置されている。該基板
水中搬送機１８は図６に示すように、水路１８−１を具
備し、該水路１８−１には純水Ｑが供給口１８−４から
供給され、矢印Ｂ方向に水面Ｈの高さを保持しながら流
れ、排水口１８−５から排出されている。また、水路１
８−１の底部には多数の搬送ローラー１８−２を具備す
るローラーコンベア１８−３が配置されている。

【００２８】上記構成の基板水中搬送機１８の搬入端の
ローラーコンベア１８−３に導入口１５から導入される
未処理の半導体ウエハＷを載置すると、該半導体ウエハ
Ｗは矢印Ｃに示すように純水Ｑの流れ（矢印Ｂ方向）と
は反対方向に純水中を通って移送される。そして搬送ロ
ボット１２により、Ｃｕメッキ槽１３に移送され、Ｃｕ
メッキ処理を施され、洗浄槽１４で洗浄された後、搬送
ロボット１２で排出口１６からメッキ装置１０の外に排
出される。

【００２９】図７は請求項３に記載の基板メッキ装置の
他の平面構成を示す図である。図示するように、メッキ
装置１０には洗浄槽１４の近傍から排出口１６に達する
ように基板水中搬送機１８が配置されている。該基板水
中搬送機１８の構成は図６に示す基板水中搬送機１８と
同一の構成である。

【００３０】導入口１５から搬送ロボット１２で１枚ず
つメッキ装置１０内に導入される未処理の半導体ウエハ
Ｗは、Ｃｕメッキ槽１３でＣｕメッキ処理が施された
後、基板水中搬送機１８の搬入端のローラーコンベア１
８−３に載置されると、該半導体ウエハＷは矢印Ｃに示
すように純水Ｑの流れ（矢印Ｂ方向）とは反対方向に純
水中を通って排出口１６の近傍まで移送される。該排出
口１６の近傍まで移送された半導体ウエハＷはメッキ装
置１０の外部に配置された移送手段により、純水が付着
した状態、即ち濡れた状態で排出される。

【００３１】図８は図１に示す平面構成のメッキ装置１
０の導入口１５及び排出口１６の側に隣接してシード層
形成用メッキ装置２０を配置した平面構成を示す図であ
る。シード層形成用メッキ装置２０の搬入口２１から複
数枚の半導体ウエハを収納してウエハカセット（図示せ
ず）が搬入され、該各半導体ウエハＷの表面には後に詳
述するシード層が形成される。

【００３２】そして該シード層形成用メッキ装置２０で
シード層が形成された半導体ウエハＷはメッキ装置１０
内に配置された搬送ロボット１２で導入口１５を通って
１枚つづメッキ装置１０内に導入され、Ｃｕメッキ槽１
３、１３でＣｕメッキ処理され、洗浄槽１４で洗浄処理
され、搬送ロボット１２によりシード層形成用メッキ装
置２０に移送された後、該シード層形成用メッキ装置２
０内に配置された搬送ロボット等によりウエハカセット
に複数枚収納され、該ウエハカセットごと搬出口２２か
ら外部に搬出される。

【００３３】配線メッキ層を形成する未処理の半導体ウ
エハＷに図２（ａ）に示すように、半導体ウエハＷ上の
導電層１０６の上にＳｉＯ₂からなる絶縁膜１０５が形
成され、該絶縁膜１０５に配線溝１０１及び配線穴１０
２からなる配線部が形成され、さらにその表面にＴｉＮ
やＴａＮ等からなるバリア層１０４が形成されている。
このバリア層１０４は導電体ではないのでその表面に電
解メッキで直接Ｃｕメッキ層を形成することができな
い。また、無電解メッキでＣｕメッキ層を形成するにし
ても金属（ここではＣｕ）の成長開始のためのシード層
をバリア層１０４の表面に形成する必要がある。

【００３４】上記シード層形成用メッキ装置２０では図
９に示すようにシード層１０７としてバリア層１０４の
表面に無電解メッキでＣｕの薄膜を形成する。無電解メ
ッキでＣｕの薄膜を形成するにはパラジウム処理により
バリア層１０４の表面に金属成長のための多数のパラジ
ウムの核を形成し、該核を中心に金属（ここではＣｕ）
を成長させて行う。

【００３５】上記のようにシード層形成用メッキ装置２
０の配置は、図１に示すメッキ装置に限定されるもので
はなく、図３に示すメッキ装置１０の導入口１５及び排
出口１６の側に隣接して配置することも可能であるし、
また、図５及び図７に示すメッキ装置１０の導入口１５
側に隣接して配置することも可能である。

【００３６】図１０は図１に示す平面構成のメッキ装置
１０に隣接してシード層形成用メッキ装置２０、ＣＭＰ
室３０、洗浄モジュール４０、４１、４２、アンロード
室４６を配置した構成である。ＣＭＰ室３０にはＣＭＰ
装置３１が配置され、洗浄モジュール４０、４１、４２
にはそれぞれ洗浄機（又は洗浄・乾燥機）４３、４４、
４５が配置されている。

