JP2003096596A

JP2003096596A - めっき方法及びめっき装置

Info

Publication number: JP2003096596A
Application number: JP2001291835A
Authority: JP
Inventors: Fumio Kuriyama; 文夫栗山
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 2001-09-25
Filing date: 2001-09-25
Publication date: 2003-04-03

Abstract

(57)【要約】【課題】例えアスペスト比が大きく、深さがかなり深
いホール等の内部であっても、銅等のめっき材料を、ボ
イド等を生じさせることなく、確実に埋込むことができ
るようにする。【解決手段】めっき液に接触させて基板の表面にめっ
き膜を形成するめっき処理と、めっき後の基板をエッチ
ング液に接触させて基板の表面に形成しためっき膜の一
部をエッチングするエッチング処理を行い、エッチング
処理後に再度めっき処理を行うことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、めっき方法及びめ
っき装置に関し、特にＬＳＩ等の基板を多層化（３次元
的実装）し、単位面積当たりの配線密度を上げてシステ
ムの高速化を図るに際し、基板の内部に銅等の導電材料
からなる３次元実装専用の埋込み配線を形成するのに使
用されるめっき装置及びめっき方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体システムの付加価値が小型
・軽量化から高性能化に移行するに従い、半導体装置の
実装技術が「高密度実装」から「高速実装」に移行しつ
つある。この高速化に対応する技術の一つとして、複数
の基板を重ねて、３次元方向の接続を行うようにした３
次元実装がある。この３次元実装によれば、配線設計の
自由度が広がり、条件によっては従来の平面型システム
ＬＳＩより配線が短縮でき、しかも一つのパッケージに
納めるＬＳＩ等の基板の数が多いほど、実装面積を相対
的に縮小することができる。

【０００３】図６は、この３次元実装に使用される半導
体ウェハ等の基板の製造例を工程順に示す。なお、この
例は、３次元実装に専用の埋込み配線を、電気抵抗率が
低く、エレクトロマイグレーション耐性が高い銅で形成
した例を示している。

【０００４】先ず、図６（ａ）に示すように、例えば、
半導体素子を形成し、必要に応じてＳｉＯ_２からなる絶
縁膜（図示せず）を堆積させたシリコン基板等の基板１
０の表面に、リソグラフィ及びエッチング技術により、
ホール１２を形成する。ここで、例えば直径２００ｍｍ
のシリコン基板１０にあっては、その厚みＴ_１は７２５
μｍ程度であり、ホール１２は、一辺の長さまたは直径
Ｗが５〜２０μｍ程度、例えば１０μｍの正方形または
円形で、深さＤが５０〜７０μｍ程度、例えば７０μｍ
に設定されている。

【０００５】そして、図６（ｂ）に示すように、この基
板１０の表面に、例えばＣＶＤにより、ＳｉＯ_２からな
る絶縁膜１４を形成してホール１２の表面を絶縁膜１４
で覆い、これによって、電気が漏れないようする。しか
る後、図６（ｃ）に示すように、絶縁膜１４の上に電気
めっきの給電層としてのシード層１６を、例えばＣＶＤ
やスパッタリングで形成する。

【０００６】そして、図６（ｄ）に示すように、基板１
０の表面に電気めっきによる銅めっきを施すことで、基
板１０のホール１２の内部に銅を充填させるとともに、
絶縁膜１４の上に銅めっき膜１８を堆積させる。その
後、図６（ｅ）に示すように、化学的機械的研磨（ＣＭ
Ｐ）により、基板１０上の銅めっき膜１８及び絶縁膜１
４を除去し、ホール１２内に充填させた銅めっき膜１８
の表面を基板１０の表面とを略同一平面とする。

【０００７】次に、図６（ｆ）に示すように、基板１０
の裏面側を研削しエッチングして、ホール１２の内部に
充填した銅めっき膜１８を基板１０の裏面に露出させ
る。つまり、例えば、深さＤが７０μｍのホール１２を
形成した場合にあっては、基板１０の厚みＴ_２が、例え
ば、５０μｍとなるまで、基板１０の裏面側を研削しエ
ッチングする。

【０００８】そして、この基板１０の裏面側の研削に先
だって、またはこの研削後に基板１０の表面側に露出し
た銅めっき膜１８の表面にマイクロバンプ２０ａを形成
し、研削後に基板１０の裏面側に露出した銅めっき膜１
８の表面にマイクロバンプ２０ｂを形成し、これによ
り、基板１０の内部を貫通し、両端に外部端子としてマ
イクロバンプ２０ａ，２０ｂを有する３次元実装に専用
の埋込み配線２２を形成する。

