JPS58181898A - メツキ用給電装置 - Google Patents
メツキ用給電装置Info
- Publication number
- JPS58181898A JPS58181898A JP6196482A JP6196482A JPS58181898A JP S58181898 A JPS58181898 A JP S58181898A JP 6196482 A JP6196482 A JP 6196482A JP 6196482 A JP6196482 A JP 6196482A JP S58181898 A JPS58181898 A JP S58181898A
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- JP
- Japan
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- plating
- conductor
- wafer
- ring shaped
- power supply
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）発明の技術分野
本発明は電解メッキ用の給電装置に関するものであって
、特に、基板の比較的広い面積領域に対し、メッキを施
す際に使用される給電装置に関するものである。
、特に、基板の比較的広い面積領域に対し、メッキを施
す際に使用される給電装置に関するものである。
（ｂ）技術の背景
薄膜磁気ヘットの形成に於ては、フォトセフムのような
絶縁体基板、或いはＡｌ２Ｏ３・ＴｉＣのような導電性
基板に、導電性材料や磁性材料をメッキすることが行わ
れる。
絶縁体基板、或いはＡｌ２Ｏ３・ＴｉＣのような導電性
基板に、導電性材料や磁性材料をメッキすることが行わ
れる。
被メッキ体が絶縁体基板である場合には、基板表面に薄
い導電性皮膜を形成した後、これを電極として電解メッ
キを施し、目的とする溝型体層を得ることになる。この
薄い導電性皮膜はメノキヘースと呼ばれ、金属材料をス
パッタ或いは蒸着することにより被着形成される。
い導電性皮膜を形成した後、これを電極として電解メッ
キを施し、目的とする溝型体層を得ることになる。この
薄い導電性皮膜はメノキヘースと呼ばれ、金属材料をス
パッタ或いは蒸着することにより被着形成される。
薄膜磁気へノドの形成に使用され、メッキによって形成
される金属材料層は、コアの形成に用いられるＦｅ−Ｎ
ｉ合金（通常パーマロイと呼ばれる組成物）及びコイル
を形成する為のＣｕ層であり、Ｆｅ−Ｎｉ合金層は複数
層必要である。
される金属材料層は、コアの形成に用いられるＦｅ−Ｎ
ｉ合金（通常パーマロイと呼ばれる組成物）及びコイル
を形成する為のＣｕ層であり、Ｆｅ−Ｎｉ合金層は複数
層必要である。
フォトセラム等の基板に薄膜磁気へ・ノドを形成する場
合、ウェファ−状の基板表面に多数のへ。
合、ウェファ−状の基板表面に多数のへ。
トを同時に形成することが行われるので、メッキ工程で
はウェファ−全面に均一な厚みのメッキを施すことが要
求される。
はウェファ−全面に均一な厚みのメッキを施すことが要
求される。
メッキヘースは、既述の力性で形成されるため極めて薄
く高抵抗なので、−ゲ所だけから給電したのでは均一な
厚みのメッキ層を得ることは出来ない。従って、特殊な
給電装置を用いてウェファ−周辺部の複数の点から給電
することが行われている。
く高抵抗なので、−ゲ所だけから給電したのでは均一な
厚みのメッキ層を得ることは出来ない。従って、特殊な
給電装置を用いてウェファ−周辺部の複数の点から給電
することが行われている。
上記の技術背景の説明には薄膜磁気ヘットの形成が例示
されているが、この状況は、比較的広い面積領域に厚み
の均一なメッキを施す場合に共通である。
されているが、この状況は、比較的広い面積領域に厚み
の均一なメッキを施す場合に共通である。
（Ｃ）従来技術と問題点
Ａｉｌ記給電装置の一例が第１図に示されている。
この給電装置は、環状の導体２に設けた爪３を基板１表
面のメンキヘース（図示せず）に接触させ、必要な電流
を供給するものである。此等の物体はメッキ液中に浸漬
して使用される。
面のメンキヘース（図示せず）に接触させ、必要な電流
を供給するものである。此等の物体はメッキ液中に浸漬
して使用される。
この方式の給電装置では、爪３の接触点近傍のメッキ層
が厚くなり、爪から離れた領域ではメッキ層が薄くなる
ことは避けられない。又、爪の部分にもメッキが進行す
る為、給電装置を再度使用する場合、爪毎に接触条（４
が異なり、メッキが一層不均一になることが起る。
が厚くなり、爪から離れた領域ではメッキ層が薄くなる
ことは避けられない。又、爪の部分にもメッキが進行す
る為、給電装置を再度使用する場合、爪毎に接触条（４
が異なり、メッキが一層不均一になることが起る。
単体金属のメッキに於ては、電流密度の不均一はメッキ
層の厚さの不均一をもたらすが、更にパー々ロイのよう
な合金のメッキでは、電流密度の不均一による組成の不
均一をも生せしめる。此等のメッキ層の厚さはＣｕ層が