【００３７】図１０に示す装置において、シード層形成
用メッキ装置２０では図９に示すように半導体ウエハＷ
のバリア層１０４の表面にシード層１０７が形成され
る。該シード層１０７の形成された半導体ウエハＷはメ
ッキ装置１０の搬送ロボット１２により１枚ずつ導入さ
れ、Ｃｕメッキ槽１３、１３でＣｕメッキ処理され図９
（ｂ）に示すようにＣｕメッキ層１０３が形成され、洗
浄槽１４で洗浄され、洗浄液の付着した状態でＣＭＰ室
３０のＣＭＰ装置３１に移送され、該ＣＭＰ装置３１で
図２（ｃ）に示すように、Ｃｕメッキ層１０３から配線
溝１０１や配線穴１０２に形成したＣｕメッキ層を残し
て半導体ウエハＷの表面上のＣｕメッキ層を除去する。

【００３８】上記配線溝１０１や配線穴１０２に形成し
たＣｕメッキ層を残してＣｕメッキ層が除去された半導
体ウエハＷは洗浄モジュール４０、４１の洗浄機４３、
４４で順次洗浄され、洗浄モジュール４２の洗浄機４５
で洗浄乾燥され、該乾燥された半導体アンロードウエハ
Ｗはアンロード室４６内に配置されたウエハカセットに
複数枚収容され、該ウエハカセットごとに搬出口４７か
ら搬出される。

【００３９】なお、上記例では図１に示すメッキ装置１
０にシード層形成用メッキ装置２０、ＣＭＰ室３０、洗
浄モジュール４０、４１、４２、アンロード室４６を配
置した構成を示したが、図３、図５、図７に示すメッキ
装置１０もそれに隣接させてシード層形成用メッキ装置
２０、ＣＭＰ室３０、洗浄モジュール４０、４１、４
２、アンロード室４６を配置することは勿論可能であ
る。

【００４０】上記のようにメッキ処理される半導体ウエ
ハＷを一枚ずつメッキ装置１０内に導入し、Ｃｕメッキ
槽１３、洗浄槽１４で洗浄処理した後、一枚ずつメッキ
装置１０の外に排出するようにメッキ装置１０を構成し
たので、半導体ウエハＷをカセットに入れず１枚ずつ連
続的にＣｕメッキ装置内に導入し処理することができる
と共に、パーティクル汚染や酸化膜の形成を極力減少で
き、装置間を移動させる場合でもメッキ装置１０に隣接
して配置することにより、乾燥工程等の工程を省略する
ことができ、全体として設備規模を小さくでき、据付け
面積を少なくすることが可能な半導体ウエハ配線メッキ
装置の構築が容易にできる。

【００４１】なお、上記例では基板メッキ装置を半導体
ウエハ配線メッキ装置を例に説明したが、基板は半導体
ウエハに限定されるものではなく、またメッキ処理する
部分も基板面上に形成された配線部に限定されるもので
はない。また、上記例ではＣｕメッキを例に説明した
が、Ｃｕメッキに限定されるものではない。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように本願各請求項に記載
の発明によれば下記のような優れた効果が得られる。

【００４３】請求項１に記載の発明によれば、メッキ処
理される基板を一枚ずつ基板メッキ装置内に導入し、メ
ッキ処理及び水洗処理をした後、一枚ずつ当該基板メッ
キ装置外に排出するように、基板の当該基板メッキ装置
内への導入と排出の少なくとも片方をメッキ装置内の基
板搬送機で行うので、例えばメッキ工程の前工程である
シード層の形成を無電解Ｃｕメッキ又は液組成の異なる
電解Ｃｕメッキで行う場合、これらのメッキ処理及び洗
浄処理後の半導体ウエハを乾燥させ、ウエハカセットに
入れ該ウエハカセットごと装置間を移動させる必要がな
く、洗浄液が付着した状態で基板を取り扱うことがで
き、乾燥工程等が省略できるため全体として装置規模全
体を小さくできる。

【００４４】また、請求項２に記載の発明によれば、保
管液を収容した基板保管槽を設け、メッキ処理部でメッ
キ処理するまでの待機中の基板又はメッキ処理部及び洗
浄処理部でメッキ処理及び洗浄処理した後の基板を該基
板保管槽の保管液中に浸漬して保管するので、メッキ処
理されるまでの待機時間中にパーティクル汚染、酸化膜
形成を防止できる。また、酸化膜形成を防止できること
により、メッキ液中に基板を浸漬した後に表面酸化被膜
を除去するための無通電時間の設定が不要となる。

