JPH037759B2 - - Google Patents

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JPH037759B2
JPH037759B2 JP6196482A JP6196482A JPH037759B2 JP H037759 B2 JPH037759 B2 JP H037759B2 JP 6196482 A JP6196482 A JP 6196482A JP 6196482 A JP6196482 A JP 6196482A JP H037759 B2 JPH037759 B2 JP H037759B2
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JP
Japan
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plating
power supply
supply device
annular
elastic body
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JP6196482A
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English (en)
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JPS58181898A (ja
Inventor
Jushi Sasaki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 (a) 発明の技術分野 本発明は電解メツキ用の給電装置に関するもの
であつて、特に、基板の比較的広い面積領域に対
し、メツキを施す際に使用される給電装置に関す
るものである。
(b) 技術の背景 薄膜磁気ヘツドの形成に於ては、フオトセラム
のような絶縁体基板、或いはAl2O3・TiCのよう
な導電性基板に、導電性材料や磁性材料をメツキ
することが行われる。
被メツキ体が絶縁体基板である場合には、基板
表面に薄い導電性皮膜を形成した後、これを電極
として電解メツキを施し、目的とする導電体層を
得ることになる。この薄い導電性皮膜はメツキベ
ースと呼ばれ、金属材料をスパツタ或いは蒸着す
ることにより被着形成される。
薄膜磁気ヘツドの形成に使用され、メツキによ
つて形成される金属材料層は、コアの形成に用い
られるFe−Ni合金(通常パーマロイと呼ばれる
組成物)及びコイルを形成する為のCu層であり、
Fe−Ni合金層は複数層必要である。
フオトセラム等の基板に薄膜磁気ヘツドを形成
する場合、ウエフアー状の基板表面に多数のヘツ
ドを同時に形成することが行われるので、メツキ
工程ではウエフアー全面に均一な厚みのメツキを
施すことが要求される。
メツキベースは、既述の方法で形成されるため
極めて薄く高抵抗なので、一ケ所だけから給電し
たのでは均一な厚みのメツキ層を得ることは出来
ない。従つて、特殊な給電装置を用いてウエフア
ー周辺部の複数の点から給電することが行われて
いる。
上記の技術背景の説明には薄膜磁気ヘツドの形
成が例示されているが、この状況は、比較的広い
面積領域に厚みの均一なメツキを施す場合に共通
である。
(c) 従来技術と問題点 前記給電装置の一例が第1図に示されている。
この給電装置は、環状の導体2に設けた爪3を基
板1表面のメツキベース(図示せず)に接触さ
せ、必要な電流を供給するものである。此等の物
体はメツキ液中に浸漬して使用される。
この方式の給電装置では、爪3の接触点近傍の
メツキ層が厚くなり、爪から離れた領域ではメツ
キ層が薄くなることは避けられない。又、爪の部
分にもメツキが進行する為、給電装置を再度使用
する場合、爪毎に接触条件が異なり、メツキが一
層不均一になることが起る。
単体金属のメツキに於ては、電流密度の不均一
はメツキ層の厚さの不均一をもたらすが、更にパ
ーマロイのような合金のメツキでは、電流密度の
不均一による組成の不均一をも生ぜしめる。此等
のメツキ層の厚さはCu層が2μm、パーマロイ層
が4〜5μmであつて、通常のメツキ皮膜に比べ
てかなり薄く、且つ厚さの精度も高いものが要求
されるから、此等の不均一は薄膜磁気ヘツドの特
性に大きな影響を及ぼすことになる。
以上の問題は、形状は第1図のものと異なつて
いても、限られた給電点を持つ装置では避けられ
ない問題である。
爪の数が限定されることによる不均一を避ける
為、第2図の如き給電装置が使用されることもあ
るが、この方式でも給電装置がメツキ液に接触す
るので、二度目以後の使用でメツキベースとの接
触が不均一になることは避けられない。
(d) 発明の目的 此等の問題点に鑑み、本発明はウエフアー全域
に対し均一な給電が可能で、而も繰り返し使用し
た場合にも、メツキベースとの均一な接触が可能
であるメツキ用給電装置を提供することを目的と
している。
(e) 発明の構成 上記の目的を達成する為、本発明のメツキ用給
電装置は、比較的小なる外力により変形する環状
の弾性体と、該環状の弾性体の表面に設けられた
環状の導体とを有し、メツキされる物体と前記環
状の弾性体との間に前記環状の導体を挾んで、前
記環状の弾性体を前記メツキされる物体に押し付
けた場合、前記環状の導体は前記メツキされる物
体と前記環状の弾性体とによつて、水密に包囲さ
れるように構成されることを特徴としている。
(f) 発明の実施例 第3図に本発明の給電装置の実施例を示す。同
図aは該装置の全体的形状を示すもので、11は
例えばシリコンゴムの如き変形容易な弾性体で、
図示のように環状に形成され、その表面に例えば
銅線である環状導体12が設けられている。該環
状導体12は、後述するようにシリコンゴム11
を介してウエフアーに押し付けられるので、メツ
キベースとの良好な接触を得る為に、比較的柔軟
なものであることが望ましい。
同図bはその断面の一部を拡大したもので、こ
の図のように銅線12がシリコンゴム11に一部
埋め込まれていると、シリコンゴムをウエフアー
1に押し付けた時に、銅線の位置が変らないとい
う利点がある。然し乍ら、これは本発明の要件で
はない。
同図cは、外力を加えてシリコンゴムをウエフ
アーに押し付けた状態を示すもので、銅線12は
シリコンゴム11と基板であるウエフアー1によ
つて包み込まれている。シリコンゴムとウエフア
ーとの間は水密状態となるので、この状態でメツ
キ液中に浸漬しても、銅線はメツキ液に接触する
ことがない。従つて銅線自体がメツキされること
はなく、給電装置は何度使用してもウエフアーに
対する接触状態が変ることはない。即ち本発明に
於ては、シリコンゴムの如き弾性体は、給電用導
体の支持体であると同時に、パツキングとしての
役割も果している。
第4図は本発明の給電装置の使用形態を示すも
のである。窓14を持つ支持枠13に本発明の給
電装置及びウエフアー1を嵌め込み、押し当て治
具15によつてウエフアーを支持枠に押し付ける
と、既述したようにシリコンゴム11が変形し、
銅線12はメツキ液から完全に隔離された状態
で、メツキベースの周辺領域から給電し得るよう
になる。
本発明の給電装置は、上記実施例のように環状
のゴム板に銅線を貼付して形成し得るばかりでな
く、蒸着等の方法によつて環状のゴム板に導体層
を被着し、パターニングすることによつても形成
することができる。この場合、メツキベースが比
較的高抵抗なので、被着する導体層をあまり厚く
する必要が無く、この方法も十分に実用的であ
る。
更に、該方法により形成した給電装置では、ゴ
ム面からの導体の突出が小なので、水密状態を得
るのが容易であるという利点がある。
(g) 発明の効果 以上説明したように、本発明の給電装置を使用
すれば、メツキベースのほぼ全域に対して均一な
厚さのメツキを施すことが出来、而も、繰り返し
使用するに当つて何等の手入れも必要としない。
又、不要なメツキが行われないことから、電流
の損失が無くなり、メツキ液の無用な消費も避け
られる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は従来技術を示す図、第3
図及び第4図は本発明を示す図であつて、図に於
て、1はウエフアー、2,12は給電用導体、1
1はシリコンゴム、13は支持枠、15は押し当
て治具である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 比較的小なる外力により変形する環状の弾性
    体と、該環状の弾性体の表面に設けられた環状の
    導体とを有し、メツキされる物体と前記環状の弾
    性体との間に前記環状の導体を挾んで前記環状の
    弾性体を前記メツキされる物体に押し付けた場
    合、前記環状の導体は前記メツキされる物体と前
    記環状の弾性体とによつて、水密に包囲されるよ
    うに構成されていることを特徴とするメツキ用給
    電装置。
JP6196482A 1982-04-14 1982-04-14 メツキ用給電装置 Granted JPS58181898A (ja)

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JP6196482A JPS58181898A (ja) 1982-04-14 1982-04-14 メツキ用給電装置

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JP6196482A JPS58181898A (ja) 1982-04-14 1982-04-14 メツキ用給電装置

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Publication Number Publication Date
JPS58181898A JPS58181898A (ja) 1983-10-24
JPH037759B2 true JPH037759B2 (ja) 1991-02-04

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ID=13186368

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JP6196482A Granted JPS58181898A (ja) 1982-04-14 1982-04-14 メツキ用給電装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2798517B2 (ja) * 1991-03-11 1998-09-17 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース 株式会社 ウエーハ用メッキ装置
AU3105400A (en) * 1998-11-28 2000-06-19 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces
US7022211B2 (en) 2000-01-31 2006-04-04 Ebara Corporation Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer
KR20010063160A (ko) * 1999-12-22 2001-07-09 김범용 웨이퍼 전기도금을 위한 새로운 전기접촉 방식
JP4509869B2 (ja) * 2005-06-08 2010-07-21 新光電気工業株式会社 回路基板の製造方法
JP4826496B2 (ja) * 2007-02-16 2011-11-30 三菱マテリアル株式会社 電解メッキ用アノード電極取付構造
DE102007015361B4 (de) * 2007-03-30 2010-11-18 Technotrans Ag Trägervorrichtung für Substrate bei der galvanischen Beschichtung

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JPS58181898A (ja) 1983-10-24

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