JP2002121698A - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体製造装置および半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2002121698A JP2002121698A JP2000312834A JP2000312834A JP2002121698A JP 2002121698 A JP2002121698 A JP 2002121698A JP 2000312834 A JP2000312834 A JP 2000312834A JP 2000312834 A JP2000312834 A JP 2000312834A JP 2002121698 A JP2002121698 A JP 2002121698A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- holder
- electrolytic plating
- electropolishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 176
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 124
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 65
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 41
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 40
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 15
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 36
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 36
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 36
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 27
- FEBFYWHXKVOHDI-UHFFFAOYSA-N [Co].[P][W] Chemical compound [Co].[P][W] FEBFYWHXKVOHDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 6
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100327917 Caenorhabditis elegans chup-1 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/6723—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one plating chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Weting (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 銅配線プロセスにおける、メッキ工程、アニ
ーリング工程、二つのＣＭＰ工程等の複数工程を一つの
製造装置で行うことによりＴＡＴの短縮を図るととも
に、ＣＭＰ工程を他工程に置き換えることで消耗材のコ
ストを抑える。 【解決手段】 基板９１が電解メッキされる電解メッキ
チャンバ１１と、基板９１が電解研磨される電解研磨チ
ャンバ２１と、電解メッキチャンバ１１に対する基板９
１の搬入搬出および電解研磨チャンバ２１に対する基板
９１の搬入搬出を行う搬送装置８３を設置したもので、
電解メッキチャンバ１１と電解研磨チャンバ２１のそれ
ぞれに接続された搬送チャンバ８１とを備えたもので、
搬送チャンバ８１には、図示はしないが、無電解メッキ
チャンバ、アニーリングチャンバ、液処理チャンバ等を
備えることも可能である。
ーリング工程、二つのＣＭＰ工程等の複数工程を一つの
製造装置で行うことによりＴＡＴの短縮を図るととも
に、ＣＭＰ工程を他工程に置き換えることで消耗材のコ
ストを抑える。 【解決手段】 基板９１が電解メッキされる電解メッキ
チャンバ１１と、基板９１が電解研磨される電解研磨チ
ャンバ２１と、電解メッキチャンバ１１に対する基板９
１の搬入搬出および電解研磨チャンバ２１に対する基板
９１の搬入搬出を行う搬送装置８３を設置したもので、
電解メッキチャンバ１１と電解研磨チャンバ２１のそれ
ぞれに接続された搬送チャンバ８１とを備えたもので、
搬送チャンバ８１には、図示はしないが、無電解メッキ
チャンバ、アニーリングチャンバ、液処理チャンバ等を
備えることも可能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置お
よび半導体装置の製造方法に関し、詳しくは銅電解メッ
キ、電解研磨の２工程または銅電解メッキ、アニーリン
グ、電解研磨、選択的ＣｏＷＰ無電解メッキの４工程を
実施する半導体製造装置および半導体装置の製造方法に
関する。
よび半導体装置の製造方法に関し、詳しくは銅電解メッ
キ、電解研磨の２工程または銅電解メッキ、アニーリン
グ、電解研磨、選択的ＣｏＷＰ無電解メッキの４工程を
実施する半導体製造装置および半導体装置の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】銅配線は、アルミニウム配線より低抵
抗，低容量、高信頼性を得ることができるので、配線の
寄生抵抗、寄生容量による回路遅延が支配的になる微細
素子において重要性を増してきている。銅配線を形成す
る最も一般的な方法として、ダマシン工程が広く受け入
れられている。そのダマシン工程のなかでも製造コスト
の点からデュアルダマシンプロセスが受け入れられてい
る。このデュアルダマシン工程の採用によって、銅配線
プロセスは従来のアルミニウム配線工程より低コスト化
されることが期待されていた。
抗，低容量、高信頼性を得ることができるので、配線の
寄生抵抗、寄生容量による回路遅延が支配的になる微細
素子において重要性を増してきている。銅配線を形成す
る最も一般的な方法として、ダマシン工程が広く受け入
れられている。そのダマシン工程のなかでも製造コスト
の点からデュアルダマシンプロセスが受け入れられてい
る。このデュアルダマシン工程の採用によって、銅配線
プロセスは従来のアルミニウム配線工程より低コスト化
されることが期待されていた。
【０００３】銅配線を形成するデュアルダマシンプロセ
スでは、溝および接続孔にバリア層を形成した後、スパ
ッタリングにより銅シード層を形成する工程、電解メッ
キにより溝および接続孔内に銅を埋め込む工程、アニー
リングによる銅の結晶成長工程、化学的機械研磨（以下
ＣＭＰという、ＣＭＰはChemical Mechanical Polishin
g ）により余剰な銅を除去する工程、ＣＭＰにより余剰
なバリア層を除去する工程、化学的気相成長（以下ＣＶ
Ｄという、ＣＶＤは Chemical Vapor Deposition の
略）装置により溝内に埋め込まれた銅表面に酸化防止層
を形成する工程等を、それぞれ、単独の装置、例えば電
解メッキ装置、ＣＭＰ装置、ＣＶＤ装置等を用いて行っ
ていた。
スでは、溝および接続孔にバリア層を形成した後、スパ
ッタリングにより銅シード層を形成する工程、電解メッ
キにより溝および接続孔内に銅を埋め込む工程、アニー
リングによる銅の結晶成長工程、化学的機械研磨（以下
ＣＭＰという、ＣＭＰはChemical Mechanical Polishin
g ）により余剰な銅を除去する工程、ＣＭＰにより余剰
なバリア層を除去する工程、化学的気相成長（以下ＣＶ
Ｄという、ＣＶＤは Chemical Vapor Deposition の
略）装置により溝内に埋め込まれた銅表面に酸化防止層
を形成する工程等を、それぞれ、単独の装置、例えば電
解メッキ装置、ＣＭＰ装置、ＣＶＤ装置等を用いて行っ
ていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、銅配線
の形成プロセスでは、銅シード層の形成工程、銅メッキ
工程、アニーリング工程、二つのＣＭＰ工程といった複
数のステップを、個々の製造装置によって実施してい
た。そのため、ＴＡＴ（ターンアラウンドタイム）も長
いという問題があった。
の形成プロセスでは、銅シード層の形成工程、銅メッキ
工程、アニーリング工程、二つのＣＭＰ工程といった複
数のステップを、個々の製造装置によって実施してい
た。そのため、ＴＡＴ（ターンアラウンドタイム）も長
いという問題があった。
【０００５】また、ＣＭＰにより銅とバリア層とを研磨
するには、銅およびバリア層に対して別個のスラリーと
別個のパッドとを用意する必要があり、そのため複雑な
工程となっていた。そのため、従来のアルミニウム配線
よりコスト高となっている点が問題の一つでもあった。
とりわけ、ＣＭＰ工程は、研磨スラリー、研磨パッドな
どの消耗材のコストが大きな問題となっていた。
するには、銅およびバリア層に対して別個のスラリーと
別個のパッドとを用意する必要があり、そのため複雑な
工程となっていた。そのため、従来のアルミニウム配線
よりコスト高となっている点が問題の一つでもあった。
とりわけ、ＣＭＰ工程は、研磨スラリー、研磨パッドな
どの消耗材のコストが大きな問題となっていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされた半導体製造装置および半導体装置
の製造方法である。
決するためになされた半導体製造装置および半導体装置
の製造方法である。
【０００７】本発明の第１の半導体製造装置は、基板が
電解メッキされる電解メッキ装置が構成される電解メッ
キチャンバと、基板が電解研磨される電解研磨装置が構
成される電解研磨チャンバと、前記電解メッキチャンバ
に対する基板の搬入搬出および前記電解研磨チャンバに
対する基板の搬入搬出を行う搬送装置を設置したもの
で、前記電解メッキチャンバと前記電解研磨チャンバの
それぞれに接続された搬送チャンバとを備えたものであ
る。
電解メッキされる電解メッキ装置が構成される電解メッ
キチャンバと、基板が電解研磨される電解研磨装置が構
成される電解研磨チャンバと、前記電解メッキチャンバ
に対する基板の搬入搬出および前記電解研磨チャンバに
対する基板の搬入搬出を行う搬送装置を設置したもの
で、前記電解メッキチャンバと前記電解研磨チャンバの
それぞれに接続された搬送チャンバとを備えたものであ
る。
【０００８】上記第１の半導体製造装置では、電解メッ
キ装置が構成される電解メッキチャンバと電解研磨装置
が構成される電解研磨チャンバとを備え、上記各チャン
バが搬送装置を備えた搬送チャンバに接続されているこ
とから、一つの製造装置で連続して、電解メッキと電解
研磨とが行われる。しかも、基板を大気に開放すること
なく、基板の搬送は搬送チャンバを介するだけで連続的
に行うことができるので、ＴＡＴの大幅な短縮化が図れ
る。また、除去工程をＣＭＰではなく電解研磨で行うよ
うになっているため、ＣＭＰのような消耗材に高いコス
トがかからない。
キ装置が構成される電解メッキチャンバと電解研磨装置
が構成される電解研磨チャンバとを備え、上記各チャン
バが搬送装置を備えた搬送チャンバに接続されているこ
とから、一つの製造装置で連続して、電解メッキと電解
研磨とが行われる。しかも、基板を大気に開放すること
なく、基板の搬送は搬送チャンバを介するだけで連続的
に行うことができるので、ＴＡＴの大幅な短縮化が図れ
る。また、除去工程をＣＭＰではなく電解研磨で行うよ
うになっているため、ＣＭＰのような消耗材に高いコス
トがかからない。
【０００９】本発明の第２の半導体製造装置は、基板が
電解メッキされる電解メッキ装置が構成される電解メッ
キチャンバと、基板が電解研磨される電解研磨装置が構
成される電解研磨チャンバと、前記基板が無電解メッキ
される無電解メッキチャンバと、前記基板がアニーリン
グされるアニーリング装置が構成されるアニーリングチ
ャンバと、前記電解メッキチャンバに対する基板の搬入
搬出、前記電解研磨チャンバに対する基板の搬入搬出お
よび前記アニーリングチャンバに対する基板の搬入搬出
を行う搬送装置を設置したもので、前記電解メッキチャ
ンバと前記電解研磨チャンバと前記アニーリングチャン
バとのそれぞれに接続された搬送チャンバとを備えたも
のである。
電解メッキされる電解メッキ装置が構成される電解メッ
キチャンバと、基板が電解研磨される電解研磨装置が構
成される電解研磨チャンバと、前記基板が無電解メッキ
される無電解メッキチャンバと、前記基板がアニーリン
グされるアニーリング装置が構成されるアニーリングチ
ャンバと、前記電解メッキチャンバに対する基板の搬入
搬出、前記電解研磨チャンバに対する基板の搬入搬出お
よび前記アニーリングチャンバに対する基板の搬入搬出
を行う搬送装置を設置したもので、前記電解メッキチャ
ンバと前記電解研磨チャンバと前記アニーリングチャン
バとのそれぞれに接続された搬送チャンバとを備えたも
のである。
【００１０】上記第２の半導体製造装置では、電解メッ
キ装置が構成される電解研磨装置が構成される電解メッ
キチャンバと電解研磨チャンバと無電解メッキチャンバ
とアニーリングチャンバとを備え、上記各チャンバが搬
送装置を備えた搬送チャンバに接続されていることか
ら、一つの製造装置で連続して、電解メッキと電解研磨
と無電解メッキとアニーリングとが行われる。しかも、
基板を大気に開放することなく、基板の搬送は搬送チャ
ンバを介するだけで各チャンバに対して連続的に行うこ
とができるので、ＴＡＴの大幅な短縮化が図れる。ま
た、除去工程をＣＭＰではなく電解研磨で行うようにな
っているため、ＣＭＰのような消耗材に高いコストがか
からない。
キ装置が構成される電解研磨装置が構成される電解メッ
キチャンバと電解研磨チャンバと無電解メッキチャンバ
とアニーリングチャンバとを備え、上記各チャンバが搬
送装置を備えた搬送チャンバに接続されていることか
ら、一つの製造装置で連続して、電解メッキと電解研磨
と無電解メッキとアニーリングとが行われる。しかも、
基板を大気に開放することなく、基板の搬送は搬送チャ
ンバを介するだけで各チャンバに対して連続的に行うこ
とができるので、ＴＡＴの大幅な短縮化が図れる。ま
た、除去工程をＣＭＰではなく電解研磨で行うようにな
っているため、ＣＭＰのような消耗材に高いコストがか
からない。
【００１１】本発明の第１の半導体装置の製造方法は、
電解メッキ法によって基板に電解メッキ膜を形成する工
程と、前記基板を酸化性雰囲気にさらすことなく電解研
磨法によって前記基板に形成した前記電解メッキ膜の少
なくとも一部を電解研磨する工程とを連続して行う。
電解メッキ法によって基板に電解メッキ膜を形成する工
程と、前記基板を酸化性雰囲気にさらすことなく電解研
磨法によって前記基板に形成した前記電解メッキ膜の少
なくとも一部を電解研磨する工程とを連続して行う。
【００１２】上記第１の半導体装置の製造方法では、電