【０００９】そして、図７に示すように、内部に埋込み
配線２２を有し、例えばＤＲＡＭ２４，ＤＳＰ２６及び
ＡＳＩＣ２８等を搭載した半導体チップ（基板）を、マ
ザーボード３０上にマイクロバンプ２０ａ，２０ｂを介
して電気的に接続させつつ積層して、システムの高速化
を図った３次元実装を実現させる。

【００１０】ここで、銅等の導電材料は、一般にめっき
によってホール１２の内部に埋込まれる。これは、ホー
ル１２の内部に銅等を埋込む方法としては、ＣＶＤ（化
学的蒸着）やスパッタリング等の各種の方法が知られて
いるが、金属層の材質が銅またはその合金である場合に
は、ＣＶＤでは層成長速度が遅く、またスパッタリング
では高アスペクト（パターンの深さの比が幅に比べて大
きい）の場合に埋込みが不可能である等の短所を有して
おり、めっきによる方法が最も有効だからである。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
ように、例えば一辺の長さまたは直径Ｗが１０μｍで、
深さＤが７０μｍといった、アスペスト比が大きくて、
深さがかなり深いホール１２の内部に一般的な電気めっ
き等で銅を埋込むと、図８に示すように、このホール１
２の入口付近に銅がオーバハング状態で堆積し、めっき
の進行に伴ってこのホール１２の入口付近に堆積した銅
が徐々に成長してホール１２の入口を塞ぎ、この結果、
銅めっき膜１８の内部にボイド（巣）３２が生じること
があるという問題があった。

【００１２】本発明は上記に鑑みて為されたもので、例
えアスペスト比が大きくて、深さがかなり深いホール等
の内部であっても、銅等のめっき材料を、ボイド等を生
じさせることなく、確実に埋込むことができるようにし
ためっき方法及びめっき装置を提供することを目的とす
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、めっき液に接触させて基板の表面にめっき膜を形成
するめっき処理と、めっき後の基板をエッチング液に接
触させて基板の表面に形成しためっき膜の一部をエッチ
ングするエッチング処理を行い、エッチング処理後に再
度めっき処理を行うことを特徴とするめっき方法であ
る。

【００１４】これにより、例えばアスペスト比が大きく
て、深さがかなり深いホール等の内部にめっき処理を行
ってめっき膜を埋込む際に、このホールの入口がめっき
膜で塞がれそうになった時点等でめっき処理を一旦止め
てエッチング処理を行い、主にホールの入口付近に堆積
しためっき膜をエッチング除去してホールの入口を拡
げ、この入口を拡げた状態で再度めっき処理を施すこと
で、ホールの内部に埋込んだめっき膜の内部にボイドが
発生することを防止することができる。しかも、めっき
処理と独立に任意のエッチング液を使用してエッチング
を行うことで、例えば、５分のエッチング処理で、２μ
ｍのエッチングを行う等、エッチングレートを任意に設
定することができる。

【００１５】請求項２に記載の発明は、前記めっき処理
と前記めっき処理後のエッチング処理を少なくとも２回
以上繰返すことを特徴とする請求項１記載のめっき方法
である。これにより、例えば前述のように、ホール等の
内部にめっき処理を行ってめっき膜を埋込む際に、この
ホールの入口がめっき膜で塞がれそうになるまでめっき
処理を行う度毎にめっき処理を一旦止めてエッチング処
理を行って、主にホールの入口付近に堆積しためっき膜
をエッチング除去してホールの入口を拡げ、この操作を
任意に繰返すことで、ホールの内部に埋込んだめっき膜
の内部にボイドが発生することをより確実に防止するこ
とができる。

【００１６】請求項３に記載の発明は、めっき処理によ
り形成しためっき膜の表面に被膜を作り、この被膜を溶
かして前記エッチング処理を行うことを特徴とする請求
項１または２記載のめっき方法である。これにより、め
っき材料として、例えば、水素よりイオン化傾向が小さ
く、酸溶液ではエッチングできないものを使用した場合
であっても、めっき液の表面に被膜を作り、この被膜を
エッチングすることで、例えば前述のような、主にホー
ルの入口付近に堆積しためっき膜をエッチング除去する
ことができる。

