JP2002531702A - 半導体ワークの電気めっきおよび／または電解研磨中に半導体ワークを保持して位置決めする方法および装置 - Google Patents
半導体ワークの電気めっきおよび／または電解研磨中に半導体ワークを保持して位置決めする方法および装置Info
- Publication number
- JP2002531702A JP2002531702A JP2000585913A JP2000585913A JP2002531702A JP 2002531702 A JP2002531702 A JP 2002531702A JP 2000585913 A JP2000585913 A JP 2000585913A JP 2000585913 A JP2000585913 A JP 2000585913A JP 2002531702 A JP2002531702 A JP 2002531702A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer chuck
- assembly
- wafer
- electroplating
- shaft
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 title claims abstract description 142
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 85
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 31
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 757
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 84
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 78
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 67
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 41
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 17
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 7
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 241001600434 Plectroglyphidodon lacrymatus Species 0.000 claims description 3
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 claims 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 42
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 41
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 27
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- -1 Polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 102220411551 c.74G>T Human genes 0.000 description 2
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002783 friction material Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002449 FKM Polymers 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000639 Spring steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000009428 plumbing Methods 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
- H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
ウェーハの電気めっきおよび／または電解研磨中にウェーハを保持するためのウェーハチャックアセンブリが、ウェーハを受容するためのウェーハチャックを有している。ウェーハチャックアセンブリはさらに、第１の位置と第２の位置との間でウェーハチャックを運動させるためのアクチュエータアセンブリをも有している。第１の位置にあるとき、ウェーハチャックは開かれている。第２の位置にあるとき、ウェーハチャックは閉じられている。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
＜発明の背景＞
１．発明の分野
本発明は概ね、半導体ワークの処理中に半導体ワークを保持して位置決めする
方法および装置に関する。さらに詳しく述べると、本発明は、半導体ワークの電
気めっきおよび／または電解研磨中に半導体ワークを保持して位置決めする方法
および装置に関する。 【０００２】 ２．関連技術の説明 一般的に半導体デバイスはウェーハまたはスライスと呼ばれる半導体材料のデ
ィスク上で製造または製作される。さらに詳しく述べるならば、ウェーハは初め
シリコンインゴットから切断されることにより形成される。次いでウェーハは多
重のマスキングプロセス、エッチングプロセスおよび成膜プロセスを施されて、
半導体デバイスの電子回路構造を形成する。 【０００３】 過去１０年間、ムーアの法則(Moore's law)に従って、半導体産業は半導体デ
バイスの出力を増大してきた。このムーアの法則は半導体デバイスの出力が１８
ヶ月ごとに２倍になると予言している。半導体デバイスの出力のこのような増大
は、一部はこれらの半導体デバイスの外形サイズ（つまりデバイス上に存在する
最小のディメンション）が小さくなったことにより達成された。事実、半導体デ
バイスの外形サイズは急速に０．３５ミクロンから０．２５ミクロンに、そして
今や０．１８ミクロンになった。半導体デバイスのこのような小型化傾向を見れ
ば、０．１８ミクロンの程度を下回るサイズが実現されるのは確実である。 【０００４】 しかしながら、より高い出力を有する半導体デバイスの発展を制限する１つの
要因は相互接続部（単一の半導体デバイスのエレメントを接続する、かつ／また
はいくつかの半導体デバイスを一緒に接続する導体の線路）における信号遅延の
増大である。半導体デバイスの外形サイズが小さくなるにつれて、デバイス上の
相互接続部の密度は高くなる。しかしながら、相互接続部の密接により、相互接
続部の線路間のキャパシタンスが増大し、その結果、相互接続部の信号遅延が大
きくなる。一般的に相互接続の遅れは、外形サイズの減小の２乗でもって増大す
ることが判っている。これとは対照的に、ゲート遅延（つまり半導体デバイスの
ゲートまたはメサにおける遅れ）は外形サイズの減小に伴って線状に増大するこ
とが判っている。 【０００５】 相互接続の遅れのこのような増大を補償するための１つのコンベンショナルな
アプローチは、より多くの金属層を付加することであった。しかしながらこのよ
うなアプローチは、付加的な金属層に関連した製造コストの増大という欠点を有
している。さらにこのような付加的な金属層は付加的な熱を発生する。この熱は
チップの性能および信頼性の両方にとって不都合である。 【０００６】 従って、半導体産業は、金属製の相互接続部を形成するために、アルミニウム
ではなく銅を使用し始めた。銅の１つの利点は、アルミニウムよりも導電率が大
きいことである。しかも銅はアルミニウムよりもエレクトロマイグレーションに
対する抵抗が小さい（すなわち、銅から成る線路は電流負荷下で細くなる傾向が
少ない）。 【０００７】 しかしながら、銅が半導体産業によって幅広く使用可能になる前に、新しい処
理技術が要求される。さらに詳しく述べるならば、銅層は、電気めっきプロセス
を用いてウェーハ上に形成し、かつ／または、電解研磨プロセスを用いてエッチ
ングすることができる。一般的には、電気めっきおよび／または電解研磨プロセ
スにおいては、ウェーハは電解液中で保持され、次いで電荷がウェーハに印加さ
れる。従って、ウェーハチャックは電気めっきおよび／または電解研磨プロセス
中にはウェーハを保持し、電荷をウェーハに印加する必要がある。 【０００８】 ＜発明の概要＞ 本発明の実施態様においては、ウェーハの電気めっきおよび／または電解研磨
中にウェーハを保持するためのウェーハチャックアセンブリが、ウェーハを受容
するためのウェーハチャックを有している。ウェーハチャックアセンブリはさら
に、第１の位置と第２の位置との間でウェーハチャックを運動させるためのアク
チュエータアセンブリをも有している。第１の位置ではウェーハチャックは開か
れている。第２の位置ではウェーハチャックは閉じられている。 【０００９】 本発明の主題は特に請求の範囲において明確に示した。ただし本発明は構成お
よび操作方法の両方に関して、請求の範囲および添付の図面と関連付けた以下の
説明を参照することにより極めて良く理解することができる。図面中、同様の部
分には同一の符号を付した。 【００１０】 ＜実施例の詳細な説明＞ 本発明のさらに徹底した理解を得るために、特定の材料、パラメータなどのよ
うな多数の特定の細目について以下に説明する。ただし、この説明は本発明の範
囲を限定しようとするものではなく、実施例のより充実した、より完全な説明を
可能にするために提供するものである。 【００１１】 加えて、本発明の内容は、半導体ワークまたはウェーハの電気めっきおよび／
または電解研磨に関連した使用に特に適している。その結果、本発明の実施例は
その関係において説明している。ただし、このような説明は、本発明の用途また
は適用可能性を限定するものではない。むしろ、このような説明は実施例のより
充実した、より完全な説明を可能にするために提供するものである。 【００１２】 図１を参照すると、ウェーハ処理ツール１００が、半導体ワークまたはウェー
ハを電気めっきおよび／または電解研磨するために構成されている。実施例にお
いては、ウェーハ処理ツール１００は電気めっきおよび／または電解研磨ステー
ション１０２と、洗浄ステーション１０４と、ウェーハハンドリングステーショ
ン１０８と、ロボット１０６とを有している。 【００１３】 図４を参照すると、ウェーハ処理ツール１００により行われる処理ステップが
フローチャートの形式で表されている。再び図１を参照すると、未処理の半導体
ワークまたはウェーハがロボット１０６によってウェーハハンドリングステーシ
ョン１０８および１１０（図４、ブロック４０２）から得られる。ウェーハはロ
ボット１０６によって、ウェーハハンドリングステーション１０８および１１０
から電気めっきおよび／または電解ステーション１０２に搬送される（図４、ブ
ロック４０４）。下に詳細を述べるように、ウェーハは電気めっきおよび／また
は電解研磨ステーション１０２で電気めっきおよび／または電解研磨される（図
４、ブロック４０６）。電気めっきおよび／または電解研磨されたウェーハはロ
ボット１０６によって洗浄ステーション１０４（図４、ブロック４０８）に搬送
される。ウェーハは洗浄ステーション１０４において、洗浄され、乾燥させられ
る（図４、ブロック４１０）。洗浄され、乾燥させられたウェーハはロボット１
０６によってウェーハハンドリングステーション１０８および１１０（図４、ブ
ロック４１２）に戻される。次いでこのプロセス全体を、別の未処理のウェーハ
のために繰り返すことができる。しかしながら、図４に示し、上に説明したステ
ップに、本発明の範囲から逸脱することなしに種々様々な変更を加えることがで
きる。 【００１４】 図２を参照すると、この実施例においては、電気めっきおよび／または電解研
磨ステーション１０２および洗浄ステーション１０４は５つの電気めっきおよび
／または電解研磨セル１１２と、５つの洗浄セル１１４とを有している。従って
、５つものウェーハを一度に電気めっきおよび／または電解研磨し、洗浄するこ
とができる。しかしながら、電気めっきおよび／または電解研磨ステーション１
０２と洗浄ステーション１０４とは、特定の用途に応じて、いかなる数の電気め
っきおよび／または電解研磨セル１１２および洗浄セル１１４をも有することが
できる。例えば低い容量の用途のためには、電気めっきおよび／または電解研磨
ステーション１０２と洗浄ステーション１０４とは、それぞれ１つの電気めっき
および／または電解研磨セル１１２と１つの洗浄セルとで構成されていてよい。
加えて、洗浄セル１１４に対する電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２
の比率は特定の用途に応じて変化させることができる。例えば、電気めっきおよ
び／または電解研磨プロセスが洗浄プロセスよりも多くの処理時間を要求するよ
うな用途においては、ウェーハ処理ツール１００は洗浄セル１１４よりも多くの
電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２を有するように構成されていてよ
い。この代わりに、電気めっきおよび／または電解研磨プロセスが洗浄プロセス
よりも少ない処理時間を要求するような用途においては、ウェーハ処理ツール１
００は洗浄セル１１４よりも少ない電気めっきおよび／または電解研磨セル１１
２を有するように構成されていてよい。 【００１５】 図２に示したように、電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２と洗浄セ
ル１１４とは鉛直方向のセルとして形成されている。このように、処理されるウ
ェーハの数を、ウェーハ処理ツール１００（によって占められる床スペースの合
計）の面積を増やすことなしに増やすことができる。ますます競争が激しくなっ
ている半導体産業において、ウェーハ処理ツール１００によって占められる製作
床スペースの平方フィート当たりで処理されるウェーハの比率を増大させること
は有利である。 【００１６】 再び図１を参照すると、上述のように、未処理のウェーハがウェーハハンドリ
ングステーション１０８および１１０で得られ、次いで処理されたウェーハがウ
ェーハハンドリングステーション１０８および１１０に戻される。さらに詳しく
述べるならば、図３を参照すると、この実施例においては、ウェーハハンドリン
グステーション１０８および１１０（図１）はウェーハを保持するためのウェー
ハカセット１１６を有している。図３に示したように、ロボット１０６はウェー
ハカセット１１６から未処理のウェーハを取り除き、このウェーハを電気めっき
および／または電解研磨セル１１２のいずれか１つに搬送するように構成されて
いる（図２）。さらにロボット１０６は、洗浄セル１１４（図２）のいずれか１
つからウェーハカセット１１６に、処理されたウェーハを返すように構成されて
いる。図３には単一のカセット１１６が示されてはいるものの、ウェーハハンド
リングステーション１０８および１１０（図１）は、いかなる数のウェーハカセ
ット１１６を有していてもよい。 【００１７】 さらに、ウェーハハンドリングステーション１０８および１１０は、特定の用
途に応じた種々の構成を有していてよい。例えば、ウェーハハンドリングステー
ション１０８および１１０はそれぞれ少なくとも１つのウェーハカセット１１６
を有することができる。１つの形態においては、未処理のウェーハを含むウェー
ハカセット１１６がウェーハハンドリングステーション１０８に設けられている
。このウェーハは取り除かれ、処理され、次いで、ウェーハハンドリングステー
ション１０８の同じウェーハカセット１１６に戻される。ウェーハハンドリング
ステーション１０８のウェーハカセット１１６からのウェーハの処理が完了する
前に、未処理のウェーハを含む別のウェーハカセット１１６がウェーハハンドリ
ングステーション１１０に設けられている。ウェーハハンドリングステーション
１０８のウェーハカセット１１６からのウェーハが処理されるやいなや、ウェー
ハ処理ツール１００はウェーハハンドリングステーション１１０のウェーハカセ
ット１１６からの未処理のウェーハを処理開始することができる。次いで、ウェ
ーハハンドリングステーション１０８のウェーハカセット内の処理済ウェーハを
取り除き、未処理のウェーハを含むさらに別のウェーハカセット１１６と取り換
えることができる。こうして、ウェーハ処理ツール１００は、不慮の中断なしに
連続的に操作することができる。 【００１８】 別の形態においては、未処理のウェーハを含むウェーハカセット１１６がウェ
ーハハンドリングステーション１０８に設けられてよい。ウェーハハンドリング
ステーション１１０には空のウェーハカセット１１６が設けられてよい。ウェー
ハハンドリングステーション１０８のウェーハカセット１１６からの未処理のウ
ェーハを処理し、次いでウェーハハンドリングステーション１１０の空のウェー
ハハンドリングステーション１１６に返すことができる。このような形態も、処
理ツール１００の連続的な操作を簡単にする。しかもこのような形態は、２つの
ハンドリングステーション１０８および１１０のうちの一方を未処理のウェーハ
のために形成し、他方を処理済のウェーハのために形成することができるという
利点を有している。こうして、オペレータまたはロボットが、処理済のウェーハ
を含むウェーハカセット１１６を、未処理のウェーハを有するウェーハカセット
と混同するおそれ、またはその逆のおそれが少なくなる。 【００１９】 再び図２を参照すると、ウェーハ処理ツール１００は、ウェーハ処理ツール１
００の電気的および機械的な構成部分、例えば給電部、フィルタ、ワイヤ、鉛管
、薬品容器、ポンプ、弁などを収容するためのハウジングユニット１１８を有し
ている。再び図１を参照すると、ウェーハ処理ツール１００はウェーハ処理ツー
ル１００の操作を制御するためのコンピュータ１３２をも有することができる。
さらに詳しく述べるならば、コンピュータは、図４に示し図４と関連して上に述
べた処理ステップを行うための適切なソフトウェアプログラムを有するように構
成されていてよい。 【００２０】 ただし、本発明の思想および／または範囲から逸脱することなしに、ウェーハ
処理ツール１００の形態に種々様々な変更を加えることができる。このことに関
して、以下に、本発明の選択的な種々の実施態様を図面につき説明する。しかし
ながら、これらの選択的な実施態様は、本発明に対して行うことができる変化実
施例の全てを示そうとするものではない。むしろこれらの選択的な実施態様は多
くの可能な変化実施例のいくつかを示そうとしているのに過ぎない。 【００２１】 図５〜図７を参照すると、本発明の選択的な実施態様において、ウェーハ処理
ツール１００はウェーハハンドリングステーション５００を有している。図７を
参照すると、ウェーハハンドリングステーション５００は、ウェーハカセット１
１６を昇降させるために形成されたロボット５０２を有している。従って、ウェ
ーハをウェーハカセット１１６内に搬入、および、ウェーハカセット１１６から
搬出するときに、鉛直方向におけるロボット１０６の運動を減じることができる
。こうして、ロボット１０６の操作速度を増大して、ウェーハ処理ツール１００
の全体的な処理速度を促進することができる。 【００２２】 図８を参照すると、本発明の別の選択的な実施態様においては、ウェーハ処理
ツール１００は側方に（図８において符号ｘで示す方向）運動するように形成さ
れたロボット８００を有している。従って、ロボット８００はその鉛直方向軸線
を中心にして回転する必要はない。 【００２３】 図９を参照すると、本発明のさらに別の選択的な実施態様においては、ウェー
ハ処理ツール１００は、電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２（図２）
および洗浄セル１１４（図２）のスタック９０２を有している。従って、処理ツ
ール１００の設置面積をさらに減じることができる。 【００２４】 図１０〜図１２を参照すると、本発明の別の選択的な実施態様においては、ウ
ェーハ処理ツール１００は電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２（図１
２）と洗浄セル１１４（図１２）の３つのスタック１００２，１００４，１００
６とを有している。なおスタック１００２，１００４，１００６は、特定の用途
に応じて電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２の種々様々な電気めっき
および／または電解研磨セル１１２の種々様々な組み合わせを有するように構成
することができる。例えばカラム１００２および１００６を、電気めっきおよび
／または電解研磨セル１１２だけを有するように形成することができる。カラム
１０４は、洗浄セル１１４だけを有するように形成されてよい。この代わりに、
各カラム１００２，１００４および１００６は、電気めっきおよび／または電解
研磨セル１１２および洗浄セル１１４との組み合わせで形成することもできる。
ウェーハ処理ツール１００も側方（図１０において符号ｙで示す方向）に運動す
るように形成されたロボット１００８を有している。図１２を参照すると、ウェ
ーハ処理ツール１００は、ウェーハ処理ツール１００の付加的な処理能力を提供
するための付加的なウェーハカセット１２０２を有している。 【００２５】 ここまでは、ウェーハ処理ツール１００が、電気めっきおよび／または電解研
磨ステーション１０２（図１）および洗浄ステーション１０４（図２）を有する
ものとして説明してきた。しかしながら、ウェーハ処理ツール１００は、電気め
っきおよび／または電解研磨ステーション１０２（図１）のみを有するように形
成されてよい。例えば、図９を参照すると、ウェーハ処理ツール１００は、電気
めっきおよび／または電解研磨セル１１２（図１）だけを備えたスタック９０２
を有するように形成されていてよい。従って、ウェーハ処理ツール１００は、ウ
ェーハを洗浄することなしに、ウェーハを電気めっきおよび／または電解研磨す
る。処理されたウェーハは別個のウェーハ洗浄ツール内で洗浄することができる
。この代わりに、処理されたウェーハは、別のウェーハ処理ツール内の洗浄ステ
ーションで洗浄することもできる。 【００２６】 加えて、ウェーハ処理ツール１００は他のウェーハ処理ステーションを有して
いてよい。例えば、図１３〜図１５を参照すると、本発明の別の実施態様におい
ては、ウェーハ処理ツール１００は化学機械研磨（ＣＭＰ）１３０２を有してい
る。こうしてウェーハは、電気めっきおよび／または電解研磨され洗浄されるの
に加えて、平坦化および／または研磨することができる。これらのプロセスを実
施する詳細な順序は、特定の用途に応じて変えることができる。例えば１つの用
途においては、ウェーハは電気めっきおよび／または電解研磨ステーション１０
２で電気めっきし、洗浄ステーション１０４で洗浄し、次いでＣＭＰステーショ
ン１３０２で平坦化することができる。別の用途では、ウェーハは先ず電気めっ
きおよび／または電解研磨ステーション１０２で電解研磨し、洗浄ステーション
１０４で洗浄し、ＣＭＰステーション１３０２で平坦化することができる。 【００２７】 このように、ウェーハ処理ツールの種々様々な実施例について述べてきたが、
以下では電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２の実施例について説明す
る。図１６および図１７を参照すると、本発明の１実施例においては、ウェーハ
電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２は電解液容器１６０８と、ウェー
ハチャック１６０４と、ウェーハチャックアセンブリ１６００とを有している。 【００２８】 図１６を参照すると、この実施例においては電解液容器１６０８はウェーハ１
６０２を電気めっきおよび／または電解研磨するための電解液を保持している。
電気めっきおよび／または電解研磨プロセス中、ウェーハチャック１６０４はウ
ェーハ１６０２を保持している。ウェーハチャックアセンブリ１６００は電解液
容器１６０８内にウェーハチャック１６０４を位置決めする。ウェーハチャック
アセンブリ１６００はさらにウェーハチャック１６０４を回転させて、電気めっ
きおよび／または電解研磨プロセスの均一性を高める。 【００２９】 この実施例においては、図１７を参照すると、電解液容器１６０８は区分壁１
６１０，１６１２，１６１４，１６１６および１６１８によって区分１６２０，
１６２２，１６２４，１６２６，１６２８，１６３０に分割されると有利である
。しかしながら、電解液容器１６０８は特定の用途に応じて、あらゆる数の適切
な区分によっていかなる数の区分にも分割することができる。 【００３０】 図１６を参照すると、この実施例においては、ポンプ１６５４が、リザーバ１
６５８から電解液容器１６０８内に電解液１６５６を吐出する。さらに詳しく述
べるならば、電解液１６５６は通過フィルタ１６５２と液体マスフローコントロ
ーラ（ＬＭＦＣ）１６４６，１６４８および１６５０とを貫流する。通過フィル
タ１６５２は、電解液１６５６から汚染物や望ましくない粒子を取り除く。ＬＭ
ＦＣ１６４６，１６４８，１６５０は区分１６２０，１６２４および１６２８（
図１７）内への電解液１６５６の流れを制御する。しかしながら、電解液１６５
６は特定の用途に応じたあらゆる好都合な方法を用いて供給することができる。 【００３１】 上述のように、電気めっきおよび／または電解研磨プロセス中、ウェーハチャ
ック１６０４はウェーハ１６０２を保持する。この実施例においては、ロボット
１０６はウェーハ１６０２をウェーハチャック１６０４内に挿入するかまたは供
給する。上に述べたように、ロボット１０６はウェーハカセット１１６（図３）
、または、その前の処理ステーションまたは処理ツールからウェーハ１６０２を
得ることができる。ウェーハ１６０２は特定の用途に応じて、オペレータによっ
て手によりウェーハチャック１６０４内に配置されてもよい。 【００３２】 下にさらに詳しく述べるように、ウェーハ１６０２を受容したあと、ウェーハ
チャック１６０４はウェーハ１６０２を保持するために閉じる。次いでウェーハ
チャックアセンブリ１６００は電解液容器１６０８内にウェーハチャック１６０
４とウェーハ１６０２とを位置決めする。さらに詳細に述べると、この実施例に
おいては、ウェーハチャックアセンブリ１６００は、区分壁１６１０，１６１２
，１６１４，１６１６および１６１８（図１７）の上方にウェーハチャック１６
０４とウェーハ１６０２とを位置決めして、ウェーハ１６０２の底面と区分壁１
６１０，１６１２，１６１４，１６１６および１６１８（図１７）の頂部との間
のギャップを形成する。 【００３３】 本発明においては、電解液１６５６は区分１６２０，１６２４および１６２８
（図１７）内に流入し、ウェーハ１６０２の底面に接触する。電解液１６５６は
、ウェーハ１６０２の底面と区分壁１６１０，１６１２，１６１４，１６１６お
よび１６１８（図１７）との間に形成されたギャップを貫流する。次いで電解液
１６５６は区分１６２２，１６２６および１６３０（図１７）を通ってリザーバ
１６５８に戻る。 【００３４】 下にさらに詳細に述べるように、ウェーハ１６０２は１つまたは複数の給電部
１６４０，１６４２および１６４４に接続されている。さらに、電解液容器１６
０８内に配置された１つまたは複数の電極１６３２，１６３４および１６３６が
給電部１６４０，１６４２および１６４４に接続されている。電解液１６５６が
ウェーハ１６０２に接触すると、ウェーハ１６０２を電気めっきおよび／または
電解研磨するために回路が形成される。ウェーハ１６０２が電極１６３２，１６
３４，１６３６に対して相対的に負の電位を有するように荷電される場合には、
ウェーハ１６０２は電気めっきされる。ウェーハ１６０２が電極１６３２，１６
３４，１６３６に対して相対的に正の電位を有するように荷電される場合には、
ウェーハ１６０２は適切に電解研磨される。加えて、ウェーハ１６０２が電気め
っきされる場合には、電解液１６５６は硫酸溶液であると有利である。しかしな
がら、電解液１６５６は特定の用途に応じて種々の化学的性質を有していてよい
。 【００３５】 加えて、下に詳しく述べるように、ウェーハチャックアセンブリ１６００はウ
ェーハ１６０２のより均一な電気めっきおよび／または電解研磨を容易にするた
めに，ウェーハ１６０２を回転および／または振動させることができる。ウェー
ハ１６０２が電気めっきおよび／または電解研磨されたあと、ウェーハ１６０２
は電解液容器１６０８から取り除かれる。さらに詳細に述べるならば、ウェーハ
チャックアセンブリ１６００がウェーハチャック１６０４を電解液容器１６０８
から持ち上げる。次いでウェーハチャック１６０４が開く。ロボット１０６がウ
ェーハ１６０２をウェーハチャック１６０４から取り除き、次いで別のウェーハ
１６０２を電気めっきおよび／または電解研磨のために供給する。電気めっきお
よび／または電解研磨プロセスのさらに詳細な説明のためには、その内容全体を
参考のために本明細書に組み入れた、１９９９年１月１５日出願の米国特許出願
第０９／２３２，８６４号明細書“PLATING APPARATUS AND METHOD”、およびそ
の内容全体を参考のために本明細書に組み入れた、１９９９年８月７日出願のＰ
ＣＴ特許出願ＰＣＴ／ＵＳ９９／１５５０６号明細書“METHODS AND APPARATUS
FOR ELECTROPOLISHING METAL INTERCONNECTIONS ON SEMICONDUCTOR DEVICES”を
参照されたい。 【００３６】 先に示唆したように、電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２に関する
特定の詳細は、本発明の説明をより充実させ、より完全にするために示したもの
である。電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２の種々様々な形態自体は
、本発明の思想および／または範囲から逸脱することなしに、変更を加えること
ができる。例えば、電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２は、複数の区
分を備えた電解液容器１６０８を有するものとして示され説明されてきたが、し
かし、電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２は静的電解浴(static bath
)を有していてよい。 【００３７】 このように電気めっきおよび／または電解研磨セルおよび方法の実施例を説明
してきたが、以下ではウェーハチャック１６０４およびウェーハチャックアセン
ブリ１６００の実施例を説明する。先ず明確に理解を得るために便宜上、以下に
半導体の電気めっきと関連させて、ウェーハチャック１６０４およびウェーハチ
ャックアセンブリ１６００について説明する。しかしながらウェーハチャック１
６０４およびウェーハチャックアセンブリ１６００はいかなる好都合なプロセス
、例えば電解研磨、洗浄、エッチングなどと関連して使用されてもよい。加えて
、ウェーハチャック１６０４およびウェーハチャックアセンブリ１６００は半導
体ウェーハとは別の種々様々なワークの処理と関連して使用されてよい。 【００３８】 図１８Ａ〜図１８Ｃを参照すると、上述のように電気めっきおよび／または電
解研磨プロセス中、ウェーハチャックアセンブリ１６００は電解液容器１６０８
内にウェーハチャック１６０４を位置決めする（図１６）。加えてウェーハチャ
ックアセンブリ１６００は、ウェーハ１６０２の挿入および除去のためにウェー
ハチャック１６０４を開閉するように構成されている。 【００３９】 さらに詳しく述べると、この実施例においては、ウェーハチャックアセンブリ
１６００はアクチュエータアセンブリ１８６０と、ばねアセンブリ１８９４とを
有している。アクチュエータアセンブリ１８６０は、ウェーハチャック１６０４
を第１の位置と第２の位置との間で運動させるように構成されている。この実施
例においては、アクチュエータアセンブリ１８６０は、上昇位置と下降位置との
間でウェーハチャック１６０４を運動させるように構成されている。第１の位置
においては、ばねアセンブリ１８９４はウェーハチャック１６０４を開いてウェ
ーハ１６０２の除去および挿入を可能にするように構成されている。第２の位置
においては、ばねアセンブリ１８９４はウェーハチャック１６０４を閉じるよう
に構成されている。 【００４０】 この実施例においてはアクチュエータアセンブリ１８６０はモータ１８２８と
、ギヤ１８２２および１８２４と、リードスクリュ１８２０とを有している。モ
ータ１８２８は、ブラケット１８１６とリードスクリュ１８２０とギヤ１８２２
および１８２４とを介してシャフト１８０２に結合されている。さらに詳しく述
べるならば、モータ１８２８がギヤ１８２２および１８２４を介してリードスク
リュ１８２０を回転させることによって、ブラケット１８１６をガイドレール１
８２６に沿って並進運動させる。ブラケット１８１６はシャフト１８０２に取り
付けられている。このシャフトはウェーハチャック１６０４の上側部分１８５８
に固接されている。こうしてモータ１８２８はウェーハチャック１６０４を昇降
させることができる。しかしながら、ウェーハチャック１６０４は空気圧式アク
チュエータ、磁力などのようなあらゆる好都合な装置および方法を用いて昇降さ
せることができる。しかもモータ１８２８は直流式サーボモータ，ステップモー
タなどを含んでよい。 【００４１】 単一のガイドレール１８２６が図１８Ａ〜図１８Ｃに示されてはいるが、しか
し、特定の用途に応じて、いかなる数のガイドレール１８２６が使用されてもよ
い。加えて、図１９を参照すると、本発明の選択的な実施例においては、ブラケ
ット１８１６と付加的なブラケット１９０６との間に、ジョイント１９０２およ
び１９０４が配置されている。これらのジョイント１９０２および１９０４は、
リードスクリュ１８２０がウェーハチャック１６０４を昇降させているときに、
ブラケット１９０６および１８１６の運動を可能にする。このようにすると、ブ
ラケットがガイドレール１８２６上で動かなくなるおそれはほとんどない。この
実施例においては、これらのジョイント１９０２および１９０４はユニバーサル
ジョイントである。しかしながら、あらゆる好都合な型のジョイントを、ブラケ
ット１９０６および１８１６相互間の運動を可能にするために使用することがで