解メッキと電解研磨とを連続的に行うことから、従来の
ように各処理を単独で行う装置間を巡って処理を行って
いた製造方法と比較して、ＴＡＴの大幅な短縮化が図れ
る。
解メッキと電解研磨とを連続的に行うことから、従来の
ように各処理を単独で行う装置間を巡って処理を行って
いた製造方法と比較して、ＴＡＴの大幅な短縮化が図れ
る。
【００１３】本発明の第２の半導体装置の製造方法は、
電解メッキ法によって基板に電解メッキ膜を形成する工
程と、前記電解メッキ後の基板を酸化性雰囲気にさらす
ことなく電解研磨法によって前記電解メッキ膜の少なく
とも一部を電解研磨する工程と、前記電解研磨後の基板
を酸化性雰囲気にさらすことなく前記基板をアニーリン
グする工程と、前記アニーリング後の基板を酸化性雰囲
気にさらすことなく無電解メッキ法によって前記基板に
無電解メッキ膜を形成する工程とを備えている。
電解メッキ法によって基板に電解メッキ膜を形成する工
程と、前記電解メッキ後の基板を酸化性雰囲気にさらす
ことなく電解研磨法によって前記電解メッキ膜の少なく
とも一部を電解研磨する工程と、前記電解研磨後の基板
を酸化性雰囲気にさらすことなく前記基板をアニーリン
グする工程と、前記アニーリング後の基板を酸化性雰囲
気にさらすことなく無電解メッキ法によって前記基板に
無電解メッキ膜を形成する工程とを備えている。
【００１４】上記第２の半導体装置の製造方法では、基
板を酸化性の雰囲気にさらすことなく、電解メッキ、電
解研磨、無電解メッキを連続して行うことができ、また
アニーリングも電解メッキ、電解研磨もしくは無電解メ
ッキに連続して行うことが可能になるので、従来のよう
に各処理を単独で行う装置間を巡って処理を行っていた
製造方法と比較して、ＴＡＴの大幅な短縮化が図れる。
板を酸化性の雰囲気にさらすことなく、電解メッキ、電
解研磨、無電解メッキを連続して行うことができ、また
アニーリングも電解メッキ、電解研磨もしくは無電解メ
ッキに連続して行うことが可能になるので、従来のよう
に各処理を単独で行う装置間を巡って処理を行っていた
製造方法と比較して、ＴＡＴの大幅な短縮化が図れる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の第１の半導体製造装置に
係る実施の形態を、図１〜図３の概略構成図によって説
明する。
係る実施の形態を、図１〜図３の概略構成図によって説
明する。
【００１６】図１に示すように、第１の半導体製造装置
１は、基板が電解メッキされる電解メッキ装置が構成さ
れる電解メッキチャンバ１１と、基板が電解研磨される
電解研磨装置が構成される電解研磨チャンバ２１と、上
記電解メッキチャンバ１１と上記電解研磨チャンバ２１
とを接続した搬送チャンバ８１とからなる。
１は、基板が電解メッキされる電解メッキ装置が構成さ
れる電解メッキチャンバ１１と、基板が電解研磨される
電解研磨装置が構成される電解研磨チャンバ２１と、上
記電解メッキチャンバ１１と上記電解研磨チャンバ２１
とを接続した搬送チャンバ８１とからなる。
【００１７】図２に示すように、上記電解メッキチャン
バ１１は、その内部に基板９１を保持するとともに矢印
方向Ａに昇降自在となっているホルダ１２が設置されて
いる。上記電解メッキチャンバ内で上記ホルダ１２に対
向する位置には、ホルダ１２が上昇した際に、ホルダ１
２に保持された基板９１とともに閉空間を形成してその
閉空間に電解メッキ液（図示せず）を充填することが可
能なカップ１３が設けられている。この状態を２点鎖線
で示す。このカップ１３には電解メッキ液を供給する電
解メッキ液供給部（図示せず）が接続されている。
バ１１は、その内部に基板９１を保持するとともに矢印
方向Ａに昇降自在となっているホルダ１２が設置されて
いる。上記電解メッキチャンバ内で上記ホルダ１２に対
向する位置には、ホルダ１２が上昇した際に、ホルダ１
２に保持された基板９１とともに閉空間を形成してその
閉空間に電解メッキ液（図示せず）を充填することが可
能なカップ１３が設けられている。この状態を２点鎖線
で示す。このカップ１３には電解メッキ液を供給する電
解メッキ液供給部（図示せず）が接続されている。
【００１８】また、ホルダ１２に保持された基板９１表
面に処理液を供給するノズル１４が設置されている。こ
のノズル１４は、例えばスプレーノズルであってもよ
く、シャワーノズルであってもよく、またはその他の構
成のノズルであってもよい。このノズル１４からは処理
液として例えば洗浄液５１（破線で示す）が基板９１に
供給されるようになっている。
面に処理液を供給するノズル１４が設置されている。こ
のノズル１４は、例えばスプレーノズルであってもよ
く、シャワーノズルであってもよく、またはその他の構
成のノズルであってもよい。このノズル１４からは処理
液として例えば洗浄液５１（破線で示す）が基板９１に
供給されるようになっている。
【００１９】上記電解メッキチャンバ１１の側部には基
板９１を搬入搬出するための出入り口１６が設けられて
いる。この出入り口１６は、例えばゲートバルブ（図示
せず）が設置され搬送チャンバ８１に接続されている。
さらに電解メッキチャンバ１１の底部には使用済みの電
解メッキ液や洗浄液を排出するドレイン１７設けられて
いる。また、電解メッキチャンバ１１には、チャンバ内
を非酸化性雰囲気とする非酸化性ガス供給部１８が接続
されていていて、さらに非酸化性ガスを排気する排気部
１９が接続されている。なお、上記構成ではホルダ１２
を昇降自在としたが、ホルダ１２を固定して、カップ１
３を昇降自在としてもよい。
板９１を搬入搬出するための出入り口１６が設けられて
いる。この出入り口１６は、例えばゲートバルブ（図示
せず）が設置され搬送チャンバ８１に接続されている。
さらに電解メッキチャンバ１１の底部には使用済みの電
解メッキ液や洗浄液を排出するドレイン１７設けられて
いる。また、電解メッキチャンバ１１には、チャンバ内
を非酸化性雰囲気とする非酸化性ガス供給部１８が接続
されていていて、さらに非酸化性ガスを排気する排気部
１９が接続されている。なお、上記構成ではホルダ１２
を昇降自在としたが、ホルダ１２を固定して、カップ１
３を昇降自在としてもよい。
【００２０】図３に示すように、上記電解研磨チャンバ
２１は、その内部に基板９１を保持するとともに矢印方
向Ａに昇降自在となっているホルダ２２が設置されてい
る。上記電解研磨チャンバ２１内で上記ホルダ２２に対
向する位置には、ホルダ２２が上昇した際に、ホルダ２
２に保持された基板９１とともに閉空間を形成してその
閉空間に電解研磨液（図示せず）を充填することが可能
なカップ２３が設けられている。この状態を２点鎖線で
示す。このカップ２３には電解研磨液を供給する電解研
磨液供給部（図示せず）が接続されている。
２１は、その内部に基板９１を保持するとともに矢印方
向Ａに昇降自在となっているホルダ２２が設置されてい
る。上記電解研磨チャンバ２１内で上記ホルダ２２に対
向する位置には、ホルダ２２が上昇した際に、ホルダ２
２に保持された基板９１とともに閉空間を形成してその
閉空間に電解研磨液（図示せず）を充填することが可能
なカップ２３が設けられている。この状態を２点鎖線で
示す。このカップ２３には電解研磨液を供給する電解研
磨液供給部（図示せず）が接続されている。
【００２１】また、ホルダ２２に保持された基板９１表
面に処理液を供給する第１、第２のノズル２４、２５が
設置されている。第１、第２のノズル２４、２５は、例
えばスプレーノズルであってもよく、シャワーノズルで
あってもよく、またはその他の構成のノズルであっても
よい。第１のノズル２４からは処理液として例えば洗浄
液５１が基板９１に供給されるようになっている。また
第２のノズル２５からは処理液として例えばエッチング
液５２が基板９１に供給されるようになっている。
面に処理液を供給する第１、第２のノズル２４、２５が
設置されている。第１、第２のノズル２４、２５は、例
えばスプレーノズルであってもよく、シャワーノズルで
あってもよく、またはその他の構成のノズルであっても
よい。第１のノズル２４からは処理液として例えば洗浄
液５１が基板９１に供給されるようになっている。また
第２のノズル２５からは処理液として例えばエッチング
液５２が基板９１に供給されるようになっている。
【００２２】上記電解研磨チャンバ２１の側部には基板
９１を搬入搬出するための出入り口２６が設けられてい
る。この出入り口２６は、例えばゲートバルブ（図示せ
ず）が設置され搬送チャンバ８１に接続されている。さ
らに電解研磨チャンバ２１の底部には使用済みの電解研
磨液やエッチング液、洗浄液等を排出するドレイン２７
設けられている。また、電解研磨チャンバ２１には、チ
ャンバ内を非酸化性雰囲気とする非酸化性ガス供給部２
８が接続されていていて、さらに非酸化性ガスを排気す
る排気部２９が接続されている。なお、上記構成ではホ
ルダ２２を昇降自在としたが、ホルダ２２を固定して、
カップ２３を昇降自在としてもよい。
９１を搬入搬出するための出入り口２６が設けられてい
る。この出入り口２６は、例えばゲートバルブ（図示せ
ず）が設置され搬送チャンバ８１に接続されている。さ
らに電解研磨チャンバ２１の底部には使用済みの電解研
磨液やエッチング液、洗浄液等を排出するドレイン２７
設けられている。また、電解研磨チャンバ２１には、チ
ャンバ内を非酸化性雰囲気とする非酸化性ガス供給部２
８が接続されていていて、さらに非酸化性ガスを排気す
る排気部２９が接続されている。なお、上記構成ではホ
ルダ２２を昇降自在としたが、ホルダ２２を固定して、
カップ２３を昇降自在としてもよい。
【００２３】前記図１に示すように、上記搬送チャンバ
８１は、上記電解メッキチャンバ１１に対する基板の搬
入搬出および上記電解研磨チャンバ２１に対する基板の
搬入搬出を行う搬送装置８３が設置されたもので、電解
メッキチャンバ１１と電解研磨チャンバ２１とのそれぞ
れに、例えば基板９１を搬入搬出する出入り口にゲート
バルブを介して接続されている。
８１は、上記電解メッキチャンバ１１に対する基板の搬
入搬出および上記電解研磨チャンバ２１に対する基板の
搬入搬出を行う搬送装置８３が設置されたもので、電解
メッキチャンバ１１と電解研磨チャンバ２１とのそれぞ
れに、例えば基板９１を搬入搬出する出入り口にゲート
バルブを介して接続されている。
【００２４】上記第１の半導体製造装置１では、電解メ
ッキ装置が構成される電解メッキチャンバ１１と電解研
磨装置が構成される電解研磨チャンバ２１とを備え、上
記各チャンバが搬送装置８３を備えた搬送チャンバ８１
に接続されていることから、複数の機能を持つ一つの製
造装置で電解メッキと電解研磨とが連続して行われる。
しかも、基板を大気に開放することなく、基板の搬送は
搬送チャンバ８１を介するだけで連続的に行うことがで
きるので、ＴＡＴの大幅な短縮化が図れる。また、除去
工程をＣＭＰではなく電解研磨で行うようになっている
ため、ＣＭＰのような消耗材に高いコストがかからな
い。
ッキ装置が構成される電解メッキチャンバ１１と電解研
磨装置が構成される電解研磨チャンバ２１とを備え、上
記各チャンバが搬送装置８３を備えた搬送チャンバ８１
に接続されていることから、複数の機能を持つ一つの製
造装置で電解メッキと電解研磨とが連続して行われる。
しかも、基板を大気に開放することなく、基板の搬送は
搬送チャンバ８１を介するだけで連続的に行うことがで
きるので、ＴＡＴの大幅な短縮化が図れる。また、除去
工程をＣＭＰではなく電解研磨で行うようになっている
ため、ＣＭＰのような消耗材に高いコストがかからな
い。
【００２５】本発明の第２の半導体製造装置に係る実施
の形態を、図４の概略構成図、前記図２、図３、および
図５、図６の概略構成図によって説明する。なお、前記
図１〜図３によって説明したのと同様の構成部品には同
一符号を付与する。
の形態を、図４の概略構成図、前記図２、図３、および
図５、図６の概略構成図によって説明する。なお、前記
図１〜図３によって説明したのと同様の構成部品には同
一符号を付与する。
【００２６】図４に示すように、第２の半導体製造装置
２は、基板が電解メッキされる電解メッキ装置が構成さ
れる電解メッキチャンバ１１、基板が電解研磨される電
解研磨装置が構成される電解研磨チャンバ２１、基板が
無電解メッキされる無電解メッキ装置が構成される無電
解メッキチャンバ３１、基板がアニーリングされるアニ
ーリング装置が構成されるアニーリングチャンバ４１お
よび上記電解メッキチャンバ１１と上記電解研磨チャン
バ２１と無電解メッキチャンバ３１とアニーリングチャ
ンバ４１とを接続した搬送チャンバ８１とからなる。さ
らに上記搬送チャンバ８１には、メッキシード層を補強
・形成するための電解メッキチャンバ６１、基板に処理
液を供給する液処理チャンバ７１が接続されている。
２は、基板が電解メッキされる電解メッキ装置が構成さ
れる電解メッキチャンバ１１、基板が電解研磨される電
解研磨装置が構成される電解研磨チャンバ２１、基板が
無電解メッキされる無電解メッキ装置が構成される無電
解メッキチャンバ３１、基板がアニーリングされるアニ
ーリング装置が構成されるアニーリングチャンバ４１お
よび上記電解メッキチャンバ１１と上記電解研磨チャン
バ２１と無電解メッキチャンバ３１とアニーリングチャ
ンバ４１とを接続した搬送チャンバ８１とからなる。さ
らに上記搬送チャンバ８１には、メッキシード層を補強
・形成するための電解メッキチャンバ６１、基板に処理
液を供給する液処理チャンバ７１が接続されている。
【００２７】上記電解メッキチャンバ１１は、前記図２
によって説明したのと同様の構成を有している。すなわ
ち、前記図２に示すように、上記電解メッキチャンバ１
１は、その内部に基板９１を保持するとともに矢印方向
Ａに昇降自在となっているホルダ１２が設置されてい
る。上記電解メッキチャンバ内で上記ホルダ１２に対向
する位置には、ホルダ１２が上昇した際に、ホルダ１２
に保持された基板９１とともに閉空間を形成してその閉
空間に電解メッキ液（図示せず）を充填することが可能
なカップ１３が設けられている。この状態を２点鎖線で
示す。このカップ１３には電解メッキ液を供給する電解
メッキ液供給部（図示せず）が接続されている。さらに
図示はしないが、カップ１３には電解メッキに必要な電
力を供給する電源が接続されている。
によって説明したのと同様の構成を有している。すなわ
ち、前記図２に示すように、上記電解メッキチャンバ１
１は、その内部に基板９１を保持するとともに矢印方向
Ａに昇降自在となっているホルダ１２が設置されてい
る。上記電解メッキチャンバ内で上記ホルダ１２に対向
する位置には、ホルダ１２が上昇した際に、ホルダ１２
に保持された基板９１とともに閉空間を形成してその閉
空間に電解メッキ液（図示せず）を充填することが可能
なカップ１３が設けられている。この状態を２点鎖線で
示す。このカップ１３には電解メッキ液を供給する電解
メッキ液供給部（図示せず）が接続されている。さらに
図示はしないが、カップ１３には電解メッキに必要な電
力を供給する電源が接続されている。
【００２８】また、ホルダ１２に保持された基板９１表
面に処理液を供給するノズル１４が設置されている。こ
のノズル１４は、例えばスプレーノズルであってもよ
く、シャワーノズルであってもよく、またはその他の構
成のノズルであってもよい。このノズル１４からは処理