２μｍ、パーマロイ層が４〜５μｍであって、通常のメ
ッキ皮膜に比べてかなり薄く、且つ厚さの精度も高いも
のが要求されるから、此等の不均一は薄膜磁気へノドの
特性に大きな影響を及ぼすことになる。
層の厚さの不均一をもたらすが、更にパー々ロイのよう
な合金のメッキでは、電流密度の不均一による組成の不
均一をも生せしめる。此等のメッキ層の厚さはＣｕ層が
２μｍ、パーマロイ層が４〜５μｍであって、通常のメ
ッキ皮膜に比べてかなり薄く、且つ厚さの精度も高いも
のが要求されるから、此等の不均一は薄膜磁気へノドの
特性に大きな影響を及ぼすことになる。
以上の問題は、形状は第１図のものと異なっていても、
躍られた給電点を持つ装置では避けられない問題である
。
躍られた給電点を持つ装置では避けられない問題である
。
爪の数が限定されることによる不均一を避ける為、第２
図の如き給電装置が使用されることもあるが、この方式
でも給電す置がメッキ液に接触するので、二度目以後の
使用でメノキヘースとの接触が不均一になることは避け
られない。
図の如き給電装置が使用されることもあるが、この方式
でも給電す置がメッキ液に接触するので、二度目以後の
使用でメノキヘースとの接触が不均一になることは避け
られない。
（ｄ）発明の目的
此等の問題点に鑑み、本発明はウェファ−全域に対し均
一な給電が可能で、而も繰り返し使用した場合にも、メ
ノキヘースとの均一な接触が可能であるメッキ用給電装
置を提供することを目的としている。
一な給電が可能で、而も繰り返し使用した場合にも、メ
ノキヘースとの均一な接触が可能であるメッキ用給電装
置を提供することを目的としている。
゛（ｅ）発明の構成
上記の目的を達成する為、本発明のメッキ用給電装置は
、比較的小なる外力により変形する環状の弾性体と、該
環状の弾性体の表面に設けられた環状の導体とを有し、
メッキされる物体と前記環状の弾性体との間に前記環状
の導体を挾んで、前記環状の弾性体を前記メッキされる
物体に押し付けた場合、前記環状の導体はｉｉｊ記メッ
キされる物体と前記環状の弾性体とによって、水密に包
囲されるように構成されることを特徴としている。
、比較的小なる外力により変形する環状の弾性体と、該
環状の弾性体の表面に設けられた環状の導体とを有し、
メッキされる物体と前記環状の弾性体との間に前記環状
の導体を挾んで、前記環状の弾性体を前記メッキされる
物体に押し付けた場合、前記環状の導体はｉｉｊ記メッ
キされる物体と前記環状の弾性体とによって、水密に包
囲されるように構成されることを特徴としている。
（ｆ）発明の実施′例
第３図に本発明の給電装置の実施例を示す。同図（ａ）
は該装置の全体的形状を示すもので、１１は例えばシリ
コンゴムの如き変形容易な弾性体で、図示のように環状
に形成され、その表面に例えばｆＩ線である環状導体１
２が設けられている。
は該装置の全体的形状を示すもので、１１は例えばシリ
コンゴムの如き変形容易な弾性体で、図示のように環状
に形成され、その表面に例えばｆＩ線である環状導体１
２が設けられている。
該環状導体１２は、後述するようにシリコンゴム１１を
介してウェファ−に押し付けられるので、メノキヘース
との良好な接触を得る為に、比較的柔軟なものであるこ
とが望ましい。
介してウェファ−に押し付けられるので、メノキヘース
との良好な接触を得る為に、比較的柔軟なものであるこ
とが望ましい。
同図（ｂ）ばその断面の一部を拡大したもので、この図
のように銅線１２がシリコンゴム１１に一部埋め込まれ
ていると、シリコンゴムをウェファ−１に押し付けた時
に、銅線の位置が変らないという利点がある。然し乍ら
、これは本発明の要件ではない。 ′ 同図（Ｃ）は、外力を加えてシリコンゴムをウェファ−
に押し付けた状態を示すもので、銅線１２はシリコンゴ
ム１１と基板であるウェファ−１によって包み込まれて
いる。シリ：１ンゴムとウェファ−との間は水密状態と
なるので、この状態でメッキ液中に浸漬しても、銅線は
メッキ液に接触することがない。従って銅線自体がメッ
キされることはなく、給電装置は何度使用してもウェフ
ァ−に対する接触状態が変ることはない。即ち本発明に
於ては、シリコンゴムの如き弾性体は、給電用導体の支
持体であると同時に、バンキングとしての役割も果して
いる。
のように銅線１２がシリコンゴム１１に一部埋め込まれ
ていると、シリコンゴムをウェファ−１に押し付けた時
に、銅線の位置が変らないという利点がある。然し乍ら
、これは本発明の要件ではない。 ′ 同図（Ｃ）は、外力を加えてシリコンゴムをウェファ−
に押し付けた状態を示すもので、銅線１２はシリコンゴ
ム１１と基板であるウェファ−１によって包み込まれて
いる。シリ：１ンゴムとウェファ−との間は水密状態と
なるので、この状態でメッキ液中に浸漬しても、銅線は
メッキ液に接触することがない。従って銅線自体がメッ
キされることはなく、給電装置は何度使用してもウェフ
ァ−に対する接触状態が変ることはない。即ち本発明に
於ては、シリコンゴムの如き弾性体は、給電用導体の支
持体であると同時に、バンキングとしての役割も果して