【００１７】請求項４に記載の発明は、前記被膜は、酸
化剤溶液に接触させてめっき膜を酸化させることで形成
される酸化膜で、この酸化膜を酸溶液に接触させて溶か
すことを特徴とする請求項３記載のめっき方法である。
この酸化剤溶液としては、過硫酸ナトリウム、過硫酸カ
リウム、オゾン水、過酸化水素水等が挙げられる。ま
た、酸溶液としては、硫酸、塩酸、メタンスルフォン酸
等が挙げられる。

【００１８】請求項５に記載の発明は、前記エッチング
処理を、酸化剤と酸溶液の混合液を使用して行うことを
特徴とする請求項１または２記載のめっき方法である。
このように、エッチング液として酸化剤と酸溶液の混合
液を使用することで、めっき材料として、水素よりイオ
ン化傾向の小さいものを使用した場合であっても、めっ
き膜をエッチングすることができ、しかもエッチングを
１つの溶液槽で済ますことができる。この混合液として
は、例えば、過硫酸ナトリウム１００ｇと１０％硫酸１
リットルの混合液が挙げられる。

【００１９】請求項６に記載の発明は、前記めっき膜は
銅めっき膜であり、基板に形成された３次元実装に専用
の埋込み配線を形成するホールの内部に銅を埋込むこと
を特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のめっき
方法である。これにより、基板の内部に、伝導率の高い
銅からなり、ボイドのない健全な３次元実装に専用の埋
込み配線を形成することができる。

【００２０】請求項７に記載の発明は、前記めっき処理
は、電気めっきまたは無電解めっきであることを特徴と
する請求項１乃至６のいずれかに記載のめっき方法であ
る。請求項８に記載の発明は、めっき液に接触させて基
板の表面にめっき膜を形成するめっき槽と、めっき後の
基板をエッチング液に接触させて基板の表面に形成した
めっき膜の一部をエッチングするエッチング槽と、基板
の表面を洗浄する洗浄槽とを有することを特徴とするめ
っき装置である。

【００２１】請求項９に記載の発明は、めっきによって
形成しためっき膜の表面を酸化剤溶液に接触させて酸化
させる酸化槽を更に有することを特徴とする請求項８記
載のめっき装置である。請求項１０に記載の発明は、前
記エッチング液は、酸化剤と酸溶液の混合液であること
を特徴とする請求項８記載のめっき装置である。請求項
１１に記載の発明は、前記めっき膜は銅めっき膜であ
り、基板に形成された３次元実装に専用の埋込み配線を
形成するホールの内部に銅を埋込むようにしたことを特
徴とする請求項８乃至１０のいずれかに記載のめっき装
置である。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は、本発明の実施の形態のめ
っき装置の平面配置図である。このめっき装置は、図６
（ｃ）に示す、所定の位置にホール（パターン）１２を
設け、更に絶縁膜１４とシード層１６を順次形成した基
板（半導体ウェハ）１０の表面に、銅めっきを施して、
図６（ｄ）に示すように、ホール１２の内部に銅を充填
させるとともに、絶縁膜１４の上に銅めっき膜１８を堆
積させるようにしたものである。

【００２３】図１に示すように、このめっき装置には、
半導体ウェハ等の基板１０（図６参照）を収納した基板
カセットを搭載する２台のロード・アンロード部４０が
備えられている。そして、このロード・アンロード部４
０側から順に、めっき後の基板を洗浄（リンス）し高速
回転させて乾燥させるスピンドライヤ４２、基板を純水
に浸漬させて濡らすことで表面の親水性を良くするプリ
ウェット槽または基板の表面に形成したシード層表面の
電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸などの薬液でエッ
チング除去するプリソーク槽の少なくとも一方を備えた
前処理槽４４、基板の表面を純水で水洗する第１の水洗
槽４６、基板の表面に銅めっきを施すめっき槽４８、基
板の表面に形成された銅めっき膜の表面を酸化させて酸
化膜を形成する酸化槽５０、この酸化膜を溶かして除去
するエッチング槽５２及び第２の水洗槽５４が直列に配
置されている。更に、これらの機器の側方に位置して、
基板を搬送し、これらの機器との間で基板の授受を行う
走行型の搬送ロボット５６が配置されている。