液として例えば洗浄液５１が基板９１に供給されるよう
になっている。
面に処理液を供給するノズル１４が設置されている。こ
のノズル１４は、例えばスプレーノズルであってもよ
く、シャワーノズルであってもよく、またはその他の構
成のノズルであってもよい。このノズル１４からは処理
液として例えば洗浄液５１が基板９１に供給されるよう
になっている。
【００２９】上記電解メッキチャンバ１１の側部には基
板９１を搬入搬出するための出入り口１６が設けられて
いる。この出入り口１６は、例えばゲートバルブ（図示
せず）が設置され搬送チャンバ８１に接続されている。
さらに電解メッキチャンバ１１の底部には使用済みの電
解メッキ液や洗浄液を排出するドレイン１７設けられて
いる。また、電解メッキチャンバ１１には、チャンバ内
を非酸化性雰囲気とする非酸化性ガス供給部１８が接続
されていていて、さらに非酸化性ガスを排気する排気部
１９が接続されている。なお、上記構成ではホルダ１２
を昇降自在としたが、ホルダ１２を固定して、カップ１
３を昇降自在としてもよい。
板９１を搬入搬出するための出入り口１６が設けられて
いる。この出入り口１６は、例えばゲートバルブ（図示
せず）が設置され搬送チャンバ８１に接続されている。
さらに電解メッキチャンバ１１の底部には使用済みの電
解メッキ液や洗浄液を排出するドレイン１７設けられて
いる。また、電解メッキチャンバ１１には、チャンバ内
を非酸化性雰囲気とする非酸化性ガス供給部１８が接続
されていていて、さらに非酸化性ガスを排気する排気部
１９が接続されている。なお、上記構成ではホルダ１２
を昇降自在としたが、ホルダ１２を固定して、カップ１
３を昇降自在としてもよい。
【００３０】上記電解研磨チャンバ２１は、前記図３に
よって説明したのと同様の構成を有している。すなわ
ち、前記図３に示すように、上記電解研磨チャンバ２１
は、その内部に基板９１を保持するとともに矢印方向Ａ
に昇降自在となっているホルダ２２が設置されている。
上記電解研磨チャンバ２１内で上記ホルダ２２に対向す
る位置には、ホルダ２２が上昇した際に、ホルダ２２に
保持された基板９１とともに閉空間を形成してその閉空
間に電解研磨液（図示せず）を充填することが可能なカ
ップ２３が設けられている。この状態を２点鎖線で示
す。このカップ２３には電解研磨液を供給する電解研磨
液供給部（図示せず）が接続されている。さらに図示は
しないが、カップ２３には電解研磨に必要な電力を供給
する電源が接続されている。
よって説明したのと同様の構成を有している。すなわ
ち、前記図３に示すように、上記電解研磨チャンバ２１
は、その内部に基板９１を保持するとともに矢印方向Ａ
に昇降自在となっているホルダ２２が設置されている。
上記電解研磨チャンバ２１内で上記ホルダ２２に対向す
る位置には、ホルダ２２が上昇した際に、ホルダ２２に
保持された基板９１とともに閉空間を形成してその閉空
間に電解研磨液（図示せず）を充填することが可能なカ
ップ２３が設けられている。この状態を２点鎖線で示
す。このカップ２３には電解研磨液を供給する電解研磨
液供給部（図示せず）が接続されている。さらに図示は
しないが、カップ２３には電解研磨に必要な電力を供給
する電源が接続されている。
【００３１】また、ホルダ２２に保持された基板９１表
面に処理液を供給する第１、第２のノズル２４、２５が
設置されている。第１、第２のノズル２４、２５は、例
えばスプレーノズルであってもよく、シャワーノズルで
あってもよく、またはその他の構成のノズルであっても
よい。第１のノズル２４からは処理液として例えば洗浄
液５１が基板９１に供給されるようになっている。また
第２のノズル２５からは処理液として例えばエッチング
液５２が基板９１に供給されるようになっている。
面に処理液を供給する第１、第２のノズル２４、２５が
設置されている。第１、第２のノズル２４、２５は、例
えばスプレーノズルであってもよく、シャワーノズルで
あってもよく、またはその他の構成のノズルであっても
よい。第１のノズル２４からは処理液として例えば洗浄
液５１が基板９１に供給されるようになっている。また
第２のノズル２５からは処理液として例えばエッチング
液５２が基板９１に供給されるようになっている。
【００３２】さらに電解研磨チャンバ２１の側部には基
板９１を搬入搬出するための出入り口２６が設けられて
いる。この出入り口２６は、例えばゲートバルブ（図示
せず）が設置され搬送チャンバ８１に接続されている。
さらに電解研磨チャンバ２１の底部には使用済みの電解
研磨液やエッチング液、洗浄液等を排出するドレイン２
７設けられている。また、電解研磨チャンバ２１には、
チャンバ内を非酸化性雰囲気とする非酸化性ガス供給部
２８が接続されていていて、さらに非酸化性ガスを排気
する排気部２９が接続されている。なお、上記構成では
ホルダ２２を昇降自在としたが、ホルダ２２を固定し
て、カップ２３を昇降自在としてもよい。
板９１を搬入搬出するための出入り口２６が設けられて
いる。この出入り口２６は、例えばゲートバルブ（図示
せず）が設置され搬送チャンバ８１に接続されている。
さらに電解研磨チャンバ２１の底部には使用済みの電解
研磨液やエッチング液、洗浄液等を排出するドレイン２
７設けられている。また、電解研磨チャンバ２１には、
チャンバ内を非酸化性雰囲気とする非酸化性ガス供給部
２８が接続されていていて、さらに非酸化性ガスを排気
する排気部２９が接続されている。なお、上記構成では
ホルダ２２を昇降自在としたが、ホルダ２２を固定し
て、カップ２３を昇降自在としてもよい。
【００３３】図５に示すように、上記無電解メッキチャ
ンバ３１は、その内部に基板９１を保持するとともに矢
印方向に昇降自在となっているホルダ３２が設置されて
いる。上記無電解メッキチャンバ３１内で上記ホルダ３
２に対向する位置には、ホルダ３２が上昇した際に、ホ
ルダ３２に保持された基板９１とともに閉空間を形成し
てその閉空間に電解研磨液（図示せず）を充填すること
が可能なカップ３３が設けられている。この状態を２点
鎖線で示す。このカップ３３には無電解メッキ液を供給
する無電解メッキ供給部（図示せず）が接続されてい
る。
ンバ３１は、その内部に基板９１を保持するとともに矢
印方向に昇降自在となっているホルダ３２が設置されて
いる。上記無電解メッキチャンバ３１内で上記ホルダ３
２に対向する位置には、ホルダ３２が上昇した際に、ホ
ルダ３２に保持された基板９１とともに閉空間を形成し
てその閉空間に電解研磨液（図示せず）を充填すること
が可能なカップ３３が設けられている。この状態を２点
鎖線で示す。このカップ３３には無電解メッキ液を供給
する無電解メッキ供給部（図示せず）が接続されてい
る。
【００３４】また、ホルダ３２に保持された基板９１表
面に処理液を供給するノズル３４が設置されている。ノ
ズル３４は、例えばスプレーノズルであってもよく、シ
ャワーノズルであってもよく、またはその他の構成のノ
ズルであってもよい。ノズル３４からは処理液として例
えば洗浄液５１が基板９１に供給されるようになってい
る。
面に処理液を供給するノズル３４が設置されている。ノ
ズル３４は、例えばスプレーノズルであってもよく、シ
ャワーノズルであってもよく、またはその他の構成のノ
ズルであってもよい。ノズル３４からは処理液として例
えば洗浄液５１が基板９１に供給されるようになってい
る。
【００３５】さらに無電解メッキチャンバ３１の側部に
は基板９１を搬入搬出するための出入り口３６が設けら
れている。この出入り口３６は、例えばゲートバルブ
（図示せず）が設置され搬送チャンバ８１に接続されて
いる。さらに無電解メッキチャンバ３１の底部には使用
済みの無電解メッキ液、洗浄液等を排出するドレイン３
７設けられている。また、無電解メッキチャンバ３１に
は、チャンバ内を非酸化性雰囲気とする非酸化性ガス供
給部３８が接続されていていて、さらに非酸化性ガスを
排気する排気部３９が接続されている。なお、上記構成
ではホルダ３２を昇降自在としたが、ホルダ３２を固定
して、カップ３３を昇降自在としてもよい。
は基板９１を搬入搬出するための出入り口３６が設けら
れている。この出入り口３６は、例えばゲートバルブ
（図示せず）が設置され搬送チャンバ８１に接続されて
いる。さらに無電解メッキチャンバ３１の底部には使用
済みの無電解メッキ液、洗浄液等を排出するドレイン３
７設けられている。また、無電解メッキチャンバ３１に
は、チャンバ内を非酸化性雰囲気とする非酸化性ガス供
給部３８が接続されていていて、さらに非酸化性ガスを
排気する排気部３９が接続されている。なお、上記構成
ではホルダ３２を昇降自在としたが、ホルダ３２を固定
して、カップ３３を昇降自在としてもよい。
【００３６】図６に示すように、アニーリング装置が構
成されるアニーリングチャンバ４１は、その内部に基板
９１を保持するホルダ４２が設置されている。例えば、
上記アニーリングチャンバ４１内で上記ホルダ４２に対
向する位置には、基板９１を加熱する加熱源４３が設け
られている。なお上記加熱源４３の他に上記ホルダ４２
内にも加熱源を設けてもよい。このアニーリング装置を
ファーネス装置とする場合には、例えば加熱源４３を電
熱線で構成する。また、アニーリング装置をＲＴＡ（Ra
pid Thermal Annealing ）装置とする場合には、例えば
加熱源４３を加熱ランプで構成する。また、アニーリン
グチャンバ４１には、アニーリング雰囲気を形成するた
めのガス供給部４８とガス排気部４９が接続されてい
る。さらにアニーリングチャンバ４１の側部には基板９
１を搬入搬出するための出入り口４６が設けられてい
る。この出入り口４６は、例えばゲートバルブ（図示せ
ず）が設置され搬送チャンバ８１に接続されている。
成されるアニーリングチャンバ４１は、その内部に基板
９１を保持するホルダ４２が設置されている。例えば、
上記アニーリングチャンバ４１内で上記ホルダ４２に対
向する位置には、基板９１を加熱する加熱源４３が設け
られている。なお上記加熱源４３の他に上記ホルダ４２
内にも加熱源を設けてもよい。このアニーリング装置を
ファーネス装置とする場合には、例えば加熱源４３を電
熱線で構成する。また、アニーリング装置をＲＴＡ（Ra
pid Thermal Annealing ）装置とする場合には、例えば
加熱源４３を加熱ランプで構成する。また、アニーリン
グチャンバ４１には、アニーリング雰囲気を形成するた
めのガス供給部４８とガス排気部４９が接続されてい
る。さらにアニーリングチャンバ４１の側部には基板９
１を搬入搬出するための出入り口４６が設けられてい
る。この出入り口４６は、例えばゲートバルブ（図示せ
ず）が設置され搬送チャンバ８１に接続されている。
【００３７】上記メッキシード層を補強・形成するため
の電解メッキチャンバ６１の構成は上記図２で説明した
ものと同様の構成とする。
の電解メッキチャンバ６１の構成は上記図２で説明した
ものと同様の構成とする。
【００３８】また、基板に処理液を供給する液処理チャ
ンバ７１は、内部に基板を保持するホルダと、そのホル
ダ上に保持される基板に処理液を供給する複数もしくは
単数のノズルが設置されている。上記ノズル形状は、管
状のノズル、スプレーノズル、シャワーノズルのいずれ
であってもよい。ノズルの配置位置は、基板全面に処理
液が供給できる位置に配置されているならば、ホルダに
保持された基板中央上方であっても、または斜め上方で
あってもよい。また液処理チャンバ７１の底部には処理
液を排出するドレイン（図示せず）が接続されている。
上記処理液としては、基板を洗浄するための洗浄液、例
えば純水を用いる。また、エッチング液を供給するよう
にしておいてもよい。さらに液処理チャンバ７１の側部
には基板９１を搬入搬出するための出入り口が設けられ
ている。この出入り口は、例えばゲートバルブ（図示せ
ず）が設置され搬送チャンバ８１に接続されている。
ンバ７１は、内部に基板を保持するホルダと、そのホル
ダ上に保持される基板に処理液を供給する複数もしくは
単数のノズルが設置されている。上記ノズル形状は、管
状のノズル、スプレーノズル、シャワーノズルのいずれ
であってもよい。ノズルの配置位置は、基板全面に処理
液が供給できる位置に配置されているならば、ホルダに
保持された基板中央上方であっても、または斜め上方で
あってもよい。また液処理チャンバ７１の底部には処理
液を排出するドレイン（図示せず）が接続されている。
上記処理液としては、基板を洗浄するための洗浄液、例
えば純水を用いる。また、エッチング液を供給するよう
にしておいてもよい。さらに液処理チャンバ７１の側部
には基板９１を搬入搬出するための出入り口が設けられ
ている。この出入り口は、例えばゲートバルブ（図示せ
ず）が設置され搬送チャンバ８１に接続されている。
【００３９】前記図４に示すように、上記搬送チャンバ
８１は、上記電解メッキチャンバ１１に対する基板の搬
入搬出、上記電解研磨チャンバ２１に対する基板の搬入
搬出、上記無電解メッキチャンバ３１に対する基板の搬
入搬出、上記アニーリングチャンバ４１に対する基板の
搬入搬出、上記電解メッキチャンバ６１に対する基板の
搬入搬出、および上記液処理チャンバ７１に対する基板
の搬入搬出を行う搬送装置８３が設置されたもので、電
解メッキチャンバ１１と電解研磨チャンバ２１と無電解
メッキチャンバ３１とアニーリングチャンバ４１と電解
メッキチャンバ６１と上記液処理チャンバ７１とのそれ
ぞれに、例えば基板９１を搬入搬出する出入り口にゲー
トバルブを介して接続されている。
８１は、上記電解メッキチャンバ１１に対する基板の搬
入搬出、上記電解研磨チャンバ２１に対する基板の搬入
搬出、上記無電解メッキチャンバ３１に対する基板の搬
入搬出、上記アニーリングチャンバ４１に対する基板の
搬入搬出、上記電解メッキチャンバ６１に対する基板の
搬入搬出、および上記液処理チャンバ７１に対する基板
の搬入搬出を行う搬送装置８３が設置されたもので、電
解メッキチャンバ１１と電解研磨チャンバ２１と無電解
メッキチャンバ３１とアニーリングチャンバ４１と電解
メッキチャンバ６１と上記液処理チャンバ７１とのそれ
ぞれに、例えば基板９１を搬入搬出する出入り口にゲー
トバルブを介して接続されている。
【００４０】上記第２の半導体製造装置２では、電解メ
ッキ装置が構成される電解メッキチャンバ１１と電解研
磨装置が構成される電解研磨チャンバ２１と無電解メッ
キ装置が構成される無電解メッキチャンバ３１とアニー
リング装置が構成されるアニーリングチャンバ４１とを
備え、上記各チャンバが搬送装置８３を備えた搬送チャ
ンバ８１に接続されていることから、複数の機能を持つ
一つの製造装置で、電解メッキと電解研磨と無電解メッ
キとアニーリングとが連続して行われる。しかも、基板
を大気に開放することなく、基板の搬送は搬送チャンバ
を介するだけで各チャンバに対して連続的に行うことが
できるので、ＴＡＴの大幅な短縮化が図れる。また、除
去工程をＣＭＰではなく電解研磨で行うようになってい
るため、ＣＭＰのような消耗材に高いコストがかからな
い。
ッキ装置が構成される電解メッキチャンバ１１と電解研
磨装置が構成される電解研磨チャンバ２１と無電解メッ
キ装置が構成される無電解メッキチャンバ３１とアニー
リング装置が構成されるアニーリングチャンバ４１とを
備え、上記各チャンバが搬送装置８３を備えた搬送チャ
ンバ８１に接続されていることから、複数の機能を持つ
一つの製造装置で、電解メッキと電解研磨と無電解メッ