いる。
第４図は本発明の給電装置の使用形態を示すものである
。窓１４を持つ支持枠１３に本発明の給電装置及びウェ
ファ−１を嵌め込み、押し当て治具１５によってウェフ
ァ−を支持枠に押し付けると、既述したようにシリコン
ゴム１１が変形し、銅線１２はメッキ液から完全に隔離
された状態で、メッキベースの周辺領域から給電し得る
ようになる。
。窓１４を持つ支持枠１３に本発明の給電装置及びウェ
ファ−１を嵌め込み、押し当て治具１５によってウェフ
ァ−を支持枠に押し付けると、既述したようにシリコン
ゴム１１が変形し、銅線１２はメッキ液から完全に隔離
された状態で、メッキベースの周辺領域から給電し得る
ようになる。
本発明の給電装置は、上記実施例のように環状のゴム板
に銅線を貼付して形成し得るばかりでなく、蒸着等の方
法によって環状のゴム板に導体層を被着し、パターニン
グすることによっても形成することができる。この場合
、メッキベースが比較的高抵抗なので、被着する導体層
をあまり厚くする必要が無く、この方法も十分に実用的
である。
に銅線を貼付して形成し得るばかりでなく、蒸着等の方
法によって環状のゴム板に導体層を被着し、パターニン
グすることによっても形成することができる。この場合
、メッキベースが比較的高抵抗なので、被着する導体層
をあまり厚くする必要が無く、この方法も十分に実用的
である。
更に、核力法により形成した給電装置では、ゴム面から
の導体の突出が小なので、水密状態を得るのが容易であ
るという利点がある。
の導体の突出が小なので、水密状態を得るのが容易であ
るという利点がある。
（ｇ）発明の詳細
な説明したように、本発明の給電装置を使用すれば、メ
ッキベースのほぼ全域に対して均一な厚さのメッキを施
すことが出来、而も、繰り返し使用するに当って何等の
手入れも必要としない。
ッキベースのほぼ全域に対して均一な厚さのメッキを施
すことが出来、而も、繰り返し使用するに当って何等の
手入れも必要としない。
又、不要なメッキが行われないことから、電流の損失が
無くなり、メッキ液の無用な消費も避けられる。
無くなり、メッキ液の無用な消費も避けられる。
第１図および第２図は従来技術を示す図、第３図及び第
４図は本発明を示す図であって、図に於て、１はウェフ
ァ−１２，１２は給電用導体、１１はシリコンゴム、１
３は支持枠、１５は押し当て治具である。 第 １ 図 第 Ｚ 間第 ４ 図 第 ３ 図 （ｂ）（Ｃ） １
４図は本発明を示す図であって、図に於て、１はウェフ
ァ−１２，１２は給電用導体、１１はシリコンゴム、１
３は支持枠、１５は押し当て治具である。 第 １ 図 第 Ｚ 間第 ４ 図 第 ３ 図 （ｂ）（Ｃ） １
Claims (1)
- 比較的小なる外力により変形する環状の弾性体と、該環
状の弾性体の表面に設けられた環状の導体とを有し、メ
ッキされる物体と前記環状の弾性体との間にＡｉｌ記環
状の導体を挾んで前記環状の弾性体を前記メッキされる
物体に押し付けた場合、前記環状の導体は前記メッキさ
れる物体と前記環状の弾性体とによって、水密に包囲さ
れるように構成されていることを特徴とするメッキ用給
電装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6196482A JPS58181898A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | メツキ用給電装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6196482A JPS58181898A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | メツキ用給電装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58181898A true JPS58181898A (ja) | 1983-10-24 |
| JPH037759B2 JPH037759B2 (ja) | 1991-02-04 |
Family
ID=13186368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6196482A Granted JPS58181898A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | メツキ用給電装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58181898A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04280992A (ja) * | 1991-03-11 | 1992-10-06 | Electroplating Eng Of Japan Co | ウエーハ用メッキ装置 |
| KR20010063160A (ko) * | 1999-12-22 | 2001-07-09 | 김범용 | 웨이퍼 전기도금을 위한 새로운 전기접촉 방식 |