【００４５】また、請求項３に記載の発明によれば、基
板メッキ装置内に導入された基板の搬入位置からメッキ
処理部近傍に達するまで及び／又は洗浄処理部近傍から
基板メッキ装置の基板排出位置に達するまで、基板を純
水中を通して搬送する基板水中搬送機を設けたので、導
入された基板がメッキ処理部に移送されるまで、メッキ
処理及び洗浄処理後の基板が基板排出位置まで移送され
る間に待機中に大気に曝されることがなく、パーティク
ル汚染及び酸化膜形成を防止することができる。また、
酸化膜形成を防止できることにより、メッキ液中に基板
を浸漬した後に表面酸化被膜を除去するための無通電時
間の設定が不要となる。

【００４６】また、請求項４に記載の発明によれば、メ
ッキ処理及び洗浄処理後の基板を洗浄液が付着したまま
基板メッキ装置内に配置されているロボットで当該基板
メッキ装置の外に排出するので、当該基板メッキ装置に
隣接して次の処理工程の装置を配置することにより、乾
燥工程を省略して連続処理を実行できる。

【００４７】また、請求項５に記載の発明によれば、メ
ッキ処理及び洗浄処理後の基板を乾燥し、基板メッキ装
置内に配置されているロボットで当該基板メッキ装置の
外に排出するので、排出先が汚染を嫌う環境であって適
用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基板メッキ装置の平面構成を示す図で
ある。

【図２】本発明の基板メッキ装置によってメッキを行う
工程の一例を示す半導体ウエハ断面図である。

【図３】本発明の基板メッキ装置の平面構成を示す図で
ある。

【図４】本発明の基板メッキ装置に用いる基板保管槽の
構成を示す図である。

【図５】本発明の基板メッキ装置の平面構成を示す図で
ある。

【図６】本発明の基板メッキ装置に用いる基板水中搬送
機の構成を示す図である。

【図７】本発明の基板メッキ装置の平面構成を示す図で
ある。

【図８】本発明の基板メッキ装置に隣接してシード層形
成用メッキ装置を配置した平面構成を示す図である。

【図９】本発明の基板メッキ装置とシード層形成用メッ
キ装置によってメッキを行う工程の一例を示す半導体ウ
エハ断面図である。

【図１０】本発明の基板メッキ装置に隣接してシード層
形成用メッキ装置、ＣＭＰ室、洗浄モジュール、アンロ
ード室を配置した平面構成を示す図である。

【符号の説明】

１０メッキ装置１１レール１２搬送ロボット１３Ｃｕメッキ槽１４洗浄槽１５導入口１６排出口１７基板保管槽１８基板水中搬送機２０シード層形成用メッキ装置２１搬入口２２搬出口３０ＣＭＰ室３１ＣＭＰ装置４０洗浄モジュール４１洗浄モジュール４２洗浄モジュール４３洗浄機４４洗浄機４５洗浄機４６アンロード室４７搬出口

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者本郷明久東京都大田区羽田旭町11番１号株式会社荏原製作所内Ｆターム(参考） 4K022 AA05 AA42 BA08 CA03 DA01 DB15 DB17 4K024 AA09 AB01 BA15 BB11 CB01 CB02 CB03 DA04 GA16 4M104 BB04 BB30 BB32 CC01 DD52 DD53 FF18 FF22 5F031 CA02 FA01 FA07 FA12 GA53 MA23 MA25 NA07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板にメッキ処理を施すメッキ処理部、
該メッキ処理後の基板を洗浄する洗浄処理部を具備する
基板メッキ装置において、前記メッキ処理される基板を一枚ずつ当該基板メッキ装
置内に導入し、メッキ処理及び水洗処理をした後、一枚
ずつ当該基板メッキ装置外に排出するように、前記基板
の当該基板メッキ装置内への導入と排出の少なくとも片
方をメッキ装置内の基板搬送機で行うことを特徴とする
基板メッキ装置。
【請求項２】請求項１に記載の基板メッキ装置におい
て、保管液を収容した基板保管槽を設け、前記基板メッキ装
置内に導入し前記メッキ処理部でメッキ処理するまでの
待機中の基板又は前記メッキ処理部及び洗浄処理部でメ
ッキ処理及び洗浄処理した後の基板を該基板保管槽の保
管液中に浸漬して保管することを特徴とする基板メッキ
装置。
【請求項３】請求項１に記載の基板メッキ装置におい
て、前記基板メッキ装置内に導入された基板の搬入位置から
前記メッキ処理部近傍に達するまで及び／又は前記洗浄
処理部近傍から当該基板メッキ装置の基板排出位置に達
するまで、前記基板を純水中を通して搬送する基板水中
搬送機を設けることを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項４】請求項１に記載の基板メッキ装置におい
て、前記メッキ処理部及び洗浄処理部でメッキ処理及び洗浄
処理した後の基板を洗浄液が付着したまま当該基板メッ
キ装置内に配置されているロボットで当該基板メッキ装
置の外に排出することを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項５】請求項１に記載の基板メッキ装置におい
て、前記メッキ処理部及び洗浄処理部でメッキ処理及び洗浄
処理した後の基板を乾燥し、当該基板メッキ装置内に配
置されているロボットで当該基板メッキ装置の外に排出
することを特徴とする基板メッキ装置。