キとアニーリングとが連続して行われる。しかも、基板
を大気に開放することなく、基板の搬送は搬送チャンバ
を介するだけで各チャンバに対して連続的に行うことが
できるので、ＴＡＴの大幅な短縮化が図れる。また、除
去工程をＣＭＰではなく電解研磨で行うようになってい
るため、ＣＭＰのような消耗材に高いコストがかからな
い。
【００４１】上記各半導体製造装置の搬送チャンバ８１
には、処理前の基板と処理後の基板とをそれぞれに収納
する基板収納室（図示せず）が例えばゲートバルブを介
して接続されていてもよい。
には、処理前の基板と処理後の基板とをそれぞれに収納
する基板収納室（図示せず）が例えばゲートバルブを介
して接続されていてもよい。
【００４２】また、上記電解メッキチャンバ１１，６
１、電解研磨チャンバ２１、無電解メッキチャンバ３
１、液処理チャンバ７１等に設置されている各ホルダは
基板９１をスピン乾燥させるように、高速回転可能な構
成としてもよい。すなわち、上記ホルダは、通常に知ら
れている枚葉式のスピン乾燥装置と同様のホルダ構成と
してもよい。
１、電解研磨チャンバ２１、無電解メッキチャンバ３
１、液処理チャンバ７１等に設置されている各ホルダは
基板９１をスピン乾燥させるように、高速回転可能な構
成としてもよい。すなわち、上記ホルダは、通常に知ら
れている枚葉式のスピン乾燥装置と同様のホルダ構成と
してもよい。
【００４３】次に、本発明の第１の半導体装置の製造方
法に係る実施の形態の一例として、前記図１〜図３によ
って説明した第１の半導体製造装置を用いた場合を以下
に説明する。
法に係る実施の形態の一例として、前記図１〜図３によ
って説明した第１の半導体製造装置を用いた場合を以下
に説明する。
【００４４】まず、搬送装置８３を用いて基板９１を搬
送チャンバ８１内から電解メッキチャンバ１１のホルダ
１２上に搬送し載置する。その際、チャンバ内を非酸化
性雰囲気とすることが望ましい。
送チャンバ８１内から電解メッキチャンバ１１のホルダ
１２上に搬送し載置する。その際、チャンバ内を非酸化
性雰囲気とすることが望ましい。
【００４５】その後、電解メッキチャンバ１１のホルダ
１２を上昇させ、ホルダ１２に保持された基板９１とカ
ップ１３とによってカップ１３内に閉空間を形成し、そ
の閉空間に電解メッキ液（図示せず）を充填することに
よって基板に電解メッキを施す。電解メッキが終了した
後、カップ１３内の電解メッキ液を排出し、ホルダ１２
を降下させ、元の位置に戻す。そして、ノズル１４より
洗浄液を基板９１に供給して、基板洗浄を行う。ホルダ
１２が回転可能な構成のものであれば、その後、ホルダ
１２を回転させてスピン乾燥させてもよい。
１２を上昇させ、ホルダ１２に保持された基板９１とカ
ップ１３とによってカップ１３内に閉空間を形成し、そ
の閉空間に電解メッキ液（図示せず）を充填することに
よって基板に電解メッキを施す。電解メッキが終了した
後、カップ１３内の電解メッキ液を排出し、ホルダ１２
を降下させ、元の位置に戻す。そして、ノズル１４より
洗浄液を基板９１に供給して、基板洗浄を行う。ホルダ
１２が回転可能な構成のものであれば、その後、ホルダ
１２を回転させてスピン乾燥させてもよい。
【００４６】次いで、搬送装置８３によって、ホルダ１
２上の基板９１を搬送チャンバ８１に搬送し、さらに電
解研磨チャンバ２１のホルダ２２上にその基板９１を搬
送して載置させる。このように、基板９１は、閉空間と
なっている電解メッキチャンバ１１から搬送チャンバ８
１を通って電解研磨チャンバ２１に搬送されるので、酸
化性雰囲気にさらすことなく電解研磨チャンバ２１内に
搬送される。その際、チャンバ内を非酸化性雰囲気とす
ることが望ましい。
２上の基板９１を搬送チャンバ８１に搬送し、さらに電
解研磨チャンバ２１のホルダ２２上にその基板９１を搬
送して載置させる。このように、基板９１は、閉空間と
なっている電解メッキチャンバ１１から搬送チャンバ８
１を通って電解研磨チャンバ２１に搬送されるので、酸
化性雰囲気にさらすことなく電解研磨チャンバ２１内に
搬送される。その際、チャンバ内を非酸化性雰囲気とす
ることが望ましい。
【００４７】その後、電解研磨チャンバ２１のホルダ２
２を上昇させ、ホルダ２２に保持された基板９１とカッ
プ２３とによってカップ２３内に閉空間を形成し、その
閉空間に電解研磨液（図示せず）を充填することによっ
て基板を電解研磨する。この電解研磨量は目的に応じて
適宜選択される。電解研磨が終了した後、カップ２３内
の電解メッキ液を排出し、ホルダ２２を降下させ、元の
位置に戻す。そして、第１のノズル２４より洗浄液を基
板９１に供給して基板洗浄を行う。なお、エッチングが
必要な場合には、第２のノズル２５よりエッチング液を
基板９１に供給して基板エッチングを行う。その後再び
第１のノズル２４より洗浄液を基板９１に供給して基板
洗浄を行う。ホルダ２２が回転可能な構成のものであれ
ば、その後、ホルダ２２を回転させてスピン乾燥させて
もよい。
２を上昇させ、ホルダ２２に保持された基板９１とカッ
プ２３とによってカップ２３内に閉空間を形成し、その
閉空間に電解研磨液（図示せず）を充填することによっ
て基板を電解研磨する。この電解研磨量は目的に応じて
適宜選択される。電解研磨が終了した後、カップ２３内
の電解メッキ液を排出し、ホルダ２２を降下させ、元の
位置に戻す。そして、第１のノズル２４より洗浄液を基
板９１に供給して基板洗浄を行う。なお、エッチングが
必要な場合には、第２のノズル２５よりエッチング液を
基板９１に供給して基板エッチングを行う。その後再び
第１のノズル２４より洗浄液を基板９１に供給して基板
洗浄を行う。ホルダ２２が回転可能な構成のものであれ
ば、その後、ホルダ２２を回転させてスピン乾燥させて
もよい。
【００４８】上記第１の半導体装置の製造方法では、電
解メッキと電解研磨とを連続的に行うことから、従来の
ように各処理を単独で行う装置間を巡って処理を行って
いた製造方法と比較して、ＴＡＴの大幅な短縮化が図れ
る。
解メッキと電解研磨とを連続的に行うことから、従来の
ように各処理を単独で行う装置間を巡って処理を行って
いた製造方法と比較して、ＴＡＴの大幅な短縮化が図れ
る。
【００４９】次に、本発明の第２の半導体装置の製造方
法に係る実施の形態の一例として、前記図４によって説
明した第２の半導体製造装置を用いた場合を、図７の製
造工程図によって、以下に説明する。図７ではプロセス
を示し、そのプロセスを行う装置は、図２〜図６を参照
されたい。
法に係る実施の形態の一例として、前記図４によって説
明した第２の半導体製造装置を用いた場合を、図７の製
造工程図によって、以下に説明する。図７ではプロセス
を示し、そのプロセスを行う装置は、図２〜図６を参照
されたい。
【００５０】この製造方法では、前記図４によって説明
した第２の半導体製造装置のようないわゆるクラスタツ
ールにより、プロセスを連続的に処理する。
した第２の半導体製造装置のようないわゆるクラスタツ
ールにより、プロセスを連続的に処理する。
【００５１】図７の（１）に示すように、基板（例えば
半導体基板）９１（図示せず）上に形成された第１の絶
縁膜１１１に例えば溝配線構造の第１の配線１１２がバ
リア層１１２ｂを介して形成されている。上記第１の絶
縁膜１１１上には第１の配線１１２を被覆する拡散防止
層１１３が形成され、その上に第２の絶縁膜１１４が形
成されている。上記拡散防止層１１３は接続孔形成時の
エッチングストッパとしての機能を有していてもよい。
さらに第２の絶縁膜１１４上には第３の絶縁膜１１５が
形成されている。第３の絶縁膜１１５には凹部１１６
（以下溝１１６として説明する）が形成され、その溝１
１６の底部より第２の絶縁膜１１４を貫通して第１の配
線１１２に達する接続孔１１７が形成されている。
半導体基板）９１（図示せず）上に形成された第１の絶
縁膜１１１に例えば溝配線構造の第１の配線１１２がバ
リア層１１２ｂを介して形成されている。上記第１の絶
縁膜１１１上には第１の配線１１２を被覆する拡散防止
層１１３が形成され、その上に第２の絶縁膜１１４が形
成されている。上記拡散防止層１１３は接続孔形成時の
エッチングストッパとしての機能を有していてもよい。
さらに第２の絶縁膜１１４上には第３の絶縁膜１１５が
形成されている。第３の絶縁膜１１５には凹部１１６
（以下溝１１６として説明する）が形成され、その溝１
１６の底部より第２の絶縁膜１１４を貫通して第１の配
線１１２に達する接続孔１１７が形成されている。
【００５２】上記構成の配線溝１１６および接続孔１１
７の内面にはバリア層１２１が形成されている。このバ
リア層１２１は、例えば窒化タングステンで形成されて
いる。さらにバリア層１２１表面には例えばスパッタリ
ング等の成膜技術を用いて銅シード層１２２が形成され
ている。次いで電解メッキチャンバ６１により、高アス
ペクト比の溝側壁、接続孔側壁での銅シード層の膜厚不
足を補填するためにシード層補強電解メッキを行う。そ
の際、チャンバ内を非酸化性雰囲気とすることが望まし
い。図面ではシード層補強電界メッキを行った銅シード
層１２２を示した。その後、電解メッキチャンバ６１内
で基板を洗浄する。この洗浄は、例えば水洗によって行
う。もしくは、搬送装置(例えば搬送ロボット)８３を用
いて、基板９１を液処理チャンバ７１に搬送して、この
液処理チャンバ７１で水洗を行う。以降、基板９１の搬
送は上記搬送装置８３により行う。
７の内面にはバリア層１２１が形成されている。このバ
リア層１２１は、例えば窒化タングステンで形成されて
いる。さらにバリア層１２１表面には例えばスパッタリ
ング等の成膜技術を用いて銅シード層１２２が形成され
ている。次いで電解メッキチャンバ６１により、高アス
ペクト比の溝側壁、接続孔側壁での銅シード層の膜厚不
足を補填するためにシード層補強電解メッキを行う。そ
の際、チャンバ内を非酸化性雰囲気とすることが望まし
い。図面ではシード層補強電界メッキを行った銅シード
層１２２を示した。その後、電解メッキチャンバ６１内
で基板を洗浄する。この洗浄は、例えば水洗によって行
う。もしくは、搬送装置(例えば搬送ロボット)８３を用
いて、基板９１を液処理チャンバ７１に搬送して、この
液処理チャンバ７１で水洗を行う。以降、基板９１の搬
送は上記搬送装置８３により行う。
【００５３】次に、図７の（２）に示すように、搬送装
置８３によって電解メッキチャンバ１１のホルダ１２上
に基板９１（図示せず）を搬送する。その際、チャンバ
内を非酸化性雰囲気とすることが望ましい。この電解メ
ッキチャンバ１１で銅電解メッキを行うことにより、溝
１１６および接続孔１１７を銅からなる導電層１２３で
埋め込む。その際、第３の絶縁膜１１５上のバリア層１
２１上にも銅からなる導電層１２３が堆積される。な
お、図面では銅シード層１２２も導電層１２３に含めて
描いている。この電解メッキ工程のシーケンスでは、メ
ッキ後の導電層１２３表面が平坦化されるようにメッキ
条件を選択して、表面が平坦な銅メッキ層を形成する。
その後、電解メッキチャンバ１１内で基板９１を洗浄す
る。この洗浄は、例えば水洗によって行う。
置８３によって電解メッキチャンバ１１のホルダ１２上
に基板９１（図示せず）を搬送する。その際、チャンバ
内を非酸化性雰囲気とすることが望ましい。この電解メ
ッキチャンバ１１で銅電解メッキを行うことにより、溝
１１６および接続孔１１７を銅からなる導電層１２３で
埋め込む。その際、第３の絶縁膜１１５上のバリア層１
２１上にも銅からなる導電層１２３が堆積される。な
お、図面では銅シード層１２２も導電層１２３に含めて
描いている。この電解メッキ工程のシーケンスでは、メ
ッキ後の導電層１２３表面が平坦化されるようにメッキ
条件を選択して、表面が平坦な銅メッキ層を形成する。
その後、電解メッキチャンバ１１内で基板９１を洗浄す
る。この洗浄は、例えば水洗によって行う。
【００５４】次に、図７の（３）に示すように、搬送装
置８３によってアニーリングチャンバ４１のホルダ４２
上に基板９１を搬送する。その際、チャンバ内を非酸化
性雰囲気とすることが望ましい。このアニーリングチャ
ンバ４１で上記処理を行った基板９１をアニーリングす
る。このアニーリングによって、電解メッキ後の微細な
結晶粒を有する導電層１２３の銅結晶粒の成長を促す。
置８３によってアニーリングチャンバ４１のホルダ４２
上に基板９１を搬送する。その際、チャンバ内を非酸化
性雰囲気とすることが望ましい。このアニーリングチャ
ンバ４１で上記処理を行った基板９１をアニーリングす
る。このアニーリングによって、電解メッキ後の微細な
結晶粒を有する導電層１２３の銅結晶粒の成長を促す。
【００５５】次に、図７の（４）に示すように、搬送装
置８３によって電解研磨チャンバ２１のホルダ２２上に
基板９１を搬送する。その際、チャンバ内を非酸化性雰
囲気とすることが望ましい。この電解研磨チャンバ２１
で電解研磨を実施して絶縁膜（第３の絶縁膜１１５）表
面の導電層１２３を除去し、溝１１６および接続孔１１
７の内部のみに導電層１２３を残す。
置８３によって電解研磨チャンバ２１のホルダ２２上に
基板９１を搬送する。その際、チャンバ内を非酸化性雰
囲気とすることが望ましい。この電解研磨チャンバ２１
で電解研磨を実施して絶縁膜（第３の絶縁膜１１５）表
面の導電層１２３を除去し、溝１１６および接続孔１１
７の内部のみに導電層１２３を残す。
【００５６】続いて、電解研磨チャンバ２１内で、図７
の（５）に示すように、窒化タングステンからなるバリ
ア層１２１を過酸化水素水によるウエットエッチングに
より除去する。すなわち、基板表面に過酸化水素水溶液
をスプレーし、平坦面上の不用な窒化タングステンから
なるバリア層１２１を溶解して除去する。窒化タングス
テンのエッチングは等方的に進行するので、第３の絶縁
膜１１５表面の窒化タングステンを完全に除去するに
は、ある程度のオーバエッチングが必要になる。その結
果、溝１１６の側壁にサイドエッチングが生じ、バリア
層１２１の上端１２１ｔが導電層１２３の表面１２３ｓ
よりも低く形成される。その後、電解研磨チャンバ２１
内で基板９１を洗浄する。この洗浄は、例えば水洗によ
って行う。
の（５）に示すように、窒化タングステンからなるバリ
ア層１２１を過酸化水素水によるウエットエッチングに
より除去する。すなわち、基板表面に過酸化水素水溶液
をスプレーし、平坦面上の不用な窒化タングステンから
なるバリア層１２１を溶解して除去する。窒化タングス
テンのエッチングは等方的に進行するので、第３の絶縁
膜１１５表面の窒化タングステンを完全に除去するに
は、ある程度のオーバエッチングが必要になる。その結
果、溝１１６の側壁にサイドエッチングが生じ、バリア
層１２１の上端１２１ｔが導電層１２３の表面１２３ｓ
よりも低く形成される。その後、電解研磨チャンバ２１
内で基板９１を洗浄する。この洗浄は、例えば水洗によ
って行う。
【００５７】次に、図７の（６）に示すように、搬送装
置８３によって無電解メッキチャンバ３１のホルダ３２
上に基板９１を搬送する。その際、チャンバ内を非酸化
性雰囲気とすることが望ましい。この無電解メッキチャ
ンバ３１で上記処理を行った基板９１を無電解メッキに
よって、露出している導電層１２３表面にコバルトタン
グステンリン（ＣｏＷＰ）被膜１２４を選択的に形成す
る。この成膜の選択性は、ＣｏＷＰ無電解メッキを実施
する前に、銅との置換無電解メッキによって、導電層１