| JP2006344725A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 回路基板の製造方法 |
| JP2007119923A (ja) * | 1998-11-28 | 2007-05-17 | Acm Research Inc | 半導体ワークの電気めっきおよび／または電解研磨中に半導体ワークを保持して位置決めする方法および装置 |
| JP2008202065A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Mitsubishi Materials Corp | 電解メッキ用アノード電極取付構造 |
| DE102007015361A1 (de) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Technotrans Ag | Trägervorrichtung für Substrate bei der galvanischen Beschichtung |
| US7833393B2 (en) | 1999-05-18 | 2010-11-16 | Ebara Corporation | Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer |
-
1982
- 1982-04-14 JP JP6196482A patent/JPS58181898A/ja active Granted
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04280992A (ja) * | 1991-03-11 | 1992-10-06 | Electroplating Eng Of Japan Co | ウエーハ用メッキ装置 |
| JP2007119923A (ja) * | 1998-11-28 | 2007-05-17 | Acm Research Inc | 半導体ワークの電気めっきおよび／または電解研磨中に半導体ワークを保持して位置決めする方法および装置 |
| US7833393B2 (en) | 1999-05-18 | 2010-11-16 | Ebara Corporation | Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer |
| US8075756B2 (en) | 1999-05-18 | 2011-12-13 | Ebara Corporation | Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer |
| US8961755B2 (en) | 1999-05-18 | 2015-02-24 | Ebara Corporation | Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer |
| US9714476B2 (en) | 1999-05-18 | 2017-07-25 | Ebara Corporation | Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer |
| KR20010063160A (ko) * | 1999-12-22 | 2001-07-09 | 김범용 | 웨이퍼 전기도금을 위한 새로운 전기접촉 방식 |
| JP2006344725A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 回路基板の製造方法 |
| JP4509869B2 (ja) * | 2005-06-08 | 2010-07-21 | 新光電気工業株式会社 | 回路基板の製造方法 |
| JP2008202065A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Mitsubishi Materials Corp | 電解メッキ用アノード電極取付構造 |
| DE102007015361A1 (de) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Technotrans Ag | Trägervorrichtung für Substrate bei der galvanischen Beschichtung |
| DE102007015361B4 (de) * | 2007-03-30 | 2010-11-18 | Technotrans Ag | Trägervorrichtung für Substrate bei der galvanischen Beschichtung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH037759B2 (ja) | 1991-02-04 |
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