きる。 【００４２】 続けて図１８Ａ〜図１８Ｃを参照すると、ばねアセンブリ１８９４はカラー１
８０４と、複数のロッド１８０６と、複数のばね１８０８とを有している。ロッ
ド１８０６はウェーハチャック１６０４のカラー１８０４と下側部分１８５６と
に固接されている。ばね１８０８はロッド１８０６の周りに、かつウェーハチャ
ック１６０４のカラー１８０４と上部分１８５８との間に配置されている。加え
て、カラー１８０４はシャフト１８０２には取り付けられていない。従って、図
１８Ｂに示したように，ウェーハチャック１６０４が上昇させられるにつれて、
カラー１８０４はリッド１８１０に接触するようになる。図１８Ｃに示したよう
に、ロッド１８０６は、ウェーハチャック１６０４の下側部分１８５６がさらに
上昇するのを阻止する。しかしながら、ばね１８０８はウェーハチャック１６０
４の上側部分１８５８が上昇し続けるのを可能にするために圧縮される。従って
、ウェーハチャック１６０４はウェーハ１６０２の挿入および除去のために開か
れる。 【００４３】 上に説明し、また図１８Ａ〜図１８Ｂに示したように、ウェーハチャック１６
０４を上昇させる単一動作はウェーハチャック１６０４を開く。ウェーハチャッ
ク１６０４を下降させる逆の動作はウェーハチャック１６０４を閉じる。さらに
詳しく述べると、図１８Ｃからスタートして、ウェーハ１６０２がウェーハチャ
ック１６０４内に位置決めされているときに、モータ１８２８がウェーハチャッ
ク１６０４を下降させ始める。図１８Ｂに示したように、モータ１８２８がウェ
ーハチャック１６０４を下降させるにつれて、ばね１８０８がウェーハチャック
１６０４を閉じるために伸張する。 【００４４】 ばね１８０８によって加えられる力に加えて、真空および／または減圧ガスを
ウェーハチャック１６０４の上側部分１８５８と下側部分１８５６との間に形成
された中空部１８３０に対して作用させることにより、付加的な力が、ウェーハ
チャック１６０４を一緒に保持するために加えられる。さらに詳しく述べるなら
ば、図１８Ｂを参照すると、ウェーハチャックアセンブリ１６００は、入口１８
７０および１８７２を有するように形成されたスリップリングアセンブリ１８３
８を有している。このスリップリングアセンブリ１８３８も中空部１８６６およ
び１８６８を形成するために構成された複数のシール部材１８４２を有している
。この実施例においては、真空および／または減圧ガスは入口１８７０、通路１
８７４および管路１８３２を通って中空部１８３０に対して作用させられる。中
空部１８３０のシール作用を助成するために、ウェーハチャック１６０４も、上
側部分１８５８と下側部分１８５６との間に配置されたシール部材１８７８を有
している。 【００４５】 さらに、図１８Ｂを参照すると、上に簡単に説明し、下で詳しく説明するよう
に、電気めっきおよび／または電解研磨プロセス中に、電荷がウェーハ１６０２
に印加される。さらに詳しく述べるならば、本発明においては、スリップリング
アセンブリ１８３８はブラシ１８４４とばね１８４６とねじ１８４８とを有して
いる。加えて、下に詳しく説明するように、ウェーハチャック１６０４は、線路
１８５０と電気的に接触する導電素子１８８０と、ウェーハ１６０２と電気的に
接触するばね部材１８８２とを有している。従って電荷はねじ１８４８とばね１
８４６とブラシ１８４４とシャフト１８０２と線路１８５０と導電素子１８８０
とばね部材１８８２とを介してウェーハ１６０２に印加される。従ってねじ１８
４８とばね１８４６とブラシ１８４４とシャフト１８０２と線路１８５０と導電
素子１８８０とばね部材１８８２とは、導電材料から成っている。加えてシャフ
ト１８０２は回転可能なので、ブラシ１８４４は黒鉛のような導電性の低摩擦材
料から成っている。 【００４６】 以下に詳しく説明するように、電気めっきおよび／または電解研磨プロセス中
にばね部材１８８２と導電素子１８８０とを電解液から絶縁するのを助成するた
めに、ウェーハチャック１６０４はシール部材１８８４を有している。本発明の
この実施例においては、このシール部材１８８４のシール品質をチェックするた
めに、正圧ガスが中空部１８９２に供給される。さらに詳しく述べるならば、正
圧ガスは入口１８７２と通路１８７６と管路１８５２とを通って供給される。ウ
ェーハチャック１６０４はさらに、中空部１８９２のシールを助成するためにシ
ール部材１８８６および１８８８を有している。この代わりに、真空および／ま
たは減圧ガスが、シール部材１８８４のシール品質をチェックするために、中空
部１８９２に対して作用させられてもよい。ウェーハチャック１６０４が電解液
から取り除かれたあと、ウェーハチャック１６０４から電解液をパージするため
に、正圧ガスを中空部１８９２に供給することができる。 【００４７】 先に示唆したように、ウェーハチャックアセンブリ１６００は、電気めっきお
よび／または電解研磨プロセスの均一性を高めるためにウェーハチャック１６０
４を回転させるように構成されている。さらに詳しく述べると、電気めっきおよ
び／または電解研磨プロセス中、ウェーハチャックアセンブリ１６００は毎分約
５回転から毎分約１００回転でウェーハチャック１６０４を回転させる。しかし
ながら、ウェーハチャック１６０４は特定の用途に応じて種々の速度で回転させ
ることができる。 【００４８】 加えて、下に詳しく説明するように、ウェーハチャックアセンブリ１６００は
、電気めっきおよび／または電解研磨プロセス後にウェーハチャック１６０４か
ら電解液を除去することを助成するために、ウェーハチャック１６０４を回転さ
せるように構成されている。このプロセス中、ウェーハチャックアセンブリ１６
００はウェーハチャック１６０４を毎分約３００回転から毎分約５０００回転、
有利には毎分約５００回転で回転させる。しかしながら、ウェーハチャックアセ
ンブリ１６００はウェーハチャック１６０４を、特定の用途に応じた種々の速度
で回転させることができる。図２０に示したように、このプロセス中、ウェーハ
チャック１６０４が開位置にあるときに、ウェーハチャック１６０４を回転させ
ることができる。従って選択的な実施態様においては、ウェーハチャックアセン
ブリ１６００は軸受け２００２を有している（図２０）。この実施例においては
、軸受け２００２は、カラー１８０４とリッド１８１０との間に配置されている
ものとして示されている。しかしながら、軸受け２００２は特定の用途に応じて
種々の位置に配置されてよい。例えばカラー１８０４が取り除かれるかまたはサ
イズを小さくされている場合には、軸受け２００２は上側部分１８５８とリッド
１８１０との間に設けられていてよい。ただし、ウェーハチャックアセンブリ１
６００は特定の用途に応じた種々の速度でウェーハチャック１６０４を回転させ
ることができる。 【００４９】 図１８を参照すると、ウェーハチャックアセンブリ１６００はウェーハチャッ
ク１６０４を回転させるための回転アセンブリ１８６４を有している。この実施
例においては、回転アセンブリ１８６４はモータ１８３６と、シャフト１８０２
に結合された駆動ベルト１８３４とを有している。この実施例においてはモータ
１８３６と駆動ベルト１８３４とはブラケット１８１６の下方に配置されている
。しかしながら、モータ１８３６および駆動ベルト１８３４は、シャフト１８０
２を回転させるために種々の位置に配置することができる。たとえば図２１を参
照すると、ウェーハチャックアセンブリ１６００は、ブラケット１８１６の上方
に配置されたモータ１８３６と駆動ベルト１８３４とを有する状態で示されてい
る。この代わりにモータ１８３６は駆動ベルト１８３４ではなくギヤを介してシ
ャフト１８０２に結合されていてもよい。モータ１８３６はシャフト１８０２に
直接的に結合されていてもよい。この実施例においては、モータ１８３６は直流
サーボモータ、ステップモータなどを含んでよい。加えて、回転アセンブリ１８
６４はウェーハチャック１６０４を回転させるための種々様々な機構を含んでよ
い。例えば、回転アセンブリ１８６４は、ウェーハチャック１６０４を回転させ
るための電磁機構として形成されていてよい。 【００５０】 図１８Ａ〜図１８Ｂを参照すると、本発明においては、シャフト１８０２は金
属またはステンレス鋼のような耐食性金属合金から成っている。摩擦を減じるた
めに、シール部材１８４２とブラシ１８４４とに接触するシャフト１８０２の表
面は、約５ミクロン未満、有利には約２ミクロン未満の仕上げ面粗さに機械加工
されている。加えて、この実施例において、ウェーハチャックアセンブリ１６０
０は、シャフト１８０２とリッド１８１０との間に配置された軸受け１８１２お
よび１８１４を有している。ウェーハチャックアセンブリ１６００はシャフト１
８０２とブラケット１８１６との間に配置された軸受け１８１８をも有している
。軸受け１８１２，１８１４，１８１８はボールベアリング、ブシュ、低摩擦材
料などを有していてよい。 【００５１】 上述のように、スリップリングアセンブリ１８３８は、真空および／または減
圧ガス、減圧ガスおよび電気をシャフト１８０２に対して作用させるように構成
されている。ここまでは特に図１８Ａ〜図１８Ｃに示したように、スリップリン
グアセンブリ１８３８はブラケット１８１６に固定されたものとして示されてい
る。これとは対称的に図２２Ａ〜図２２Ｂを参照すると、本発明の選択的な実施
態様においては、ウェーハチャックアセンブリ１６００は、ウェーハチャック１
６０４が昇降させられるときに固定されたままであるスリップリングアセンブリ
２２００を有している。さらに詳しく述べるならば、シャフト１８０２はその昇
降時に、スリップリングアセンブリ２２００を貫通してスライドする。 【００５２】 以下に本発明の種々の選択的な実施態様を添付の図面につき説明する。ただし
、これらの選択的な実施態様は、本発明に加え得る全ての可能な変更を含むもの
ではない。むしろこれらの選択的な実施態様は可能な変更のうちのいくつかを示
そうとするものである。 【００５３】 図２３を参照すると、選択的な実施態様において、ウェーハチャック１６０４
の導電素子１８８０はシール部材１８８８（図１８Ａ）のない状態で示されてい
る。加えて、ばね２３０２が導電素子１８８０に電荷を印加する。図１８Ｃに示
したワイヤ１８９０とは対照的に、ばね２３０２は、ウェーハチャック１６０４
が開いたときに、導電素子１８８０から離れて持ち上がる。 【００５４】 図２４を参照すると、別の選択的な実施態様において、ウェーハチャック１６
０４は、Ｚ字形横断面を有するシール部材１８８４を備えた状態で示されている
。Ｌ字形横断面（図１８Ａ）を有するシール部材１８８４と比べて、Ｚ字形横断
面はばね部材１８８２をより確実に適所に保持することができる。しかしながら
、シール部材１８８４は種々様々な横断面を有して形成されていてよい。これに
関連して、これらの可能な横断面について下に図面につき説明する。 【００５５】 図２５を参照すると、さらに別の選択的な実施態様において、ウェーハチャッ
ク１６０４は、上側部分１８５８内に形成された管路１８３２および１８５２を
備えた状態で示されている。しかしながら管路１８３２および１８５２は種々の
形式で形成されてよい。例えば上側部分１８５８の頂面に沿って切欠きを形成す
ることができる。管路１８３２および１８５２は、切欠き内に挿入されたチュー
ブであってよい。こうして管路１８３２および１８５２はより確実に保持するこ
とができる。 【００５６】 図２６を参照すると、さらに別の選択的な実施態様において、ウェーハチャッ
ク１６０４は、ナット２６０２を使用して下側部分１８５６に取り付けられたロ
ッド１８０６を備えた状態で示されている。ロッド１８０６の端部とナット２６
０２の端部とは、電気めっきおよび／または電解研磨プロセス中に電解液からこ
れらを保護するためのキャップ２６０４でシールされている。 【００５７】 図２７を参照すると、選択的な実施態様において、図２６に示した実施態様が
、Ｚ字形横断面を有するシール部材１８８４を備えた状態で示されている。上述
のように、この横断面はばね部材１８８２をより確実に保持することができる。 【００５８】 図２８を参照すると、別の選択的な実施例において、ウェーハチャック１６０
４が管路１８５２を備えた状態で示されている。従ってウェーハチャック１６０
４が閉じられると、先ず真空および／または減圧ガスが、ウェーハチャック１６
０４を一緒に保持する力を増大するために管路１８５２に対して作用させられる
。電気めっきおよび／または電解研磨プロセス後、ウェーハチャック１６０４か
ら電解液をパージするのを助成するために、圧縮ガスを管路１８５２に供給する
ことができる。 【００５９】 図２９を参照すると、さらに別の選択的な実施態様において、ウェーハチャッ
ク１６０４が、真空および／または減圧ガスと圧縮ガスとをウェーハ１６０２の
表面に対して作用させるための管路２９０２を備えた状態で示されている。従っ
て、ウェーハチャック１６０４が閉じられると、真空および／または減圧ガスが
管路１８５２および２９０２に対して作用させられ、ウェーハチャック１６０４
を一緒に保持する力が増大される。電気めっきおよび／または電解研磨プロセス
後、ウェーハチャック１６０４から電解液をパージするのを助成するために、圧
縮ガスを管路１８５２に供給することができる。次いで、ウェーハチャック１６
０４、有利には約１ミリメータ〜約３ミリメータ、有利には１.５ミリメータの
ギャップを有して開かれる。ウェーハチャック１６０４が開かれた後、ウェーハ
１６０２を取り除くのを助成するために、圧縮ガスを管路２９０２に供給するこ
とができる。 【００６０】 図３０を参照すると、さらに別の実施態様において、ウェーハチャック１６０
４が単一の管路３００２を有する状態で示されている。従って、真空および／ま
たは減圧ガスおよび圧縮ガスが、同時に中空部３００４とウェーハ１６０２の表
面とに対して作用させられる。 【００６１】 図３１〜図３３を参照すると、電気めっきおよび／または電解研磨ステーショ
ン１０２の実施例の更なる詳細が示されている。上述のように、電気めっきおよ
び／または電解研磨ステーション１０２は１つまたは複数の電気めっきおよび／
または電解研磨セル１１２を有している。さらに詳しく述べれば、この実施例に
おいては、電気めっきおよび／または電解研磨ステーション１０２は、フレーム
３２０２に設けられた３つの電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２を有
している。しかしながら先に示唆したように、特定の用途に応じてフレーム３２
０２にはあらゆる数の電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２を設けるこ
ともできる。 【００６２】 この実施例においては、電気めっきおよび／または電解研磨ステーション１０
２はさらにガイドレール３２０４と、ウェーハチャックアセンブリ１６００を運
動させるためのエアシリンダ３２０６とを有している。さらに詳しく述べるなら
ば、エアシリンダ３２０６はウェーハチャックアセンブリ１６００を、フレーム
３２０２に取り付けられたガイドレール３２０４に沿って並進運動させる。こう
して、図３２Ａおよび３２Ｂに示したように、ウェーハチャックアセンブリ１６
００およびウェーハチャック１６０４は、ウェーハチャックアセンブリ１６００
およびウェーハチャック１６０４を含む電気めっきおよび／または電解研磨セル
１１２の作業のために、電解液容器１６０８から引き込むことができる。さらに
詳しく述べるならば、図３２Ｂにおいては、電気めっきおよび／または電解研磨
セル１１２は、ウェーハチャックアセンブリ１６００が開位置で引き込まれた状
態で示されている。図３２Ａにおいては、電気めっきおよび／または電解研磨セ
ル１１２は、ウェーハチャックアセンブリ１６００が電解液容器１６０８の上方
の閉位置の状態で示されている。しかしながら、ウェーハチャックアセンブリ１
６００を引き込むために、種々様々なアクチュエータが使用されてよい。 【００６３】 図３１Ａ、図３２Ａおよび図３３Ａを参照すると、電気めっきおよび／または
電解研磨セル１１２は電解液容器１６０８とウェーハチャックアセンブリ１６０
０とを有している。図３２Ａに示したように、ウェーハチャックアセンブリ１６
００は、電解液容器１６０８をカバーするためのリッド１８１０を有している。
リッド１８１０は電解液容器１６０８内部から蒸気を除去するための排気孔３２
０８を有している。こうして、電気めっきおよび／または電解研磨ステーション
１０２内の各電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２は個々に排気するこ
とができる。これにより、電気めっきおよび／または電解研磨全体のための大き
な通気システムの必要性が減じられる（図３２Ａおよび図３３Ａ）。 【００６４】 図３１Ａおよび図３２Ａに示したように、ウェーハ１６０２はスロット１８９
２を通して電解液容器１６０８内に挿入し、かつここから取り除くことができる
。さらに詳しく述べるならば、ロボット１０６がウェーハ１６０２を電解質容器
１６０８内に搬入し、かつここから搬出する。スロット１８９２は電解液容器１
６０８に形成されたものとして示されてはいるものの、スロット１８９２はリッ
ド１８１０に形成されていてもよい。 【００６５】 先に説明したように、ウェーハ１６０２はウェーハチャック１６０４によって
保持される（図１８Ａ）。図３１Ａを参照すると、この実施例においては、ウェ
ーハチャックアセンブリ１６００はウェーハ１６０２を、電気めっきおよび／ま
たは電解研磨するために電解液容器１６０８内に下降させる。電気めっきおよび
／または電解研磨プロセスの完了後、ウェーハチャックアセンブリ１６００はウ
ェーハを上昇させてこれを取り除き、新しいウェーハ１６０２を装着する。 【００６６】 図３７を参照すると、上述のように、ウェーハチャックアセンブリ１６００（
図３１Ａ）はブラケット１８１６を有している。この実施例においては、ブラケ
ット１８１６はシャフト１８０２（図１８Ａ）を介してウェーハチャック１６０
４に結合されている。さらに詳しく述べるならば、下に詳細に説明するように、
シャフト１８０２はウェーハチャック１６０４の上側部分１８５８に固定されて
いる。加えて、スリップリングアセンブリ１８３８はブラケット１８１６に固定
されている。さらに、シャフト１８０２はスリップリングアセンブリ１８３８内
に配置されている。 【００６７】 図３５を参照すると、ウェーハチャックアセンブリ１６００の一部がリッド１
８１０の下方に位置していることが明らかである。図３４を参照すると、この実
施例においては、ブラケット１８１６がガイドレール１８２６を有している。さ
らに詳しく述べるならば、この実施例においては、各ガイドレール１８２６は、
ブシュ３４０４内に配置されたロッド３４０２を有している。ロッド３４０２は
リッド１８１０に取り付けられている。加えてこの実施例においては、４つのガ
イドレール１８２６が設けられている。しかしながら、特定の用途に応じて、い
かなる数のガイドレール１８２６が使用されてもよい。 【００６８】 従って、図３５を参照すると、モータ１８２８がガイドレール１８２６に沿っ
てブラケット１８１６を運動させるように構成されている。さらに詳しく述べる
ならば、モータ１８２８はブラケット１８１６を運動させるために、リードスク
リュ１８２０と係合している。加えて、上述のようにこの実施例においては、ブ
ラケット１８１６はブラケット１９０６に結合されている。さらに詳細に述べる
ならば、ブラケット１８１６および１９０６は、ブラケット１８１６および１９
０６の間の運動を可能にするために、ジョイント１９０２および１９０４を介し
て結合されている。先に述べたようにジョイント１９０２および１９０４は、ブ
ラケット１８１６および１９０６がガイドレール１８２６上で動かなくなるおそ
れを減じる。 【００６９】 図３７を参照すると、上述のように、ウェーハチャック１６０４は回転するよ
うに構成されている。図３５を参照すると、モータ１８３６がウェーハチャック
１６０４を回転させるように構成されている（図３７）。さらに詳細に述べるな
らば、この実施例において、モータ１８３６は駆動ベルト１８３４を介してシャ
フト１８０２を回転させる。図３７を再び参照すると、シャフト１８０２はウェ
ーハチャック１６０４の上側部分１８５８に固定されている。加えて、シャフト
１８０２はスリップリングアセンブリ１８３８内で回転する。 【００７０】 続けて図３７を参照すると、上述のように、ウェーハチャック１６０４を開閉
するように構成された複数のばねアセンブリ１８９４を有している。さらに詳し
く述べるならば、この実施例においてはウェーハチャック１６０４は６つのばね
アセンブリ１８９４を有している。しかしながら、特定の用途に応じていかなる
数のばねアセンブリ１８９４が使用されてもよい。 【００７１】 続けて図３７を参照すると、この実施例においては、各ばねアセンブリ１８９
４は、カラー１８０４（図１８Ａ）とは異なるヘッド部分を有するように形成さ
れた一方の端部を備えたロッド１８０６を有している。さらに詳しく述べれば、
図４０Ａおよび図４０Ｂを参照すると、ロッド１８０６の一方の端部はウェーハ
チャック１６０４の下側部分１８５６に固定されている。ロッド１８０６の他方
の端部はヘッド部分４００２を有している。加えて、ばね１８０８はロッド１８
０６の周りに、かつ上側部分１８５８とヘッド部分４００２との間に配置されて
いる。従って、ウェーハチャック１６０４が下降させられた位置にあるときには
、ばね１８０８は伸張させられて、上側部分１８５８と下側部分１８５６とを閉
じた状態に保持するための力を加える。ウェーハチャック１６０４が上昇させら
れると、ヘッド部分４００２はついにリッド１８１０の下面に接触する（図３４
）。従って、ばね１８０８は圧縮されるようになり、ロッド１８０６は上側部分
１８５８を下側部分１８５６から分離して、ウェーハチャック１６０４を開く。 【００７２】 上述のように、図３７を参照すると、ばねアセンブリ１８９４によって加えら
れる力に対して付加的に、真空および／または減じられた圧力が、ウェーハチャ
ック１６０４を一緒に保持するために作用させられる。図４１を参照すると、こ
の実施例においては、真空および／または減じられた圧力が、シール部材４１０
４によって形成された中空部１８３０に対して作用させられる。先に説明したよ
うに、また図１８Ａ〜図１８Ｂに示したように、中空部１８３０は下側部分１８
５に形成され、シール部材１８７８によってシールされている。これと比べて、
再び図４１を参照すると、シール部材４１０４は、スクリュー、ボルト、接着剤
などのようなあらゆる好都合な固定装置および／または固定方法を用いて、下側
部分１８５６内により簡単に取り付けることができる。さらに詳しく述べるなら
ば、この実施例においては、シール部材４１０４はリング１４０６を使用して取
り付けられている。このリングは、ねじ、ボルトなどのようなあらゆる好都合な
固定装置を使用して、下側部分１８５６に固定することができる。リング１４０
６は固定装置によって加えられる力をシール部材４１０４の周りに分配するのを
助成する。加えて、シール部材４１０４の使用は、下側部分１８５６に中空部１
８３０を形成することよりも、コスト的に有利であり、また信頼性も高い。シー
ル部材４１０４はヴィトン（Viton）、（フルオロカーボン）ゴム、シリコーン
ゴムなどのようないかなるフレキシブルで従動的な材料を含んでいてもよい。 【００７３】 図４２を参照すると、上述のように、真空および／または減じられた圧力は、
シール部材１８８４によって形成されるシール性をチェックしかつ／または向上
させるために、中空部１８９２に供給することができる。加えてやはり上述のよ
うに、シール部材１８８４によって形成されるシール性をチェックし、シール部
材１８８４によって形成されるシール性を向上させ、残留する電解液をパージす
るために、また他の種々の目的のために、圧縮ガスを中空部１８９２に供給する
ことができる。 【００７４】 しかしながら、真空および／または減圧ガスが中空部１８９２に対して作用さ
せられると、若干の真空および／または減圧ガスがウェーハ１６０２と上側部分
１８５２との間のインタフェースに滲出するおそれがある。そのような場合、真
空および／または減圧ガスがストップしても、ウェーハチャック１６０４（図３
７）が開位置にあるときにウェーハ１６０２が上側部分１８５２に付着したまま
であるおそれがあるので、ウェーハ１６０２を取り除くのが一層困難になる。図
４６〜図４８を参照すると、ウェーハ１６０２（図４２）が上側部分１８５２（
図４２）に付着するのを阻止するために、ウェーハ１６０２（図４２）と上側部
分（図４２）との間にテクスチャパッド４６００が設けられていてよい。この実
施例においては、テクスチャパッド４６００は、ウェーハ１６０２（図４２）に
接触する表面全体に形成された多数の溝４６０２を有している。このようにする
と、ウェーハ１６０２（図４２）の背後に滲出するあらゆる真空および／または
減圧ガスが一層簡単に逃れることができる。従って、ウェーハ１６０２（図４２
）が上側部分１８５２（図４２）に付着するおそれが少なくなる。 【００７５】 図４１および図４２を再び参照すると、この実施例においては、真空、減じら
れた圧力および／または圧縮ガスが取り付け部材４１０２（図４１）および４２
０２（図４２）を通って、それぞれ中空部１８３０および１８９２に供給される
。図３８を参照すると、真空、減じられた圧力および／または圧縮ガスが通路１
８７４から管路１８３２を通って取り付け部材４１０２（図４１）に供給され、
通路１８７６から管路１８５２を通って取り付け部材４２０２（図４２）に供給
される。 【００７６】 図４３を参照すると、真空、減じられた圧力および／または圧縮ガスはスリッ
プリングアセンブリ１８３８を通って、シャフト１８０２に形成された通路１８
７４および１８７６に供給される。上述のように、スリップリング１８３８は、
シャフト１８０２が回転しているときにも真空および／または減じられた圧力を
シャフト１８０２内に供給するように構成されている。さらに詳しく述べるなら
ば、上述のように、シール部材１８４２はシャフト１８０２とスリップリングア
センブリ１８３８との間に中空部１８６６および１８６８（図１８Ｂ）を形成す
る。これらの中空部内に、真空および／または減じられた圧力を入口１８７０お
よび１８７２を通して導入することができる。 【００７７】 図１６を参照すると、上述のように、電解液容器１６０８内で電解液１６５６
の液面高さと平行に整列された状態でウェーハ１６０２を維持することにより、
電気めっきおよび／または電解研磨の均一性の向上が助成される。これに関連し
て、図４３を参照すると、ブラケット１８１６はウェーハチャック１８５８と平
行に整列されるように構成することができる。 【００７８】 図４４を参照すると、スリップリング１８３８に対するブラケット１８１６の
整列状態は、多数のねじ４３１２および多数の止めねじ４３１４を多様に調整す
ることによって調整することができる。さらに詳しく述べるならば、ブラケット
１８１６とスリップリングアセンブリ１８３８との間のギャップを、ねじ４３１
２および止めねじ４３１４を調整することによってそれぞれ増大させ、減小させ
ることができる。この実施例においては、少なくとも３つのねじ４３１２および
３つの止めねじ４３１４を使用することによって、スリップリングアセンブリ１
８３８をブラケット１８１６に対して相対的にほぼ水平に保つことが可能になる
。しかしながら、ブラケット１８１６とスリップリングアセンブリ１８３８との
整列状態を調整することを可能にするために、種々の装置および方法が採用され
てよい。 【００７９】 図４５を参照すると、シャフト１８０２に対する上側部分１８５８の整列状態
は、複数のねじ４３０４と止めねじ４３０６とを多様に調整することにより、調
整することができる。この実施例においてはねじ４３０４と止めねじ４３０６と
を調整することにより、ステム部材４３０２に対する上側部分１８５８の整列状
態が調整される。さらに詳細に述べるならば、上側部分１８５８とステム部材４
３０２との間のギャップはねじ４３０３と止めねじ４３０６とを使用して調整す
ることができる。この実施例においては、３つのねじ４３０４を使用し、上側部
分１８５８およびステム部材４３０２の中心に止めねじ４３０６を配置すること
により、ステム部材４３０２に対して上側部分１８５８をほぼ平行に保つことが
可能になる。 【００８０】 加えて、この実施例においては、ステム部材４３０２は複数のボルト４３０８
でシャフト１８０２に取り付けられている。こうして上側部分１８５８はその整
列状態を再設定する必要なしにシャフト１８０２から取り外すことができる。先
に示唆したように、ウェーハチャック１６０４（図３７）は検査、修理、メンテ
ナンスなどのような種々の目的で取り外すことができる。あとで再整列を容易に
するために、図４３を参照すると、この実施例においては、ステム部材４３０２
とシャフト１８０２とはほぞ・ほぞ穴状のジョイントを使用して結合されている
。加えて、ボルト４３０８はステム部材４３０２とシャフト１８０２とにだけ接
触している。従って、ボルト４３０８の調整がステム部材４３０２に対する上側
部分１８５８の整列状態に影響を与えることはない。 【００８１】 このようにウェーハチャックアセンブリの種々の実施例について説明してきた
が、以下にウェーハチャック１６０４の種々の実施例について説明する。図４９
を参照すると、ウェーハチャック１６０４は下側部分１８５６と上側部分１８５
８とを有している。下側部分１８５６は、電気めっきおよび／または電解研磨プ
ロセス中にウェーハ１６０２の底面を露出するための開口を有するように形成さ
れている。 【００８２】 １つの実施例においては、下側部分１８５６および上側部分１８５８は、電気
的に絶縁されて耐酸性および耐食性を有する好都合な材料、例えばセラミックス
、ポリテトラフルオロエチレン（商業的にはＴＥＦＬＯＮ（登録商標）として知
られている）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリ弗化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、
ポリプロピレンなどから成っている。この代わりに、下側部分１８５６および上
側部分１８５８はいかなる導電性材料（例えば金属、金属合金など）から成って
いてよい。この導電性材料は、電気的に絶縁性を有して耐酸性および耐食性を有
する材料で被覆されている。この実施例においては下側部分１８５６と上側部分
１８５８とは、金属層がプラスチック層で挟まれたサンドイッチ構造から成って
いる。金属層は構造的な保全性および強度を提供する。プラスチック層は電解液
に対する保護を提供する。 【００８３】 本発明の種々の観点に基づくウェーハチャック１６０４はさらに、ばね部材１
８８２と導電素子１８８０とシール部材１８８４とを有している。先に示唆した
ように、本発明は、半導体ウェーハの保持に関連した使用に特に適している。一
般的に半導体ウェーハはほぼ円形の形状を有している。従って、ウェーハチャッ
ク１６０４の種々の構成部分（すなわち下側部分１８５６、シール部材１８８４
、導電素子１８８０、ばね部材１８８２および上側部分１８５８）はほぼ円形形
状を有するものとして示されている。しかしながら、ウェーハチャック１６０４
の種々の構成部分は、特定の用途に応じた種々の形状を有していてよい。例えば
、図６７を参照すると、ウェーハ６７００は平らなエッジ６７０２を有するよう
に形成されていてよい。従って、ウェーハチャック１６０４の種々の構成部分は
フラットなエッジ６７０２に適合させることができる。 【００８４】 図５１を参照すると、ウェーハ１６０２が下側部分１８５６と上側部分１８５
８との間に配置されているとき、本発明の１つの観点に従って、ばね部材１８８
２はウェーハ１６０２に外周部の周りで接触していると有利である。ばね部材１
８８２はさらに導電素子１８８０に接触していると有利である。こうして電荷が
導電素子１８８０に印加されると、この電荷はばね部材１８８２を介してウェー
ハ１６０２に伝達される。 【００８５】 図５１に示したように、この実施例においては、ばね部材１８８２はウェーハ
１６０２と導電素子１８８０のリップ部分１８８０ａとの間に配置されている。
従って下側部分１８５６と上側部分１８５８とを一緒に保持するために圧力が加
えられると、ばね部材１８８２はウェーハ１６０２と導電素子１８８０との間に
電気的な接触を維持するように適合させられる。さらに詳しく述べるならば、ば
ね部材１８８２のコイルの頂部と底部とはそれぞれウェーハ１６０２とリップ部
分１８８０ａとに接触している。加えて、はんだ付けなどのようなあらゆる好都
合な方法を用いてより良好な電気的なコンタクトを形成するために、ばね部材１
８８２はリップ部分１８８０ａに結合されていてよい。 【００８６】 ウェーハ１６０２と導電素子１８８０との間に形成された接点の数は、ばね部
材１８８２内のコイルの数を変えることにより、変更することができる。こうし
て、ウェーハ１６０２に印加された電荷はウェーハ１６０２の外周部の周りによ
り均一に分配することができる。例えば２００ミリメータ（ｍｍ）のウェーハの
ためには、典型的には約１〜１０アンペアを有する電荷が印加される。ばね部材
１８８２がウェーハ１６０２との約１０００の接点を形成している場合、２００
ｍｍのウェーハのためには、印加される電荷は１接点当たり約１〜約１０ミリア
ンペアに減じられる。 【００８７】 この実施例においては、導電素子１８８０は、このようにリップ部分１８８０
ａを有するものとして示し説明してきたが、導電素子１８８０は、ばね部材１８
８２に電気的に接触するための種々様々な形状を有していてよい。例えば、導電
素子１８８０は、リップ部分１８８０ａなしで形成することができる。このよう
な形状においては、電気的なコンタクトは導電素子１８８０の側面とばね部材１
８８２との間に形成することができる。さらに導電素子１８８０は全体を取り除
くことができる。電荷はばね部材１８８２に直接的に印加することができる。し
かしながらこのような構成においては、ホットスポットがばね部材１８８２の、
電荷が印加される部分に形成されるおそれがある。 【００８８】 ばね部材１８８２は導電性および耐食性を有するあらゆる好都合な材料から成
っていてもよい。この実施例においては、ばね部材１８８２は（ステンレス鋼、
ばね鋼、チタンなどのような）金属または金属合金から成っている。ばね部材は
、（白金、金などのような）耐食性材料で被覆されていてもよい。本発明の１つ
の観点に従って、ばね部材１８８２は、リング状に形成されたコイルばねとして
形成されている。しかしながらコンベンショナルなコイルばねは典型的には、コ
イルの全長にわたって変化させることができる横断面を有している。さらに詳し
く述べるならば、一般的にはコンベンショナルなコイルばねは長い直径と短い直