２３表面をパラジウムにより被覆しておく。このパラジ
ウム被覆によって、ＣｏＷＰの成膜はパラジウムを触媒
としてパラジウム上のみに発生することに起因してい
る。一旦、パラジウムの表面がＣｏＷＰにより被覆され
た後は、ＣｏＷＰ自体を触媒とした自己触媒メッキによ
り、選択性を保ったままＣｏＷＰのメッキ成長が進行す
る。上記窒化タングステンからなるバリア層１２１のエ
ッチングで発生したサイドエッチングによる導電層１２
３表面の露出は、このコバルトタングステンリン被膜１
２４によって被覆される。その後、無電解メッキチャン
バ３１内で基板９１を洗浄する。この洗浄は、例えば水
洗によって行う。
置８３によって無電解メッキチャンバ３１のホルダ３２
上に基板９１を搬送する。その際、チャンバ内を非酸化
性雰囲気とすることが望ましい。この無電解メッキチャ
ンバ３１で上記処理を行った基板９１を無電解メッキに
よって、露出している導電層１２３表面にコバルトタン
グステンリン（ＣｏＷＰ）被膜１２４を選択的に形成す
る。この成膜の選択性は、ＣｏＷＰ無電解メッキを実施
する前に、銅との置換無電解メッキによって、導電層１
２３表面をパラジウムにより被覆しておく。このパラジ
ウム被覆によって、ＣｏＷＰの成膜はパラジウムを触媒
としてパラジウム上のみに発生することに起因してい
る。一旦、パラジウムの表面がＣｏＷＰにより被覆され
た後は、ＣｏＷＰ自体を触媒とした自己触媒メッキによ
り、選択性を保ったままＣｏＷＰのメッキ成長が進行す
る。上記窒化タングステンからなるバリア層１２１のエ
ッチングで発生したサイドエッチングによる導電層１２
３表面の露出は、このコバルトタングステンリン被膜１
２４によって被覆される。その後、無電解メッキチャン
バ３１内で基板９１を洗浄する。この洗浄は、例えば水
洗によって行う。
【００５８】上記実施の形態で説明した非酸化性雰囲気
は、各酸化性ガス供給部よりアルゴン等の希ガスもしく
は窒素をチャンバ内に導入するとともに排気部より一部
の非酸化性ガスを排気して、チャンバ内を所定圧力の非
酸化性ガス雰囲気にすることにより形成される。
は、各酸化性ガス供給部よりアルゴン等の希ガスもしく
は窒素をチャンバ内に導入するとともに排気部より一部
の非酸化性ガスを排気して、チャンバ内を所定圧力の非
酸化性ガス雰囲気にすることにより形成される。
【００５９】上記実施の形態で説明した材料のうち、バ
リア層１２１は窒化タングステンに限られるものではな
く、同様の機能を有する材料、例えば、窒化タンタル等
と置き換えることも可能である。また上記説明では、溝
１１６に埋め込まれた銅からなる導電層１２３にコバル
トタングステンリン被膜１２４を形成する技術を説明し
たが、例えば接続孔内に銅もしくは銅合金からなるプラ
グを形成し、そのプラグの上面側をコバルトタングステ
ンリン被膜で被覆するような技術にも適用することがで
きる。
リア層１２１は窒化タングステンに限られるものではな
く、同様の機能を有する材料、例えば、窒化タンタル等
と置き換えることも可能である。また上記説明では、溝
１１６に埋め込まれた銅からなる導電層１２３にコバル
トタングステンリン被膜１２４を形成する技術を説明し
たが、例えば接続孔内に銅もしくは銅合金からなるプラ
グを形成し、そのプラグの上面側をコバルトタングステ
ンリン被膜で被覆するような技術にも適用することがで
きる。
【００６０】上記製造方法において、基板洗浄後はホル
ダを高速回転させることにより、基板をスピン乾燥させ
てもよい。
ダを高速回転させることにより、基板をスピン乾燥させ
てもよい。
【００６１】上記第２の半導体装置の製造方法では、基
板９１を酸化性の雰囲気にさらすことなく、電解メッ
キ、電解研磨、無電解メッキを連続して行うことがで
き、またアニーリングも電解メッキ、電解研磨もしくは
無電解メッキに連続して行うことが可能になるので、従
来のように各処理を単独で行う装置間を巡って処理を行
っていた製造方法と比較して、ＴＡＴの大幅な短縮化が
図れる。
板９１を酸化性の雰囲気にさらすことなく、電解メッ
キ、電解研磨、無電解メッキを連続して行うことがで
き、またアニーリングも電解メッキ、電解研磨もしくは
無電解メッキに連続して行うことが可能になるので、従
来のように各処理を単独で行う装置間を巡って処理を行
っていた製造方法と比較して、ＴＡＴの大幅な短縮化が
図れる。
【００６２】また、上記半導体装置の製造方法では、凹
部（溝）１１６内に残すバリア層１２１上端部が導電層
１２３側面と溝１１６側壁との間になるように第３の絶
縁膜１１５表面のバリア層１２１を除去し、その後導電
層１２３側部でバリア層１２１に接続するとともに溝１
１６の開口側における導電層１２３を選択的に被覆する
コバルトタングステンリン被膜１２４を形成することか
ら、コバルトタングステンリン被膜１２４は導電層１２
３側部でバリア層１２１に接続するとともに溝１１６の
開口側における導電層１２３を選択的に被覆するように
形成される。また、コバルトタングステンリン被膜１２
４は、銅との界面で銅の優先的拡散経路となりにくいた
め、導電層１２３で構成される配線は高いエレクトロマ
イグレーション耐性（信頼性）が得られる。
部（溝）１１６内に残すバリア層１２１上端部が導電層
１２３側面と溝１１６側壁との間になるように第３の絶
縁膜１１５表面のバリア層１２１を除去し、その後導電
層１２３側部でバリア層１２１に接続するとともに溝１
１６の開口側における導電層１２３を選択的に被覆する
コバルトタングステンリン被膜１２４を形成することか
ら、コバルトタングステンリン被膜１２４は導電層１２
３側部でバリア層１２１に接続するとともに溝１１６の
開口側における導電層１２３を選択的に被覆するように
形成される。また、コバルトタングステンリン被膜１２
４は、銅との界面で銅の優先的拡散経路となりにくいた
め、導電層１２３で構成される配線は高いエレクトロマ
イグレーション耐性（信頼性）が得られる。
【００６３】また、過酸化水素水を用いたウエットエッ
チングによって、第３の絶縁膜１１５上のバリア層１２
１を除去している。その際、第３の絶縁膜１１５表面の
バリア層１２１を完全に除去するため、オーバエッチン
グを行うのが通例である。その結果、溝１１６内に残す
バリア層１２１上端部は、導電層１２３側面と溝１１６
側壁との間になる。そして溝１１６側壁に形成されてい
るバリア層１２１は、その上端が導電層１２３表面より
も溝１１６の底部側になるように除去される。それによ
って、コバルトタングステンリン被膜１２４を形成した
場合に、導電層１２３側部でバリア層１２１に接続する
ように形成される。
チングによって、第３の絶縁膜１１５上のバリア層１２
１を除去している。その際、第３の絶縁膜１１５表面の
バリア層１２１を完全に除去するため、オーバエッチン
グを行うのが通例である。その結果、溝１１６内に残す
バリア層１２１上端部は、導電層１２３側面と溝１１６
側壁との間になる。そして溝１１６側壁に形成されてい
るバリア層１２１は、その上端が導電層１２３表面より
も溝１１６の底部側になるように除去される。それによ
って、コバルトタングステンリン被膜１２４を形成した
場合に、導電層１２３側部でバリア層１２１に接続する
ように形成される。
【００６４】このように、コバルトタングステンリン被
膜１２４が導電層１２３側部でバリア層１２１と接続す
ることから、導電層１２３はバリア層１２１とコバルト
タングステンリン被膜１２４とによって包含された状態
になる。しかも、その接続部分が導電層１２３の側部に
位置することより、コバルトタングステンリン被膜１２
４は導電層１２３上面および側面の上部側で導電層１２
３に密着することになり、コバルトタングステンリン被
膜１２４は剥がれにくくなる。その結果、コバルトタン
グステンリン被膜１２４とバリア層１２１との接続力も
強固になるので、コバルトタングステンリン被膜１２４
とバリア層１２１とによって、導電層１２３の銅の拡散
が防止される。また、導電層１２３への酸素の拡散も防
止されるので導電層の酸化が防止される。
膜１２４が導電層１２３側部でバリア層１２１と接続す
ることから、導電層１２３はバリア層１２１とコバルト
タングステンリン被膜１２４とによって包含された状態
になる。しかも、その接続部分が導電層１２３の側部に
位置することより、コバルトタングステンリン被膜１２
４は導電層１２３上面および側面の上部側で導電層１２
３に密着することになり、コバルトタングステンリン被
膜１２４は剥がれにくくなる。その結果、コバルトタン
グステンリン被膜１２４とバリア層１２１との接続力も
強固になるので、コバルトタングステンリン被膜１２４
とバリア層１２１とによって、導電層１２３の銅の拡散
が防止される。また、導電層１２３への酸素の拡散も防
止されるので導電層の酸化が防止される。
【００６５】また、コバルトタングステンリン被膜１２
４を用いたことにより、表面が化学的に不安定な銅であ
っても、銅とコバルトタングステンリンとの界面が、銅
の拡散経路にならないため、高いエレクトロマイグレー
ション耐性（信頼性）が得られる。
４を用いたことにより、表面が化学的に不安定な銅であ
っても、銅とコバルトタングステンリンとの界面が、銅
の拡散経路にならないため、高いエレクトロマイグレー
ション耐性（信頼性）が得られる。
【００６６】また酸化し易い銅表面をコバルトタングス
テンリン被膜１２４で被覆するため、配線システム全体
の寄生容量を増大させることがない。
テンリン被膜１２４で被覆するため、配線システム全体
の寄生容量を増大させることがない。
【００６７】また、コバルトタングステンリン被膜１２
４が酸化防止膜として機能するため、窒化シリコン膜を
成膜する必要が無く、直接低誘電率絶縁膜を成膜するこ
とができるため、配線システム全体の配線寄生抵抗を大
幅に低減できる。
４が酸化防止膜として機能するため、窒化シリコン膜を
成膜する必要が無く、直接低誘電率絶縁膜を成膜するこ
とができるため、配線システム全体の配線寄生抵抗を大
幅に低減できる。
【００６８】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の第１の半
導体製造装置によれば、電解メッキチャンバと電解研磨
チャンバとを備え、上記各チャンバが搬送装置を備えた
搬送チャンバに接続されているので、一つの製造装置で
連続して、電解メッキと電解研磨とを行うことができ
る。しかも、基板を大気に開放することなく、基板の搬
送は搬送チャンバを介するだけで連続的に行うことがで
きるので、ＴＡＴの大幅な短縮化が図れる。また、除去
工程をＣＭＰではなく電解研磨で行うようになっている
ため、ＣＭＰのような消耗材に高いコストがかからな
い。
導体製造装置によれば、電解メッキチャンバと電解研磨
チャンバとを備え、上記各チャンバが搬送装置を備えた
搬送チャンバに接続されているので、一つの製造装置で
連続して、電解メッキと電解研磨とを行うことができ
る。しかも、基板を大気に開放することなく、基板の搬
送は搬送チャンバを介するだけで連続的に行うことがで
きるので、ＴＡＴの大幅な短縮化が図れる。また、除去
工程をＣＭＰではなく電解研磨で行うようになっている
ため、ＣＭＰのような消耗材に高いコストがかからな
い。
【００６９】本発明の第２の半導体製造装置によれば、
電解メッキチャンバと電解研磨チャンバと無電解メッキ
チャンバとアニーリングチャンバとを備え、上記各チャ
ンバが搬送装置を備えた搬送チャンバに接続されている
ので、一つの製造装置で連続して、電解メッキと電解研
磨と無電解メッキとアニーリングとを行うことができ
る。しかも、基板を大気に開放することなく、基板の搬
送は搬送チャンバを介するだけで各チャンバに対して連
続的に行うことができるので、ＴＡＴの大幅な短縮化が
図れる。また、除去工程をＣＭＰではなく電解研磨で行
うようになっているため、ＣＭＰのような消耗材に高い
コストがかからない。
電解メッキチャンバと電解研磨チャンバと無電解メッキ
チャンバとアニーリングチャンバとを備え、上記各チャ
ンバが搬送装置を備えた搬送チャンバに接続されている
ので、一つの製造装置で連続して、電解メッキと電解研
磨と無電解メッキとアニーリングとを行うことができ
る。しかも、基板を大気に開放することなく、基板の搬
送は搬送チャンバを介するだけで各チャンバに対して連
続的に行うことができるので、ＴＡＴの大幅な短縮化が
図れる。また、除去工程をＣＭＰではなく電解研磨で行
うようになっているため、ＣＭＰのような消耗材に高い
コストがかからない。
【００７０】本発明の第１の半導体装置の製造方法によ
れば、電解メッキと電解研磨とを連続的に行うことか
ら、従来のように各処理を単独で行う装置間を巡って処
理を行っていた製造方法と比較して、ＴＡＴの大幅な短
縮化が図れる。
れば、電解メッキと電解研磨とを連続的に行うことか
ら、従来のように各処理を単独で行う装置間を巡って処
理を行っていた製造方法と比較して、ＴＡＴの大幅な短
縮化が図れる。
【００７１】本発明の第２の半導体装置の製造方法によ
れば、基板を酸化性の雰囲気にさらすことなく、電解メ
ッキ、電解研磨、無電解メッキを連続して行うことがで
き、またアニーリングも電解メッキ、電解研磨もしくは
無電解メッキに連続して行うことが可能になるので、従
来のように各処理を単独で行う装置間を巡って処理を行
っていた製造方法と比較して、ＴＡＴの大幅な短縮化が
図れる。
れば、基板を酸化性の雰囲気にさらすことなく、電解メ
ッキ、電解研磨、無電解メッキを連続して行うことがで
き、またアニーリングも電解メッキ、電解研磨もしくは
無電解メッキに連続して行うことが可能になるので、従
来のように各処理を単独で行う装置間を巡って処理を行
っていた製造方法と比較して、ＴＡＴの大幅な短縮化が
図れる。
【図１】本発明の第１の半導体製造装置に係る実施の形
態を示す概略構成図である。
態を示す概略構成図である。
【図２】電解メッキチャンバを示す概略構成図である。
【図３】電解研磨チャンバを示す概略構成図である。
【図４】本発明の第２の半導体製造装置に係る実施の形
態を示す概略構成図である。
態を示す概略構成図である。
【図５】無電解メッキチャンバを示す概略構成図であ
る。
る。
【図６】アニーリングチャンバを示す概略構成図であ
る。
る。
【図７】本発明の第２の半導体装置の製造方法に係る実
施の形態を示す製造工程断面図である。
施の形態を示す製造工程断面図である。
１…第１の半導体製造装置、１１…電解メッキチャン
バ、２１…電解研磨チャンバ、８１…搬送チャンバ、８
３…搬送装置、９１…基板
バ、２１…電解研磨チャンバ、８１…搬送チャンバ、８
３…搬送装置、９１…基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/3063 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｌ 21/306 Ｆ 21/3205 21/88 Ｒ Ｋ Ｆターム(参考） 4K022 AA01 AA05 AA37 AA41 BA08 BA35 CA03 DB15 DB19 EA01 4K024 AA09 AB08 AB17 BA11 BB12 CB02 CB03 CB14 CB26 DA02 DB01 DB10 FA07 FA08 GA16 4M104 BB04 DD52 DD53 DD78 FF17 FF22 HH20 5F033 HH11 HH15 HH34 JJ11 JJ34 KK07 MM02 MM05 MM12 MM13 NN06 NN07 PP15 PP27 PP28 QQ08 QQ19 QQ46 QQ73 QQ92 XX05 XX08 XX20 XX34 5F043 AA26 DD14 DD16 EE07 EE36 GG02