【００２４】なお、銅は水素よりイオン化傾向が小さ
く、銅めっき膜を形成した基板を単に酸溶液に浸漬した
だけでは、銅めっき膜を効率よくエッチングすることが
できない。このため、この例では、例えば過硫酸ナトリ
ウム、過硫酸カリウム、オゾンまたは過酸化水素水等の
酸化剤溶液を保持した酸化槽５０と、硫酸、塩酸または
メタンスルフォン酸等の酸溶液（エッチング液）を保持
したエッチング槽５２を用意し、銅めっき膜を形成した
基板を酸化槽５０の内部の酸化剤中に浸漬させ、銅めっ
き膜の表面を酸化させて酸化膜を形成し、しかる後、こ
の酸化膜を形成した基板をエッチング槽５２の酸溶液
（エッチング液）中に浸漬させ、酸化膜を溶かしてエッ
チングするようにしている。なお、エッチング液とし
て、下記のように、酸化剤と酸溶液の混合液、濃硫酸ま
たは王水等を使用した場合には、酸化槽を設ける必要が
ないことは勿論である。

【００２５】めっき槽４８は、図２に示すように、めっ
き液６０を収容し、このめっき液６０中に、裏面を水密
的にシールした状態で、基板ホルダ６２で着脱自在に保
持した基板１０を浸漬させて、基板１０がアノード６４
と互いに対面するように配置するようになっている。そ
して、基板ホルダ６２とアノード６４との間にめっき電
源６６を接続し、基板ホルダ６２を介して基板１０のシ
ード層１６（図６参照）に給電し該基板１０のシード層
１６をカソードとして所定の電圧を印加することで、基
板１０のシード層１６にめっき膜を形成するように構成
されている。めっき槽４８の壁面６８をオーバーフロー
しためっき液６０は、捕集槽７０に回収され、ポンプ７
２、温度調整槽７４、フィルタ７６及び流量計７８等か
らなるめっき液循環系を介して再びめっき槽４８に注入
される。

【００２６】なお、図示しないが、水洗槽４６，５４の
内部には純水が、酸化槽５０の内部には酸化剤溶液が、
エッチング槽５２の内部には酸溶液（エッチング液）が
それぞれ保持されており、前記めっき槽４８の場合と同
様に、裏面側を水密的にシールして基板ホルダで保持し
た状態で、基板１０をこれらの溶液中に浸漬させること
で、各処理が施されるようになっている。

【００２７】次に、図１に示すめっき装置によるめっき
処理を図３を参照して説明する。先ず、図６（ｃ）に示
す、所定の位置にホール（パターン）１２を設け、更に
絶縁膜１４とシード層１６を順次形成した基板（半導体
ウェハ）１０を収容した基板カセットをロード・アンロ
ード部４０に搭載する。

【００２８】このロード・アンロード部４０に搭載した
基板カセットから、搬送ロボット５６で基板を１枚取り
出して前処理槽４４まで搬送し、この前処理槽４４で、
プリウェットやプリソーク等の前処理を行う。このプリ
ウェットは、例えば純水に浸漬させて基板の表面を濡ら
し穴の中の空気を水に置換して親水性をよくするための
処理で、またプリソークは、硫酸や塩酸などの薬液に基
板を浸漬させてシード層表面の電気抵抗の大きい酸化膜
をエッチングし、清浄な金属面を露出させるための処理
である。そして、この前処理後の基板を搬送ロボット５
６で第１の水洗槽４６まで搬送し、この水洗槽４６で基
板の表面を純水で水洗し、この水洗後の基板を搬送ロボ
ット５６でめっき槽４８まで搬送する。

【００２９】このめっき槽４８では、図２に示すよう
に、基板１０を基板ホルダ６２で保持した状態で、基板
１０をめっき液６０中に浸漬させアノード６４と対面す
るように配置し、基板ホルダ６２とアノード６４との間
にめっき電源６６を接続することで、基板１０のシード
層１６（図６参照）の表面にめっき膜を形成する。

【００３０】このように、例えばアスペスト比が大きく
て、深さがかなり深いホール１２等の内部に、めっき処
理を行って銅等のめっき材料を埋込むと、図４（ａ）に
示すように、ホール１２の入口付近に銅めっき膜１８が
オーバハング状態で堆積し、めっきの進行に伴ってこの
ホール１２の入口付近に堆積した銅めっき膜１８が徐々
に成長してホール１２の入口を塞ぎ、この結果、ボイド
３２（図８参照）が生じ易くなる。

【００３１】そこで、例えばホール１２の入口が銅めっ
き膜１８で塞がれそうになった時点でめっき処理を一旦
止め、この基板を搬送ロボット５６で第１の水洗槽４６
に搬送し、ここで基板の表面を純水で水洗した後、酸化
槽５０に搬送し、この酸化槽５０内の酸化剤溶液に浸漬
させることで、銅めっき膜の表面を酸化させて酸化膜を
形成する。そして、この酸化膜を形成した基板を、必要
に応じて第１の水洗槽４６に搬送し、ここで基板の表面
を純粋で洗浄した後、エッチング槽５２に搬送し、この
エッチング槽５２内の酸溶液（エッチング液）に浸漬さ
せて、酸化膜を溶かす。

【００３２】このように、めっき処理の途中でめっき膜
をエッチングすることで、図４（ｂ）に示すように、主
にホール１２の入口付近に堆積した銅めっき膜１８をエ
ッチング除去してホール１２の入口を拡げる。つまり、
銅めっき膜１８をエッチングすると、銅めっき膜１８の
表面側からエッチングが開始され、この結果、ホール１
２の内部周壁に堆積した銅めっき膜よりホール１２の入
口付近に堆積した銅めっき膜の方がより多くエッチング
され、これにより、ホール１２の入口を拡げることがで
きる。そして、このようにしてホール１２の入口を拡げ
た後、基板を第２の水洗槽５４に搬送し、ここで基板の
表面を純水で水洗する。

【００３３】上記のめっき処理とめっき処理後のエッチ
ング処理を、必要に応じて複数回、例えば２〜３回繰返
す。図４は、２回繰返した状態を示している。つまり、
図４（ａ）は、１回目のめっき処理を行った状態を、図
４（ｂ）は、１回目のめっき処理後のエッチング処理を
行った状態を、図４（ｃ）は、２回目のめっき処理を行
った状態を、図４（ｄ）は、２回目のめっき処理後のエ
ッチング処理を行った状態をそれぞれ示している。

【００３４】このように、ホール１２の入口を拡げた状
態で再度めっき処理を施すことで、ホール１２の内部に
埋込んだ銅めっき膜１８の内部にボイドが発生すること
を防止することができる。しかも、めっき処理と独立に
任意のエッチング液を使用してエッチングを行うこと
で、例えば、５分のエッチング処理で、２μｍのエッチ
ングを行う等、エッチングレートを任意に設定すること
ができる。

【００３５】そして、上記のめっき処理とめっき処理後
のエッチング処理を、必要に応じて複数回繰返した後、
基板をめっき槽４８に搬送し、ここで再度めっき処理を
行い、これによって、図４（ｅ）に示すように、ホール
１２の内部に銅を完全に充填させる。そして、めっき終
了後の基板を第２の水洗槽５４に搬送し、ここで基板の
表面を純粋で洗浄し、しかる後、基板をスピンドライヤ
４２に搬送し、ここで、基板の洗浄（リンス）と高速回
転によるスピン・ドライを行った後、ロード・アンロー
ド部４０の基板カセットに戻して作業を完了する。

【００３６】図５は、本発明の他の実施の形態のめっき
装置の平面配置図である。このめっき装置は、内部に搬
送ロボット８０を備えた中央の搬送室８２を中心とし
て、基板カセットを搬出入するロード・アンロード室８
４、前処理槽８６を収納した前処理室８８、水洗槽９０
を収納した水洗室９２、めっき槽９４を収納しためっき
室９６、エッチング槽９８を収納したエッチング室１０
０、スピンドライヤ１０２を収納したスピンドライヤ室
１０４を配置したものである。

【００３７】ここで、この例では、エッチング槽９８内
に収容するエッチング液として、浸漬させることで基板
の表面に形成した銅めっき膜をエッチングできるエッチ
ング液、例えば酸化剤（粉末または溶液）と酸溶液との
混合液、より具体的には、過硫酸ナトリウム１００ｇと
１０％硫酸１リットルの混合液を使用している。更に、
１つの水洗槽９０を備え、基板表面の純水による洗浄を
全てこの水洗槽９０で行うようにしている。なお、この
ようなエッチング液としては、酸化剤と酸溶液との混合
液の他に濃硫酸や王水等が挙げられる。

【００３８】このめっき装置では、めっき槽９４内のめ
っき液中に基板を浸漬させてめっき処理を行って銅めっ
き膜を形成し、めっき処理を一旦止めてめっき後のエッ
チング処理を行う際、基板を洗浄した後、基板をエッチ
ング室１００内に搬送し、エッチング槽９８内の混合液
（エッチング液）に浸漬させてエッチング処理を行うよ
うにしている。その他の操作は、前記第１の実施の形態
のめっき装置と同じであるので、ここではその説明を省
略する。