径とを有する楕円形横断面を有している。コイルの一部において、楕円形横断面
の長い直径および短い直径は、それぞれ鉛直方向および水平方向に方向付けされ
得る。しかしながら楕円形横断面は典型的にはコイルばねの長さに沿ってねじれ
るか、または回転する。従ってコイルばねの別の部分においては、楕円横断面の
長い直径および短い直径はそれぞれ水平方向および鉛直方向に方向付けされるお
それがある。横断面におけるこのような不均一性は、ウェーハ１６０２との不均
一な電気的な接触、ひいては不均一な電気めっきを招いてしまう。 【００８９】 均一な横断面をその全長にわたって有するコイルばねは製造するのが困難であ
り、著しく高いコストがかかってしまう。従って、本発明の１つの観点に従い、
ばね部材１８８２はほぼ均一な横断面を維持するために、複数のコイルばねから
成っている。この実施態様の１つの形態においては、ばね部材１８８２がリップ
部分１８８０ａの頂面に配置されている場合、印加された電荷はリップ部分１８
８０ａからばね部材１８８２の全長にわたって伝達される。従ってこのような形
態においては複数のコイルばねは電気的に結合される必要はない。しかしながら
、先に示唆したように、本発明の別の形態においては、電荷はばね部材１８８２
に直接的に印加することができる。このような形態においては、複数のコイルば
ねは、はんだ付け、溶接などのような好都合な方法を用いて電気的に結合される
。この実施態様においては、ばね部材１８８２は複数のコイルばねを有しており
、それぞれのコイルばねが約１〜約２インチの長さを有している。しかしながら
、コイル部材１８８２は、特定の用途に応じて、あらゆる長さを備えたあらゆる
数のコイルばねを有していてよい。さらに、先に示唆したように、ばね部材１８
８２は適合性を有するいかなる好都合な導電材料を有していてもよい。 【００９０】 図５０および図５１を参照すると、ばね部材１８８２はばねホルダ５００２を
有していてよい。この実施例においては、ばね部材１８８２がコイルばねの場合
、ばねホルダ５００２はコイルばねのループの中心を貫通するロッドとして形成
されている。ばねホルダ１８８２は、特にばね部材１８８２が複数のコイルばね
を有している場合、ばね部材１８８２の取り扱いを容易にする。加えて、ばねホ
ルダ５００２はばね部材１８８２の望ましくない変形を減じるための構造的な支
持を提供する。この実施例においては、ばねホルダ５００２は（金属、金属合金
、プラスチックなどのような）剛性材料から成っていると有利である。加えて、
ばねホルダ５００２は（白金、チタン、ステンレス鋼などのような）耐食性材料
から成っていると有利である。さらに、ばねホルダ５００２は導電性または非導
電性であってよい。 【００９１】 導電素子１８８０は導電性かつ非腐食性を有するいかなる材料から成っていて
もよい。この実施例においては、導電素子１８８０は（チタン、ステンレス鋼な
どのような）金属または金属合金から成っており、（白金、金などのような）耐
食性材料で被覆されている。 【００９２】 電荷は伝送線路５１０４と電極５１０２を介して導電素子１８８９に印加する
ことができる。伝送線路５１０４はあらゆる好都合な導電性媒体を有していても
よい。例えば伝送線路５１０４は、銅、アルミニウム、金などから成る電気的な
ワイヤを有していてよい。加えて、伝送線路５１０４は好都合な方法を用いて、
給電部１６４０，１６４２，１６４４に接続されていてよい。例えば、図１８Ａ
に示したように、伝送線路５１０４は上側部分１８５８を通って、上側部分１８
５８の頂面に沿って延びていてよい。 【００９３】 電極５１０２は従動的に形成されていると有利である。従って、下側部分１８
５６と上側部分１８５８とを一緒に保持するために圧力が加えられると、電極５
１０２は導電素子１８８０との電気的な接触を維持するために従動する。このこ
とに関連して、電極５１０２は板ばねアセンブリ、コイルばねアセンブリなどを
有していてよい。電極５１０２は（金属、金属合金などのような）いかなる好都
合な導電材料から成っていてもよい。この実施例においては、電極５１０２は（
チタン、ステンレス鋼などのような）非腐食性材料から成っている。加えて、導
電素子１８８０に電荷を印加するために、上側部分１８５８の周りにはいかなる
数の電極５１０２を配置してもよい。この実施例においては、４つの電極がほぼ
均一にスペースを置いて、約９０°の間隔で上側部分１８５８の周りに配置され
ている。 【００９４】 上述のように、金属層を電気めっきするために、ウェーハ１６０２は電解液中
に浸入させられ、電荷がウェーハ１６０２に印加される。ウェーハ１６０２が電
極１６３２，１６３４，１６３６（図１６）よりも大きな電位で荷電され、電解
液中の金属イオンが、金属層を形成するためにウェーハ１６０２の表面に向かっ
て移動する。しかしながら、電荷が印加されるときに、ばね部材１８８２および
／または導電素子１８８０が電解液に晒されると、短絡が生じるおそれがある。
加えて、電気めっきプロセス中には、ウェーハ１６０２が金属の種子層（seed l
ayer)を有している場合、金属種子層がアノードとして作用し、ばね部材１８８
２がカソードとして作用するおそれがある。こうして、金属層がばね部材１８８
２に形成され、ウェーハ１６０２の種子層が電解研磨される（すなわち除去され
る）おそれがある。ばね部材１８８２の短絡およびウェーハ１６０２の種子層の
除去により、ウェーハ１６０２に形成された金属層の均一性が減じられるおそれ
がある。 【００９５】 これにより、本発明の種々の観点に従って、シール部材１８８４がばね部材１
８８２と導電素子１８８０とを電解液から絶縁する。シール部材は非腐食性材料
、例えばヴィトン（フルオロカーボン）ゴム、シリコーンゴムなどから形成され
ていると有利である。さらに、図５１に示した実施例においては、シール部材１
８８４がＬ字形横断面を有してはいるが、シール部材１８８４は特定の用途に応
じて種々様々な形状および形態を有していてよい。シール部材１８８４の種々の
形態のいくつかの例が図５３Ａ〜図５３Ｇに示されている。しかしながら、図５
３Ａ〜図５３Ｇに示された種々の形態は一例に過ぎず、シール部材１８８４の可
能な選択的な形態を全て示そうとするものではない。 【００９６】 上に説明し図５１に示したように、ばね部材１８８２とシール部材１８８４と
が、ウェーハ１６０２の外周部の周りでウェーハ１６０２に接触している。さら
に詳しく述べるならば、ばね部材１８８２とシール部材１８８４とがウェーハの
外周部の幅５１０６に接触している。一般的にウェーハ１６０２のこの領域は、
後でマイクロエレクトロニックな構造などを形成するためには使用することはで
きない。本発明の１つの観点に従い、幅５１０６はウェーハ１６０２の表面積全
体の小さな割合で維持されている。例えば約３００ミリメータ（ｍｍ）のウェー
ハのためには、幅５１０６は約２ｍｍ〜約６ｍｍの間で保たれている。しかしな
がら、幅５１０６は特定の用途に応じて、ウェーハ１６０２の表面積全体のいか
なる割合を占めていてもよい。例えば１つの用途においては、ウェーハ１６０２
に堆積された金属層の量がウェーハ１６０２の使用可能な領域よりも重要な場合
がある。こうして、ウェーハ１６０２の表面積のうちの大きな部分を、大きな電
荷を受けるために、ばね部材１８８２とシール部材１８８４とに接触するのに用
いることができる。 【００９７】 図５４を参照すると、ウェーハチャック１６０４（図５１）によって実施され
る処理ステップがフローチャートの形式で示されている。図５１を参照すると、
ウェーハチャック１６０４が、処理されるべきウェーハ１６０２を受けるために
開かれる（図５４、ブロック５４０２）。さらに詳しく述べると、下側部分１８
５６は、上側部分１８５８に対して下降させることができる。その代わりに、上
側部分１８５８を下側部分１８５６に対して上昇させることもできる。先に示唆
したように、ウェーハチャック１６０４を開くために、空気圧、ばね、真空、磁
気などのような種々の方法が用いられてよい。 【００９８】 ウェーハチャック１６０４が空の場合（図５４、決定ブロック５４０４のＹＥ
Ｓ分岐〜ブロック５４０８）、処理されるべき新しいウェーハ１６０２が供給さ
れ、挿入される（図５４、ブロック５４０８）。しかしウェーハチャック１６０
４が前に処理されたウェーハを有している場合には、前に処理されたこのウェー
ハがウェーハチャック１６０４から取り除かれ（図５４、決定ブロック５４０４
のＮＯ分岐〜ブロック５４０６）、次いで新しいウェーハ１６０２が提供される
（図５４、ブロック５４０８）。上述のようにウェーハ１６０２のハンドリング
はロボット１０６（図１６）によって行うことができる。さらにウェーハ１６０
２はウェーハカセット１１６（図３）から得て、ウェーハカセット１１６（図３
）に戻すこともできる。 【００９９】 ウェーハ１６０２はウェーハチャック１６０４内に供給されたあと、ウェーハ
チャック１６０４を閉じることができる（図５４、ブロック５４１０）。上に示
唆したように、下側部分１８５６を上側部分１８５８に対して上昇させることが
できる。この代わりに上側部分１８５８を下側部分１８５６に対して下降させる
こともできる。上述のように、ウェーハチャック１６０４が閉じられると、ばね
部材１８８２がウェーハ１６０２と導電素子１８８０との電気的なコンタクトを
形成する。加えて、導電素子１８８０が電極５０２との電気的なコンタクトを形
成する。 【０１００】 ウェーハチャック１６０４が閉じられたあと、ウェーハチャック１６０４が電
解液容器（１６０８）内に下降させられる（図５４、ブロック５４１２）。上述
のように、ウェーハ１６０２は電解液内に浸入させられる。やはり上述のように
、シール部材１８８４は電解液がばね部材１８８２および導電素子１８８０と接
触するのを阻止する。 【０１０１】 ウェーハ１６０２が電解液中に浸入させられているとき、電荷がウェーハ１６
０２（図５４、ブロック５４１４）に印加される。さらに詳しく述べるならば、
この実施例においては電荷は伝送線路５０４、導体５０２、導電素子１８８０お
よびばね部材１８８２を介してウェーハ１６０２に印加される。上述のように、
ばね部材１８８２はウェーハ１６０２の外周部の周りに複数の接点を形成して、
ウェーハ１６０２に印加された電荷のより均一な分配を容易にする。加えて、上
述のように、ばね部材１８８２は導電素子１８８０との複数の接点を形成して、
ばね部材１８８２に印加された電荷のより均一な分配を容易にする。なお、電荷
はウェーハチャック１６０２が電解液容器１６０８（図１６）内に下降させられ
る前または後に印加されてよい。 【０１０２】 先に示唆したように、ウェーハチャック１６０４は、ウェーハ１６０２（図１
６）上に金属層をより均一に電気めっきすることを容易にするために回転させる
ことができる。図１６で示唆したように、この実施例においては、ウェーハチャ
ック１６０４はｚ軸線を中心にして回転させることができる。加えて、ウェーハ
チャック１６０４はｘ−ｙ平面内で振動させることができる。 【０１０３】 図５１を参照すると、ウェーハ１６０２が電気めっきおよび／または電解研磨
されたあと、ウェーハチャック１６０４は電解液容器１６０８（図１６）から上
昇させることができる。本発明の別の観点に従って、（アルゴン、窒素などのよ
うな）ドライガスが、残留電解液を除去するために供給される。さらに詳しく述
べるならば、図５２Ａを参照すると、ドライガスはノズル５２０２を通して供給
されて、シール部材１８８４とウェーハ１６０２との間の結合部から残留電解液
が除去される。なお、特定の用途に応じて、あらゆる数のノズル５２０２を使用
することができる。加えて、ウェーハチャック１６０４は、ドライガスがノズル
５２０２を通して供給されている間に回転させることができる。ノズル５２０２
自体は定置でも可動でもよい。 【０１０４】 ウェーハチャック１６０４が上昇させられたあと、チャック１６０４が開かれ
る（図５４、ブロック５４０２）。次いで処理されたウェーハが取り除かれる（
図５４、決定ブロック５４０４のＮＯ分岐〜ブロック５４０６）。（アルゴン、
窒素などのような）ドライガスが、残留電解液を除去するために供給されてよい
。さらに詳しく述べると、図５２Ｂを参照すると、ドライガスは、導電素子１８
８０とばね部材１８８２とシール部材１８８４とから残留電解液を取り除くため
にノズル５４０４を通して供給される。加えて、ドライガスがノズル５２０４を
通して供給されているあいだ、ウェーハチャック１６０４を回転させることがで
きる。 【０１０５】 新しいウェーハが供給された（図５４、ブロック５４０８）あと、プロセス全
体が繰り返される。しかしながら、本発明の思想および範囲から逸脱することな
しに、図５４に示したステップに種々の変更を加えることができる。 【０１０６】 関連の図面につき以下に説明するように、本発明の種々の観点に従って、種々
の選択的な実施態様について説明する。しかしながら、これらの選択的な実施態
様は，本発明に加えることのできる種々の変更の全てを示そうとするものではな
い。むしろこれらの選択的な実施態様は、本発明の思想および／または範囲を逸
脱することなしに実施することが可能な、多くの変更のうちのいくつかを示すに
過ぎない。 【０１０７】 図５５を参照すると、本発明の選択的な実施例において、本発明の種々の観点
に基づいたウェーハチャック５５００はパージ管路５５０６とノズル５５０８と
ノズル５５１０とを有している。この実施例においては、パージ管路５５０６と
ノズル５５０８および５５１０とは（アルゴン、窒素などのような）ドライガス
をばね部材５５１４とシール部材５５０４とに噴射する。こうして、ウェーハ１
６０２が処理されたあと、残留電解液をばね部材５５１４とシール部材５５０４
とからパージすることができる。上述のように、ばね部材５５１４を電解液のな
い状態に維持することにより、より均一な電気めっきプロセスを行うことが容易
になる。加えて、シール部材５５０４から電解液をパージすることにより、次の
ウェーハが処理されるときに、より良好にシールを行うことが容易になる。図５
５に示したように、この実施例においては、パージ管路５５０６とノズル５５０
８および５５１０とが導電素子５５０２内に形成されている。加えて、パージ管
路５５０６を圧力管路１８５２（図１８Ａ）に接続することができる。しかしな
がら、ウェーハチャック５５００は、本発明の思想および／または範囲から逸脱
することなしに種々の形式で、パージ管路５５０６とノズル５５０８および５５
１０とを有するように適切に構成することができる。さらに、いかなる数のパー
ジ管路５５０６、ノズル５５０８および５５１０がウェーハチャック５５００内
に形成されていてもよい。 【０１０８】 図５６を参照すると、本発明の別の選択的な実施例においては、本発明の種々
の観点に基づいたウェーハチャック５６００はパージ管路５６０２と複数のノズ
ル５６０４とを有している。この実施例においては、パージ管路５６０２と複数
のノズル５６０４とは（アルゴン、窒素などのような）ドライガスをシール部材
５６０５に噴射する。こうして、ウェーハ１６０２が処理され、ウェーハチャッ
ク５６００から取り除かれた後、残留電解液をシール部材５６０６の頂面からパ
ージすることができる。図５６に示したように、この実施例においては、パージ
管路と複数のノズル５６０４とが上側部分５６０８内に形成されている。しかし
ながら、ウェーハチャック５６００は、本発明の思想および／または範囲から逸
脱することなしに種々の形式で、パージ管路５６０２およびノズル５６０４を有
するように適切に構成することができる。さらに、いかなる数のパージ管路５６
０２、ノズル５６０４がウェーハチャック５６００内に形成されていてもよい。 【０１０９】 図５７を参照すると、本発明のさらに別の選択的な実施例において、本発明の
種々の観点に基づいたウェーハチャック５７００はパージ管路５７０２と複数の
ノズル５７０４および５７１０とを有している。この実施例においては、パージ
管路５７０２と複数のノズル５７０４および５７１０とは（アルゴン、窒素など
のような）ドライガスをシール部材５７０６とばね部材５７１２とにそれぞれ噴
射する。こうして、ウェーハ１６０２が処理され、ウェーハチャック５７００か
ら取り除かれた後、残留電解液をシール部材５７０６の頂面とばね部材５７１２
の頂面とからパージすることができる。図５７に示したように、この実施例にお
いては、パージ管路５７０２と複数のノズル５７０４および５７１０とが上側部
分５７０８内に形成されている。しかしながら、ウェーハチャック５７００は本
発明の思想および／または範囲から逸脱することなしに種々の形式で、パージ管
路５７０２と複数のノズル５７０４および５７１０とを有するように適切に構成
することができる。さらに、いかなる数のパージ管路５７０２とノズル５７０４
および５７１０とがウェーハチャック５７００内に形成されていてもよい。 【０１１０】 図５８を参照すると、本発明のさらに別の選択的な実施例において、本発明の
種々の観点に基づいたウェーハチャック５８００はパージ管路５８０２と複数の
シールリング５８０４および５８０６とを有している。この実施例においては、
シールリング５８０６は導電素子５８０８と下側部分５８１０との間のシールを
形成している。同様にシールリング５８０４は、導電素子５８０８と上側部分５
８１２との間のシールを形成している。その結果、正圧ガスをパージ管路５８０
２に供給し、漏れをチェックすることによって、ウェーハ１６０２とシール部材
５８１４との間のシール品質をチェックすることができる。この代わりにパージ
管路５８０２は、ウェーハ１６０２とシール部材５８１４との間のシール品質を
チェックするために負圧を発生させるように、ポンプ作用を受けることができる
。この後者のプロセスが使用される場合には、電解液がパージ管路５８０２内に
吸い込まれるのを阻止するために、ウェーハ１６０２の処理後にパージ管路５８
０２のポンピングを終え、次いでウェーハ１６０２を取り除く前に正圧をパージ
管路５８０２を通して噴射しなければならない。ウェーハ１６０２が処理され、
ウェーハチャック１２００から取り除かれたあと、（アルゴン、窒素などのよう
な）ドライガスをパージ管路５８０２を通して噴射することによって、残留電解
液をばね部材５８１６とシール部材５８１４とからパージすることができる。 【０１１１】 図５９を参照すると、本発明のさらに別の選択的な実施例において、本発明の
種々の観点に基づいたウェーハチャック５９００は、台形形状を備えたシール部
材５９０２を有している。ウェーハチャック５９００がウェーハ１６０２の処理
後に回転させられると、シール部材５９０２の台形形状により、残留電解液をシ
ール部材５９０２から取り除くことが簡単になる。この実施例において、シール
部材５９０２の角度５９０４は約０°〜約６０°の範囲にあってよく、有利には
約２０°である。 【０１１２】 図６０を参照すると、本発明のさらに別の選択的な実施例において、本発明の
種々の観点に基づいたウェーハチャック６０００はパージ管路６００２を有して
いる。この実施例においては、パージ管路６００２は底部部分６００６とシール
部材６００４とを貫通して形成されている。パージ管路６００２を通して正圧ガ
スを供給することによって、ウェーハ１６０２とシール部材６００４との間のシ
ール品質をチェックすることができる。この代わりに、パージ管路６００４は、
ウェーハ１６０２とシール部材６００４との間のシール品質をチェックするため
に負圧を発生させるように、ポンプ作用を受けることができる。上述のように、
後者のプロセスが使用される場合には、電解液がパージ管路６００２内に吸い込
まれるのを阻止するために、ウェーハ１６０２の処理後にパージ管路６００２の
ポンピングを終え、次いでウェーハ１６０２を取り除く前に正圧をパージ管路６
００２を通して噴射しなければならない。 【０１１３】 図６１を参照すると、本発明のさらに別の選択的な実施例において、本発明の
種々の観点に基づいたウェーハチャック６１００はパージ管路６１０２とパージ
管路６１０８と複数のシールリング６１１６および６１０６とを有している。こ
の実施例において、シールリング６１１６は、導電素子６１１８と上側部分６１
１０との間のシールを形成する。同様に、シールリング６１０４は導電素子６１
１８と下側部分６１０６との間のシールを形成する。その結果、ウェーハ１６０
２とシール部材６１１２との間のシール品質を、パージ管路６１０２および／ま
たはパージ管路６１０８を使用してチェックすることができる。 【０１１４】 さらに詳しく述べるならば、１つの形態において、シール品質は、パージ管路
６１０２とパージ管路６１０８とに圧縮ガスを供給することによってチェックし
、漏れをチェックすることができる。別の形態においては、パージ管路６１０２
とパージ管路６１０８とが、ウェーハ１６０２とシール部材６１１２との間のシ
ール品質をチェックするために負圧を発生させるようにポンプ作用を受けること
ができる。さらに別の形態においてはパージ管路６１０２およびパージ管路６１
０８のうちの一方に圧力を供給することができ、他方のパージ管路が負圧を発生
させるためにポンプ作用を受ける。負圧が漏れのためのチェックに使用される場
合には、電解液がパージ管路６１０２および／またはパージ管路６１０８内に吸
い込まれるのを阻止するために、ウェーハ１６０２の処理後にポンピングを終え
、次いでウェーハ１６０２を取り除く前に正圧をパージ管路６１０２および／ま
たはパージ管路６１０８を通して噴射しなければならない。ウェーハ１６０２が
処理され、ウェーハチャック６１００から取り除かれたあと、（アルゴン、窒素
などのような）ドライガスをパージ管路６１０２および／またはパージ管路６１
０８を通して噴射することによって、残留電解液をシール部材６１１２とばね部
材６１１４とからパージすることができる。 【０１１５】 図６２を参照すると、本発明のさらに別の選択的な実施例において、本発明の
種々の観点に基づいたウェーハチャック６２００はばね部材６２０８と、導電素
子６２１０と、シール部材６２０６とを有している。この実施例においては、ば
ね部材６２０８と導電素子６２１０とはシール部材６２０６内に配置されている
。このような形態の利点は、ばね部材６２０８と、導電素子６２１０と、シール
部材６２０６とを予め組み立てることができることである。 【０１１６】 ウェーハチャック６２００はさらにパージ管路６２１４と、シール部材６２１
４を貫通して形成された複数のノズル６２１２と、導電素子６２１０とを有して
いる。パージ管路６２１４を通して正圧ガスを供給することによって、ウェーハ
１６０２とシール部材６２０６との間のシール品質をチェックすることができる
。この代わりに、パージ管路６２１４は、ウェーハ１６０２とシール部材６２０
６との間のシール品質をチェックするために負圧を発生させるように、ポンプ作
用を受けることができる。上述のように、後者のプロセスが使用される場合には
、電解液がパージ管路６２１４内に吸い込まれるのを阻止するために、ウェーハ
１６０２の処理後にパージ管路６２１４のポンピングを終え、次いでウェーハ１
６０２を取り除く前に正圧をパージ管路６２１４を通して噴射しなければならな
い。 【０１１７】 図６３を参照すると、本発明のさらに別の選択的な実施例において、本発明の
種々の観点に基づいたウェーハチャック６３００はパージ管路６３０２と複数の
ノズル６３０４とを有している。この実施例においては、パージ管路６３０２と
複数のノズル６３０４とは（アルゴン、窒素などのような）ドライガスを、シー
ル部材６３１０と、導電素子６３０８と、ばね部材６３０６とに噴射する。こう
して、ウェーハ１６０２が処理され、ウェーハチャック６３００から取り除かれ
たあと、残留電解液をシール部材６３１０、導電素子６３０８およびばね部材６
３０６の各頂面からパージすることができる。図６３に示したようにこの実施例
においては、パージ管路６３０２と複数のノズル６３０４とは上側部分６３１２
内に形成されている。しかしながらウェーハチャック６３００は、本発明の思想
および／または範囲から逸脱することなしに種々の形式で、パージ管路６３０２
および複数のノズル６３０４を有するように適切に構成することができる。さら
に、いかなる数のパージ管路６３０２、ノズル６３０４がウェーハチャック６３
００内に形成されていてもよい。 【０１１８】 図６４を参照すると、本発明のさらに別の選択的な実施例においては、ウェー
ハチャック６４００はシール部材６４０２を有している。この実施例においては
、シール部材６４０２は、ばね部材６４０４を受容するための正方形の切欠きを
内部に有するように形成されている。このような形態の利点は、ばね部材をより
確実に受容できることである。しかしながら、シール部材６４０２は特定の用途
に応じて種々様々な形状を有するように形成されていてよい。 【０１１９】 図６５を参照すると、本発明の別の選択的な実施例においては、本発明の種々
の観点に基づいたウェーハチャック６５００は、パージ管路６５０２と、パージ
管路６５０８と、シールリング６５０６とを有している。この実施例においては
、シールリング６５０６は下側部分６５０４と上側部分６５１０との間のシール
を形成している。その結果、ウェーハ１６０２とシール部材６５１２との間のシ
ール品質を、パージ管路６５０２および／またはパージ管路６５０８を使用して
チェックすることができる。 【０１２０】 さらに詳しく述べるならば、１つの形態において、シール品質は、パージ管路
６５０２とパージ管路６５０８とに圧縮ガスを供給することによってチェックし
、漏れをチェックすることができる。別の形態においては、パージ管路６５０２
とパージ管路６５０８とが、ウェーハ１６０２とシール部材６５１２との間のシ
ール品質をチェックするために負圧を発生させるようにポンプ作用を受けること
ができる。さらに別の形態においてはパージ管路６５０２およびパージ管路６５
０８のうちの一方に圧力を供給することができ、他方のパージ管路が負圧を発生
させるためにポンプ作用を受ける。負圧が漏れのためのチェックに使用される場
合には、電解液がパージ管路６５０２および／またはパージ管路６５０８内に吸
い込まれるのを阻止するために、ウェーハ１６０２の処理後にポンピングを終え
、次いでウェーハ１６０２を取り除く前に正圧をパージ管路６５０２および／ま
たはパージ管路６５０８を通して噴射しなければならない。ウェーハ１６０２が
処理され、ウェーハチャック６５００から取り除かれたあと、（アルゴン、窒素
などのような）ドライガスをパージ管路６５０２および／またはパージ管路６５
０８を通して噴射することによって、残留電解液をシール部材６５１２とばね部
材６５１４とからパージすることができる。 【０１２１】 図６６を参照すると、本発明のさらに別の選択的な実施例において、本発明の
種々の観点に基づいたウェーハチャック６６００は、台形形状を備えたシール部
材６６０２を有している。ウェーハチャック６６００がウェーハ１６０２の処理
後に回転させられると、シール部材６６０２の台形形状により、残留電解液をシ
ール部材６６０２から取り除くことが簡単になる。この実施例において、シール
部材６６０２の角度６６０４は約０°〜約６０°の範囲にあってよく、有利には
約２０°である。 【０１２２】 先に述べたように、本発明について、添付の図面に示した多数の選択的な実施
態様と関連付けて説明してきたが、本発明の思想および／または範囲から逸脱す
ることなしに種々の変更を加えることができる。従って、本発明は、図面に示し
上に説明した特定の形に限定したものとしては構成されない。 【図面の簡単な説明】 【図１】 ウェーハ処理ツールの実施例を示す頂面図である。 【図２】 図１に示したウェーハ処理ツールを２−２線に沿って示す横断面図である。 【図３】 図１に示したウェーハ処理ツールを３−３線に沿って示す別の横断面図である
。 【図４】 図１に示したウェーハ処理ツールを使用してウェーハを処理するためのフロー
チャートである。 【図５】 図１に示したウェーハ処理ツールの選択的な形態を示す頂面図である。 【図６】 図５に示したウェーハ処理ツールを６−６線に沿って示す横断面図である。 【図７】 図５に示したウェーハ処理ツールを７−７線に沿って示す別の横断面図である
。 【図８】 図１に示したウェーハ処理ツールの別の選択的な形態を示す頂面図である。 【図９】 図１に示したウェーハ処理ツールのさらに別の選択的な形態を示す頂面図であ
る。 【図１０】 図１に示したウェーハ処理ツールのさらに別の選択的な形態を示す頂面図であ
る。 【図１１】 図１０に示したウェーハ処理ツールを１１−１１線に沿って示す横断面図であ
る。 【図１２】 図１０に示したウェーハ処理ツールを１２−１２線に沿って示す別の横断面図
である。 【図１３】 図１に示したウェーハ処理ツールの別の選択的な形態を示す。 【図１４】 図１３に示したウェーハ処理ツールの１４−１４線に沿って示す横断面図であ
る。 【図１５】 図１３に示したウェーハ処理ツールの１５−１５線に沿って示す別の横断面図
である。 【図１６】 電気めっきおよび／または電解研磨セルの実施例を示す横断面図である。 【図１７】 図１６に示した電気めっきおよび／または電解研磨セルの一部を示す頂面図で
ある。 【図１８Ａ】 ウェーハチャックアセンブリの実施例を示す横断面図である。 【図１８Ｂ】 ウェーハチャックアセンブリの実施例を示す横断面図である。 【図１８Ｃ】 ウェーハチャックアセンブリの実施例を示す横断面図である。 【図１９】 図１８Ａ〜図１８Ｃに示したウェーハチャックアセンブリの選択的な形態を示
す横断面図である。 【図２０】 図１８Ａ〜図１８Ｃに示したウェーハチャックアセンブリの別の選択的な形態
を示す横断面図である。 【図２１】 図１８Ａ〜図１８Ｃに示したウェーハチャックアセンブリのさらに別の選択的
な形態を示す横断面図である。 【図２２Ａ】 図１８Ａ〜図１８Ｃに示したウェーハチャックアセンブリのさらに別の選択的
な形態を示す横断面図である。 【図２２Ｂ】 図１８Ａ〜図１８Ｃに示したウェーハチャックアセンブリのさらに別の選択的
な形態を示す横断面図である。 【図２３】 ウェーハチャックの実施例を示す横断面図である。 【図２４】 図２３に示したウェーハチャックの選択的な形態を示す横断面図である。 【図２５】 図２３に示したウェーハチャックの別の選択的な形態を示す横断面図である。 【図２６】 図２３に示したウェーハチャックのさらに別の選択的な形態を示す横断面図で
ある。 【図２７】 図２３に示したウェーハチャックのさらに別の選択的な形態を示す横断面図で
ある。 【図２８】 図２３に示したウェーハチャックの別の選択的な形態を示す横断面図である。 【図２９】 図２３に示したウェーハチャックのさらに別の選択的な形態を示す横断面図で
ある。 【図３０】 図２９に示したウェーハチャックのさらに別の選択的な形態を示す横断面図で
ある。 【図３１Ａ】 図１６に示した電気めっきおよび／または電解研磨ステーションの選択的な形
態を示す側面図である。 【図３１Ｂ】 図１６に示した電気めっきおよび／または電解研磨ステーションの選択的な形
態を示す側面図である。 【図３２Ａ】 図３１Ａに示した電気めっきおよび／または電解研磨ステーションを示す頂面
図である。 【図３２Ｂ】 図３１Ｂに示した電気めっきおよび／または電解研磨ステーションを示す頂面
図である。 【図３３Ａ】 図３１Ａに示した電気めっきおよび／または電解研磨ステーションを示す正面
図である。 【図３３Ｂ】 図３１Ｂに示した電気めっきおよび／または電解研磨ステーションを示す正面
図である。 【図３４】 図３１〜図３３に示した電気めっきおよび／または電解研磨セルの実施例を示
す頂面図である。 【図３５】 図３４に示した電気めっきおよび／または電解研磨セルの実施例を示す側面図
である。 【図３６】 図３４に示した電気めっきおよび／または電解研磨セルの一部を示す頂面図で
ある。 【図３７】 図３６に示した部分の側面図である。 【図３８】 図３４に示した電気めっきおよび／または電解研磨の別の部分を示す頂面図で
ある。 【図３９】 図３８に示した部分の側面図である。 【図４０Ａ】 図３８に示した部分を線４０に沿って示す横断面図である。 【図４０Ｂ】 図３８に示した部分を線４０に沿って示す横断面図である。 【図４１】 図３８に示した部分を線４１に沿って示す横断面図である。 【図４２】 図３８に示した部分を線４２に沿って示す別の横断面図である。 【図４３】 図３４に示した電気めっきおよび／または電解研磨セルの一部を示す横断面図
である。 【図４４】 図３４に示した電気めっきおよび／または電解研磨セルの別の部分を示す斜視
図である。 【図４５】 図３４に示した電気めっきおよび／または電解研磨セルのさらに別の部分を示
す斜視図である。 【図４６】 図３４に示した電気めっきおよび／または電解研磨セルのさらに別の部分を示
す底面図である。 【図４７】 図４６に示した部分の側面図である。 【図４８】 図４７に示した側面図の一部を示す拡大図である。 【図４９】 ウェーハチャックの実施例を示す分解斜視図である。 【図５０】 図４９に示したウェーハチャックの選択的な形態を示す分解斜視図である。 【図５１】 図４９に示したウェーハチャックの横断面図である。 【図５２Ａ】 図４９に示したウェーハチャックの横断面図である。 【図５２Ｂ】 図４９に示したウェーハチャックの横断面図である。 【図５３Ａ】 図５１に示したウェーハチャックの一部の選択的な形態を示す横断面図である
。 【図５３Ｂ】 図５１に示したウェーハチャックの一部の選択的な形態を示す横断面図である
。 【図５３Ｃ】 図５１に示したウェーハチャックの一部の選択的な形態を示す横断面図である
。 【図５３Ｄ】 図５１に示したウェーハチャックの一部の選択的な形態を示す横断面図である
。 【図５３Ｅ】 図５１に示したウェーハチャックの一部の選択的な形態を示す横断面図である
。 【図５３Ｆ】 図５１に示したウェーハチャックの一部の選択的な形態を示す横断面図である
。 【図５３Ｇ】 図５１に示したウェーハチャックの一部の選択的な形態を示す横断面図である
。 【図５４】 図５１に示したウェーハチャックを使用してウェーハをハンドリンするための
フローチャートである。 【図５５】 ウェーハチャックの選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図５６】 ウェーハチャックの第２の選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図５７】 ウェーハチャックの第３の選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図５８】 ウェーハチャックの第４の選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図５９】 ウェーハチャックの第５の選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図６０】 ウェーハチャックの第６の選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図６１】 ウェーハチャックの第７の選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図６２】 ウェーハチャックの第８の選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図６３】 ウェーハチャックの第９の選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図６４】 ウェーハチャックの第１０の選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図６５】 ウェーハチャックの第１１の選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図６６】 ウェーハチャックの第１２の選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図６７】 ウェーハの頂面図である。
方法および装置に関する。さらに詳しく述べると、本発明は、半導体ワークの電
気めっきおよび／または電解研磨中に半導体ワークを保持して位置決めする方法
および装置に関する。 【０００２】 ２．関連技術の説明 一般的に半導体デバイスはウェーハまたはスライスと呼ばれる半導体材料のデ
ィスク上で製造または製作される。さらに詳しく述べるならば、ウェーハは初め
シリコンインゴットから切断されることにより形成される。次いでウェーハは多
重のマスキングプロセス、エッチングプロセスおよび成膜プロセスを施されて、
半導体デバイスの電子回路構造を形成する。 【０００３】 過去１０年間、ムーアの法則(Moore's law)に従って、半導体産業は半導体デ
バイスの出力を増大してきた。このムーアの法則は半導体デバイスの出力が１８
ヶ月ごとに２倍になると予言している。半導体デバイスの出力のこのような増大
は、一部はこれらの半導体デバイスの外形サイズ（つまりデバイス上に存在する
最小のディメンション）が小さくなったことにより達成された。事実、半導体デ
バイスの外形サイズは急速に０．３５ミクロンから０．２５ミクロンに、そして
今や０．１８ミクロンになった。半導体デバイスのこのような小型化傾向を見れ
ば、０．１８ミクロンの程度を下回るサイズが実現されるのは確実である。 【０００４】 しかしながら、より高い出力を有する半導体デバイスの発展を制限する１つの
要因は相互接続部（単一の半導体デバイスのエレメントを接続する、かつ／また
はいくつかの半導体デバイスを一緒に接続する導体の線路）における信号遅延の
増大である。半導体デバイスの外形サイズが小さくなるにつれて、デバイス上の
相互接続部の密度は高くなる。しかしながら、相互接続部の密接により、相互接
続部の線路間のキャパシタンスが増大し、その結果、相互接続部の信号遅延が大
きくなる。一般的に相互接続の遅れは、外形サイズの減小の２乗でもって増大す
ることが判っている。これとは対照的に、ゲート遅延（つまり半導体デバイスの
ゲートまたはメサにおける遅れ）は外形サイズの減小に伴って線状に増大するこ
とが判っている。 【０００５】 相互接続の遅れのこのような増大を補償するための１つのコンベンショナルな
アプローチは、より多くの金属層を付加することであった。しかしながらこのよ
うなアプローチは、付加的な金属層に関連した製造コストの増大という欠点を有
している。さらにこのような付加的な金属層は付加的な熱を発生する。この熱は
チップの性能および信頼性の両方にとって不都合である。 【０００６】 従って、半導体産業は、金属製の相互接続部を形成するために、アルミニウム
ではなく銅を使用し始めた。銅の１つの利点は、アルミニウムよりも導電率が大
きいことである。しかも銅はアルミニウムよりもエレクトロマイグレーションに
対する抵抗が小さい（すなわち、銅から成る線路は電流負荷下で細くなる傾向が
少ない）。 【０００７】 しかしながら、銅が半導体産業によって幅広く使用可能になる前に、新しい処
理技術が要求される。さらに詳しく述べるならば、銅層は、電気めっきプロセス
を用いてウェーハ上に形成し、かつ／または、電解研磨プロセスを用いてエッチ
ングすることができる。一般的には、電気めっきおよび／または電解研磨プロセ
スにおいては、ウェーハは電解液中で保持され、次いで電荷がウェーハに印加さ
れる。従って、ウェーハチャックは電気めっきおよび／または電解研磨プロセス
中にはウェーハを保持し、電荷をウェーハに印加する必要がある。 【０００８】 ＜発明の概要＞ 本発明の実施態様においては、ウェーハの電気めっきおよび／または電解研磨
中にウェーハを保持するためのウェーハチャックアセンブリが、ウェーハを受容
するためのウェーハチャックを有している。ウェーハチャックアセンブリはさら
に、第１の位置と第２の位置との間でウェーハチャックを運動させるためのアク
チュエータアセンブリをも有している。第１の位置ではウェーハチャックは開か
れている。第２の位置ではウェーハチャックは閉じられている。 【０００９】 本発明の主題は特に請求の範囲において明確に示した。ただし本発明は構成お
よび操作方法の両方に関して、請求の範囲および添付の図面と関連付けた以下の
説明を参照することにより極めて良く理解することができる。図面中、同様の部
分には同一の符号を付した。 【００１０】 ＜実施例の詳細な説明＞ 本発明のさらに徹底した理解を得るために、特定の材料、パラメータなどのよ
うな多数の特定の細目について以下に説明する。ただし、この説明は本発明の範
囲を限定しようとするものではなく、実施例のより充実した、より完全な説明を
可能にするために提供するものである。 【００１１】 加えて、本発明の内容は、半導体ワークまたはウェーハの電気めっきおよび／
または電解研磨に関連した使用に特に適している。その結果、本発明の実施例は
その関係において説明している。ただし、このような説明は、本発明の用途また
は適用可能性を限定するものではない。むしろ、このような説明は実施例のより
充実した、より完全な説明を可能にするために提供するものである。 【００１２】 図１を参照すると、ウェーハ処理ツール１００が、半導体ワークまたはウェー
ハを電気めっきおよび／または電解研磨するために構成されている。実施例にお
いては、ウェーハ処理ツール１００は電気めっきおよび／または電解研磨ステー
ション１０２と、洗浄ステーション１０４と、ウェーハハンドリングステーショ
ン１０８と、ロボット１０６とを有している。 【００１３】 図４を参照すると、ウェーハ処理ツール１００により行われる処理ステップが
フローチャートの形式で表されている。再び図１を参照すると、未処理の半導体
ワークまたはウェーハがロボット１０６によってウェーハハンドリングステーシ
ョン１０８および１１０（図４、ブロック４０２）から得られる。ウェーハはロ
ボット１０６によって、ウェーハハンドリングステーション１０８および１１０
から電気めっきおよび／または電解ステーション１０２に搬送される（図４、ブ
ロック４０４）。下に詳細を述べるように、ウェーハは電気めっきおよび／また
は電解研磨ステーション１０２で電気めっきおよび／または電解研磨される（図
４、ブロック４０６）。電気めっきおよび／または電解研磨されたウェーハはロ
ボット１０６によって洗浄ステーション１０４（図４、ブロック４０８）に搬送
される。ウェーハは洗浄ステーション１０４において、洗浄され、乾燥させられ
る（図４、ブロック４１０）。洗浄され、乾燥させられたウェーハはロボット１
０６によってウェーハハンドリングステーション１０８および１１０（図４、ブ
ロック４１２）に戻される。次いでこのプロセス全体を、別の未処理のウェーハ
のために繰り返すことができる。しかしながら、図４に示し、上に説明したステ
ップに、本発明の範囲から逸脱することなしに種々様々な変更を加えることがで
きる。 【００１４】 図２を参照すると、この実施例においては、電気めっきおよび／または電解研
磨ステーション１０２および洗浄ステーション１０４は５つの電気めっきおよび
／または電解研磨セル１１２と、５つの洗浄セル１１４とを有している。従って
、５つものウェーハを一度に電気めっきおよび／または電解研磨し、洗浄するこ
とができる。しかしながら、電気めっきおよび／または電解研磨ステーション１
０２と洗浄ステーション１０４とは、特定の用途に応じて、いかなる数の電気め
っきおよび／または電解研磨セル１１２および洗浄セル１１４をも有することが
できる。例えば低い容量の用途のためには、電気めっきおよび／または電解研磨
ステーション１０２と洗浄ステーション１０４とは、それぞれ１つの電気めっき
および／または電解研磨セル１１２と１つの洗浄セルとで構成されていてよい。
加えて、洗浄セル１１４に対する電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２
の比率は特定の用途に応じて変化させることができる。例えば、電気めっきおよ
び／または電解研磨プロセスが洗浄プロセスよりも多くの処理時間を要求するよ
うな用途においては、ウェーハ処理ツール１００は洗浄セル１１４よりも多くの
電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２を有するように構成されていてよ
い。この代わりに、電気めっきおよび／または電解研磨プロセスが洗浄プロセス
よりも少ない処理時間を要求するような用途においては、ウェーハ処理ツール１
００は洗浄セル１１４よりも少ない電気めっきおよび／または電解研磨セル１１
２を有するように構成されていてよい。 【００１５】 図２に示したように、電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２と洗浄セ
ル１１４とは鉛直方向のセルとして形成されている。このように、処理されるウ
ェーハの数を、ウェーハ処理ツール１００（によって占められる床スペースの合
計）の面積を増やすことなしに増やすことができる。ますます競争が激しくなっ
ている半導体産業において、ウェーハ処理ツール１００によって占められる製作
床スペースの平方フィート当たりで処理されるウェーハの比率を増大させること
は有利である。 【００１６】 再び図１を参照すると、上述のように、未処理のウェーハがウェーハハンドリ
ングステーション１０８および１１０で得られ、次いで処理されたウェーハがウ
ェーハハンドリングステーション１０８および１１０に戻される。さらに詳しく
述べるならば、図３を参照すると、この実施例においては、ウェーハハンドリン
グステーション１０８および１１０（図１）はウェーハを保持するためのウェー
ハカセット１１６を有している。図３に示したように、ロボット１０６はウェー
ハカセット１１６から未処理のウェーハを取り除き、このウェーハを電気めっき
および／または電解研磨セル１１２のいずれか１つに搬送するように構成されて
いる（図２）。さらにロボット１０６は、洗浄セル１１４（図２）のいずれか１
つからウェーハカセット１１６に、処理されたウェーハを返すように構成されて
いる。図３には単一のカセット１１６が示されてはいるものの、ウェーハハンド
リングステーション１０８および１１０（図１）は、いかなる数のウェーハカセ
ット１１６を有していてもよい。 【００１７】 さらに、ウェーハハンドリングステーション１０８および１１０は、特定の用
途に応じた種々の構成を有していてよい。例えば、ウェーハハンドリングステー
ション１０８および１１０はそれぞれ少なくとも１つのウェーハカセット１１６
を有することができる。１つの形態においては、未処理のウェーハを含むウェー
ハカセット１１６がウェーハハンドリングステーション１０８に設けられている
。このウェーハは取り除かれ、処理され、次いで、ウェーハハンドリングステー
ション１０８の同じウェーハカセット１１６に戻される。ウェーハハンドリング
ステーション１０８のウェーハカセット１１６からのウェーハの処理が完了する
前に、未処理のウェーハを含む別のウェーハカセット１１６がウェーハハンドリ
ングステーション１１０に設けられている。ウェーハハンドリングステーション
１０８のウェーハカセット１１６からのウェーハが処理されるやいなや、ウェー
ハ処理ツール１００はウェーハハンドリングステーション１１０のウェーハカセ
ット１１６からの未処理のウェーハを処理開始することができる。次いで、ウェ
ーハハンドリングステーション１０８のウェーハカセット内の処理済ウェーハを
取り除き、未処理のウェーハを含むさらに別のウェーハカセット１１６と取り換
えることができる。こうして、ウェーハ処理ツール１００は、不慮の中断なしに
連続的に操作することができる。 【００１８】 別の形態においては、未処理のウェーハを含むウェーハカセット１１６がウェ
ーハハンドリングステーション１０８に設けられてよい。ウェーハハンドリング
ステーション１１０には空のウェーハカセット１１６が設けられてよい。ウェー
ハハンドリングステーション１０８のウェーハカセット１１６からの未処理のウ
ェーハを処理し、次いでウェーハハンドリングステーション１１０の空のウェー
ハハンドリングステーション１１６に返すことができる。このような形態も、処
理ツール１００の連続的な操作を簡単にする。しかもこのような形態は、２つの
ハンドリングステーション１０８および１１０のうちの一方を未処理のウェーハ
のために形成し、他方を処理済のウェーハのために形成することができるという
利点を有している。こうして、オペレータまたはロボットが、処理済のウェーハ
を含むウェーハカセット１１６を、未処理のウェーハを有するウェーハカセット
と混同するおそれ、またはその逆のおそれが少なくなる。 【００１９】 再び図２を参照すると、ウェーハ処理ツール１００は、ウェーハ処理ツール１
００の電気的および機械的な構成部分、例えば給電部、フィルタ、ワイヤ、鉛管
、薬品容器、ポンプ、弁などを収容するためのハウジングユニット１１８を有し
ている。再び図１を参照すると、ウェーハ処理ツール１００はウェーハ処理ツー
ル１００の操作を制御するためのコンピュータ１３２をも有することができる。
さらに詳しく述べるならば、コンピュータは、図４に示し図４と関連して上に述
べた処理ステップを行うための適切なソフトウェアプログラムを有するように構
成されていてよい。 【００２０】 ただし、本発明の思想および／または範囲から逸脱することなしに、ウェーハ
処理ツール１００の形態に種々様々な変更を加えることができる。このことに関
して、以下に、本発明の選択的な種々の実施態様を図面につき説明する。しかし
ながら、これらの選択的な実施態様は、本発明に対して行うことができる変化実
施例の全てを示そうとするものではない。むしろこれらの選択的な実施態様は多
くの可能な変化実施例のいくつかを示そうとしているのに過ぎない。 【００２１】 図５〜図７を参照すると、本発明の選択的な実施態様において、ウェーハ処理
ツール１００はウェーハハンドリングステーション５００を有している。図７を
参照すると、ウェーハハンドリングステーション５００は、ウェーハカセット１
１６を昇降させるために形成されたロボット５０２を有している。従って、ウェ
ーハをウェーハカセット１１６内に搬入、および、ウェーハカセット１１６から
搬出するときに、鉛直方向におけるロボット１０６の運動を減じることができる
。こうして、ロボット１０６の操作速度を増大して、ウェーハ処理ツール１００
の全体的な処理速度を促進することができる。 【００２２】 図８を参照すると、本発明の別の選択的な実施態様においては、ウェーハ処理
ツール１００は側方に（図８において符号ｘで示す方向）運動するように形成さ
れたロボット８００を有している。従って、ロボット８００はその鉛直方向軸線
を中心にして回転する必要はない。 【００２３】 図９を参照すると、本発明のさらに別の選択的な実施態様においては、ウェー
ハ処理ツール１００は、電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２（図２）
および洗浄セル１１４（図２）のスタック９０２を有している。従って、処理ツ
ール１００の設置面積をさらに減じることができる。 【００２４】 図１０〜図１２を参照すると、本発明の別の選択的な実施態様においては、ウ
ェーハ処理ツール１００は電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２（図１
２）と洗浄セル１１４（図１２）の３つのスタック１００２，１００４，１００
６とを有している。なおスタック１００２，１００４，１００６は、特定の用途
に応じて電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２の種々様々な電気めっき
および／または電解研磨セル１１２の種々様々な組み合わせを有するように構成
することができる。例えばカラム１００２および１００６を、電気めっきおよび
／または電解研磨セル１１２だけを有するように形成することができる。カラム
１０４は、洗浄セル１１４だけを有するように形成されてよい。この代わりに、
各カラム１００２，１００４および１００６は、電気めっきおよび／または電解
研磨セル１１２および洗浄セル１１４との組み合わせで形成することもできる。
ウェーハ処理ツール１００も側方（図１０において符号ｙで示す方向）に運動す
るように形成されたロボット１００８を有している。図１２を参照すると、ウェ
ーハ処理ツール１００は、ウェーハ処理ツール１００の付加的な処理能力を提供
するための付加的なウェーハカセット１２０２を有している。 【００２５】 ここまでは、ウェーハ処理ツール１００が、電気めっきおよび／または電解研
磨ステーション１０２（図１）および洗浄ステーション１０４（図２）を有する
ものとして説明してきた。しかしながら、ウェーハ処理ツール１００は、電気め
っきおよび／または電解研磨ステーション１０２（図１）のみを有するように形
成されてよい。例えば、図９を参照すると、ウェーハ処理ツール１００は、電気
めっきおよび／または電解研磨セル１１２（図１）だけを備えたスタック９０２
を有するように形成されていてよい。従って、ウェーハ処理ツール１００は、ウ
ェーハを洗浄することなしに、ウェーハを電気めっきおよび／または電解研磨す
る。処理されたウェーハは別個のウェーハ洗浄ツール内で洗浄することができる
。この代わりに、処理されたウェーハは、別のウェーハ処理ツール内の洗浄ステ
ーションで洗浄することもできる。 【００２６】 加えて、ウェーハ処理ツール１００は他のウェーハ処理ステーションを有して
いてよい。例えば、図１３〜図１５を参照すると、本発明の別の実施態様におい
ては、ウェーハ処理ツール１００は化学機械研磨（ＣＭＰ）１３０２を有してい
る。こうしてウェーハは、電気めっきおよび／または電解研磨され洗浄されるの
に加えて、平坦化および／または研磨することができる。これらのプロセスを実
施する詳細な順序は、特定の用途に応じて変えることができる。例えば１つの用
途においては、ウェーハは電気めっきおよび／または電解研磨ステーション１０
２で電気めっきし、洗浄ステーション１０４で洗浄し、次いでＣＭＰステーショ
ン１３０２で平坦化することができる。別の用途では、ウェーハは先ず電気めっ
きおよび／または電解研磨ステーション１０２で電解研磨し、洗浄ステーション
１０４で洗浄し、ＣＭＰステーション１３０２で平坦化することができる。 【００２７】 このように、ウェーハ処理ツールの種々様々な実施例について述べてきたが、
以下では電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２の実施例について説明す
る。図１６および図１７を参照すると、本発明の１実施例においては、ウェーハ
電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２は電解液容器１６０８と、ウェー
ハチャック１６０４と、ウェーハチャックアセンブリ１６００とを有している。 【００２８】 図１６を参照すると、この実施例においては電解液容器１６０８はウェーハ１
６０２を電気めっきおよび／または電解研磨するための電解液を保持している。
電気めっきおよび／または電解研磨プロセス中、ウェーハチャック１６０４はウ
ェーハ１６０２を保持している。ウェーハチャックアセンブリ１６００は電解液
容器１６０８内にウェーハチャック１６０４を位置決めする。ウェーハチャック
アセンブリ１６００はさらにウェーハチャック１６０４を回転させて、電気めっ
きおよび／または電解研磨プロセスの均一性を高める。 【００２９】 この実施例においては、図１７を参照すると、電解液容器１６０８は区分壁１
６１０，１６１２，１６１４，１６１６および１６１８によって区分１６２０，
１６２２，１６２４，１６２６，１６２８，１６３０に分割されると有利である
。しかしながら、電解液容器１６０８は特定の用途に応じて、あらゆる数の適切
な区分によっていかなる数の区分にも分割することができる。 【００３０】 図１６を参照すると、この実施例においては、ポンプ１６５４が、リザーバ１
６５８から電解液容器１６０８内に電解液１６５６を吐出する。さらに詳しく述
べるならば、電解液１６５６は通過フィルタ１６５２と液体マスフローコントロ
ーラ（ＬＭＦＣ）１６４６，１６４８および１６５０とを貫流する。通過フィル
タ１６５２は、電解液１６５６から汚染物や望ましくない粒子を取り除く。ＬＭ
ＦＣ１６４６，１６４８，１６５０は区分１６２０，１６２４および１６２８（
図１７）内への電解液１６５６の流れを制御する。しかしながら、電解液１６５
６は特定の用途に応じたあらゆる好都合な方法を用いて供給することができる。 【００３１】 上述のように、電気めっきおよび／または電解研磨プロセス中、ウェーハチャ
ック１６０４はウェーハ１６０２を保持する。この実施例においては、ロボット
１０６はウェーハ１６０２をウェーハチャック１６０４内に挿入するかまたは供
給する。上に述べたように、ロボット１０６はウェーハカセット１１６（図３）
、または、その前の処理ステーションまたは処理ツールからウェーハ１６０２を
得ることができる。ウェーハ１６０２は特定の用途に応じて、オペレータによっ
て手によりウェーハチャック１６０４内に配置されてもよい。 【００３２】 下にさらに詳しく述べるように、ウェーハ１６０２を受容したあと、ウェーハ
チャック１６０４はウェーハ１６０２を保持するために閉じる。次いでウェーハ
チャックアセンブリ１６００は電解液容器１６０８内にウェーハチャック１６０
４とウェーハ１６０２とを位置決めする。さらに詳細に述べると、この実施例に
おいては、ウェーハチャックアセンブリ１６００は、区分壁１６１０，１６１２
，１６１４，１６１６および１６１８（図１７）の上方にウェーハチャック１６
０４とウェーハ１６０２とを位置決めして、ウェーハ１６０２の底面と区分壁１
６１０，１６１２，１６１４，１６１６および１６１８（図１７）の頂部との間
のギャップを形成する。 【００３３】 本発明においては、電解液１６５６は区分１６２０，１６２４および１６２８
（図１７）内に流入し、ウェーハ１６０２の底面に接触する。電解液１６５６は
、ウェーハ１６０２の底面と区分壁１６１０，１６１２，１６１４，１６１６お
よび１６１８（図１７）との間に形成されたギャップを貫流する。次いで電解液
１６５６は区分１６２２，１６２６および１６３０（図１７）を通ってリザーバ
１６５８に戻る。 【００３４】 下にさらに詳細に述べるように、ウェーハ１６０２は１つまたは複数の給電部
１６４０，１６４２および１６４４に接続されている。さらに、電解液容器１６
０８内に配置された１つまたは複数の電極１６３２，１６３４および１６３６が
給電部１６４０，１６４２および１６４４に接続されている。電解液１６５６が
ウェーハ１６０２に接触すると、ウェーハ１６０２を電気めっきおよび／または
電解研磨するために回路が形成される。ウェーハ１６０２が電極１６３２，１６
３４，１６３６に対して相対的に負の電位を有するように荷電される場合には、
ウェーハ１６０２は電気めっきされる。ウェーハ１６０２が電極１６３２，１６
３４，１６３６に対して相対的に正の電位を有するように荷電される場合には、
ウェーハ１６０２は適切に電解研磨される。加えて、ウェーハ１６０２が電気め
っきされる場合には、電解液１６５６は硫酸溶液であると有利である。しかしな
がら、電解液１６５６は特定の用途に応じて種々の化学的性質を有していてよい
。 【００３５】 加えて、下に詳しく述べるように、ウェーハチャックアセンブリ１６００はウ
ェーハ１６０２のより均一な電気めっきおよび／または電解研磨を容易にするた
めに，ウェーハ１６０２を回転および／または振動させることができる。ウェー
ハ１６０２が電気めっきおよび／または電解研磨されたあと、ウェーハ１６０２
は電解液容器１６０８から取り除かれる。さらに詳細に述べるならば、ウェーハ
チャックアセンブリ１６００がウェーハチャック１６０４を電解液容器１６０８
から持ち上げる。次いでウェーハチャック１６０４が開く。ロボット１０６がウ
ェーハ１６０２をウェーハチャック１６０４から取り除き、次いで別のウェーハ
１６０２を電気めっきおよび／または電解研磨のために供給する。電気めっきお
よび／または電解研磨プロセスのさらに詳細な説明のためには、その内容全体を
参考のために本明細書に組み入れた、１９９９年１月１５日出願の米国特許出願
第０９／２３２，８６４号明細書“PLATING APPARATUS AND METHOD”、およびそ
の内容全体を参考のために本明細書に組み入れた、１９９９年８月７日出願のＰ
ＣＴ特許出願ＰＣＴ／ＵＳ９９／１５５０６号明細書“METHODS AND APPARATUS
FOR ELECTROPOLISHING METAL INTERCONNECTIONS ON SEMICONDUCTOR DEVICES”を
参照されたい。 【００３６】 先に示唆したように、電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２に関する
特定の詳細は、本発明の説明をより充実させ、より完全にするために示したもの
である。電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２の種々様々な形態自体は
、本発明の思想および／または範囲から逸脱することなしに、変更を加えること
ができる。例えば、電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２は、複数の区
分を備えた電解液容器１６０８を有するものとして示され説明されてきたが、し
かし、電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２は静的電解浴(static bath
)を有していてよい。 【００３７】 このように電気めっきおよび／または電解研磨セルおよび方法の実施例を説明
してきたが、以下ではウェーハチャック１６０４およびウェーハチャックアセン
ブリ１６００の実施例を説明する。先ず明確に理解を得るために便宜上、以下に
半導体の電気めっきと関連させて、ウェーハチャック１６０４およびウェーハチ
ャックアセンブリ１６００について説明する。しかしながらウェーハチャック１
６０４およびウェーハチャックアセンブリ１６００はいかなる好都合なプロセス
、例えば電解研磨、洗浄、エッチングなどと関連して使用されてもよい。加えて
、ウェーハチャック１６０４およびウェーハチャックアセンブリ１６００は半導
体ウェーハとは別の種々様々なワークの処理と関連して使用されてよい。 【００３８】 図１８Ａ〜図１８Ｃを参照すると、上述のように電気めっきおよび／または電
解研磨プロセス中、ウェーハチャックアセンブリ１６００は電解液容器１６０８
内にウェーハチャック１６０４を位置決めする（図１６）。加えてウェーハチャ
ックアセンブリ１６００は、ウェーハ１６０２の挿入および除去のためにウェー
ハチャック１６０４を開閉するように構成されている。 【００３９】 さらに詳しく述べると、この実施例においては、ウェーハチャックアセンブリ
１６００はアクチュエータアセンブリ１８６０と、ばねアセンブリ１８９４とを
有している。アクチュエータアセンブリ１８６０は、ウェーハチャック１６０４
を第１の位置と第２の位置との間で運動させるように構成されている。この実施
例においては、アクチュエータアセンブリ１８６０は、上昇位置と下降位置との
間でウェーハチャック１６０４を運動させるように構成されている。第１の位置
においては、ばねアセンブリ１８９４はウェーハチャック１６０４を開いてウェ
ーハ１６０２の除去および挿入を可能にするように構成されている。第２の位置
においては、ばねアセンブリ１８９４はウェーハチャック１６０４を閉じるよう
に構成されている。 【００４０】 この実施例においてはアクチュエータアセンブリ１８６０はモータ１８２８と
、ギヤ１８２２および１８２４と、リードスクリュ１８２０とを有している。モ
ータ１８２８は、ブラケット１８１６とリードスクリュ１８２０とギヤ１８２２
および１８２４とを介してシャフト１８０２に結合されている。さらに詳しく述
べるならば、モータ１８２８がギヤ１８２２および１８２４を介してリードスク
リュ１８２０を回転させることによって、ブラケット１８１６をガイドレール１
８２６に沿って並進運動させる。ブラケット１８１６はシャフト１８０２に取り
付けられている。このシャフトはウェーハチャック１６０４の上側部分１８５８
に固接されている。こうしてモータ１８２８はウェーハチャック１６０４を昇降
させることができる。しかしながら、ウェーハチャック１６０４は空気圧式アク
チュエータ、磁力などのようなあらゆる好都合な装置および方法を用いて昇降さ
せることができる。しかもモータ１８２８は直流式サーボモータ，ステップモー
タなどを含んでよい。 【００４１】 単一のガイドレール１８２６が図１８Ａ〜図１８Ｃに示されてはいるが、しか
し、特定の用途に応じて、いかなる数のガイドレール１８２６が使用されてもよ
い。加えて、図１９を参照すると、本発明の選択的な実施例においては、ブラケ
ット１８１６と付加的なブラケット１９０６との間に、ジョイント１９０２およ
び１９０４が配置されている。これらのジョイント１９０２および１９０４は、
リードスクリュ１８２０がウェーハチャック１６０４を昇降させているときに、
ブラケット１９０６および１８１６の運動を可能にする。このようにすると、ブ
ラケットがガイドレール１８２６上で動かなくなるおそれはほとんどない。この
実施例においては、これらのジョイント１９０２および１９０４はユニバーサル
ジョイントである。しかしながら、あらゆる好都合な型のジョイントを、ブラケ
ット１９０６および１８１６相互間の運動を可能にするために使用することがで
きる。 【００４２】 続けて図１８Ａ〜図１８Ｃを参照すると、ばねアセンブリ１８９４はカラー１
８０４と、複数のロッド１８０６と、複数のばね１８０８とを有している。ロッ
ド１８０６はウェーハチャック１６０４のカラー１８０４と下側部分１８５６と
に固接されている。ばね１８０８はロッド１８０６の周りに、かつウェーハチャ
ック１６０４のカラー１８０４と上部分１８５８との間に配置されている。加え
て、カラー１８０４はシャフト１８０２には取り付けられていない。従って、図
１８Ｂに示したように，ウェーハチャック１６０４が上昇させられるにつれて、
カラー１８０４はリッド１８１０に接触するようになる。図１８Ｃに示したよう
に、ロッド１８０６は、ウェーハチャック１６０４の下側部分１８５６がさらに
上昇するのを阻止する。しかしながら、ばね１８０８はウェーハチャック１６０
４の上側部分１８５８が上昇し続けるのを可能にするために圧縮される。従って
、ウェーハチャック１６０４はウェーハ１６０２の挿入および除去のために開か
れる。 【００４３】 上に説明し、また図１８Ａ〜図１８Ｂに示したように、ウェーハチャック１６
０４を上昇させる単一動作はウェーハチャック１６０４を開く。ウェーハチャッ
ク１６０４を下降させる逆の動作はウェーハチャック１６０４を閉じる。さらに
詳しく述べると、図１８Ｃからスタートして、ウェーハ１６０２がウェーハチャ
ック１６０４内に位置決めされているときに、モータ１８２８がウェーハチャッ
ク１６０４を下降させ始める。図１８Ｂに示したように、モータ１８２８がウェ
ーハチャック１６０４を下降させるにつれて、ばね１８０８がウェーハチャック
１６０４を閉じるために伸張する。 【００４４】 ばね１８０８によって加えられる力に加えて、真空および／または減圧ガスを
ウェーハチャック１６０４の上側部分１８５８と下側部分１８５６との間に形成
された中空部１８３０に対して作用させることにより、付加的な力が、ウェーハ
チャック１６０４を一緒に保持するために加えられる。さらに詳しく述べるなら
ば、図１８Ｂを参照すると、ウェーハチャックアセンブリ１６００は、入口１８
７０および１８７２を有するように形成されたスリップリングアセンブリ１８３
８を有している。このスリップリングアセンブリ１８３８も中空部１８６６およ
び１８６８を形成するために構成された複数のシール部材１８４２を有している
。この実施例においては、真空および／または減圧ガスは入口１８７０、通路１
８７４および管路１８３２を通って中空部１８３０に対して作用させられる。中
空部１８３０のシール作用を助成するために、ウェーハチャック１６０４も、上
側部分１８５８と下側部分１８５６との間に配置されたシール部材１８７８を有
している。 【００４５】 さらに、図１８Ｂを参照すると、上に簡単に説明し、下で詳しく説明するよう
に、電気めっきおよび／または電解研磨プロセス中に、電荷がウェーハ１６０２
に印加される。さらに詳しく述べるならば、本発明においては、スリップリング
アセンブリ１８３８はブラシ１８４４とばね１８４６とねじ１８４８とを有して
いる。加えて、下に詳しく説明するように、ウェーハチャック１６０４は、線路
１８５０と電気的に接触する導電素子１８８０と、ウェーハ１６０２と電気的に
接触するばね部材１８８２とを有している。従って電荷はねじ１８４８とばね１
８４６とブラシ１８４４とシャフト１８０２と線路１８５０と導電素子１８８０
とばね部材１８８２とを介してウェーハ１６０２に印加される。従ってねじ１８
４８とばね１８４６とブラシ１８４４とシャフト１８０２と線路１８５０と導電
素子１８８０とばね部材１８８２とは、導電材料から成っている。加えてシャフ
ト１８０２は回転可能なので、ブラシ１８４４は黒鉛のような導電性の低摩擦材
料から成っている。 【００４６】 以下に詳しく説明するように、電気めっきおよび／または電解研磨プロセス中
にばね部材１８８２と導電素子１８８０とを電解液から絶縁するのを助成するた
めに、ウェーハチャック１６０４はシール部材１８８４を有している。本発明の
この実施例においては、このシール部材１８８４のシール品質をチェックするた
めに、正圧ガスが中空部１８９２に供給される。さらに詳しく述べるならば、正
圧ガスは入口１８７２と通路１８７６と管路１８５２とを通って供給される。ウ
ェーハチャック１６０４はさらに、中空部１８９２のシールを助成するためにシ
ール部材１８８６および１８８８を有している。この代わりに、真空および／ま
たは減圧ガスが、シール部材１８８４のシール品質をチェックするために、中空
部１８９２に対して作用させられてもよい。ウェーハチャック１６０４が電解液
から取り除かれたあと、ウェーハチャック１６０４から電解液をパージするため
に、正圧ガスを中空部１８９２に供給することができる。 【００４７】 先に示唆したように、ウェーハチャックアセンブリ１６００は、電気めっきお
よび／または電解研磨プロセスの均一性を高めるためにウェーハチャック１６０
４を回転させるように構成されている。さらに詳しく述べると、電気めっきおよ
び／または電解研磨プロセス中、ウェーハチャックアセンブリ１６００は毎分約
５回転から毎分約１００回転でウェーハチャック１６０４を回転させる。しかし
ながら、ウェーハチャック１６０４は特定の用途に応じて種々の速度で回転させ
ることができる。 【００４８】 加えて、下に詳しく説明するように、ウェーハチャックアセンブリ１６００は
、電気めっきおよび／または電解研磨プロセス後にウェーハチャック１６０４か
ら電解液を除去することを助成するために、ウェーハチャック１６０４を回転さ
せるように構成されている。このプロセス中、ウェーハチャックアセンブリ１６
００はウェーハチャック１６０４を毎分約３００回転から毎分約５０００回転、
有利には毎分約５００回転で回転させる。しかしながら、ウェーハチャックアセ
ンブリ１６００はウェーハチャック１６０４を、特定の用途に応じた種々の速度
で回転させることができる。図２０に示したように、このプロセス中、ウェーハ
チャック１６０４が開位置にあるときに、ウェーハチャック１６０４を回転させ
ることができる。従って選択的な実施態様においては、ウェーハチャックアセン
ブリ１６００は軸受け２００２を有している（図２０）。この実施例においては
、軸受け２００２は、カラー１８０４とリッド１８１０との間に配置されている
ものとして示されている。しかしながら、軸受け２００２は特定の用途に応じて
種々の位置に配置されてよい。例えばカラー１８０４が取り除かれるかまたはサ
イズを小さくされている場合には、軸受け２００２は上側部分１８５８とリッド
１８１０との間に設けられていてよい。ただし、ウェーハチャックアセンブリ１
６００は特定の用途に応じた種々の速度でウェーハチャック１６０４を回転させ
ることができる。 【００４９】 図１８を参照すると、ウェーハチャックアセンブリ１６００はウェーハチャッ
ク１６０４を回転させるための回転アセンブリ１８６４を有している。この実施
例においては、回転アセンブリ１８６４はモータ１８３６と、シャフト１８０２
に結合された駆動ベルト１８３４とを有している。この実施例においてはモータ
１８３６と駆動ベルト１８３４とはブラケット１８１６の下方に配置されている
。しかしながら、モータ１８３６および駆動ベルト１８３４は、シャフト１８０
２を回転させるために種々の位置に配置することができる。たとえば図２１を参
照すると、ウェーハチャックアセンブリ１６００は、ブラケット１８１６の上方
に配置されたモータ１８３６と駆動ベルト１８３４とを有する状態で示されてい
る。この代わりにモータ１８３６は駆動ベルト１８３４ではなくギヤを介してシ
ャフト１８０２に結合されていてもよい。モータ１８３６はシャフト１８０２に
直接的に結合されていてもよい。この実施例においては、モータ１８３６は直流
サーボモータ、ステップモータなどを含んでよい。加えて、回転アセンブリ１８
６４はウェーハチャック１６０４を回転させるための種々様々な機構を含んでよ
い。例えば、回転アセンブリ１８６４は、ウェーハチャック１６０４を回転させ
るための電磁機構として形成されていてよい。 【００５０】 図１８Ａ〜図１８Ｂを参照すると、本発明においては、シャフト１８０２は金
属またはステンレス鋼のような耐食性金属合金から成っている。摩擦を減じるた
めに、シール部材１８４２とブラシ１８４４とに接触するシャフト１８０２の表
面は、約５ミクロン未満、有利には約２ミクロン未満の仕上げ面粗さに機械加工
されている。加えて、この実施例において、ウェーハチャックアセンブリ１６０
０は、シャフト１８０２とリッド１８１０との間に配置された軸受け１８１２お
よび１８１４を有している。ウェーハチャックアセンブリ１６００はシャフト１
８０２とブラケット１８１６との間に配置された軸受け１８１８をも有している
。軸受け１８１２，１８１４，１８１８はボールベアリング、ブシュ、低摩擦材
料などを有していてよい。 【００５１】 上述のように、スリップリングアセンブリ１８３８は、真空および／または減
圧ガス、減圧ガスおよび電気をシャフト１８０２に対して作用させるように構成
されている。ここまでは特に図１８Ａ〜図１８Ｃに示したように、スリップリン
グアセンブリ１８３８はブラケット１８１６に固定されたものとして示されてい
る。これとは対称的に図２２Ａ〜図２２Ｂを参照すると、本発明の選択的な実施
態様においては、ウェーハチャックアセンブリ１６００は、ウェーハチャック１
６０４が昇降させられるときに固定されたままであるスリップリングアセンブリ
２２００を有している。さらに詳しく述べるならば、シャフト１８０２はその昇
降時に、スリップリングアセンブリ２２００を貫通してスライドする。 【００５２】 以下に本発明の種々の選択的な実施態様を添付の図面につき説明する。ただし
、これらの選択的な実施態様は、本発明に加え得る全ての可能な変更を含むもの
ではない。むしろこれらの選択的な実施態様は可能な変更のうちのいくつかを示
そうとするものである。 【００５３】 図２３を参照すると、選択的な実施態様において、ウェーハチャック１６０４
の導電素子１８８０はシール部材１８８８（図１８Ａ）のない状態で示されてい
る。加えて、ばね２３０２が導電素子１８８０に電荷を印加する。図１８Ｃに示
したワイヤ１８９０とは対照的に、ばね２３０２は、ウェーハチャック１６０４
が開いたときに、導電素子１８８０から離れて持ち上がる。 【００５４】 図２４を参照すると、別の選択的な実施態様において、ウェーハチャック１６
０４は、Ｚ字形横断面を有するシール部材１８８４を備えた状態で示されている
。Ｌ字形横断面（図１８Ａ）を有するシール部材１８８４と比べて、Ｚ字形横断
面はばね部材１８８２をより確実に適所に保持することができる。しかしながら
、シール部材１８８４は種々様々な横断面を有して形成されていてよい。これに
関連して、これらの可能な横断面について下に図面につき説明する。 【００５５】 図２５を参照すると、さらに別の選択的な実施態様において、ウェーハチャッ
ク１６０４は、上側部分１８５８内に形成された管路１８３２および１８５２を
備えた状態で示されている。しかしながら管路１８３２および１８５２は種々の
形式で形成されてよい。例えば上側部分１８５８の頂面に沿って切欠きを形成す
ることができる。管路１８３２および１８５２は、切欠き内に挿入されたチュー
ブであってよい。こうして管路１８３２および１８５２はより確実に保持するこ
とができる。 【００５６】 図２６を参照すると、さらに別の選択的な実施態様において、ウェーハチャッ
ク１６０４は、ナット２６０２を使用して下側部分１８５６に取り付けられたロ
ッド１８０６を備えた状態で示されている。ロッド１８０６の端部とナット２６
０２の端部とは、電気めっきおよび／または電解研磨プロセス中に電解液からこ
れらを保護するためのキャップ２６０４でシールされている。 【００５７】 図２７を参照すると、選択的な実施態様において、図２６に示した実施態様が
、Ｚ字形横断面を有するシール部材１８８４を備えた状態で示されている。上述
のように、この横断面はばね部材１８８２をより確実に保持することができる。 【００５８】 図２８を参照すると、別の選択的な実施例において、ウェーハチャック１６０
４が管路１８５２を備えた状態で示されている。従ってウェーハチャック１６０
４が閉じられると、先ず真空および／または減圧ガスが、ウェーハチャック１６
０４を一緒に保持する力を増大するために管路１８５２に対して作用させられる
。電気めっきおよび／または電解研磨プロセス後、ウェーハチャック１６０４か
ら電解液をパージするのを助成するために、圧縮ガスを管路１８５２に供給する
ことができる。 【００５９】 図２９を参照すると、さらに別の選択的な実施態様において、ウェーハチャッ
ク１６０４が、真空および／または減圧ガスと圧縮ガスとをウェーハ１６０２の
表面に対して作用させるための管路２９０２を備えた状態で示されている。従っ
て、ウェーハチャック１６０４が閉じられると、真空および／または減圧ガスが
管路１８５２および２９０２に対して作用させられ、ウェーハチャック１６０４
を一緒に保持する力が増大される。電気めっきおよび／または電解研磨プロセス
後、ウェーハチャック１６０４から電解液をパージするのを助成するために、圧
縮ガスを管路１８５２に供給することができる。次いで、ウェーハチャック１６
０４、有利には約１ミリメータ〜約３ミリメータ、有利には１.５ミリメータの
ギャップを有して開かれる。ウェーハチャック１６０４が開かれた後、ウェーハ
１６０２を取り除くのを助成するために、圧縮ガスを管路２９０２に供給するこ
とができる。 【００６０】 図３０を参照すると、さらに別の実施態様において、ウェーハチャック１６０
４が単一の管路３００２を有する状態で示されている。従って、真空および／ま
たは減圧ガスおよび圧縮ガスが、同時に中空部３００４とウェーハ１６０２の表
面とに対して作用させられる。 【００６１】 図３１〜図３３を参照すると、電気めっきおよび／または電解研磨ステーショ
ン１０２の実施例の更なる詳細が示されている。上述のように、電気めっきおよ
び／または電解研磨ステーション１０２は１つまたは複数の電気めっきおよび／
または電解研磨セル１１２を有している。さらに詳しく述べれば、この実施例に
おいては、電気めっきおよび／または電解研磨ステーション１０２は、フレーム
３２０２に設けられた３つの電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２を有
している。しかしながら先に示唆したように、特定の用途に応じてフレーム３２
０２にはあらゆる数の電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２を設けるこ
ともできる。 【００６２】 この実施例においては、電気めっきおよび／または電解研磨ステーション１０
２はさらにガイドレール３２０４と、ウェーハチャックアセンブリ１６００を運
動させるためのエアシリンダ３２０６とを有している。さらに詳しく述べるなら
ば、エアシリンダ３２０６はウェーハチャックアセンブリ１６００を、フレーム
３２０２に取り付けられたガイドレール３２０４に沿って並進運動させる。こう
して、図３２Ａおよび３２Ｂに示したように、ウェーハチャックアセンブリ１６
００およびウェーハチャック１６０４は、ウェーハチャックアセンブリ１６００
およびウェーハチャック１６０４を含む電気めっきおよび／または電解研磨セル
１１２の作業のために、電解液容器１６０８から引き込むことができる。さらに
詳しく述べるならば、図３２Ｂにおいては、電気めっきおよび／または電解研磨
セル１１２は、ウェーハチャックアセンブリ１６００が開位置で引き込まれた状
態で示されている。図３２Ａにおいては、電気めっきおよび／または電解研磨セ
ル１１２は、ウェーハチャックアセンブリ１６００が電解液容器１６０８の上方
の閉位置の状態で示されている。しかしながら、ウェーハチャックアセンブリ１
６００を引き込むために、種々様々なアクチュエータが使用されてよい。 【００６３】 図３１Ａ、図３２Ａおよび図３３Ａを参照すると、電気めっきおよび／または
電解研磨セル１１２は電解液容器１６０８とウェーハチャックアセンブリ１６０
０とを有している。図３２Ａに示したように、ウェーハチャックアセンブリ１６
００は、電解液容器１６０８をカバーするためのリッド１８１０を有している。
リッド１８１０は電解液容器１６０８内部から蒸気を除去するための排気孔３２
０８を有している。こうして、電気めっきおよび／または電解研磨ステーション
１０２内の各電気めっきおよび／または電解研磨セル１１２は個々に排気するこ
とができる。これにより、電気めっきおよび／または電解研磨全体のための大き
な通気システムの必要性が減じられる（図３２Ａおよび図３３Ａ）。 【００６４】 図３１Ａおよび図３２Ａに示したように、ウェーハ１６０２はスロット１８９
２を通して電解液容器１６０８内に挿入し、かつここから取り除くことができる
。さらに詳しく述べるならば、ロボット１０６がウェーハ１６０２を電解質容器
１６０８内に搬入し、かつここから搬出する。スロット１８９２は電解液容器１
６０８に形成されたものとして示されてはいるものの、スロット１８９２はリッ
ド１８１０に形成されていてもよい。 【００６５】 先に説明したように、ウェーハ１６０２はウェーハチャック１６０４によって
保持される（図１８Ａ）。図３１Ａを参照すると、この実施例においては、ウェ
ーハチャックアセンブリ１６００はウェーハ１６０２を、電気めっきおよび／ま
たは電解研磨するために電解液容器１６０８内に下降させる。電気めっきおよび
／または電解研磨プロセスの完了後、ウェーハチャックアセンブリ１６００はウ
ェーハを上昇させてこれを取り除き、新しいウェーハ１６０２を装着する。 【００６６】 図３７を参照すると、上述のように、ウェーハチャックアセンブリ１６００（
図３１Ａ）はブラケット１８１６を有している。この実施例においては、ブラケ
ット１８１６はシャフト１８０２（図１８Ａ）を介してウェーハチャック１６０
４に結合されている。さらに詳しく述べるならば、下に詳細に説明するように、
シャフト１８０２はウェーハチャック１６０４の上側部分１８５８に固定されて
いる。加えて、スリップリングアセンブリ１８３８はブラケット１８１６に固定
されている。さらに、シャフト１８０２はスリップリングアセンブリ１８３８内
に配置されている。 【００６７】 図３５を参照すると、ウェーハチャックアセンブリ１６００の一部がリッド１
８１０の下方に位置していることが明らかである。図３４を参照すると、この実
施例においては、ブラケット１８１６がガイドレール１８２６を有している。さ
らに詳しく述べるならば、この実施例においては、各ガイドレール１８２６は、
ブシュ３４０４内に配置されたロッド３４０２を有している。ロッド３４０２は
リッド１８１０に取り付けられている。加えてこの実施例においては、４つのガ
イドレール１８２６が設けられている。しかしながら、特定の用途に応じて、い
かなる数のガイドレール１８２６が使用されてもよい。 【００６８】 従って、図３５を参照すると、モータ１８２８がガイドレール１８２６に沿っ
てブラケット１８１６を運動させるように構成されている。さらに詳しく述べる
ならば、モータ１８２８はブラケット１８１６を運動させるために、リードスク
リュ１８２０と係合している。加えて、上述のようにこの実施例においては、ブ
ラケット１８１６はブラケット１９０６に結合されている。さらに詳細に述べる
ならば、ブラケット１８１６および１９０６は、ブラケット１８１６および１９
０６の間の運動を可能にするために、ジョイント１９０２および１９０４を介し
て結合されている。先に述べたようにジョイント１９０２および１９０４は、ブ
ラケット１８１６および１９０６がガイドレール１８２６上で動かなくなるおそ
れを減じる。 【００６９】 図３７を参照すると、上述のように、ウェーハチャック１６０４は回転するよ
うに構成されている。図３５を参照すると、モータ１８３６がウェーハチャック
１６０４を回転させるように構成されている（図３７）。さらに詳細に述べるな
らば、この実施例において、モータ１８３６は駆動ベルト１８３４を介してシャ
フト１８０２を回転させる。図３７を再び参照すると、シャフト１８０２はウェ
ーハチャック１６０４の上側部分１８５８に固定されている。加えて、シャフト
１８０２はスリップリングアセンブリ１８３８内で回転する。 【００７０】 続けて図３７を参照すると、上述のように、ウェーハチャック１６０４を開閉
するように構成された複数のばねアセンブリ１８９４を有している。さらに詳し
く述べるならば、この実施例においてはウェーハチャック１６０４は６つのばね
アセンブリ１８９４を有している。しかしながら、特定の用途に応じていかなる
数のばねアセンブリ１８９４が使用されてもよい。 【００７１】 続けて図３７を参照すると、この実施例においては、各ばねアセンブリ１８９
４は、カラー１８０４（図１８Ａ）とは異なるヘッド部分を有するように形成さ
れた一方の端部を備えたロッド１８０６を有している。さらに詳しく述べれば、
図４０Ａおよび図４０Ｂを参照すると、ロッド１８０６の一方の端部はウェーハ
チャック１６０４の下側部分１８５６に固定されている。ロッド１８０６の他方
の端部はヘッド部分４００２を有している。加えて、ばね１８０８はロッド１８
０６の周りに、かつ上側部分１８５８とヘッド部分４００２との間に配置されて
いる。従って、ウェーハチャック１６０４が下降させられた位置にあるときには
、ばね１８０８は伸張させられて、上側部分１８５８と下側部分１８５６とを閉
じた状態に保持するための力を加える。ウェーハチャック１６０４が上昇させら
れると、ヘッド部分４００２はついにリッド１８１０の下面に接触する（図３４
）。従って、ばね１８０８は圧縮されるようになり、ロッド１８０６は上側部分
１８５８を下側部分１８５６から分離して、ウェーハチャック１６０４を開く。 【００７２】 上述のように、図３７を参照すると、ばねアセンブリ１８９４によって加えら
れる力に対して付加的に、真空および／または減じられた圧力が、ウェーハチャ
ック１６０４を一緒に保持するために作用させられる。図４１を参照すると、こ
の実施例においては、真空および／または減じられた圧力が、シール部材４１０
４によって形成された中空部１８３０に対して作用させられる。先に説明したよ
うに、また図１８Ａ〜図１８Ｂに示したように、中空部１８３０は下側部分１８
５に形成され、シール部材１８７８によってシールされている。これと比べて、
再び図４１を参照すると、シール部材４１０４は、スクリュー、ボルト、接着剤
などのようなあらゆる好都合な固定装置および／または固定方法を用いて、下側
部分１８５６内により簡単に取り付けることができる。さらに詳しく述べるなら
ば、この実施例においては、シール部材４１０４はリング１４０６を使用して取
り付けられている。このリングは、ねじ、ボルトなどのようなあらゆる好都合な
固定装置を使用して、下側部分１８５６に固定することができる。リング１４０
６は固定装置によって加えられる力をシール部材４１０４の周りに分配するのを
助成する。加えて、シール部材４１０４の使用は、下側部分１８５６に中空部１
８３０を形成することよりも、コスト的に有利であり、また信頼性も高い。シー
ル部材４１０４はヴィトン（Viton）、（フルオロカーボン）ゴム、シリコーン
ゴムなどのようないかなるフレキシブルで従動的な材料を含んでいてもよい。 【００７３】 図４２を参照すると、上述のように、真空および／または減じられた圧力は、
シール部材１８８４によって形成されるシール性をチェックしかつ／または向上
させるために、中空部１８９２に供給することができる。加えてやはり上述のよ
うに、シール部材１８８４によって形成されるシール性をチェックし、シール部
材１８８４によって形成されるシール性を向上させ、残留する電解液をパージす
るために、また他の種々の目的のために、圧縮ガスを中空部１８９２に供給する
ことができる。 【００７４】 しかしながら、真空および／または減圧ガスが中空部１８９２に対して作用さ
せられると、若干の真空および／または減圧ガスがウェーハ１６０２と上側部分
１８５２との間のインタフェースに滲出するおそれがある。そのような場合、真
空および／または減圧ガスがストップしても、ウェーハチャック１６０４（図３
７）が開位置にあるときにウェーハ１６０２が上側部分１８５２に付着したまま
であるおそれがあるので、ウェーハ１６０２を取り除くのが一層困難になる。図
４６〜図４８を参照すると、ウェーハ１６０２（図４２）が上側部分１８５２（
図４２）に付着するのを阻止するために、ウェーハ１６０２（図４２）と上側部
分（図４２）との間にテクスチャパッド４６００が設けられていてよい。この実
施例においては、テクスチャパッド４６００は、ウェーハ１６０２（図４２）に
接触する表面全体に形成された多数の溝４６０２を有している。このようにする
と、ウェーハ１６０２（図４２）の背後に滲出するあらゆる真空および／または
減圧ガスが一層簡単に逃れることができる。従って、ウェーハ１６０２（図４２
）が上側部分１８５２（図４２）に付着するおそれが少なくなる。 【００７５】 図４１および図４２を再び参照すると、この実施例においては、真空、減じら
れた圧力および／または圧縮ガスが取り付け部材４１０２（図４１）および４２
０２（図４２）を通って、それぞれ中空部１８３０および１８９２に供給される
。図３８を参照すると、真空、減じられた圧力および／または圧縮ガスが通路１
８７４から管路１８３２を通って取り付け部材４１０２（図４１）に供給され、
通路１８７６から管路１８５２を通って取り付け部材４２０２（図４２）に供給
される。 【００７６】 図４３を参照すると、真空、減じられた圧力および／または圧縮ガスはスリッ
プリングアセンブリ１８３８を通って、シャフト１８０２に形成された通路１８
７４および１８７６に供給される。上述のように、スリップリング１８３８は、
シャフト１８０２が回転しているときにも真空および／または減じられた圧力を
シャフト１８０２内に供給するように構成されている。さらに詳しく述べるなら
ば、上述のように、シール部材１８４２はシャフト１８０２とスリップリングア
センブリ１８３８との間に中空部１８６６および１８６８（図１８Ｂ）を形成す
る。これらの中空部内に、真空および／または減じられた圧力を入口１８７０お
よび１８７２を通して導入することができる。 【００７７】 図１６を参照すると、上述のように、電解液容器１６０８内で電解液１６５６
の液面高さと平行に整列された状態でウェーハ１６０２を維持することにより、
電気めっきおよび／または電解研磨の均一性の向上が助成される。これに関連し
て、図４３を参照すると、ブラケット１８１６はウェーハチャック１８５８と平
行に整列されるように構成することができる。 【００７８】 図４４を参照すると、スリップリング１８３８に対するブラケット１８１６の
整列状態は、多数のねじ４３１２および多数の止めねじ４３１４を多様に調整す
ることによって調整することができる。さらに詳しく述べるならば、ブラケット
１８１６とスリップリングアセンブリ１８３８との間のギャップを、ねじ４３１
２および止めねじ４３１４を調整することによってそれぞれ増大させ、減小させ
ることができる。この実施例においては、少なくとも３つのねじ４３１２および
３つの止めねじ４３１４を使用することによって、スリップリングアセンブリ１
８３８をブラケット１８１６に対して相対的にほぼ水平に保つことが可能になる
。しかしながら、ブラケット１８１６とスリップリングアセンブリ１８３８との
整列状態を調整することを可能にするために、種々の装置および方法が採用され
てよい。 【００７９】 図４５を参照すると、シャフト１８０２に対する上側部分１８５８の整列状態
は、複数のねじ４３０４と止めねじ４３０６とを多様に調整することにより、調
整することができる。この実施例においてはねじ４３０４と止めねじ４３０６と
を調整することにより、ステム部材４３０２に対する上側部分１８５８の整列状
態が調整される。さらに詳細に述べるならば、上側部分１８５８とステム部材４
３０２との間のギャップはねじ４３０３と止めねじ４３０６とを使用して調整す
ることができる。この実施例においては、３つのねじ４３０４を使用し、上側部
分１８５８およびステム部材４３０２の中心に止めねじ４３０６を配置すること
により、ステム部材４３０２に対して上側部分１８５８をほぼ平行に保つことが
可能になる。 【００８０】 加えて、この実施例においては、ステム部材４３０２は複数のボルト４３０８
でシャフト１８０２に取り付けられている。こうして上側部分１８５８はその整
列状態を再設定する必要なしにシャフト１８０２から取り外すことができる。先
に示唆したように、ウェーハチャック１６０４（図３７）は検査、修理、メンテ
ナンスなどのような種々の目的で取り外すことができる。あとで再整列を容易に
するために、図４３を参照すると、この実施例においては、ステム部材４３０２
とシャフト１８０２とはほぞ・ほぞ穴状のジョイントを使用して結合されている
。加えて、ボルト４３０８はステム部材４３０２とシャフト１８０２とにだけ接
触している。従って、ボルト４３０８の調整がステム部材４３０２に対する上側
部分１８５８の整列状態に影響を与えることはない。 【００８１】 このようにウェーハチャックアセンブリの種々の実施例について説明してきた
が、以下にウェーハチャック１６０４の種々の実施例について説明する。図４９
を参照すると、ウェーハチャック１６０４は下側部分１８５６と上側部分１８５
８とを有している。下側部分１８５６は、電気めっきおよび／または電解研磨プ
ロセス中にウェーハ１６０２の底面を露出するための開口を有するように形成さ
れている。 【００８２】 １つの実施例においては、下側部分１８５６および上側部分１８５８は、電気
的に絶縁されて耐酸性および耐食性を有する好都合な材料、例えばセラミックス
、ポリテトラフルオロエチレン（商業的にはＴＥＦＬＯＮ（登録商標）として知
られている）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリ弗化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、
ポリプロピレンなどから成っている。この代わりに、下側部分１８５６および上
側部分１８５８はいかなる導電性材料（例えば金属、金属合金など）から成って
いてよい。この導電性材料は、電気的に絶縁性を有して耐酸性および耐食性を有
する材料で被覆されている。この実施例においては下側部分１８５６と上側部分
１８５８とは、金属層がプラスチック層で挟まれたサンドイッチ構造から成って
いる。金属層は構造的な保全性および強度を提供する。プラスチック層は電解液
に対する保護を提供する。 【００８３】 本発明の種々の観点に基づくウェーハチャック１６０４はさらに、ばね部材１
８８２と導電素子１８８０とシール部材１８８４とを有している。先に示唆した
ように、本発明は、半導体ウェーハの保持に関連した使用に特に適している。一
般的に半導体ウェーハはほぼ円形の形状を有している。従って、ウェーハチャッ
ク１６０４の種々の構成部分（すなわち下側部分１８５６、シール部材１８８４
、導電素子１８８０、ばね部材１８８２および上側部分１８５８）はほぼ円形形
状を有するものとして示されている。しかしながら、ウェーハチャック１６０４
の種々の構成部分は、特定の用途に応じた種々の形状を有していてよい。例えば
、図６７を参照すると、ウェーハ６７００は平らなエッジ６７０２を有するよう
に形成されていてよい。従って、ウェーハチャック１６０４の種々の構成部分は
フラットなエッジ６７０２に適合させることができる。 【００８４】 図５１を参照すると、ウェーハ１６０２が下側部分１８５６と上側部分１８５
８との間に配置されているとき、本発明の１つの観点に従って、ばね部材１８８
２はウェーハ１６０２に外周部の周りで接触していると有利である。ばね部材１
８８２はさらに導電素子１８８０に接触していると有利である。こうして電荷が
導電素子１８８０に印加されると、この電荷はばね部材１８８２を介してウェー
ハ１６０２に伝達される。 【００８５】 図５１に示したように、この実施例においては、ばね部材１８８２はウェーハ
１６０２と導電素子１８８０のリップ部分１８８０ａとの間に配置されている。
従って下側部分１８５６と上側部分１８５８とを一緒に保持するために圧力が加
えられると、ばね部材１８８２はウェーハ１６０２と導電素子１８８０との間に
電気的な接触を維持するように適合させられる。さらに詳しく述べるならば、ば
ね部材１８８２のコイルの頂部と底部とはそれぞれウェーハ１６０２とリップ部
分１８８０ａとに接触している。加えて、はんだ付けなどのようなあらゆる好都
合な方法を用いてより良好な電気的なコンタクトを形成するために、ばね部材１
８８２はリップ部分１８８０ａに結合されていてよい。 【００８６】 ウェーハ１６０２と導電素子１８８０との間に形成された接点の数は、ばね部
材１８８２内のコイルの数を変えることにより、変更することができる。こうし
て、ウェーハ１６０２に印加された電荷はウェーハ１６０２の外周部の周りによ
り均一に分配することができる。例えば２００ミリメータ（ｍｍ）のウェーハの
ためには、典型的には約１〜１０アンペアを有する電荷が印加される。ばね部材
１８８２がウェーハ１６０２との約１０００の接点を形成している場合、２００
ｍｍのウェーハのためには、印加される電荷は１接点当たり約１〜約１０ミリア
ンペアに減じられる。 【００８７】 この実施例においては、導電素子１８８０は、このようにリップ部分１８８０
ａを有するものとして示し説明してきたが、導電素子１８８０は、ばね部材１８
８２に電気的に接触するための種々様々な形状を有していてよい。例えば、導電
素子１８８０は、リップ部分１８８０ａなしで形成することができる。このよう
な形状においては、電気的なコンタクトは導電素子１８８０の側面とばね部材１
８８２との間に形成することができる。さらに導電素子１８８０は全体を取り除
くことができる。電荷はばね部材１８８２に直接的に印加することができる。し
かしながらこのような構成においては、ホットスポットがばね部材１８８２の、
電荷が印加される部分に形成されるおそれがある。 【００８８】 ばね部材１８８２は導電性および耐食性を有するあらゆる好都合な材料から成
っていてもよい。この実施例においては、ばね部材１８８２は（ステンレス鋼、
ばね鋼、チタンなどのような）金属または金属合金から成っている。ばね部材は
、（白金、金などのような）耐食性材料で被覆されていてもよい。本発明の１つ
の観点に従って、ばね部材１８８２は、リング状に形成されたコイルばねとして
形成されている。しかしながらコンベンショナルなコイルばねは典型的には、コ
イルの全長にわたって変化させることができる横断面を有している。さらに詳し
く述べるならば、一般的にはコンベンショナルなコイルばねは長い直径と短い直
径とを有する楕円形横断面を有している。コイルの一部において、楕円形横断面
の長い直径および短い直径は、それぞれ鉛直方向および水平方向に方向付けされ
得る。しかしながら楕円形横断面は典型的にはコイルばねの長さに沿ってねじれ
るか、または回転する。従ってコイルばねの別の部分においては、楕円横断面の
長い直径および短い直径はそれぞれ水平方向および鉛直方向に方向付けされるお
それがある。横断面におけるこのような不均一性は、ウェーハ１６０２との不均
一な電気的な接触、ひいては不均一な電気めっきを招いてしまう。 【００８９】 均一な横断面をその全長にわたって有するコイルばねは製造するのが困難であ
り、著しく高いコストがかかってしまう。従って、本発明の１つの観点に従い、
ばね部材１８８２はほぼ均一な横断面を維持するために、複数のコイルばねから
成っている。この実施態様の１つの形態においては、ばね部材１８８２がリップ
部分１８８０ａの頂面に配置されている場合、印加された電荷はリップ部分１８
８０ａからばね部材１８８２の全長にわたって伝達される。従ってこのような形
態においては複数のコイルばねは電気的に結合される必要はない。しかしながら
、先に示唆したように、本発明の別の形態においては、電荷はばね部材１８８２
に直接的に印加することができる。このような形態においては、複数のコイルば
ねは、はんだ付け、溶接などのような好都合な方法を用いて電気的に結合される
。この実施態様においては、ばね部材１８８２は複数のコイルばねを有しており
、それぞれのコイルばねが約１〜約２インチの長さを有している。しかしながら
、コイル部材１８８２は、特定の用途に応じて、あらゆる長さを備えたあらゆる
数のコイルばねを有していてよい。さらに、先に示唆したように、ばね部材１８
８２は適合性を有するいかなる好都合な導電材料を有していてもよい。 【００９０】 図５０および図５１を参照すると、ばね部材１８８２はばねホルダ５００２を
有していてよい。この実施例においては、ばね部材１８８２がコイルばねの場合
、ばねホルダ５００２はコイルばねのループの中心を貫通するロッドとして形成
されている。ばねホルダ１８８２は、特にばね部材１８８２が複数のコイルばね
を有している場合、ばね部材１８８２の取り扱いを容易にする。加えて、ばねホ
ルダ５００２はばね部材１８８２の望ましくない変形を減じるための構造的な支
持を提供する。この実施例においては、ばねホルダ５００２は（金属、金属合金
、プラスチックなどのような）剛性材料から成っていると有利である。加えて、
ばねホルダ５００２は（白金、チタン、ステンレス鋼などのような）耐食性材料
から成っていると有利である。さらに、ばねホルダ５００２は導電性または非導
電性であってよい。 【００９１】 導電素子１８８０は導電性かつ非腐食性を有するいかなる材料から成っていて
もよい。この実施例においては、導電素子１８８０は（チタン、ステンレス鋼な
どのような）金属または金属合金から成っており、（白金、金などのような）耐
食性材料で被覆されている。 【００９２】 電荷は伝送線路５１０４と電極５１０２を介して導電素子１８８９に印加する
ことができる。伝送線路５１０４はあらゆる好都合な導電性媒体を有していても
よい。例えば伝送線路５１０４は、銅、アルミニウム、金などから成る電気的な
ワイヤを有していてよい。加えて、伝送線路５１０４は好都合な方法を用いて、
給電部１６４０，１６４２，１６４４に接続されていてよい。例えば、図１８Ａ
に示したように、伝送線路５１０４は上側部分１８５８を通って、上側部分１８
５８の頂面に沿って延びていてよい。 【００９３】 電極５１０２は従動的に形成されていると有利である。従って、下側部分１８
５６と上側部分１８５８とを一緒に保持するために圧力が加えられると、電極５
１０２は導電素子１８８０との電気的な接触を維持するために従動する。このこ
とに関連して、電極５１０２は板ばねアセンブリ、コイルばねアセンブリなどを
有していてよい。電極５１０２は（金属、金属合金などのような）いかなる好都
合な導電材料から成っていてもよい。この実施例においては、電極５１０２は（
チタン、ステンレス鋼などのような）非腐食性材料から成っている。加えて、導
電素子１８８０に電荷を印加するために、上側部分１８５８の周りにはいかなる
数の電極５１０２を配置してもよい。この実施例においては、４つの電極がほぼ
均一にスペースを置いて、約９０°の間隔で上側部分１８５８の周りに配置され
ている。 【００９４】 上述のように、金属層を電気めっきするために、ウェーハ１６０２は電解液中
に浸入させられ、電荷がウェーハ１６０２に印加される。ウェーハ１６０２が電
極１６３２，１６３４，１６３６（図１６）よりも大きな電位で荷電され、電解
液中の金属イオンが、金属層を形成するためにウェーハ１６０２の表面に向かっ
て移動する。しかしながら、電荷が印加されるときに、ばね部材１８８２および
／または導電素子１８８０が電解液に晒されると、短絡が生じるおそれがある。
加えて、電気めっきプロセス中には、ウェーハ１６０２が金属の種子層（seed l
ayer)を有している場合、金属種子層がアノードとして作用し、ばね部材１８８
２がカソードとして作用するおそれがある。こうして、金属層がばね部材１８８
２に形成され、ウェーハ１６０２の種子層が電解研磨される（すなわち除去され
る）おそれがある。ばね部材１８８２の短絡およびウェーハ１６０２の種子層の
除去により、ウェーハ１６０２に形成された金属層の均一性が減じられるおそれ
がある。 【００９５】 これにより、本発明の種々の観点に従って、シール部材１８８４がばね部材１
８８２と導電素子１８８０とを電解液から絶縁する。シール部材は非腐食性材料
、例えばヴィトン（フルオロカーボン）ゴム、シリコーンゴムなどから形成され
ていると有利である。さらに、図５１に示した実施例においては、シール部材１
８８４がＬ字形横断面を有してはいるが、シール部材１８８４は特定の用途に応
じて種々様々な形状および形態を有していてよい。シール部材１８８４の種々の
形態のいくつかの例が図５３Ａ〜図５３Ｇに示されている。しかしながら、図５
３Ａ〜図５３Ｇに示された種々の形態は一例に過ぎず、シール部材１８８４の可
能な選択的な形態を全て示そうとするものではない。 【００９６】 上に説明し図５１に示したように、ばね部材１８８２とシール部材１８８４と
が、ウェーハ１６０２の外周部の周りでウェーハ１６０２に接触している。さら
に詳しく述べるならば、ばね部材１８８２とシール部材１８８４とがウェーハの
外周部の幅５１０６に接触している。一般的にウェーハ１６０２のこの領域は、
後でマイクロエレクトロニックな構造などを形成するためには使用することはで
きない。本発明の１つの観点に従い、幅５１０６はウェーハ１６０２の表面積全
体の小さな割合で維持されている。例えば約３００ミリメータ（ｍｍ）のウェー
ハのためには、幅５１０６は約２ｍｍ〜約６ｍｍの間で保たれている。しかしな
がら、幅５１０６は特定の用途に応じて、ウェーハ１６０２の表面積全体のいか
なる割合を占めていてもよい。例えば１つの用途においては、ウェーハ１６０２
に堆積された金属層の量がウェーハ１６０２の使用可能な領域よりも重要な場合
がある。こうして、ウェーハ１６０２の表面積のうちの大きな部分を、大きな電
荷を受けるために、ばね部材１８８２とシール部材１８８４とに接触するのに用
いることができる。 【００９７】 図５４を参照すると、ウェーハチャック１６０４（図５１）によって実施され
る処理ステップがフローチャートの形式で示されている。図５１を参照すると、
ウェーハチャック１６０４が、処理されるべきウェーハ１６０２を受けるために
開かれる（図５４、ブロック５４０２）。さらに詳しく述べると、下側部分１８
５６は、上側部分１８５８に対して下降させることができる。その代わりに、上
側部分１８５８を下側部分１８５６に対して上昇させることもできる。先に示唆
したように、ウェーハチャック１６０４を開くために、空気圧、ばね、真空、磁
気などのような種々の方法が用いられてよい。 【００９８】 ウェーハチャック１６０４が空の場合（図５４、決定ブロック５４０４のＹＥ
Ｓ分岐〜ブロック５４０８）、処理されるべき新しいウェーハ１６０２が供給さ
れ、挿入される（図５４、ブロック５４０８）。しかしウェーハチャック１６０
４が前に処理されたウェーハを有している場合には、前に処理されたこのウェー
ハがウェーハチャック１６０４から取り除かれ（図５４、決定ブロック５４０４
のＮＯ分岐〜ブロック５４０６）、次いで新しいウェーハ１６０２が提供される
（図５４、ブロック５４０８）。上述のようにウェーハ１６０２のハンドリング
はロボット１０６（図１６）によって行うことができる。さらにウェーハ１６０
２はウェーハカセット１１６（図３）から得て、ウェーハカセット１１６（図３
）に戻すこともできる。 【００９９】 ウェーハ１６０２はウェーハチャック１６０４内に供給されたあと、ウェーハ
チャック１６０４を閉じることができる（図５４、ブロック５４１０）。上に示
唆したように、下側部分１８５６を上側部分１８５８に対して上昇させることが
できる。この代わりに上側部分１８５８を下側部分１８５６に対して下降させる
こともできる。上述のように、ウェーハチャック１６０４が閉じられると、ばね
部材１８８２がウェーハ１６０２と導電素子１８８０との電気的なコンタクトを
形成する。加えて、導電素子１８８０が電極５０２との電気的なコンタクトを形
成する。 【０１００】 ウェーハチャック１６０４が閉じられたあと、ウェーハチャック１６０４が電
解液容器（１６０８）内に下降させられる（図５４、ブロック５４１２）。上述
のように、ウェーハ１６０２は電解液内に浸入させられる。やはり上述のように
、シール部材１８８４は電解液がばね部材１８８２および導電素子１８８０と接
触するのを阻止する。 【０１０１】 ウェーハ１６０２が電解液中に浸入させられているとき、電荷がウェーハ１６
０２（図５４、ブロック５４１４）に印加される。さらに詳しく述べるならば、
この実施例においては電荷は伝送線路５０４、導体５０２、導電素子１８８０お
よびばね部材１８８２を介してウェーハ１６０２に印加される。上述のように、
ばね部材１８８２はウェーハ１６０２の外周部の周りに複数の接点を形成して、
ウェーハ１６０２に印加された電荷のより均一な分配を容易にする。加えて、上
述のように、ばね部材１８８２は導電素子１８８０との複数の接点を形成して、
ばね部材１８８２に印加された電荷のより均一な分配を容易にする。なお、電荷
はウェーハチャック１６０２が電解液容器１６０８（図１６）内に下降させられ
る前または後に印加されてよい。 【０１０２】 先に示唆したように、ウェーハチャック１６０４は、ウェーハ１６０２（図１
６）上に金属層をより均一に電気めっきすることを容易にするために回転させる
ことができる。図１６で示唆したように、この実施例においては、ウェーハチャ
ック１６０４はｚ軸線を中心にして回転させることができる。加えて、ウェーハ
チャック１６０４はｘ−ｙ平面内で振動させることができる。 【０１０３】 図５１を参照すると、ウェーハ１６０２が電気めっきおよび／または電解研磨
されたあと、ウェーハチャック１６０４は電解液容器１６０８（図１６）から上
昇させることができる。本発明の別の観点に従って、（アルゴン、窒素などのよ
うな）ドライガスが、残留電解液を除去するために供給される。さらに詳しく述
べるならば、図５２Ａを参照すると、ドライガスはノズル５２０２を通して供給
されて、シール部材１８８４とウェーハ１６０２との間の結合部から残留電解液
が除去される。なお、特定の用途に応じて、あらゆる数のノズル５２０２を使用
することができる。加えて、ウェーハチャック１６０４は、ドライガスがノズル
５２０２を通して供給されている間に回転させることができる。ノズル５２０２
自体は定置でも可動でもよい。 【０１０４】 ウェーハチャック１６０４が上昇させられたあと、チャック１６０４が開かれ
る（図５４、ブロック５４０２）。次いで処理されたウェーハが取り除かれる（
図５４、決定ブロック５４０４のＮＯ分岐〜ブロック５４０６）。（アルゴン、
窒素などのような）ドライガスが、残留電解液を除去するために供給されてよい
。さらに詳しく述べると、図５２Ｂを参照すると、ドライガスは、導電素子１８
８０とばね部材１８８２とシール部材１８８４とから残留電解液を取り除くため
にノズル５４０４を通して供給される。加えて、ドライガスがノズル５２０４を
通して供給されているあいだ、ウェーハチャック１６０４を回転させることがで
きる。 【０１０５】 新しいウェーハが供給された（図５４、ブロック５４０８）あと、プロセス全
体が繰り返される。しかしながら、本発明の思想および範囲から逸脱することな
しに、図５４に示したステップに種々の変更を加えることができる。 【０１０６】 関連の図面につき以下に説明するように、本発明の種々の観点に従って、種々
の選択的な実施態様について説明する。しかしながら、これらの選択的な実施態
様は，本発明に加えることのできる種々の変更の全てを示そうとするものではな
い。むしろこれらの選択的な実施態様は、本発明の思想および／または範囲を逸
脱することなしに実施することが可能な、多くの変更のうちのいくつかを示すに
過ぎない。 【０１０７】 図５５を参照すると、本発明の選択的な実施例において、本発明の種々の観点
に基づいたウェーハチャック５５００はパージ管路５５０６とノズル５５０８と
ノズル５５１０とを有している。この実施例においては、パージ管路５５０６と
ノズル５５０８および５５１０とは（アルゴン、窒素などのような）ドライガス
をばね部材５５１４とシール部材５５０４とに噴射する。こうして、ウェーハ１
６０２が処理されたあと、残留電解液をばね部材５５１４とシール部材５５０４
とからパージすることができる。上述のように、ばね部材５５１４を電解液のな
い状態に維持することにより、より均一な電気めっきプロセスを行うことが容易
になる。加えて、シール部材５５０４から電解液をパージすることにより、次の
ウェーハが処理されるときに、より良好にシールを行うことが容易になる。図５
５に示したように、この実施例においては、パージ管路５５０６とノズル５５０
８および５５１０とが導電素子５５０２内に形成されている。加えて、パージ管
路５５０６を圧力管路１８５２（図１８Ａ）に接続することができる。しかしな
がら、ウェーハチャック５５００は、本発明の思想および／または範囲から逸脱
することなしに種々の形式で、パージ管路５５０６とノズル５５０８および５５
１０とを有するように適切に構成することができる。さらに、いかなる数のパー
ジ管路５５０６、ノズル５５０８および５５１０がウェーハチャック５５００内
に形成されていてもよい。 【０１０８】 図５６を参照すると、本発明の別の選択的な実施例においては、本発明の種々
の観点に基づいたウェーハチャック５６００はパージ管路５６０２と複数のノズ
ル５６０４とを有している。この実施例においては、パージ管路５６０２と複数
のノズル５６０４とは（アルゴン、窒素などのような）ドライガスをシール部材
５６０５に噴射する。こうして、ウェーハ１６０２が処理され、ウェーハチャッ
ク５６００から取り除かれた後、残留電解液をシール部材５６０６の頂面からパ
ージすることができる。図５６に示したように、この実施例においては、パージ
管路と複数のノズル５６０４とが上側部分５６０８内に形成されている。しかし
ながら、ウェーハチャック５６００は、本発明の思想および／または範囲から逸
脱することなしに種々の形式で、パージ管路５６０２およびノズル５６０４を有
するように適切に構成することができる。さらに、いかなる数のパージ管路５６
０２、ノズル５６０４がウェーハチャック５６００内に形成されていてもよい。 【０１０９】 図５７を参照すると、本発明のさらに別の選択的な実施例において、本発明の
種々の観点に基づいたウェーハチャック５７００はパージ管路５７０２と複数の
ノズル５７０４および５７１０とを有している。この実施例においては、パージ
管路５７０２と複数のノズル５７０４および５７１０とは（アルゴン、窒素など
のような）ドライガスをシール部材５７０６とばね部材５７１２とにそれぞれ噴
射する。こうして、ウェーハ１６０２が処理され、ウェーハチャック５７００か
ら取り除かれた後、残留電解液をシール部材５７０６の頂面とばね部材５７１２
の頂面とからパージすることができる。図５７に示したように、この実施例にお
いては、パージ管路５７０２と複数のノズル５７０４および５７１０とが上側部
分５７０８内に形成されている。しかしながら、ウェーハチャック５７００は本
発明の思想および／または範囲から逸脱することなしに種々の形式で、パージ管
路５７０２と複数のノズル５７０４および５７１０とを有するように適切に構成
することができる。さらに、いかなる数のパージ管路５７０２とノズル５７０４
および５７１０とがウェーハチャック５７００内に形成されていてもよい。 【０１１０】 図５８を参照すると、本発明のさらに別の選択的な実施例において、本発明の
種々の観点に基づいたウェーハチャック５８００はパージ管路５８０２と複数の
シールリング５８０４および５８０６とを有している。この実施例においては、
シールリング５８０６は導電素子５８０８と下側部分５８１０との間のシールを
形成している。同様にシールリング５８０４は、導電素子５８０８と上側部分５
８１２との間のシールを形成している。その結果、正圧ガスをパージ管路５８０
２に供給し、漏れをチェックすることによって、ウェーハ１６０２とシール部材
５８１４との間のシール品質をチェックすることができる。この代わりにパージ
管路５８０２は、ウェーハ１６０２とシール部材５８１４との間のシール品質を
チェックするために負圧を発生させるように、ポンプ作用を受けることができる
。この後者のプロセスが使用される場合には、電解液がパージ管路５８０２内に
吸い込まれるのを阻止するために、ウェーハ１６０２の処理後にパージ管路５８
０２のポンピングを終え、次いでウェーハ１６０２を取り除く前に正圧をパージ
管路５８０２を通して噴射しなければならない。ウェーハ１６０２が処理され、
ウェーハチャック１２００から取り除かれたあと、（アルゴン、窒素などのよう
な）ドライガスをパージ管路５８０２を通して噴射することによって、残留電解
液をばね部材５８１６とシール部材５８１４とからパージすることができる。 【０１１１】 図５９を参照すると、本発明のさらに別の選択的な実施例において、本発明の
種々の観点に基づいたウェーハチャック５９００は、台形形状を備えたシール部
材５９０２を有している。ウェーハチャック５９００がウェーハ１６０２の処理
後に回転させられると、シール部材５９０２の台形形状により、残留電解液をシ
ール部材５９０２から取り除くことが簡単になる。この実施例において、シール
部材５９０２の角度５９０４は約０°〜約６０°の範囲にあってよく、有利には
約２０°である。 【０１１２】 図６０を参照すると、本発明のさらに別の選択的な実施例において、本発明の
種々の観点に基づいたウェーハチャック６０００はパージ管路６００２を有して
いる。この実施例においては、パージ管路６００２は底部部分６００６とシール
部材６００４とを貫通して形成されている。パージ管路６００２を通して正圧ガ
スを供給することによって、ウェーハ１６０２とシール部材６００４との間のシ
ール品質をチェックすることができる。この代わりに、パージ管路６００４は、
ウェーハ１６０２とシール部材６００４との間のシール品質をチェックするため
に負圧を発生させるように、ポンプ作用を受けることができる。上述のように、
後者のプロセスが使用される場合には、電解液がパージ管路６００２内に吸い込
まれるのを阻止するために、ウェーハ１６０２の処理後にパージ管路６００２の
ポンピングを終え、次いでウェーハ１６０２を取り除く前に正圧をパージ管路６
００２を通して噴射しなければならない。 【０１１３】 図６１を参照すると、本発明のさらに別の選択的な実施例において、本発明の
種々の観点に基づいたウェーハチャック６１００はパージ管路６１０２とパージ
管路６１０８と複数のシールリング６１１６および６１０６とを有している。こ
の実施例において、シールリング６１１６は、導電素子６１１８と上側部分６１
１０との間のシールを形成する。同様に、シールリング６１０４は導電素子６１
１８と下側部分６１０６との間のシールを形成する。その結果、ウェーハ１６０
２とシール部材６１１２との間のシール品質を、パージ管路６１０２および／ま
たはパージ管路６１０８を使用してチェックすることができる。 【０１１４】 さらに詳しく述べるならば、１つの形態において、シール品質は、パージ管路
６１０２とパージ管路６１０８とに圧縮ガスを供給することによってチェックし
、漏れをチェックすることができる。別の形態においては、パージ管路６１０２
とパージ管路６１０８とが、ウェーハ１６０２とシール部材６１１２との間のシ
ール品質をチェックするために負圧を発生させるようにポンプ作用を受けること
ができる。さらに別の形態においてはパージ管路６１０２およびパージ管路６１
０８のうちの一方に圧力を供給することができ、他方のパージ管路が負圧を発生
させるためにポンプ作用を受ける。負圧が漏れのためのチェックに使用される場
合には、電解液がパージ管路６１０２および／またはパージ管路６１０８内に吸
い込まれるのを阻止するために、ウェーハ１６０２の処理後にポンピングを終え
、次いでウェーハ１６０２を取り除く前に正圧をパージ管路６１０２および／ま
たはパージ管路６１０８を通して噴射しなければならない。ウェーハ１６０２が
処理され、ウェーハチャック６１００から取り除かれたあと、（アルゴン、窒素
などのような）ドライガスをパージ管路６１０２および／またはパージ管路６１
０８を通して噴射することによって、残留電解液をシール部材６１１２とばね部
材６１１４とからパージすることができる。 【０１１５】 図６２を参照すると、本発明のさらに別の選択的な実施例において、本発明の
種々の観点に基づいたウェーハチャック６２００はばね部材６２０８と、導電素
子６２１０と、シール部材６２０６とを有している。この実施例においては、ば
ね部材６２０８と導電素子６２１０とはシール部材６２０６内に配置されている
。このような形態の利点は、ばね部材６２０８と、導電素子６２１０と、シール
部材６２０６とを予め組み立てることができることである。 【０１１６】 ウェーハチャック６２００はさらにパージ管路６２１４と、シール部材６２１
４を貫通して形成された複数のノズル６２１２と、導電素子６２１０とを有して
いる。パージ管路６２１４を通して正圧ガスを供給することによって、ウェーハ
１６０２とシール部材６２０６との間のシール品質をチェックすることができる
。この代わりに、パージ管路６２１４は、ウェーハ１６０２とシール部材６２０
６との間のシール品質をチェックするために負圧を発生させるように、ポンプ作
用を受けることができる。上述のように、後者のプロセスが使用される場合には
、電解液がパージ管路６２１４内に吸い込まれるのを阻止するために、ウェーハ
１６０２の処理後にパージ管路６２１４のポンピングを終え、次いでウェーハ１
６０２を取り除く前に正圧をパージ管路６２１４を通して噴射しなければならな
い。 【０１１７】 図６３を参照すると、本発明のさらに別の選択的な実施例において、本発明の
種々の観点に基づいたウェーハチャック６３００はパージ管路６３０２と複数の
ノズル６３０４とを有している。この実施例においては、パージ管路６３０２と
複数のノズル６３０４とは（アルゴン、窒素などのような）ドライガスを、シー
ル部材６３１０と、導電素子６３０８と、ばね部材６３０６とに噴射する。こう
して、ウェーハ１６０２が処理され、ウェーハチャック６３００から取り除かれ
たあと、残留電解液をシール部材６３１０、導電素子６３０８およびばね部材６
３０６の各頂面からパージすることができる。図６３に示したようにこの実施例
においては、パージ管路６３０２と複数のノズル６３０４とは上側部分６３１２
内に形成されている。しかしながらウェーハチャック６３００は、本発明の思想
および／または範囲から逸脱することなしに種々の形式で、パージ管路６３０２
および複数のノズル６３０４を有するように適切に構成することができる。さら
に、いかなる数のパージ管路６３０２、ノズル６３０４がウェーハチャック６３
００内に形成されていてもよい。 【０１１８】 図６４を参照すると、本発明のさらに別の選択的な実施例においては、ウェー
ハチャック６４００はシール部材６４０２を有している。この実施例においては
、シール部材６４０２は、ばね部材６４０４を受容するための正方形の切欠きを
内部に有するように形成されている。このような形態の利点は、ばね部材をより
確実に受容できることである。しかしながら、シール部材６４０２は特定の用途
に応じて種々様々な形状を有するように形成されていてよい。 【０１１９】 図６５を参照すると、本発明の別の選択的な実施例においては、本発明の種々
の観点に基づいたウェーハチャック６５００は、パージ管路６５０２と、パージ
管路６５０８と、シールリング６５０６とを有している。この実施例においては
、シールリング６５０６は下側部分６５０４と上側部分６５１０との間のシール
を形成している。その結果、ウェーハ１６０２とシール部材６５１２との間のシ
ール品質を、パージ管路６５０２および／またはパージ管路６５０８を使用して
チェックすることができる。 【０１２０】 さらに詳しく述べるならば、１つの形態において、シール品質は、パージ管路
６５０２とパージ管路６５０８とに圧縮ガスを供給することによってチェックし
、漏れをチェックすることができる。別の形態においては、パージ管路６５０２
とパージ管路６５０８とが、ウェーハ１６０２とシール部材６５１２との間のシ
ール品質をチェックするために負圧を発生させるようにポンプ作用を受けること
ができる。さらに別の形態においてはパージ管路６５０２およびパージ管路６５
０８のうちの一方に圧力を供給することができ、他方のパージ管路が負圧を発生
させるためにポンプ作用を受ける。負圧が漏れのためのチェックに使用される場
合には、電解液がパージ管路６５０２および／またはパージ管路６５０８内に吸
い込まれるのを阻止するために、ウェーハ１６０２の処理後にポンピングを終え
、次いでウェーハ１６０２を取り除く前に正圧をパージ管路６５０２および／ま
たはパージ管路６５０８を通して噴射しなければならない。ウェーハ１６０２が
処理され、ウェーハチャック６５００から取り除かれたあと、（アルゴン、窒素
などのような）ドライガスをパージ管路６５０２および／またはパージ管路６５
０８を通して噴射することによって、残留電解液をシール部材６５１２とばね部
材６５１４とからパージすることができる。 【０１２１】 図６６を参照すると、本発明のさらに別の選択的な実施例において、本発明の
種々の観点に基づいたウェーハチャック６６００は、台形形状を備えたシール部
材６６０２を有している。ウェーハチャック６６００がウェーハ１６０２の処理
後に回転させられると、シール部材６６０２の台形形状により、残留電解液をシ
ール部材６６０２から取り除くことが簡単になる。この実施例において、シール
部材６６０２の角度６６０４は約０°〜約６０°の範囲にあってよく、有利には
約２０°である。 【０１２２】 先に述べたように、本発明について、添付の図面に示した多数の選択的な実施
態様と関連付けて説明してきたが、本発明の思想および／または範囲から逸脱す
ることなしに種々の変更を加えることができる。従って、本発明は、図面に示し
上に説明した特定の形に限定したものとしては構成されない。 【図面の簡単な説明】 【図１】 ウェーハ処理ツールの実施例を示す頂面図である。 【図２】 図１に示したウェーハ処理ツールを２−２線に沿って示す横断面図である。 【図３】 図１に示したウェーハ処理ツールを３−３線に沿って示す別の横断面図である
。 【図４】 図１に示したウェーハ処理ツールを使用してウェーハを処理するためのフロー
チャートである。 【図５】 図１に示したウェーハ処理ツールの選択的な形態を示す頂面図である。 【図６】 図５に示したウェーハ処理ツールを６−６線に沿って示す横断面図である。 【図７】 図５に示したウェーハ処理ツールを７−７線に沿って示す別の横断面図である
。 【図８】 図１に示したウェーハ処理ツールの別の選択的な形態を示す頂面図である。 【図９】 図１に示したウェーハ処理ツールのさらに別の選択的な形態を示す頂面図であ
る。 【図１０】 図１に示したウェーハ処理ツールのさらに別の選択的な形態を示す頂面図であ
る。 【図１１】 図１０に示したウェーハ処理ツールを１１−１１線に沿って示す横断面図であ
る。 【図１２】 図１０に示したウェーハ処理ツールを１２−１２線に沿って示す別の横断面図
である。 【図１３】 図１に示したウェーハ処理ツールの別の選択的な形態を示す。 【図１４】 図１３に示したウェーハ処理ツールの１４−１４線に沿って示す横断面図であ
る。 【図１５】 図１３に示したウェーハ処理ツールの１５−１５線に沿って示す別の横断面図
である。 【図１６】 電気めっきおよび／または電解研磨セルの実施例を示す横断面図である。 【図１７】 図１６に示した電気めっきおよび／または電解研磨セルの一部を示す頂面図で
ある。 【図１８Ａ】 ウェーハチャックアセンブリの実施例を示す横断面図である。 【図１８Ｂ】 ウェーハチャックアセンブリの実施例を示す横断面図である。 【図１８Ｃ】 ウェーハチャックアセンブリの実施例を示す横断面図である。 【図１９】 図１８Ａ〜図１８Ｃに示したウェーハチャックアセンブリの選択的な形態を示
す横断面図である。 【図２０】 図１８Ａ〜図１８Ｃに示したウェーハチャックアセンブリの別の選択的な形態
を示す横断面図である。 【図２１】 図１８Ａ〜図１８Ｃに示したウェーハチャックアセンブリのさらに別の選択的
な形態を示す横断面図である。 【図２２Ａ】 図１８Ａ〜図１８Ｃに示したウェーハチャックアセンブリのさらに別の選択的
な形態を示す横断面図である。 【図２２Ｂ】 図１８Ａ〜図１８Ｃに示したウェーハチャックアセンブリのさらに別の選択的
な形態を示す横断面図である。 【図２３】 ウェーハチャックの実施例を示す横断面図である。 【図２４】 図２３に示したウェーハチャックの選択的な形態を示す横断面図である。 【図２５】 図２３に示したウェーハチャックの別の選択的な形態を示す横断面図である。 【図２６】 図２３に示したウェーハチャックのさらに別の選択的な形態を示す横断面図で
ある。 【図２７】 図２３に示したウェーハチャックのさらに別の選択的な形態を示す横断面図で
ある。 【図２８】 図２３に示したウェーハチャックの別の選択的な形態を示す横断面図である。 【図２９】 図２３に示したウェーハチャックのさらに別の選択的な形態を示す横断面図で
ある。 【図３０】 図２９に示したウェーハチャックのさらに別の選択的な形態を示す横断面図で
ある。 【図３１Ａ】 図１６に示した電気めっきおよび／または電解研磨ステーションの選択的な形
態を示す側面図である。 【図３１Ｂ】 図１６に示した電気めっきおよび／または電解研磨ステーションの選択的な形
態を示す側面図である。 【図３２Ａ】 図３１Ａに示した電気めっきおよび／または電解研磨ステーションを示す頂面
図である。 【図３２Ｂ】 図３１Ｂに示した電気めっきおよび／または電解研磨ステーションを示す頂面
図である。 【図３３Ａ】 図３１Ａに示した電気めっきおよび／または電解研磨ステーションを示す正面
図である。 【図３３Ｂ】 図３１Ｂに示した電気めっきおよび／または電解研磨ステーションを示す正面
図である。 【図３４】 図３１〜図３３に示した電気めっきおよび／または電解研磨セルの実施例を示
す頂面図である。 【図３５】 図３４に示した電気めっきおよび／または電解研磨セルの実施例を示す側面図
である。 【図３６】 図３４に示した電気めっきおよび／または電解研磨セルの一部を示す頂面図で
ある。 【図３７】 図３６に示した部分の側面図である。 【図３８】 図３４に示した電気めっきおよび／または電解研磨の別の部分を示す頂面図で
ある。 【図３９】 図３８に示した部分の側面図である。 【図４０Ａ】 図３８に示した部分を線４０に沿って示す横断面図である。 【図４０Ｂ】 図３８に示した部分を線４０に沿って示す横断面図である。 【図４１】 図３８に示した部分を線４１に沿って示す横断面図である。 【図４２】 図３８に示した部分を線４２に沿って示す別の横断面図である。 【図４３】 図３４に示した電気めっきおよび／または電解研磨セルの一部を示す横断面図
である。 【図４４】 図３４に示した電気めっきおよび／または電解研磨セルの別の部分を示す斜視
図である。 【図４５】 図３４に示した電気めっきおよび／または電解研磨セルのさらに別の部分を示
す斜視図である。 【図４６】 図３４に示した電気めっきおよび／または電解研磨セルのさらに別の部分を示
す底面図である。 【図４７】 図４６に示した部分の側面図である。 【図４８】 図４７に示した側面図の一部を示す拡大図である。 【図４９】 ウェーハチャックの実施例を示す分解斜視図である。 【図５０】 図４９に示したウェーハチャックの選択的な形態を示す分解斜視図である。 【図５１】 図４９に示したウェーハチャックの横断面図である。 【図５２Ａ】 図４９に示したウェーハチャックの横断面図である。 【図５２Ｂ】 図４９に示したウェーハチャックの横断面図である。 【図５３Ａ】 図５１に示したウェーハチャックの一部の選択的な形態を示す横断面図である
。 【図５３Ｂ】 図５１に示したウェーハチャックの一部の選択的な形態を示す横断面図である
。 【図５３Ｃ】 図５１に示したウェーハチャックの一部の選択的な形態を示す横断面図である
。 【図５３Ｄ】 図５１に示したウェーハチャックの一部の選択的な形態を示す横断面図である
。 【図５３Ｅ】 図５１に示したウェーハチャックの一部の選択的な形態を示す横断面図である
。 【図５３Ｆ】 図５１に示したウェーハチャックの一部の選択的な形態を示す横断面図である
。 【図５３Ｇ】 図５１に示したウェーハチャックの一部の選択的な形態を示す横断面図である
。 【図５４】 図５１に示したウェーハチャックを使用してウェーハをハンドリンするための
フローチャートである。 【図５５】 ウェーハチャックの選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図５６】 ウェーハチャックの第２の選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図５７】 ウェーハチャックの第３の選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図５８】 ウェーハチャックの第４の選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図５９】 ウェーハチャックの第５の選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図６０】 ウェーハチャックの第６の選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図６１】 ウェーハチャックの第７の選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図６２】 ウェーハチャックの第８の選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図６３】 ウェーハチャックの第９の選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図６４】 ウェーハチャックの第１０の選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図６５】 ウェーハチャックの第１１の選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図６６】 ウェーハチャックの第１２の選択的な実施態様を示す横断面図である。 【図６７】 ウェーハの頂面図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ２５Ｄ 21/10 ３０２ Ｃ２５Ｄ 21/10 ３０２
Ｃ２５Ｆ 7/00 Ｃ２５Ｆ 7/00 Ｍ
Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｅ
21/3063 21/306 Ｌ
(81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，
ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ
Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ
，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ，
ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ
Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ
)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，
ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，
ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，Ｃ
Ｒ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ
，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，
ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，Ｋ
Ｚ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ
，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，
ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，Ｓ
Ｌ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ
，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ
(72)発明者 ガットマン，フェリックス
アメリカ合衆国，カリフォルニア 95136，
サン ノゼ，ミル クリーク レーン
5237
(72)発明者 ヌッチ，ボハ
アメリカ合衆国，カリフォルニア 95111，
サン ノゼ，ローエ ブラフ ウェイ
2741
Ｆターム(参考） 4K024 BB12 CB01 CB02 CB04 CB15
CB26
4M104 BB04 DD52
5F043 DD14 EE08 EE35
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 ウェーハを保持するためのウェーハチャックアセンブリにお
いて 下側部分と、該下側部分とウェーハとの間に配置されたばね部材とを有するウ
ェーハチャックが設けられており、前記ばね部材が電荷をウェーハに印加するよ
うに形成されており、 さらに、前記ウェーハチャックを運動させるように形成されたアクチュエータ
アセンブリが設けられている ことを特徴とする、ウェーハを保持するためのウェーハチャックアセンブリ。 【請求項２】 印加された電荷がウェーハの外周部の一部の周りに分配され
るように、前記ばね部材がウェーハの外周部の一部に接触している、請求項１記
載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項３】 前記ばね部材が従動的な導電性材料から成っている、請求項
１記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項４】 前記ばね部材がリングとして形成されたコイルばねである、
請求項３記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項５】 前記ばね部材がリングとして形成された複数のばねを有して
いる、請求項１記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項６】 さらに、前記下側部分の上方に配置された上側部分が設けら
れており、該上側部分と前記下側部分とが、ウェーハを受容するために開くよう
に形成されている、請求項１記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項７】 さらに、前記上側部分と前記下側部分との間に配置された導
電素子が設けられており、該導電素子が、前記ばね部材に電荷を印加するように
形成されている、請求項６記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項８】 前記導電素子がリップ部分を有しており、該リップ部分が前
記ばね部材の底部に接触している、請求項７記載のウェーハチャックアセンブリ
。 【請求項９】 さらに、前記上側部分に配置された従動的な電極が設けられ
ており、該従動的な電極が、前記導電素子に電荷を印加するように形成されてい
る、請求項７記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項１０】 さらに、前記導電素子内に形成されたパージ管路と複数の
ノズルとが設けられている、請求項７記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項１１】 さらに、 前記上側部分と前記導電素子との間に配置された第１のシールリングと、 前記下側部分と前記導電素子との間に配置された第２のシールリングと が設けられている、請求項１０記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項１２】 さらに、前記上側部分内に形成されたパージ管路と複数の
ノズルとが設けられている、請求項６記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項１３】 前記アクチュエータアセンブリが、第１の位置と第２の位
置との間で前記ウェーハチャックを運動させるように形成されている、請求項６
記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項１４】 さらに、前記ウェーハチャックを開閉するために、前記上
側部分と前記下側部分とに結合されたばねアセンブリが設けられている、請求項
１３記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項１５】 前記ウェーハチャックが前記第１の位置に運動させられる
ときに、前記ばねアセンブリが前記上側部分と前記下側部分とを開き、前記ウェ
ーハチャックが前記第２の位置に運動させられるときに、前記ばねアセンブリが
前記上側部分と前記下側部分とを閉じるようになっている、請求項１４記載のウ
ェーハチャックアセンブリ。 【請求項１６】 前記ばねアセンブリが、 第１の端部と第２の端部とを有していて前記第１の端部が前記下側部分に固定
されているロッドと、 前記ロッドの前記第２の端部と前記上側部分との間に配置されたばねと を有している、 請求項１４記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項１７】 前記ウェーハチャックが前記第２の位置に運動させられる
ときに、前記ばねが前記上側部分を前記下側部分に係合させるために伸張するよ
うになっている、請求項１６記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項１８】 前記ウェーハチャックが前記第１の位置に運動させられる
ときに、前記ロッドが前記上側部分を前記下側部分から分離させ、前記ばねが前
記ロッドの前記第２の端部と前記上側部分との間で圧縮させられるようになって
いる、請求項１６記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項１９】 さらに、 第１の端部と第２の端部とを有していて第１の端部が前記上側部分に固定され
たシャフトと、 前記シャフトの前記第２の端部に結合されたブラケットと が設けられている、請求項１６記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項２０】 前記アクチュエータアセンブリが、 ガイドレールと、 前記ブラケットに結合されたリードスクリュと、 前記リードスクリュに結合されたモータとが設けられており、前記ガイドレー
ルに沿って前記ブラケットを運動させて前記第１の位置と前記第２の位置との間
で前記ウェーハチャックを運動させるために、前記モータが前記リードスクリュ
を回転させるようになっている、 請求項１９記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項２１】 さらに、前記上側部分と前記下側部分との間に配置された
リッドが設けられており、該リッドが、前記ウェーハチャックが前記第１の位置
と前記第２の位置との間で運動させられるときに前記リッドに対して相対的に前
記シャフトをスライド可能にするためのシャフト用孔を有している、請求項２０
記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項２２】 前記ウェーハチャックが第１の位置に運動させられるとき
に前記下側部分の運動を停止するために、前記ロッドの前記第２の端部が前記リ
ッドに接触し、これに対して、前記上側部分は該上側部分と前記ロッドの前記第
２の端部との間で前記ばねを圧縮することにより、前記下側部分に対して相対運
動し続けるようになっている、請求項２１記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項２３】 さらに、前記下側部分とウェーハとの間に配置されたシー
ル部材が設けられており、該シール部材が前記下側部分とウェーハとの間でシー
ルを形成している、請求項１記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項２４】 前記シール部材がＬ字形横断面を有している、請求項２３
記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項２５】 前記シール部材が台形横断面を有している、請求項２３記
載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項２６】 さらに、前記下側部分に形成されて前記シール部材を貫通
するパージ管路が設けられている、請求項２３記載のウェーハチャックアセンブ
リ。 【請求項２７】 前記シール部材が合成ゴムから成っている、請求項２３記
載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項２８】 さらに、前記シール部材に形成された切欠き内に配置され
た導電素子が設けられており、該導電素子の頂面に前記ばね部分が配置されてい
る、請求項２３記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項２９】 さらに、前記下側部分と前記シール部材と前記導電素子と
を貫通して形成されたパージ管路が設けられている、請求項２８記載のウェーハ
チャックアセンブリ。 【請求項３０】 前記シール部材に形成された前記切欠きが、前記ばね部材
を受容するための正方形横断面を有している、請求項２８記載のウェーハチャッ
クアセンブリ。 【請求項３１】 ウェーハを保持するためのウェーハチャックアセンブリに
おいて、 開閉するように形成されたウェーハチャックと、 前記ウェーハチャックを第１の位置と第２の位置との間で運動させるように形
成されたアクチュエータアセンブリとが設けられており、前記ウェーハチャック
が第１の位置にあるときには開いており、第２の位置にあるときには閉じられて
いる ことを特徴とする、ウェーハを保持するためのウェーハチャックアセンブリ。 【請求項３２】 前記ウェーハチャックが、 上側部分と、 下側部分とを有しており、該下側部分が、ウェーハが前記上側部分と前記下側
部分との間に保持されているときにウェーハの表面を露出させるための開口を有
している、請求項３１記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項３３】 前記ウェーハチャックがさらに、前記下側部分とウェーハ
との間に配置されたばね部材を有しており、前記ばね部材が、ウェーハに電荷を
印加するように形成されている、請求項３２記載のウェーハチャックアセンブリ
。 【請求項３４】 印加された電荷がウェーハの外周部の一部の周りに分配さ
れるように、前記ばね部材がウェーハの外周部の一部に接触している、請求項３
３記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項３５】 前記ばね部材がコイルばねである、請求項３３記載のウェ
ーハチャックアセンブリ。 【請求項３６】 さらに、前記コイルばね内に配置されたばねホルダが設け
られている、請求項３５記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項３７】 前記ウェーハチャックがさらに、前記上側部分と前記下側
部分との間に配置された導電素子を有しており、該導電素子が、前記ばね部材に
電荷を印加するように形成されている、請求項３３記載のウェーハチャックアセ
ンブリ。 【請求項３８】 前記ウェーハチャックがさらに、前記下側部分とウェーハ
との間に配置されたシール部材を有しており、前記シール部材が前記下側部分と
ウェーハとの間のシールを形成している、請求項３３記載のウェーハチャックア
センブリ。 【請求項３９】 さらに、前記ウェーハチャックを開閉するためのばねアセ
ンブリが設けられている、請求項３２記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項４０】 前記ばねアセンブリが、 第１の端部と第２の端部とを有していて前記第１の端部が前記下側部分に固定
されているロッドと、 前記ロッドの前記第２の端部と前記上側部分との間に配置されたばねと を有している、 請求項３９記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項４１】 前記ウェーハチャックが前記第１の位置に運動させられる
ときに、前記ウェーハチャックを開くために、前記ロッドが前記上側部分を前記
下側部分から分離し、前記ばねが前記ロッドの前記第２の端部と前記上側部分と
の間で圧縮されるようになっている、請求項４０記載のウェーハチャックアセン
ブリ。 【請求項４２】 前記ウェーハチャックが前記第２の位置に運動させられる
ときに、前記ばねが前記上側部分を前記下側部分に係合させるために伸張するよ
うになっている、請求項４０記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項４３】 前記ウェーハチャックがさらに、該ウェーハチャックが閉
じられるときに前記上側部分と前記下側部分との間に形成される真空室を有して
いる、請求項３２記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項４４】 前記ウェーハチャックが前記第２の位置にあるときに、前
記上側部分が真空および／または減圧ガスを前記真空室に対して作用させるため
の真空管路を有するように形成されている、請求項４３記載のウェーハチャック
アセンブリ。 【請求項４５】 前記上側部分が圧縮ガス管路を有するように形成されてい
る、請求項３２記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項４６】 前記上側区分と前記下側区分とが、外側のプラスチックシ
ェルを備えた内側の金属コアから成っている、請求項３２記載のウェーハチャッ
クアセンブリ。 【請求項４７】 さらに、 第１の端部と第２の端部とを有していて前記第１の端部が前記上側部分に固定
されたシャフトと、 該シャフトの前記第２の端部に結合されたブラケットと が設けられている、請求項３１記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項４８】 前記アクチュエータアセンブリが、 ガイドレールと、 前記ブラケットに結合されたリードスクリュと、 該リードスクリュに結合されたモータとが設けられており、前記ガイドレール
に沿って前記ブラケットを運動させるために、前記モータが前記リードスクリュ
を回転させるようになっている、 請求項４７記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項４９】 前記アクチュエータアセンブリがさらに、 前記第１のブラケットと前記リードスクリュとの間に結合された第２のブラケ
ットと、 前記第１のブラケットと第２のブラケットとの間に配置された複数のジョイン
トと を有している、請求項４８記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項５０】 前記複数のジョイントがユニバーサルジョイントである、
請求項４９記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項５１】 さらに、前記ウェーハチャックを回転させるために形成さ
れた回転アセンブリが設けられている、請求項４７記載のウェーハチャックアセ
ンブリ。 【請求項５２】 前記回転アセンブリが前記ウェーハチャックを、毎分約５
回転と、毎分約５０００回転との間で回転させるようになっている、請求項５１
記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項５３】 前記回転アセンブリが 前記シャフトに結合された駆動ベルトと、 該駆動ベルトに結合されたモータと を有している、請求項５１記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項５４】 さらに、前記シャフトと前記ブラケットとの間に配置され
た軸受けが設けられている、請求項５１記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項５５】 さらに、前記ブラケットに結合されたスリップリングアセ
ンブリが設けられている、請求項５１記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項５６】 前記スリップリングアセンブリが、前記シャフトに電荷を
供給するように形成されている、請求項５５記載のウェーハチャックアセンブリ
。 【請求項５７】 前記スリップリングアセンブリが、前記シャフトが回転し
ている間、該シャフトに電荷を印加するように形成されたブラシアセンブリを有
している、請求項５６記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項５８】 前記スリップリングアセンブリが、真空および／または減
圧ガスおよび／または圧縮ガスを前記シャフトに形成された少なくとも１つの入
口内に供給するように形成されている、請求項５５記載のウェーハチャックアセ
ンブリ。 【請求項５９】 前記スリップリングアセンブリが、 前記スリップリングアセンブリに形成された少なくとも１つの入口と、 前記スリップリングに形成された前記入口と前記シャフトに形成された前記入
口との間の少なくとも１つのシールされた中空部を形成するために、前記スリッ
プリングアセンブリと前記シャフトとの間に配置された複数のシール部材と を有している、請求項５８記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項６０】 ウェーハを保持するためのウェーハチャックアセンブリに
おいて、 上側部分と下側部分とを有するウェーハチャックと、 装着位置と処理位置との間で前記ウェーハチャックを運動させるように形成さ
れたアクチュエータアセンブリとが設けられており、前記上側部分と下側部分と
が、前記ウェーハチャックを前記装着位置にあるときには開くために分離される
ようになっていて、前記ウェーハチャックを前記処理位置にあるときには閉じる
ために係合させられるようになっている ことを特徴とする、ウェーハを保持するためのウェーハチャックアセンブリ。 【請求項６１】 さらに、前記上側部分と下側部分とを分離し、係合させる
ように形成されたばねアセンブリが設けられている、請求項６０記載のウェーハ
チャックアセンブリ。 【請求項６２】 前記ばねアセンブリのそれぞれが、 第１の端部と第２の端部とを有していて前記第１の端部が前記下側部分に係合
させられているロッドと、 前記ロッドの前記第２の端部と前記上側部分との間に配置されたばねと を有している、請求項６１記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項６３】 前記ウェーハチャックが前記処理位置に運動させられると
きに、前記ばねが前記上側部分を前記下側部分に係合させるために伸張するよう
になっており、前記ウェーハチャックが前記装着位置に運動させられるときに、
前記ばねを前記ロッドの前記第２の端部と前記上側部分との間で圧縮するように
、前記ロッドが前記上側部分を前記下側部分から分離するようになっている、請
求項６２記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項６４】 前記ウェーハチャックがさらに、前記上側部分と前記下側
部分との間に形成される真空室を有している、請求項６３記載のウェーハチャッ
クアセンブリ。 【請求項６５】 前記ウェーハチャックが前記処理位置にあるときに、前記
上側部分が真空および／または減圧ガスを前記真空室に対して作用させるための
真空管路を有するように形成されている、請求項６４記載のウェーハチャックア
センブリ。 【請求項６６】 さらに、 第１の端部と第２の端部とを有していて前記第１の端部が前記上側部分に固定
されたシャフトと、 該シャフトの前記第２の端部に結合されたブラケットと が設けられている、請求項６０記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項６７】 前記アクチュエータアセンブリが、 ガイドレールと、 前記ブラケットに結合されたリードスクリュと、 前記リードスクリュに結合されたモータとが設けられており、前記ガイドレー
ルに沿って前記ブラケットを運動させるために、前記モータが前記リードスクリ
ュを回転させるようになっている、 請求項６６記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項６８】 前記アクチュエータアセンブリがさらに、 前記第１のブラケットと前記リードスクリュとの間に結合された第２のブラケ
ットと、 前記第１のブラケットと第２のブラケットとの間に配置された複数のジョイン
トと を有している、請求項６７記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項６９】 前記複数のジョイントがユニバーサルジョイントである、
請求項６８記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項７０】 さらに、前記ウェーハチャックを回転させるために形成さ
れた回転アセンブリが設けられている、請求項６６記載のウェーハチャックアセ
ンブリ。 【請求項７１】 前記回転アセンブリが前記ウェーハチャックを、毎分約５
回転と、毎分約５０００回転との間で回転させるようになっている、請求項７０
記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項７２】 前記回転アセンブリが 前記シャフトに結合された駆動ベルトと、 該駆動ベルトに結合されたモータと を有している、請求項７０記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項７３】 さらに、前記シャフトと前記ブラケットとの間に配置され
た軸受けが設けられている、請求項７０記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項７４】 さらに、スリップリングアセンブリが設けられている、請
求項７０記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項７５】 前記スリップアセンブリが前記ブラケットに結合されてい
る、請求項７４記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項７６】 前記スリップリングアセンブリが、前記シャフトに電荷を
供給するように形成されている、請求項７４記載のウェーハチャックアセンブリ
。 【請求項７７】 前記スリップリングアセンブリが、前記シャフトが回転し
ている間、該シャフトに電荷を印加するように形成されたブラシアセンブリを有
している、請求項７６記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項７８】 前記スリップリングアセンブリが、真空および／または減
圧ガスおよび／または圧縮ガスを前記シャフトに形成された少なくとも１つの入
口内に供給するように形成されている、請求項７４記載のウェーハチャックアセ
ンブリ。 【請求項７９】 前記スリップリングアセンブリが、 前記スリップリングアセンブリに形成された少なくとも１つの入口と、 前記スリップリングに形成された前記入口と前記シャフトに形成された前記入
口との間の少なくとも１つのシールされた中空部を形成するために、前記スリッ
プリングアセンブリと前記シャフトとの間に配置された複数のシール部材と を有している、請求項７８記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項８０】 ウェーハを保持するためのウェーハチャックアセンブリに
おいて、 ウェーハチャックと、 該ウェーハチャックを開閉するように形成されたばねアセンブリと、 前記ウェーハチャックを第１の位置と第２の位置との間で運動させるように形
成されたアクチュエータアセンブリとが設けられており、前記ばねアセンブリが
、前記ウェーハチャックが前記第１の位置に運動させられるときには前記ウェー
ハチャックを開き、前記ウェーハチャックが前記第２の位置に運動させられると
きには前記ウェーハチャックを閉じるようになっている ことを特徴とする、ウェーハを保持するためのウェーハチャックアセンブリ。 【請求項８１】 前記ウェーハチャックが、 上側部分と、 下側部分とを有しており、該下側部分が、ウェーハが前記上側部分と前記下側
部分との間に保持されているときにウェーハの表面を露出させるための開口を有
している、請求項８０記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項８２】 前記ばねアセンブリが、 第１の端部と第２の端部とを有していて前記第１の端部が前記下側部分に固定
されているロッドと、 前記ロッドの前記第２の端部と前記上側部分との間に配置されたばねと を有している、 請求項８１記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項８３】 さらに、 第１の端部と第２の端部とを有していて前記第１の端部が前記上側部分に固定
されたシャフトと、 該シャフトの前記第２の端部に結合されたブラケットと が設けられている、請求項８２記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項８４】 前記アクチュエータアセンブリが、 ガイドレールと、 前記ブラケットに結合されたリードスクリュと、 該リードスクリュに結合されたモータとが設けられており、前記ガイドレール
に沿って前記ブラケットを運動させるために、前記モータが前記リードスクリュ
を回転させるようになっている、 請求項８３記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項８５】 さらに、前記上側部分と前記下側部分との間に配置された
リッドが設けられており、該リッドが、前記ウェーハチャックが前記第１の位置
と前記第２の位置との間で運動させられるときに前記リッドに対して相対的に前
記シャフトをスライド可能にするためのシャフト用孔を有している、請求項８３
記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項８６】 前記ウェーハチャックが第１の位置に運動させられるとき
に前記下側部分の運動を停止するために、前記ロッドの前記第２の端部が前記リ
ッドに接触し、これに対して、前記上側部分は該上側部分と前記ロッドの前記第
２の端部との間で前記ばねを圧縮することにより、前記下側部分に対して相対運
動し続けるようになっている、請求項８５記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項８７】 前記アクチュエータアセンブリがさらに、 前記第１のブラケットと前記リードスクリュとの間に結合された第２のブラケ
ットと、 前記第１のブラケットと第２のブラケットとの間に配置された複数のジョイン
トと を有している、請求項８４記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項８８】 前記複数のジョイントがユニバーサルジョイントである、
請求項８７記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項８９】 さらに、前記ウェーハチャックを回転させるために形成さ
れた回転アセンブリが設けられている、請求項８３記載のウェーハチャックアセ
ンブリ。 【請求項９０】 前記回転アセンブリが前記ウェーハチャックを、毎分約５
回転と、毎分約５０００回転との間で回転させるようになっている、請求項８９
記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項９１】 前記回転アセンブリが 前記シャフトに結合された駆動ベルトと、 該駆動ベルトに結合されたモータと を有している、請求項８９記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項９２】 さらに、前記シャフトと前記ブラケットとの間に配置され
た軸受けが設けられている、請求項８９記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項９３】 さらに、スリップリングアセンブリが設けられている、請
求項８９記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項９４】 前記スリップアセンブリが前記ブラケットに結合されてい
る、請求項９３記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項９５】 前記スリップリングアセンブリが、前記シャフトに電荷を
供給するように形成されている、請求項９３記載のウェーハチャックアセンブリ
。 【請求項９６】 前記スリップリングアセンブリが、前記シャフトが回転し
ている間、該シャフトに電荷を印加するように形成されたブラシアセンブリを有
している、請求項９５記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項９７】 前記スリップリングアセンブリが、真空および／または減
圧ガスおよび／または圧縮ガスを前記シャフトに形成された少なくとも１つの入
口内に供給するように形成されている、請求項９３記載のウェーハチャックアセ
ンブリ。 【請求項９８】 前記スリップリングアセンブリが、 前記スリップリングアセンブリに形成された少なくとも１つの入口と、 前記スリップリングに形成された前記入口と前記シャフトに形成された前記入
口との間の少なくとも１つのシールされた中空部を形成するために、前記スリッ
プリングアセンブリと前記シャフトとの間に配置された複数のシール部材と を有している、請求項９７記載のウェーハチャックアセンブリ。 【請求項９９】 前記シャフトが、該シャフトに形成された前記少なくとも
１つの入口から前記上側部分に、真空、減圧ガスまたは圧縮ガスを搬送するため
の少なくとも１つの通路を有するように形成されている、請求項９７記載のウェ
ーハチャックアセンブリ。 【請求項１００】 電解液中でウェーハを電気めっきおよび／または電解研
磨するための電気めっきおよび／または電解研磨セルにおいて、 ウェーハを保持するためのウェーハチャックと、 電解液を受容するための電解液容器と、 前記ウェーハチャックを第１の位置と第２の位置との間で運動させるように形
成されたウェーハチャックアセンブリとが設けられており、該ウェーハチャック
が、前記第１の位置にあるときには開いており、前記第２の位置にあるときには
閉じられており、前記ウェーハチャックが、前記第２の位置にあるときには前記
電解液容器内に配置されている ことを特徴とする、電解液中でウェーハを電気めっきおよび／または電解研磨す
るための電気めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１０１】 前記電解液容器が、 第１の区分壁と、 第２の区分壁とを有しており、前記第１の壁と前記第２の壁とが、前記電解液
容器を少なくとも３つの区分に分割している、 請求項１００記載の電気めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１０２】 ウェーハと前記第１および第２の区分壁との間にギャッ
プが形成されるように、前記ウェーハチャックアセンブリが前記電解液容器内に
前記ウェーハチャックを位置決めするようになっている、請求項１０１記載の電
気めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１０３】 電解液が、ウェーハと前記第１および第２の区分壁との
間に形成された前記ギャップを流れるようになっている、請求項１０２記載の電
気めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１０４】 前記ウェーハチャックアセンブリがウェーハを、電解液
の液面に対して水平に位置決めするようになっている、請求項１０３記載の電気
めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１０５】 前記ウェーハチャックアセンブリが、電解液の液面に対
して相対的な前記ウェーハチャックの配向を調整するための複数の調整ねじを有
している、請求項１０４記載の電気めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１０７】 前記ウェーハチャックが、 上側部分と、 下側部分とを有しており、該下側部分が、ウェーハが前記上側部分と前記下側
部分との間に保持されているときにウェーハの表面を露出させるための開口を有
している、請求項１００記載の電気めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１０８】 前記ウェーハチャックがさらに、前記下側部分とウェー
ハとの間に配置されたばね部材を有しており、該ばね部材が電荷をウェーハに印
加するように形成されている、請求項１００記載の電気めっきおよび／または電
解研磨セル。 【請求項１０９】 印加された電荷がウェーハの外周部の一部の周りに分配
されるように、前記ばね部材がウェーハの外周部の一部に接触している、請求項
１０８記載の電気めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１１０】 前記ウェーハチャックがさらに、前記上側部分と前記下
側部分との間に配置された導電素子を有しており、該導電素子が、前記ばね部材
に電荷を印加するように形成されている、請求項１０８記載の電気めっきおよび
／または電解研磨セル。 【請求項１１１】 前記ウェーハチャックがさらに、前記下側部分とウェー
ハとの間に配置されたシール部材を有しており、該シール部材が、前記ばね部材
と前記導電素子とを電解液から絶縁するために、前記下側部分とウェーハとの間
でシールを形成している、請求項１１０記載の電気めっきおよび／または電解研
磨セル。 【請求項１１２】 前記ウェーハチャックアセンブリがさらに、前記ウェー
ハチャックを開閉するように形成されたばねアセンブリを有している、請求項１
０７記載の電気めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１１３】 前記ばねアセンブリが、 第１の端部と第２の端部とを有していて前記第１の端部が前記下側部分に係合
させられているロッドと、 前記ロッドの前記第２の端部と前記上側部分との間に配置されたばねと を有している、 請求項１１２記載の電気めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１１４】 前記ウェーハチャックが前記第１の位置に運動させられ
るときに、前記ロッドが前記上側部分を前記下側部分から分離し、前記ばねが前
記ロッドの前記第２の端部と前記上側部分との間で圧縮されるようになっている
、請求項１１３記載の電気めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１１５】 前記ウェーハチャックが前記第２の位置に運動させられ
るときに、前記ばねが前記上側部分を前記下側部分に係合させるために伸張する
ようになっている、請求項１１３記載の電気めっきおよび／または電解研磨セル
。 【請求項１１６】 前記ウェーハチャックアセンブリがさらに、 第１の端部と第２の端部とを有していて前記第１の端部が前記上側部分に固定
