JPH03232994A - メッキ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 平板状の基板、例えば半導体ウェーハに導電膜を被着す
るメッキ装置に関し、 半導体ウェーハ表面の絶縁膜を部分的に除去して形成し
たコンタクトエリアに、マイナス電位に保持した陰極を
正確に接触させることのできるメッキ装置の提供を目的
とし、 反転自在な反転蓋の裏面に基板が押圧手段により押圧さ
れて固定され、且つマイナス電位の陰極と導通した該基
板を、プラス電位の陽極と導通したメッキ液に浸漬させ
て、該基板の表面に導電膜を被着するように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、半導体ウェー八に導電膜を被着するメッキ装
置、特に半導体ウェーハ表面の絶縁膜を部分的に除去し
て形成したコンタクトエリアに陰極を正確に接触させる
ことのできるメッキ装置に関する。

昨今、半導体装置の高機能化、大容量化に伴って、その
半導体チップの大型化、多電極化も著しいものがある。

このため、従来のＱ　Ｆ　Ｐ　（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　
Ｐａｃｋａｇｅ）や、　　Ｐ　ＧＡ　（Ｐｉｎ　Ｇｒｉ
ｄ　Ａｒｒａｙ）型のパンケージ構造の半導体装置では
、形状が大きくなり過ぎて実装面積の増加が避けられな
い問題がクローズアップされて来た。

かかる問題を解決する一つの手段として、最近Ｔ　Ａ　
Ｂ　（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｉｃ　Ｂｏｎｄｉｎｇ
）技術が急速に普及しつつある。

このＴＡＢ技術においては、突起状に形成されたハンプ
構造の電極を有する半導体チップが使用されるのが一般
的である。

そして、バンプ構造の電極の表層部は通常厚い金（Ａｕ
）層で構成されているが、この金層はメッキ技術により
形成されている。

〔従来の技術〕

次に、半導体ウェーハにバンプ構造の電極を形成する従
来のメッキ装置を図面を参照しながら説明する。

第２図は従来のメッキ装置の説明図、同図（ａ）はメッ
キ装置の要部概略側断面図、同ＩＩＩ　（ｂ）は半導体
ウェーハの要部拡大概略側断面図である。

即ち、従来のメッキ装置は、蓋２１、陰極２２、陽極２
３、メンキカップ２５、外周容器２６を含んで構成した
ものである。

かかる構成をした従来のメッキ装置により、半導体ウェ
ーハ２０の表面に形成した電極２０ｂに金属膜を被着さ
せる工程を述べながら、メッキ装置の構造と機能を説明
する。

まず、半導体ウェーハ２０の表面を下方に向けて円錐状
に形成した陰極２２の尖った先端２２ａ上に載置し、半
導体ウェーハ２０を水平に保持す為。

この時、半導体ウェーハ２０の表面の絶縁膜２０ｃの一
部を除去して形成したコンタクトエリア２０ａが、陰極
の先端２２ａと接触するように注意することが必要であ
る。

次いで、メッキ液２４が外周容器２６の外に飛び跳ねる
のを防止するＭｇ２を、矢印へで示す如く外周容器２６
の上方から該外周容器２６に接近させる。

すると、貫通孔２１ａを摺動自在に挿通してスプリング
２１ｂにより矢印Ｂ方向に付勢されている摺動棒２１ｃ
の下端面が半導体ウェーハ２０の裏面に静かに当接する
。

そして、蓋２１を更に下降させて外周容器２６の上端面
に載置すると、摺動棒２Ｌｃの下端面は、半導体ウェー
ハ２０の表面を直流電源（図示せず）に接続してマイナ
ス電位となっている陰極２２の先端２２ａに押圧して、
半導体ウェーハ２０を陰極２２の先端２２ａ上に水平に
固定且つ陰極２２と電気的に接続させる。

この後、メッキ液噴流ポンプ（図示せず）を作動して、
直流電源（図示せず）と導通してプラス電位となっ・た
メッキ液２４を矢印Ｃ方向に噴流して半導体ウェーハ２
０の表面に金属膜が被着することとなる。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のメッキ装置においては、前述したように陰極２２
の尖った先端２２ａにコンタクトエリア２０ａを接触さ
せて水平に保持された半導体ウェーハ２０の裏面を、蓋
２１の摺動棒２１ｃの下端面で押圧するように構成して
いた。

従って、このように陰極２２の尖った先端２２ａに狭い
面積のコンタクトエリア２０ａを接触させて保持された
半扉体ウェーハ２０を蓋２１の摺動棒２１ｃで押圧する
際、陰極２２の尖った先端°２２ａと半導体ウェーハ２
０のコンタクトエリア２０ａ　との接触状態がどのよう
になっているかを、蓋２１及び半導体ウェーハ２０に視
野を邪魔されて目視による監視をすることができなかっ
た。

また、半導体ウェーハ２０の表面の電極２０ｂに金属膜
を被着させるために、メッキ液噴流ポンプを作動させて
半導体ウェーハ２０の表面にメッキ液２４を噴射すると
、半導体ウェーハ２０のコンタクトエリア２０ａと陰極
２２の尖った先端２２ａとの間の押圧力が弱まり、コン
タクトエリア２０ａ　と陰極２２の先端２０ａとがずれ
てしまう問題もあった。