Claims (18)
- 【請求項１】 基板が電解メッキされる電解メッキ装置
が構成される電解メッキチャンバと、 基板が電解研磨される電解研磨装置が構成される電解研
磨チャンバと、 前記電解メッキチャンバに対する基板の搬入搬出および
前記電解研磨チャンバに対する基板の搬入搬出を行う搬
送装置を設置したもので、前記電解メッキチャンバと前
記電解研磨チャンバのそれぞれに接続された搬送チャン
バとを備えたことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記電解メッキ装置が構成される電解メ
ッキチャンバは、 前記基板を保持するホルダと、 前記ホルダに対向する位置に設けられたもので前記ホル
ダに保持された基板とともに閉空間を形成してその閉空
間に電解メッキ液を充填することが可能なカップと、 前記ホルダに保持された基板表面に処理液を供給するノ
ズルとを備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体
製造装置。 - 【請求項３】 前記処理液は、 洗浄液からなることを特徴とする請求項２記載の半導体
製造装置。 - 【請求項４】 前記電解研磨装置が構成される電解研磨
チャンバは、 前記基板を保持するホルダと、 前記ホルダに対向する位置に設けられたもので前記ホル
ダに保持された基板とともに閉空間を形成してその閉空
間に電解研磨液を充填することが可能なカップと、 前記ホルダに保持された基板表面に処理液を供給するノ
ズルとを備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体
製造装置。 - 【請求項５】 前記処理液を供給するノズルは、 洗浄液を供給するノズルと、 エッチング液を供給するノズルとからなることを特徴と
する請求項４記載の半導体製造装置。 - 【請求項６】 基板が電解メッキされる電解メッキ装置
が構成される電解メッキチャンバと、 基板が電解研磨される電解研磨装置が構成される電解研
磨チャンバと、 前記基板が無電解メッキされる無電解メッキ装置が構成
される無電解メッキチャンバと、 前記基板がアニーリングされるアニーリング装置が構成
されるアニーリングチャンバと、 前記電解メッキチャンバに対する基板の搬入搬出、前記
電解研磨チャンバに対する基板の搬入搬出および前記ア
ニーリングチャンバに対する基板の搬入搬出を行う搬送
装置を設置したもので、前記電解メッキチャンバと前記
電解研磨チャンバと前記アニーリングチャンバとのそれ
ぞれに接続された搬送チャンバとを備えたことを特徴と
する半導体製造装置。 - 【請求項７】 前記半導体製造装置の搬送チャンバは、 前記基板に処理液を供給する液処理チャンバが接続さ
れ、 前記搬送装置は、 前記電解メッキチャンバに対する基板の搬入搬出、前記
電解研磨チャンバに対する基板の搬入搬出および前記ア
ニーリングチャンバに対する基板の搬入搬出を行うとと
もに、前記液処理チャンバに対する基板の搬入搬出を行
うことを特徴とする請求項６記載の半導体製造装置。 - 【請求項８】 前記液処理チャンバは、 前記基板を保持するホルダと、 前記ホルダに保持された基板表面に処理液を供給するノ
ズルとを備えたことを特徴とする請求項７記載の半導体
製造装置。 - 【請求項９】 前記処理液を供給するノズルは、 洗浄液を供給するノズルと、 エッチング液を供給するノズルとからなることを特徴と
する請求項８記載の半導体製造装置。 - 【請求項１０】 前記電解メッキ装置が構成される電解
メッキチャンバは、 前記基板を保持するホルダと、 前記ホルダに対向する位置に設けられたもので前記ホル
ダに保持された基板とともに閉空間を形成してその閉空
間に電解メッキ液を充填することが可能なカップと、 前記ホルダに保持された基板表面に処理液を供給するノ
ズルとを備えたことを特徴とする請求項６記載の半導体
製造装置。 - 【請求項１１】 前記処理液は、 洗浄液からなることを特徴とする請求項１０記載の半導
体製造装置。 - 【請求項１２】 前記電解研磨装置が構成される電解研
磨チャンバは、 前記基板を保持するホルダと、 前記ホルダに対向する位置に設けられたもので前記ホル
ダに保持された基板とともに閉空間を形成してその閉空
間に電解研磨液を充填することが可能なカップと、 前記ホルダに保持された基板表面に処理液を供給するノ
ズルとを備えたことを特徴とする請求項６記載の半導体
製造装置。 - 【請求項１３】 前記処理液を供給するノズルは、 洗浄液を供給するノズルと、 エッチング液を供給するノズルとからなることを特徴と
する請求項１２記載の半導体製造装置。 - 【請求項１４】 電解メッキ法によって基板に電解メッ
キ膜を形成する工程と、 前記基板を酸化性雰囲気にさらすことなく電解研磨法に
よって前記基板に形成した前記電解メッキ膜の少なくと
も一部を電解研磨する工程とを連続して行うことを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１５】 前記電解研磨を行った後、前記残され
た電解メッキ膜をアニーリングすることを特徴とする請
求項１４に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１６】 前記電解研磨後に前記基板を酸化性雰
囲気にさらすことなく前記基板を薬液処理する工程を備
えたことを特徴とする請求項１４記載の半導体装置の製
造方法。 - 【請求項１７】 電解メッキ法によって基板に電解メッ
キ膜を形成する工程と、 前記電解メッキ後の基板を酸化性雰囲気にさらすことな
く電解研磨法によって前記電解メッキ膜の少なくとも一
部を電解研磨する工程と、 前記電解研磨後の基板を酸化性雰囲気にさらすことなく
前記基板をアニーリングする工程と、 前記アニーリング後の基板を酸化性雰囲気にさらすこと
なく無電解メッキ法によって前記基板に無電解メッキ膜
を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項１８】 前記電解研磨後に前記基板を酸化性雰
囲気にさらすことなく前記基板を薬液処理する工程を備
えたことを特徴とする請求項１７記載の半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000312834A JP4644926B2 (ja) | 2000-10-13 | 2000-10-13 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| TW090124825A TW567580B (en) | 2000-10-13 | 2001-10-08 | Semiconductor manufacturing device and manufacturing method for semiconductor device |
| KR1020027007480A KR100822651B1 (ko) | 2000-10-13 | 2001-10-12 | 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10/149,858 US6809029B2 (en) | 2000-10-13 | 2001-10-12 | Semiconductor production device and production method for semiconductor device |
| PCT/JP2001/008981 WO2002031231A1 (en) | 2000-10-13 | 2001-10-12 | Semiconductor production device and production method for semiconductor device |
| US10/775,935 US20040159553A1 (en) | 2000-10-13 | 2004-02-10 | Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000312834A JP4644926B2 (ja) | 2000-10-13 | 2000-10-13 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002121698A true JP2002121698A (ja) | 2002-04-26 |
| JP4644926B2 JP4644926B2 (ja) | 2011-03-09 |
Family
ID=18792344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000312834A Expired - Fee Related JP4644926B2 (ja) | 2000-10-13 | 2000-10-13 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6809029B2 (ja) |
| JP (1) | JP4644926B2 (ja) |
| KR (1) | KR100822651B1 (ja) |
| TW (1) | TW567580B (ja) |
| WO (1) | WO2002031231A1 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003058696A1 (fr) * | 2002-01-07 | 2003-07-17 | Sony Corporation | Procede de production d'un film metallique |
| KR20030089508A (ko) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 | 화학적 기계 연마 방법 및 화학적 기계 연마 장치 |
| JP2005229121A (ja) * | 2001-03-16 | 2005-08-25 | Ebara Corp | 配線形成装置及びその方法 |
| JP2006507405A (ja) * | 2002-06-28 | 2006-03-02 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 金属腐食を低減させながら基板を電気化学的に処理する装置および方法 |
| JP2009049431A (ja) * | 2008-11-10 | 2009-03-05 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨方法 |
| JP2012151289A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光半導体実装用基板、その製造方法、及び光半導体装置 |
| JP2015196206A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | 株式会社荏原製作所 | 基板研磨装置 |
| JPWO2020196506A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 |
Families Citing this family (54)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7153195B2 (en) * | 2000-08-30 | 2006-12-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for selectively removing conductive material from a microelectronic substrate |
| US7220166B2 (en) * | 2000-08-30 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for electromechanically and/or electrochemically-mechanically removing conductive material from a microelectronic substrate |
| US7192335B2 (en) * | 2002-08-29 | 2007-03-20 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for chemically, mechanically, and/or electrolytically removing material from microelectronic substrates |
| US7078308B2 (en) * | 2002-08-29 | 2006-07-18 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for removing adjacent conductive and nonconductive materials of a microelectronic substrate |
| US7112121B2 (en) * | 2000-08-30 | 2006-09-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for electrical, mechanical and/or chemical removal of conductive material from a microelectronic substrate |
| US7129160B2 (en) * | 2002-08-29 | 2006-10-31 | Micron Technology, Inc. | Method for simultaneously removing multiple conductive materials from microelectronic substrates |
| US7134934B2 (en) * | 2000-08-30 | 2006-11-14 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for electrically detecting characteristics of a microelectronic substrate and/or polishing medium |
| FR2815046B1 (fr) | 2000-10-11 | 2003-01-10 | Vetrotex France Sa | Procede et dispositif de production d'un fil composite |
| US6896776B2 (en) * | 2000-12-18 | 2005-05-24 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for electro-chemical processing |