されたシャフトと、 該シャフトの前記第２の端部に結合されたブラケットと、 前記第１の位置と前記第２の位置との間で前記ウェーハチャックを運動させる
ために、前記ブラケットに結合されたアクチュエータアセンブリと を有している、請求項１０７記載の電気めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１１７】 前記アクチュエータアセンブリが、 ガイドレールと、 前記ブラケットに結合されたリードスクリュと、 該リードスクリュに結合されたモータとが設けられており、前記ガイドレール
に沿って前記ブラケットを運動させるために、前記モータが前記リードスクリュ
を回転させるようになっている、 請求項１１６記載の電気めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１１８】 前記ウェーハチャックアセンブリがさらに、前記ウェー
ハチャックを回転させるために形成された回転アセンブリを有している、請求項
１１６記載の電気めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１１９】 前記回転アセンブリが 前記シャフトに結合された駆動ベルトと、 該駆動ベルトに結合されたモータと を有している、請求項１１８記載の電気めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１２０】 さらに、前記ブラケットに結合されたスリップリングア
センブリが設けられており、該スリップリングアセンブリ内で前記シャフトが回
転するようになっている、請求項１１８記載の電気めっきおよび／または電解研
磨セル。 【請求項１２１】 前記スリップリングアセンブリが、前記シャフトに電荷
を供給するように形成されている、請求項１２０記載の電気めっきおよび／また
は電解研磨セル。 【請求項１２２】 前記スリップリングアセンブリが、前記シャフトが回転
している間、該シャフトに電荷を印加するように形成されたブラシアセンブリを
有している、請求項１２１記載の電気めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１２３】 前記スリップリングアセンブリが、真空および／または
減圧ガスおよび／または圧縮ガスを前記シャフトに形成された少なくとも１つの
入口内に供給するように形成されている、請求項１２０記載のウェーハチャック
アセンブリ。 【請求項１２４】 前記スリップリングアセンブリが、 前記スリップリングアセンブリに形成された少なくとも１つの入口と、 前記スリップリングに形成された前記入口と前記シャフトに形成された前記入
口との間の少なくとも１つのシールされた中空部を形成するために、前記スリッ
プリングアセンブリと前記シャフトとの間に配置された複数のシール部材と を有している、請求項１２３記載の電気めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１２５】 さらに、スリップアセンブリに対する前記ブラケットの
配向を調整するために形成された第１の調整アセンブリが設けられている、請求
項１２０記載の電気めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１２６】 前記ブラケットが前記スリップリングに対して垂直に配
向されている、請求項１２５記載の電気めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１２７】 前記第１の調整アセンブリが、 複数の止めねじと 複数の調整ねじと を有している、請求項１２５記載の電気めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１２８】 さらに、前記上側部分に対する前記シャフトの配向を調
整するために形成された第２の調整アセンブリが設けられている、請求項１２５
記載の電気めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１２９】 前記シャフトが前記上側部分に対して垂直に配向されて
いる、請求項１２８記載の電気めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１３０】 前記上側部分、前記シャフトおよび前記スリップリング
アセンブリの各中心線がセンタリングされており、同軸的に形成されている、請
求項１２９記載の電気めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１３１】 前記第２の調整アセンブリが、 前記上側部分および前記シャフトの中心に配置された、前記シャフトに前記上
側部分を結合する止めねじと、 前記止めねじの回りに配置された、前記シャフトに前記上側部分を結合する複
数の調整ねじと を有している、請求項１２８記載の電気めっきおよび／または電解研磨セル。 【請求項１３２】 ウェーハを電気めっきおよび／または電解研磨するため
の電気めっきおよび／または電解研磨ステーションにおいて、 フレームと、 該フレームに取り付けられた少なくとも１つの電気めっきおよび／または電解
研磨セルとが設けられており、該電気めっきおよび／または電解研磨セルが電解
液容器と、該電解液容器をカバーするために適切に形成されたリッドとを有して
おり、 さらに、該リッドを第１の位置と第２の位置との間で運動させるように形成さ
れたリッド引き込みアセンブリが設けられており、前記リッドが、前記第１の位
置にあるときには前記電解液容器をカバーしており、前記リッドが、前記第２の
位置にあるときには前記電解液容器から引き込まれている ことを特徴とする、ウェーハを電気めっきおよび／または電解研磨するための電
気めっきおよび／または電解研磨ステーション。 【請求項１３３】 前記電気めっきおよび／または電解研磨セルがさらに、 ウェーハを保持するためのウェーハチャックと、 前記リッドが前記第１の位置にあるときに前記ウェーハチャックを第１の位置
と第２の位置との間で運動させるためのウェーハチャックアセンブリと を有している、請求項１３２記載の電気めっきおよび／または電解研磨ステーシ
ョン。 【請求項１３４】 前記ウェーハチャックアセンブリが、前記ウェーハチャ
ックが前記第１の位置にあるときには前記ウェーハチャックを開き、前記ウェー
ハチャックが前記第２の位置にあるときには、前記ウェーハチャックを閉じるよ
うになっている、請求項１３３記載の電気めっきおよび／または電解研磨ステー
ション。 【請求項１３５】 さらに、少なくとも２つの電気めっきおよび／または電
解研磨セルが設けられている、請求項１３２記載の電気めっきおよび／または電
解研磨ステーション。 【請求項１３６】 前記少なくとも２つの電気めっきおよび／または電解研
磨セルが前記フレームに鉛直方向に積み重ねられている、請求項１３５記載の電
気めっきおよび／または電解研磨ステーション。 【請求項１３７】 前記リッド引き込みアセンブリが、 前記リッドと前記フレームとに取り付けられたガイドレールと、 前記第１の位置と前記第２の位置との間で前記リッドを運動させるように形成
された、前記ガイドレールに取り付けられたアクチュエータと を有している、請求項１３２記載の電気めっきおよび／または電解研磨ステーシ
ョン。 【請求項１３８】 前記アクチュエータが空気シリンダである、請求項１３
７記載の電気めっきおよび／または電解研磨ステーション。 【請求項１３９】 前記ウェーハチャックが、前記上側部分に取り付けられ
たテクスチャパッドを有している、請求項１０７記載の電気めっきおよび／また
は電解研磨ステーション。 【請求項１４０】 ウェーハの電気めっきおよび／または電解研磨中にウェ
ーハを保持する方法において、 ウェーハチャック内にウェーハを供給し、 前記ウェーハチャックアセンブリを使用して、ウェーハチャックを第１の位置
と第２の位置との間で運動させ、前記ウェーハチャックを、前記第１の位置にあ
るときには開き、前記第２の位置にあるときには閉じ、前記ウェーハチャックを
、前記第２の位置にあるときに電解液容器内に配置する ことを特徴とする、ウェーハの電気めっきおよび／または電解研磨中にウェーハ
を保持する方法。 【請求項１４１】 さらに、 前記ウェーハチャックが前記第２の位置にあるときに電解液をウェーハに供給
し、 前記ウェーハチャックが前記第２の位置にあるときに電荷をウェーハに印加し
て、電荷をウェーハの外周部の一部の周りに分配する、 請求項１４０記載の方法。 【請求項１４２】 前記供給および印加ステップが、さらに、従動的な導電
材料に電荷を印加するステップを有しており、前記従動的な導電材料が、ウェー
ハの外周部の周りに電荷を分配する、請求項１４１記載の方法。 【請求項１４３】 前記ばね部材がコイルばねを有する、請求項１４２記載
の方法。 【請求項１４４】 前記ばね部材が複数のコイルばねを有する、請求項１４
２記載の方法。 【請求項１４５】 さらに、前記ウェーハチャックを前記第２の位置に運動
させる前に、シール部材を使用して、前記従動的な導電材料を電解液からシール
するステップを有する、請求項１４２記載の方法。 【請求項１４６】 さらに、前記ウェーハチャックを前記第２の位置に運動
させる前に、前記シール部材によって形成されたシールにおける漏れをチェック
するステップを有する、請求項１４５記載の方法。 【請求項１４７】 さらに、前記ウェーハチャックアセンブリを使用してウ
ェーハチャックを回転させるステップを有する、請求項１４２記載の方法。 【請求項１４８】 さらに、ウェーハを電気めっきおよび／または電解研磨
するために前記電荷を印加したあと、ウェーハチャックを前記第１の位置に運動
させるステップを有する、請求項１４５記載の方法。 【請求項１４９】 さらに、前記ウェーハを前記第１の位置に運動させたあ
と、残留電解液をウェーハチャックから除去するためにドライガスを噴射するス
テップを有する、請求項１４８記載の方法。 【請求項１５０】 さらに、 前記ウェーハチャックアセンブリを使用して、ウェーハを取り除くためにウェ
ーハチャックを開くステップと、 ウェーハチャックからウェーハを取り除くステップと を有する、請求項１４８記載の方法。 【請求項１５１】 さらに、ウェーハチャックからウェーハを取り除いたあ
と、ウェーハチャックから残留電解液を取り除くためにドライガスを噴射するス
テップを有する、請求項１５０記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11013698P | 1998-11-28 | 1998-11-28 | |
| US60/110,136 | 1998-11-28 | ||
| PCT/US1999/028106 WO2000033356A2 (en) | 1998-11-28 | 1999-11-24 | Methods and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006315540A Division JP2007119923A (ja) | 1998-11-28 | 2006-11-22 | 半導体ワークの電気めっきおよび／または電解研磨中に半導体ワークを保持して位置決めする方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002531702A true JP2002531702A (ja) | 2002-09-24 |
| JP2002531702A5 JP2002531702A5 (ja) | 2007-01-18 |
Family
ID=22331393
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000585913A Pending JP2002531702A (ja) | 1998-11-28 | 1999-11-24 | 半導体ワークの電気めっきおよび／または電解研磨中に半導体ワークを保持して位置決めする方法および装置 |
| JP2006315540A Pending JP2007119923A (ja) | 1998-11-28 | 2006-11-22 | 半導体ワークの電気めっきおよび／または電解研磨中に半導体ワークを保持して位置決めする方法および装置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006315540A Pending JP2007119923A (ja) | 1998-11-28 | 2006-11-22 | 半導体ワークの電気めっきおよび／または電解研磨中に半導体ワークを保持して位置決めする方法および装置 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1133786A2 (ja) |
| JP (2) | JP2002531702A (ja) |
| KR (3) | KR100503553B1 (ja) |
| CN (2) | CN1191605C (ja) |
| AU (1) | AU3105400A (ja) |
| CA (1) | CA2352160A1 (ja) |
| IL (1) | IL143316A (ja) |
| TW (1) | TW430919B (ja) |
| WO (1) | WO2000033356A2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002121698A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Sony Corp | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| KR101211826B1 (ko) * | 2010-06-14 | 2012-12-18 | 연세대학교 산학협력단 | 자기유변유체를 이용한 피가공물의 연마장치 및 그 연마방법 |
| KR20160050017A (ko) | 2012-03-27 | 2016-05-10 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 도금 방법 및 도금 장치 |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6299741B1 (en) | 1999-11-29 | 2001-10-09 | Applied Materials, Inc. | Advanced electrolytic polish (AEP) assisted metal wafer planarization method and apparatus |
| US6848970B2 (en) | 2002-09-16 | 2005-02-01 | Applied Materials, Inc. | Process control in electrochemically assisted planarization |
| US6537144B1 (en) | 2000-02-17 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for enhanced CMP using metals having reductive properties |
| US7066800B2 (en) | 2000-02-17 | 2006-06-27 | Applied Materials Inc. | Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing |
| WO2002083995A1 (en) * | 2001-04-12 | 2002-10-24 | Arthur, Keigler | Method of and apparatus for controlling fluid flow |
| JP2003027280A (ja) * | 2001-07-18 | 2003-01-29 | Ebara Corp | めっき装置 |
| US7150816B2 (en) * | 2001-08-31 | 2006-12-19 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for deposition of an electrophoretic emulsion |
| TWI275436B (en) | 2002-01-31 | 2007-03-11 | Ebara Corp | Electrochemical machining device, and substrate processing apparatus and method |
| TWI274393B (en) * | 2002-04-08 | 2007-02-21 | Acm Res Inc | Electropolishing and/or electroplating apparatus and methods |
| JP2006511699A (ja) * | 2002-07-22 | 2006-04-06 | エーシーエム リサーチ，インコーポレイティド | 厚さの計測値を使用した適応型の電解研磨と障壁及び犠牲層の除去 |
| JP3860111B2 (ja) * | 2002-12-19 | 2006-12-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | メッキ装置およびメッキ方法 |
| US7842169B2 (en) | 2003-03-04 | 2010-11-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for local polishing control |
| US8804535B2 (en) * | 2009-03-25 | 2014-08-12 | Avaya Inc. | System and method for sending packets using another device's network address |
| TWI410531B (zh) * | 2010-05-07 | 2013-10-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | 直立式電鍍設備及其電鍍方法 |
| US9399827B2 (en) * | 2013-04-29 | 2016-07-26 | Applied Materials, Inc. | Microelectronic substrate electro processing system |
| SG11201508466QA (en) | 2013-05-09 | 2015-11-27 | Acm Res Shanghai Inc | Apparatus and method for plating and/or polishing wafer |
| KR101353378B1 (ko) * | 2013-08-19 | 2014-01-22 | 주식회사 케이엠 | 주사기용 믹싱 조인트 |
| CN104465481A (zh) * | 2013-09-22 | 2015-03-25 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 晶圆夹盘 |
| CN105297127B (zh) * | 2014-05-30 | 2019-04-05 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 带有电极的喷头装置 |
| JP6449091B2 (ja) * | 2015-04-20 | 2019-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | スリップリング、支持機構及びプラズマ処理装置 |
| US10053793B2 (en) * | 2015-07-09 | 2018-08-21 | Lam Research Corporation | Integrated elastomeric lipseal and cup bottom for reducing wafer sticking |
| GB201701166D0 (en) * | 2017-01-24 | 2017-03-08 | Picofluidics Ltd | An apparatus for electrochemically processing semiconductor substrates |
| KR102156430B1 (ko) * | 2020-04-28 | 2020-09-15 | 주식회사 스마트코리아피씨비 | 회전식 기판 도금장치 |
| CN114262920A (zh) * | 2020-09-16 | 2022-04-01 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆电镀设备、漏气检测装置和方法、晶圆电镀方法 |
| EP3998374A4 (en) | 2020-09-16 | 2022-08-03 | Changxin Memory Technologies, Inc. | DEVICE AND METHOD FOR AIR LEAK DETECTION AND METHOD FOR ELECTROPLATING WAFER |
| CN112144096B (zh) * | 2020-09-25 | 2022-05-10 | 深圳市生利科技有限公司 | 一种锌镍合金电镀设备 |
| CN113013078A (zh) * | 2021-03-04 | 2021-06-22 | 苏州竣合信半导体科技有限公司 | 一种用于芯片定位的兼容芯片定位槽及其使用方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5419649A (en) * | 1977-07-15 | 1979-02-14 | Hitachi Ltd | Wafer holding jig for electrtolytic plating |
| JPS58181898A (ja) * | 1982-04-14 | 1983-10-24 | Fujitsu Ltd | メツキ用給電装置 |
| JPS6396292A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | 電解メツキ装置 |
| JPH0375394A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-03-29 | Fujitsu Ltd | メッキ装置 |
| JPH03232994A (ja) * | 1990-02-06 | 1991-10-16 | Fujitsu Ltd | メッキ装置 |
| JP2567716B2 (ja) * | 1990-03-20 | 1996-12-25 | 富士通株式会社 | 電気メッキ装置 |
| JP2608485B2 (ja) * | 1990-05-30 | 1997-05-07 | 富士通株式会社 | めっき装置 |
| DE4024576A1 (de) * | 1990-08-02 | 1992-02-06 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung zum einseitigen aetzen einer halbleiterscheibe |
| JPH04186630A (ja) * | 1990-11-19 | 1992-07-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハのバンプ電極めっき装置 |
| JP2704796B2 (ja) * | 1991-04-22 | 1998-01-26 | 株式会社東芝 | 半導体ウェハめっき用治具 |
| JPH05243236A (ja) * | 1992-03-03 | 1993-09-21 | Fujitsu Ltd | 電気メッキ装置 |
| US5405518A (en) * | 1994-04-26 | 1995-04-11 | Industrial Technology Research Institute | Workpiece holder apparatus |
| US5670034A (en) * | 1995-07-11 | 1997-09-23 | American Plating Systems | Reciprocating anode electrolytic plating apparatus and method |
| US5620581A (en) * | 1995-11-29 | 1997-04-15 | Aiwa Research And Development, Inc. | Apparatus for electroplating metal films including a cathode ring, insulator ring and thief ring |
| US5980706A (en) * | 1996-07-15 | 1999-11-09 | Semitool, Inc. | Electrode semiconductor workpiece holder |
| TW334609B (en) * | 1996-09-19 | 1998-06-21 | Hitachi Ltd | Electrostatic chuck, method and device for processing sanyle use the same |
| JP3627884B2 (ja) * | 1996-10-17 | 2005-03-09 | 株式会社デンソー | メッキ装置 |
| US5932077A (en) * | 1998-02-09 | 1999-08-03 | Reynolds Tech Fabricators, Inc. | Plating cell with horizontal product load mechanism |
-
1999
- 1999-11-24 CN CNB998137944A patent/CN1191605C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-11-24 KR KR10-2004-7011238A patent/KR100503553B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-11-24 CN CNB2005100037736A patent/CN100382235C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-11-24 EP EP99965053A patent/EP1133786A2/en not_active Withdrawn
- 1999-11-24 JP JP2000585913A patent/JP2002531702A/ja active Pending
- 1999-11-24 KR KR10-2001-7006569A patent/KR100516776B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-11-24 IL IL14331699A patent/IL143316A/xx not_active IP Right Cessation
- 1999-11-24 WO PCT/US1999/028106 patent/WO2000033356A2/en active IP Right Grant
- 1999-11-24 CA CA002352160A patent/CA2352160A1/en not_active Abandoned
- 1999-11-24 AU AU31054/00A patent/AU3105400A/en not_active Abandoned
- 1999-11-24 KR KR1020057000594A patent/KR100562011B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-11-26 TW TW088120687A patent/TW430919B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-11-22 JP JP2006315540A patent/JP2007119923A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002121698A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Sony Corp | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| JP4644926B2 (ja) * | 2000-10-13 | 2011-03-09 | ソニー株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| KR101211826B1 (ko) * | 2010-06-14 | 2012-12-18 | 연세대학교 산학협력단 | 자기유변유체를 이용한 피가공물의 연마장치 및 그 연마방법 |
| KR20160050017A (ko) | 2012-03-27 | 2016-05-10 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 도금 방법 및 도금 장치 |
| KR20160148492A (ko) | 2012-03-27 | 2016-12-26 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 도금 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1346510A (zh) | 2002-04-24 |
| TW430919B (en) | 2001-04-21 |
| WO2000033356A9 (en) | 2001-08-02 |
| IL143316A (en) | 2005-03-20 |
| KR20050013179A (ko) | 2005-02-02 |
| KR100503553B1 (ko) | 2005-07-26 |
| WO2000033356A3 (en) | 2001-07-12 |
| CN100382235C (zh) | 2008-04-16 |
| CA2352160A1 (en) | 2000-06-08 |
| JP2007119923A (ja) | 2007-05-17 |
| WO2000033356A2 (en) | 2000-06-08 |
| KR100516776B1 (ko) | 2005-09-26 |
| CN1191605C (zh) | 2005-03-02 |
| EP1133786A2 (en) | 2001-09-19 |
| CN1632914A (zh) | 2005-06-29 |
| IL143316A0 (en) | 2002-04-21 |
| KR100562011B1 (ko) | 2006-03-22 |
| KR20010086051A (ko) | 2001-09-07 |
| KR20040070317A (ko) | 2004-08-06 |
| AU3105400A (en) | 2000-06-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002531702A (ja) | 半導体ワークの電気めっきおよび／または電解研磨中に半導体ワークを保持して位置決めする方法および装置 | |
| US6726823B1 (en) | Methods and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces | |
| US6749728B2 (en) | Methods and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces | |
| US8026174B1 (en) | Sequential station tool for wet processing of semiconductor wafers | |
| KR100773164B1 (ko) | 기판의 도금장치 및 도금방법과 전해처리방법 및 그 장치 | |
| US6436267B1 (en) | Method for achieving copper fill of high aspect ratio interconnect features | |
| US8012332B2 (en) | Plating apparatus and method | |
| TW200415262A (en) | Multi-chemistry electrochemical processing system | |
| US6802947B2 (en) | Apparatus and method for electro chemical plating using backside electrical contacts | |
| CN114108047A (zh) | 用于镀覆半导体晶片的镀覆装置及镀覆方法 | |
| US20040104120A1 (en) | Method and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces | |
| US11643744B2 (en) | Apparatus for electrochemically processing semiconductor substrates | |
| US8540854B2 (en) | Apparatus and method for plating substrate | |
| JP5564171B2 (ja) | めっき装置及びめっき方法 | |
| JP2005264281A (ja) | めっき装置及びめっき方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061122 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061122 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090615 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090623 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091117 |