本発明はこのような問題を解決するためになされたもの
で、その目的は半導体ウェーハのコンタクトエリアに陰
極を正確に接触させることのできるメッキ装置の提供に
ある。

〔課題を解決するための手段〕

前記目的は、第１図に示すように基板１０に表面に導電
膜を被着するメッキ装置において、反転自在な反転蓋１
１の裏面１１ｂに基板１０が押圧手段１４により押圧さ
れて固定され、且つマイナス電位の陰極１２と導通した
該基板１０を、プラス電位の陽極１３とＮ−’ｔ’ｆＢ
シたメッキ液１７に浸漬させて、基板１０の表面に導電
膜を被着することを特徴とするメッキ装置によって達成
される。

〔作　用〕

本発明のメッキ装置は、反転自在な反転蓋１１の裏面］
、１ｂに押圧手段１４により押圧・固定され、且つマイ
ナス電位の陰極１２と導通した基板１０を、プラス電位
の陽極１３と導通したメッキ液１７に浸漬させて導電膜
を被着するように構成している。

斯くして、陰極１２を基板１０に接触させる作業は目視
しながら行うことができるので、陰極１２の基板１０へ
の接触は確実となるとともに、メ・７キ液１７も基板１
０を反転Ｍ１１の裏面１１ｂに押圧する方向に流れるた
めに、基板１０が動いて基板１０と陰極１２との接触状
態が変わることはない。

〔実　施　例］ 第１図は本発明のメッキ装置の一実施例の要部概略側断
面図である。

即ち、本発明のメッキ装置の一実施例は、反転Ｍ１１、
陰極１２、陽極１３、押圧手段１４、メッキカップ１５
、外周容器１６を含んで構成したもである。

以下、斯かるメッキ装置の構造と機能について詳細に説
明する。

まず、テフロン製の反転蓋１１は、該反転蓋１１の貫通
孔に摺動自在に挿通且つバネ１４ａによりＡ方向に付勢
された陰極１２と押圧手段１４とを備えて構成したもの
である。

なお、押圧手段１４は少なくとも３個以上必要であるが
、図面を簡明にするために図示は２個としである。

従って、基板１０、例えば半導体ウェーハ１０の裏面を
反転蓋１１の上方にした裏面１１ｂに当接させた後に、
半導体ウェーハ１０の表面のコンタクトエリア１０ａに
陰極１２の円錐状の先端１２ａを接触させるとともに、
押圧手段１４により半導体ウェーハ１０を反転Ｍ１１の
裏面１１ｂに押圧して固定する。

陰極１２の先端１２ａをコンタクトエリア１０ａに接触
する作業は、目視しながら行えるので陰極１２の先端１
２ａをコンタクトエリア１０ａに正確に接触させること
が可能である。

また、この後に行う押圧手段１４による半導体ウェーハ
１０の反転ＩＥＩＩの裏面１１ｂへの押圧・固定作業も
、陰極１２の先端１２ａとコンタクトエリア１０ａとの
接触状態を目視による確認をしながら行うことが可能で
ある。

斯くして、半導体ウェーハ１０は、陰極１２の先端１２
ａ　とコンタクトエリア１０ａとは正確に接触した状態
で反転蓋１１の裏面１１ｂに押圧手段１４により確りと
固定される。

この後、反転蓋１１を反転し、反転蓋１１の裏面１１ｂ
を外周容器１６に当接させて該外周容器１６に載置して
、半導体ウェーハ１０の表面の電極をメンキ力ツブ１５
内の直流電源（図示せず）接続した陽極１３と導通して
プラス電位になった導通したメッキ液１７と相対させる
。

そして、陰極１２を直流電源に接続して半導体ウェーハ
１０をマイナス電位にするとともに、メッキ液噴流ポン
プ（図示せず）を作動すると、メッキ液１７が矢印Ｃ方
向に噴流して半導体ウェーハ１０の表面に金属膜が被着
することとなる。

なお、メッキカップ１５から噴流して溢れたメッキ液１
７は、メッキカップ１５と外周容器１６との間を流れ落
ちた後、メッキ液噴流ポンプにより再びメッキカップ１
５内に噴流されるような循環を繰り返されて利用される
。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなように本発明によれば、半導体
ウェーハのコンタクトエリアに陰極を正確に接触させる
ことのできるメッキ装置の提供が可能となる。

従って、本発明のメッキ装置を使用することに１　〇− より、半導体ウェーハの表面に確実に金層膜を被着する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のメッキ装置の一実施例の要部概略側
断面図、 第２図は、従来のメッキ装置の説明図である。 図において、 １０は基板（半導体ウェーハ）、 １１は反転蓋、 １２は陰極、 １３は陽極、 １４は押圧手段、 １５はメンキカップ、 １６は外周容器、 １７はメッキ液をそれぞれ示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板（１０）の表面に導電膜を被着するメッキ装置にお
   いて、 反転自在な反転蓋（１１）の裏面（１１ｂ）に前記基板
   （１０）が押圧手段（１４）により押圧されて固定され
   、且つマイナス電位の陰極（１２）と導通した該基板（
   １０）を、プラス電位の陽極（１３）と導通したメッキ
   液（１７）に浸漬させて該基板（１０）の表面に導電膜
   を被着することを特徴とするメッキ装置。