| US7582564B2 (en) * | 2001-03-14 | 2009-09-01 | Applied Materials, Inc. | Process and composition for conductive material removal by electrochemical mechanical polishing |
| US7232514B2 (en) * | 2001-03-14 | 2007-06-19 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
| US7160432B2 (en) * | 2001-03-14 | 2007-01-09 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
| US6811680B2 (en) * | 2001-03-14 | 2004-11-02 | Applied Materials Inc. | Planarization of substrates using electrochemical mechanical polishing |
| US7323416B2 (en) * | 2001-03-14 | 2008-01-29 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
| US6899804B2 (en) * | 2001-12-21 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Electrolyte composition and treatment for electrolytic chemical mechanical polishing |
| US20060169597A1 (en) * | 2001-03-14 | 2006-08-03 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
| US20070295611A1 (en) * | 2001-12-21 | 2007-12-27 | Liu Feng Q | Method and composition for polishing a substrate |
| TWI275436B (en) * | 2002-01-31 | 2007-03-11 | Ebara Corp | Electrochemical machining device, and substrate processing apparatus and method |
| JP3636186B2 (ja) * | 2002-10-11 | 2005-04-06 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US7390429B2 (en) * | 2003-06-06 | 2008-06-24 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for electrochemical mechanical polishing processing |
| JP2005015885A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Ebara Corp | 基板処理方法及び装置 |
| US20050048768A1 (en) * | 2003-08-26 | 2005-03-03 | Hiroaki Inoue | Apparatus and method for forming interconnects |
| US7112122B2 (en) * | 2003-09-17 | 2006-09-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for removing conductive material from a microelectronic substrate |
| US20050092620A1 (en) * | 2003-10-01 | 2005-05-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for polishing a substrate |
| WO2005045906A1 (en) * | 2003-10-29 | 2005-05-19 | Asm Nutool, Inc. | System and method for electroless surface conditioning |
| US7153777B2 (en) * | 2004-02-20 | 2006-12-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses for electrochemical-mechanical polishing |
| JP3910973B2 (ja) * | 2004-04-22 | 2007-04-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US7566391B2 (en) | 2004-09-01 | 2009-07-28 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for removing materials from microfeature workpieces with organic and/or non-aqueous electrolytic media |
| JP2006120870A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Ebara Corp | 配線形成方法及び装置 |
| US20060197183A1 (en) * | 2005-03-01 | 2006-09-07 | International Business Machines Corporation | Improved mim capacitor structure and process |
| US7317253B2 (en) * | 2005-04-25 | 2008-01-08 | Sony Corporation | Cobalt tungsten phosphate used to fill voids arising in a copper metallization process |
| US20060249394A1 (en) * | 2005-05-05 | 2006-11-09 | Applied Materials, Inc. | Process and composition for electrochemical mechanical polishing |
| US20060249395A1 (en) * | 2005-05-05 | 2006-11-09 | Applied Material, Inc. | Process and composition for electrochemical mechanical polishing |
| FR2899243B1 (fr) | 2006-03-30 | 2008-05-16 | Saint Gobain Vetrotex | Procede et dispositif de fabrication d'un fil composite |
| FR2899571B1 (fr) | 2006-04-10 | 2009-02-06 | Saint Gobain Vetrotex | Procede de fabrication d'un enroulement a fils separes |
| US20070254485A1 (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Daxin Mao | Abrasive composition for electrochemical mechanical polishing |
| DE102006040585B4 (de) * | 2006-08-30 | 2013-02-07 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Auffüllen eines Grabens in einem Halbleiterprodukt |
| US7964496B2 (en) * | 2006-11-21 | 2011-06-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Schemes for forming barrier layers for copper in interconnect structures |
| US20090127711A1 (en) * | 2007-11-15 | 2009-05-21 | International Business Machines Corporation | Interconnect structure and method of making same |
| CN102220571B (zh) * | 2010-04-15 | 2014-10-15 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 湿式镀膜系统 |
| US8912658B2 (en) | 2010-10-29 | 2014-12-16 | International Business Machines Corporation | Interconnect structure with enhanced reliability |
| CN102800621B (zh) * | 2011-05-25 | 2014-07-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 形成栓塞结构、半导体器件的方法 |
| CN102446829A (zh) * | 2011-09-23 | 2012-05-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种用于在硅片的通孔中进行电镀铜的装置 |
| US8956974B2 (en) * | 2012-06-29 | 2015-02-17 | Micron Technology, Inc. | Devices, systems, and methods related to planarizing semiconductor devices after forming openings |
| CN105097651B (zh) * | 2014-05-07 | 2019-12-24 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 镀铜减薄一体化装置 |
| US10998209B2 (en) | 2019-05-31 | 2021-05-04 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing platforms including multiple processing chambers |
| KR20210130466A (ko) | 2020-04-22 | 2021-11-01 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 연속 전해 장치 및 방법 |
| US12080571B2 (en) | 2020-07-08 | 2024-09-03 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing module and method of moving a workpiece |
| US11817331B2 (en) | 2020-07-27 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate holder replacement with protective disk during pasting process |
| US11749542B2 (en) | 2020-07-27 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus, system, and method for non-contact temperature monitoring of substrate supports |
| US11600507B2 (en) | 2020-09-09 | 2023-03-07 | Applied Materials, Inc. | Pedestal assembly for a substrate processing chamber |
| US11610799B2 (en) | 2020-09-18 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities |
| US11674227B2 (en) | 2021-02-03 | 2023-06-13 | Applied Materials, Inc. | Symmetric pump down mini-volume with laminar flow cavity gas injection for high and low pressure |
| US12002668B2 (en) | 2021-06-25 | 2024-06-04 | Applied Materials, Inc. | Thermal management hardware for uniform temperature control for enhanced bake-out for cluster tool |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57143838A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS60138090A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-22 | Toppan Printing Co Ltd | 部分銀めつき方法 |
| JPH09256200A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-09-30 | Hitachi Cable Ltd | めっき膜の表面処理方法 |
| JP2000100893A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| WO2000033356A2 (en) * | 1998-11-28 | 2000-06-08 | Acm Research, Inc | Methods and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces |
| WO2000059682A1 (en) * | 1999-04-03 | 2000-10-12 | Nutool, Inc. | Method and apparatus for plating and polishing a semiconductor substrate |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS511326A (ja) | 1974-06-25 | 1976-01-08 | Sumitomo Electric Industries | Metsukimaeshorihoho |
| JPH02217498A (ja) | 1989-02-17 | 1990-08-30 | Shinmei Kogyo Kk | メッキ処理システム |
| US6017437A (en) * | 1997-08-22 | 2000-01-25 | Cutek Research, Inc. | Process chamber and method for depositing and/or removing material on a substrate |
| TW405158B (en) * | 1997-09-17 | 2000-09-11 | Ebara Corp | Plating apparatus for semiconductor wafer processing |
| US6197123B1 (en) * | 1997-12-18 | 2001-03-06 | Texas Instruments Incorporated | Method for cleaning a process chamber used for manufacturing substrates during nonproduction intervals |
| US6136163A (en) * | 1999-03-05 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electro-chemical deposition with thermal anneal chamber |
| US6440261B1 (en) * | 1999-05-25 | 2002-08-27 | Applied Materials, Inc. | Dual buffer chamber cluster tool for semiconductor wafer processing |
| US6503375B1 (en) * | 2000-02-11 | 2003-01-07 | Applied Materials, Inc | Electroplating apparatus using a perforated phosphorus doped consumable anode |
| JP4055334B2 (ja) * | 2000-06-13 | 2008-03-05 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6747734B1 (en) * | 2000-07-08 | 2004-06-08 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for processing a microelectronic workpiece using metrology |
| KR100434946B1 (ko) * | 2001-09-28 | 2004-06-10 | 학교법인 성균관대학 | 무전해도금방식을 이용한 반도체 소자의 구리배선형성방법 |
-
2000
- 2000-10-13 JP JP2000312834A patent/JP4644926B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-10-08 TW TW090124825A patent/TW567580B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-10-12 WO PCT/JP2001/008981 patent/WO2002031231A1/ja active Application Filing
- 2001-10-12 KR KR1020027007480A patent/KR100822651B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-10-12 US US10/149,858 patent/US6809029B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-02-10 US US10/775,935 patent/US20040159553A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57143838A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS60138090A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-22 | Toppan Printing Co Ltd | 部分銀めつき方法 |
| JPH09256200A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-09-30 | Hitachi Cable Ltd | めっき膜の表面処理方法 |
| JP2000100893A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| WO2000033356A2 (en) * | 1998-11-28 | 2000-06-08 | Acm Research, Inc | Methods and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces |
| JP2002531702A (ja) * | 1998-11-28 | 2002-09-24 | エーシーエム リサーチ，インコーポレイティド | 半導体ワークの電気めっきおよび／または電解研磨中に半導体ワークを保持して位置決めする方法および装置 |
| WO2000059682A1 (en) * | 1999-04-03 | 2000-10-12 | Nutool, Inc. | Method and apparatus for plating and polishing a semiconductor substrate |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005229121A (ja) * | 2001-03-16 | 2005-08-25 | Ebara Corp | 配線形成装置及びその方法 |
| WO2003058696A1 (fr) * | 2002-01-07 | 2003-07-17 | Sony Corporation | Procede de production d'un film metallique |
| US6911396B2 (en) | 2002-01-07 | 2005-06-28 | Sony Corporation | Method of producing metallic film |
| KR20030089508A (ko) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 | 화학적 기계 연마 방법 및 화학적 기계 연마 장치 |
| US7785175B2 (en) | 2002-05-17 | 2010-08-31 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Method and apparatus for chemical mechanical polishing |
| JP2006507405A (ja) * | 2002-06-28 | 2006-03-02 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 金属腐食を低減させながら基板を電気化学的に処理する装置および方法 |
| JP2009049431A (ja) * | 2008-11-10 | 2009-03-05 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨方法 |
| JP2012151289A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光半導体実装用基板、その製造方法、及び光半導体装置 |
| JP2015196206A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | 株式会社荏原製作所 | 基板研磨装置 |
| JPWO2020196506A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | ||
| JP7254163B2 (ja) | 2019-03-28 | 2023-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020065562A (ko) | 2002-08-13 |
| JP4644926B2 (ja) | 2011-03-09 |
| US6809029B2 (en) | 2004-10-26 |
| WO2002031231A1 (en) | 2002-04-18 |
| US20030113996A1 (en) | 2003-06-19 |
| KR100822651B1 (ko) | 2008-04-17 |
| US20040159553A1 (en) | 2004-08-19 |
| TW567580B (en) | 2003-12-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4644926B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
| KR100824484B1 (ko) | 구리연결부의 시드층을 처리하는 방법 및 장치 | |
| US8771804B2 (en) | Processes and systems for engineering a copper surface for selective metal deposition | |
| JP5489717B2 (ja) | 金属堆積のために基板表面を調整する方法および統合システム | |
| US20040234696A1 (en) | Plating device and method | |
| US6706422B2 (en) | Electroless Ni—B plating liquid, electronic device and method for manufacturing the same | |
| US20040231997A1 (en) | Substrate processing apparatus and method | |
| US20050282378A1 (en) | Interconnects forming method and interconnects forming apparatus | |
| US20060003521A1 (en) | Method of and apparatus for manufacturing semiconductor device | |
| JPH11307481A (ja) | 電解めっき装置および電解めっき方法 | |
| US20040043609A1 (en) | Method of fabricating semiconductor device | |
| JP2001181851A (ja) | めっき方法及びめっき構造 | |
| US7332198B2 (en) | Plating apparatus and plating method | |
| US6924234B2 (en) | Method and apparatus for polishing a copper layer and method for forming a wiring structure using copper | |
| JP2006120870A (ja) | 配線形成方法及び装置 | |
| JP2004300576A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| JP2003096596A (ja) | めっき方法及びめっき装置 | |
| JP2008085175A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置、基板処理システム、プログラム及び記憶媒体。 | |
| US20040186008A1 (en) | Catalyst-imparting treatment solution and electroless plating method | |
| JP2000124156A (ja) | 半導体製造装置 | |
| CN112687610B (zh) | 互连结构及其形成方法 | |
| JP2000309896A (ja) | 電解メッキ方法 | |
| JP3886383B2 (ja) | めっき装置及びめっき方法 | |
| JP2002129342A (ja) | 無電解めっき方法及び装置 | |
| JP2005166804A (ja) | 配線形成方法及び装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070119 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20091007 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091014 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091110 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091216 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100518 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100621 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101109 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101122 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131217 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131217 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |