JPH1046394A - メッキ治具 - Google Patents

メッキ治具

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JPH1046394A
JPH1046394A JP20513496A JP20513496A JPH1046394A JP H1046394 A JPH1046394 A JP H1046394A JP 20513496 A JP20513496 A JP 20513496A JP 20513496 A JP20513496 A JP 20513496A JP H1046394 A JPH1046394 A JP H1046394A
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JP
Japan
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wafer
plate
thin film
electrode plate
contact
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JP20513496A
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English (en)
Inventor
Fumihiro Yamazaki
文宏 山崎
Hidenori Kitago
秀紀 北郷
Masahiko Ejiri
雅彦 江尻
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FDK Corp
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FDK Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、ウェハを着脱可能であって電気メ
ッキにより均一な薄膜を形成するメッキ治具に関し、接
点によるウェハへの電流供給を止め、ウェハの全周から
均一に電流供給を行って電気メッキで形成する薄膜の厚
さの均一性を向上させることを目的とする。 【解決手段】 ウェハの外周の全面に接触する主電極板
と、この主電極板をウェハの外周の全面に均一に接触さ
せるための収縮する絶縁板と、この絶縁板の上に設け、
ウェハ上に均一厚さの薄膜を形成するための補助電流分
布を形成する補助電極板と、ウェハと絶縁板との間に圧
縮方向の力を加えてウェハの外周の全周で接触させるウ
ェハ押え板とから構成したメッキ治具である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハを着脱可能
であって電気メッキにより均一な薄膜を形成するメッキ
治具に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、大口径のウェハを電気メッキする
場合、図4に示すように、ウェハを外周の4箇所の接点
で押さえ、図示外のアノード電極との間に電流を流し、
ウェハ上に電気メッキで所定膜厚の薄膜を形成するよう
にしていた。以下図4の構成および電気メッキの手順を
説明する。
【0003】図4は、従来技術の説明図を示す。図4の
(a)は上面図を示し、図4の(b)は側面図を示を示
す。図4の(a)および(b)において、ウェハは、所
定厚さの薄膜を電気メッキするための基板であって、図
示外の直流電源から4つの接点を介して接続したウェハ
と、図示外のアノード電極との間に電流を流し、アノー
ド電極の材料をイオンにしてウェハの表面に電気メッキ
して薄膜を形成するようにしていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した図4の構成に
示すように従来は4つの接点でウェハに接続し、図示外
の直流電源から当該4つの接点を介してウェハに電流を
供給し、当該ウェハと図示外のアノード電極との間に電
流を流し、アノード電極の材料をイオンにしてウェハ上
に電気メッキして薄膜を形成していたため、図5に示す
ように、薄膜の厚さに大きなバラツキが発生してしまう
問題があった。このバラツキの発生する原因を当発明者
が調べ、実験を繰り返したところ、ウェハに4箇所の接
点で接触している関係で当該4箇所の接点によるウェハ
への接触によりウェハ上における電流分布が不均一とな
ってしまい、結果として電気メッキで形成した薄膜が、
図5に示すようにその厚さに大きなバラツキが発生し、
特に薄膜磁気ヘッドの磁極などを形成するときに膜厚の
バラツキにより規格外となり不良品が発生してしまい、
歩留りが悪かった。この4個の接点によりウェハに電流
を供給するときの電流分布の不均一による薄膜の厚さの
バラツキを少なくすることが望まれている。
【0005】図5は、ウェハに電気メッキしたときの膜
厚のバラツキを示す図である。これは、後述する図3の
(b)に示すように、ウェハのオリフラに沿った方向お
よび直角方向の薄膜の膜厚を実測したときの値を棒グラ
フで3次元的に表示したものである。ここでは、図示の
ような測定値が得られ、バラツキが非常に大きいことが
判明した。
【0006】本発明は、これらの問題を解決するため、
接点によるウェハへの電流供給を止め、ウェハの全周か
ら均一に電流供給を行って電気メッキで形成する薄膜の
厚さの均一性を向上させることを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】図1を参照して課題を解
決するための手段を説明する。図1において、ウェハ1
は、治具2に固定して均一な薄膜を電気メッキによって
形成する基板である。
【0008】治具2は、ウェハ1を固定して均一な薄膜
を電気メッキするためのものであって、ここでは、主電
極板3、絶縁板4、補助電極板5、およびウェハ押さ板
7などから構成されるものである。
【0009】主電極板3は、導電性の金属で形成したも
のであって、ウェハ1の外周の全面に接触するものであ
る。絶縁板4は、主電極板3をウェハ1の外周の全周で
均一に接触させるための収縮する絶縁体の板である。
【0010】補助電極板5は、ウェハ1上に均一厚さの
薄膜を形成するための補助電流分布を形成するものであ
る。ウェハ押え板7は、ウェハ1のほぼ中心部分で絶縁
板4の方向に押圧するものである。
【0011】次に、構造および薄膜の形成について説明
する。主電極板3、絶縁板4および補助電極板5を相互
に固定し、ウェハ1を主電極板3に接触する位置に入
れ、図示の下側からウェハ押え板7によってウェハ1を
主電極板3の方向に押しつけ、絶縁板4が収縮して当該
主電極板3とウェハ1の外周の全周が相互に密着して接
触する。この状態で、電気メッキ液中に浸し、主電極板
3および補助電極板4にそれぞれ所定の電流を流し、ウ
ェハ1上に均一な薄膜を電気メッキによって形成する。
【0012】この際、主電極板3を導電性の金属の薄膜
で形成し、絶縁板4が収縮することとあいまって当該主
電極板3とウェハ1とが相互に完全に接触させるように
している。
【0013】また、ウェハ押え板7とし、ウェハ1のほ
ぼ中心部分で絶縁板4の方向に押圧し、ウェハ1の全周
に均一に押圧力を与え、ウェハ1の外周の全周を主電極
板3に密着して接触させるようにしている。
【0014】従って、従来の図4の接点によるウェハへ
の電流供給を止め、ウェハ1の全周から均一に電流供給
を行って電気メッキで形成する薄膜の膜厚の均一性を向
上させることが可能となる。
【0015】
【発明の実施の形態】次に、図1から図3を用いて本発
明の実施の形態および動作を順次詳細に説明する。
【0016】図1は、本発明のメッキ治具模式図を示
す。図1において、ウェハ1は、治具2に固定して電解
液中に浸して電気メッキにより薄膜を形成する対象の基
板である。
【0017】治具2は、ウェハ1を保持するものであっ
て、ここでは、主電極板3、絶縁板4、補助電極板5、
ウェハ押え板7などから構成されるものである。主電極
板3は、ウェハ1の外周の全周に接触するものであっ
て、ここでは、Ptの薄板であり、当該主電極板3とア
ノード板8との間に電流を流してウェハ1上に電気メッ
キにより薄膜を形成するための電極である。
【0018】絶縁板4は、主電極板3をウェハ1の外周
の全周で密着して接触するダンパーとしての役割を果た
すものであって、柔軟なテフロン板などの絶縁板であ
る。補助電極板5は、ウェハ1の全面に渡って均一な膜
厚の薄膜を形成できるるように、電流分布を実験によっ
て決まる値を与えるためのものである。
【0019】電極板固定ネジ6は、補助電極板5、絶縁
板4、および主電極板3を治具に固定するものである。
ウェハ押え板7は、ウェハ1を主電極板3に接触するよ
うに押圧するためのものである。
【0020】アノード板8は、主電極板3および補助電
極板5との間で電流を流し、電気メッキするためのもの
である。主極用整流器9は、アノード板8と主電極板3
との間で所定の電流を供給するためのものである。
【0021】補助極用整流器10は、アノード板8と補
助電極板5との間で所定の電流を供給するためのもので
ある。次に、図2を用いてウェハ7に主電極板3が接触
する様子を詳細に説明する。
【0022】図2は、本発明の要部説明図を示す。図2
の(a)は上面図を示す。この上面図から判明するよう
に、図1のウェハ1をウェハ押え板7で主電極板3の方
向に押圧したときに、図示のウェハ1の外周の斜線の部
分が主電極板3に完全に密着して接触する様子を示した
ものである。これは、図1に示した絶縁板4が柔軟性の
テフロンシートなどで形成されており、しかも主電極板
3が50μm厚のPtのように薄く柔軟に反ったするた
め、ウェハ1の裏のほぼ中心の位置からウェハ押え板7
によってウェハ1を主電極板3の方向に押圧すると、ウ
ェハ1の外周の全周が薄板の主電極板3に完全に密着し
て接触するものである。
【0023】図2の(b)は、図2の(a)の側面図を
示す。ここでは、ウェハ1の外周の部分が主電極板3に
密着して接触している様子を示す。図2の(c)は、要
部拡大図を示す。これは、ウェハ1、主電極板3である
Pt電極(50μm)31、絶縁板4であるテフロンシ
ート(1mm)41、および補助電極板(1.5mm)
5の要部を拡大した図であって、テフロンシート41が
柔らかくて柔軟性を持ち、スプリング作用として働くも
のである。この結果、ウェハ1が下方からウェハ押え板
7によって上方にほぼ中心が押圧されると、当該ウェハ
1の外周の全周が薄板のPt電極31および柔軟なテフ
ロンシート41に押圧されてウェハ1の外周の全周とP
t電極31とが完全に密着して接触し、アノード板8と
Pt電極31との間に電流を供給したときに、ウェハ1
上の電流分布が均一となりバラツキの少ない膜厚の薄膜
をウェハ1上に形成することが可能となる(後述する図
3参照)。
【0024】ここで、主電極板3であるPt電極(50
μm)31は、電解液に入れたときに錆たりなどしてウ
ェハと接触不良とならないようにPtを選択し、しか
も、50μmと非常に薄くして裏面に設けた柔軟なテフ
ロンシート41のスプリング作用により、ウェハ1の外
周の全周でPt電極31に完全に密着して接触するよう
にしたものである。
【0025】テフロンシート(1mm)41は、Pt電
極31と補助電極板5とを絶縁すると共に、柔軟でスプ
リングとして働き、ウェハ1がPt電極31に押圧され
たときにスプリングとして作用しウェハ1の外周の全周
とPt電極31とが完全に密着して接触するようにした
ものである。
【0026】補助電極板(1.5mm)5は、ウェハ1
上に形成される電流分布を均一に補正するために、補助
極用整流器10から実験によって求めた最適な電流を供
給してウェハ1上に形成した薄膜の厚さのバラツキを最
小限にするためのものである。
【0027】図3は、本発明の薄膜形成結果例を示す。
これは、図1および図2で説明した治具2にウェハ1を
ウェハ押え板7で押さえて、補助電極板5にウェハ1上
で形成する薄膜の厚さのバラツキが最小となるように実
験で求めた電流を流した状態で、主電極板3とアノード
板8との間に所定の電流を所定時間流したときに、ウェ
ハ1上に形成された薄膜の厚さを測定し、3次元的に表
示したものである。ここで、ウェハ1上で厚さを測定し
た位置は、図3の(b)に示す矢印の方向であるオリフ
ラと平行の部分および直角の方向であって、これらの方
向に合わせて3次元的に表示したものが図3の(a)で
ある。
【0028】この図3の(a)の薄膜形成の結果は、図
示の下記のように得られた。 有効エリアの平均膜厚 2.38μm 最大値 2.45μm 最小値 2.33μm σ値 0.03μm R値 0.12μm σ/X 1.29% R/X 5.04% ここで、図5の従来の4点接触の場合に比し、特にσ/
Xの値が3.12%から1.29%の値に小さく、およ
びR/Xの値が12.05%から5.04%と小さくな
り、バラツキ(偏差σを平均の厚さXで除算した値(σ
/X)、および最大値と最小値の差Rを平均の厚さXで
除算した値(R/X)のバラツキ)が非常に小さくな
り、ウェハ1上に形成した薄膜の厚さを均一にすること
ができるようになった。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来の図4の接点によるウェハ1への電流供給を止め、
ウェハ1の全周から均一に電流供給を行って電気メッキ
で均一な厚さの薄膜を形成する構造を採用しているた
め、電気メッキされたウェハ1上の薄膜の膜厚のバラツ
キを小さくし、製造不良を無くすことができる。これら
により、電気メッキで形成した薄膜の膜厚の均一性を向
上させ、製品としての歩留りを向上させることが可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のメッキ治具模式図である。
【図2】本発明の要部説明図である。
【図3】本発明の薄膜形成結果例である。
【図4】従来技術の説明図である。
【図5】従来の薄膜形成結果例である。
【符号の説明】
1:ウェハ 2:治具 3:主電極板 31:Pt電極 4:絶縁板 41:テフロンシート 5:補助電極板 6:電極板固定ネジ 7:ウェハ押え板 8:アノード板 9:主極用整流器 10:補助極用整流器

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ウェハを着脱可能であって電気メッキによ
    り均一な薄膜を形成するメッキ治具において、 ウェハの外周の全面に接触する主電極板と、 この主電極板を上記ウェハの外周の全面に均一に接触さ
    せるための収縮する絶縁板と、 この絶縁板の上に設け、上記ウェハ上に均一厚さの薄膜
    を形成するための補助電流分布を形成する補助電極板
    と、 上記ウェハと上記絶縁板との間に圧縮方向の力を加えて
    ウェハの外周の全周で接触させるウェハ押え板とから構
    成したメッキ治具。
  2. 【請求項2】上記主電極板について、導電性の金属の薄
    膜で形成したことを特徴とする請求項1記載のメッキ治
    具。
  3. 【請求項3】上記ウェハ押え板について、上記ウェハの
    ほぼ中心部分で上記絶縁板の方向に押圧する押え板とし
    たことを特徴とする請求項1あるいは請求項2記載のメ
    ッキ治具。
JP20513496A 1996-08-05 1996-08-05 メッキ治具 Pending JPH1046394A (ja)

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JP20513496A JPH1046394A (ja) 1996-08-05 1996-08-05 メッキ治具

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6746880B2 (en) 2000-05-31 2004-06-08 Infineon Technologies Ag Method for making electrical contact with a rear side of a semiconductor substrate during its processing
JP2010013734A (ja) * 2009-09-14 2010-01-21 Tdk Corp 電極組立体およびめっき装置
US8728939B2 (en) 2012-05-31 2014-05-20 Mitsubishi Electric Corporation Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing system

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US6746880B2 (en) 2000-05-31 2004-06-08 Infineon Technologies Ag Method for making electrical contact with a rear side of a semiconductor substrate during its processing
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