【００３９】このめっき装置によれば、前処理槽８６を
収納した前処理室８８、水洗槽９０を収納した水洗室９
２、めっき槽９４を収納しためっき室９６、エッチング
槽９８を収納したエッチング室１００等をユニット化す
ることができる。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
例えばアスペスト比が大きくて、深さがかなり深いホー
ル等の内部にめっき処理を行って銅等を埋込んで埋込み
配線を形成する際に、ホールの内部に埋込んだめっき膜
（銅）の内部にボイドが発生することを防止して、ボイ
ドのない健全な埋込み配線等を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態のめっき装置の平面配置図
である。

【図２】図１に示すめっき装置に備えられているめっき
槽の概略図である。

【図３】図１に示すめっき装置によるめっき処理を工程
順に示すブロック図である。

【図４】めっき処理とめっき処理後のエッチング処理を
２回繰返し、再度めっき処理を行った時のめっき膜の状
態を概念的に示す図である。

【図５】本発明の他の実施の形態のめっき装置の平面配
置図である。

【図６】３次元実装に使用される半導体ウェハ等の基板
の製造例を工程順に示す図である。

【図７】３次元実装を実現させた半導体装置の断面図で
ある。

【図８】従来例における銅めっき膜の内部にボイド
（巣）が生じた状態の断面図である。

【符号の説明】

１０基板１２ホール（パターン）１４絶縁膜１６シード層１８めっき膜２０ａ，２０ｂマイクロバンプ２２埋込み配線４０ロード・アンロード部４２，１０２スピンドライヤ４４，８６前処理槽４６，５４，９０水洗槽４８，９４めっき槽５０酸化槽５２９８エッチング槽５６，８０搬送ロボット６０めっき液６２基板ホルダ６４アノード８２搬送室８４ロード・アンロード室８８前処理室９２水洗室９６めっき室１００エッチング室１０４スピンドライヤ室

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/768 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ａ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】めっき液に接触させて基板の表面にめっ
き膜を形成するめっき処理と、めっき後の基板をエッチ
ング液に接触させて基板の表面に形成しためっき膜の一
部をエッチングするエッチング処理を行い、エッチング
処理後に再度めっき処理を行うことを特徴とするめっき
方法。
【請求項２】前記めっき処理と前記めっき処理後のエ
ッチング処理を少なくとも２回以上繰返すことを特徴と
する請求項１記載のめっき方法。
【請求項３】めっき処理により形成しためっき膜の表
面に被膜を作り、この被膜を溶かして前記エッチング処
理を行うことを特徴とする請求項１または２記載のめっ
き方法。
【請求項４】前記被膜は、酸化剤溶液に接触させてめ
っき膜を酸化させるることで形成される酸化膜で、この
酸化膜を酸溶液に接触させて溶かすことを特徴とする請
求項３記載のめっき方法。
【請求項５】前記エッチング処理を、酸化剤と酸溶液
の混合液を使用して行うことを特徴とする請求項１また
は２記載のめっき方法。
【請求項６】前記めっき膜は銅めっき膜であり、基板
に形成された３次元実装に専用の埋込み配線を形成する
パターンの内部に銅を埋込むことを特徴とする請求項１
乃至５のいずれかに記載のめっき方法。
【請求項７】前記めっき処理は、電気めっきまたは無
電解めっきであることを特徴とする請求項１乃至６のい
ずれかに記載のめっき方法。
【請求項８】めっき液に接触させて基板の表面にめっ
き膜を形成するめっき槽と、めっき後の基板をエッチング液に接触させて基板の表面
に形成しためっき膜の一部をエッチングするエッチング
槽と、基板の表面を洗浄する洗浄槽とを有することを特徴とす
るめっき装置。
【請求項９】めっきによって形成しためっき膜の表面
を酸化剤溶液に接触させて酸化させる酸化槽を更に有す
ることを特徴とする請求項８記載のめっき装置。
【請求項１０】前記エッチング液は、酸化剤と酸溶液
の混合液であることを特徴とする請求項８記載のめっき
装置。
【請求項１１】前記めっき膜は銅めっき膜であり、基
板に形成された３次元実装に専用の埋込み配線を形成す
るパターンの内部に銅を埋込むようにしたことを特徴と
する請求項８乃至１０のいずれかに記載のめっき装置。