JPS60228697A - 金属メツキ装置 - Google Patents
金属メツキ装置Info
- Publication number
- JPS60228697A JPS60228697A JP8443484A JP8443484A JPS60228697A JP S60228697 A JPS60228697 A JP S60228697A JP 8443484 A JP8443484 A JP 8443484A JP 8443484 A JP8443484 A JP 8443484A JP S60228697 A JPS60228697 A JP S60228697A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- plating
- semiconductor substrate
- plate
- metal
- Prior art date
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- Pending
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、半導体装置の製造装置、特に半導体集積回路
のメッキにより被着した金属被膜を均一化し、歩留りの
向上に有力な効果を発揮する金属メッキ装置に関するも
のである。
のメッキにより被着した金属被膜を均一化し、歩留りの
向上に有力な効果を発揮する金属メッキ装置に関するも
のである。
従来、半導体基板をメッキ液に浸漬し、基板の裏面から
基板自身を介してメッキ液との間に電流を流して所望の
厚さまで金属被膜を被着する金属メッキ装置において、
基板裏面と接触する陰極側の電極が数個の点電極となっ
ていた。従って、メッキを施す際に基板裏面とメッキ液
間に電流を流すと、基板の比抵抗が比較的高い場合には
点電極の接触している付近の電流密度が局部的に高くな
り、メッキの成長速度が大きくなる。
基板自身を介してメッキ液との間に電流を流して所望の
厚さまで金属被膜を被着する金属メッキ装置において、
基板裏面と接触する陰極側の電極が数個の点電極となっ
ていた。従って、メッキを施す際に基板裏面とメッキ液
間に電流を流すと、基板の比抵抗が比較的高い場合には
点電極の接触している付近の電流密度が局部的に高くな
り、メッキの成長速度が大きくなる。
そのため、メッキ終了時点での膜厚が局部的に不均一に
なりやすいという欠点があった。
なりやすいという欠点があった。
本発明は上記のような、被着した膜厚が局部的に不均一
となりやすいという欠点を除き、半導体装置を歩留り良
く製造する金属メッキ装置を提供するものである。
となりやすいという欠点を除き、半導体装置を歩留り良
く製造する金属メッキ装置を提供するものである。
即ち、本発明は半導体基板上に金属被膜を被着する金属
メッキ装置において、メッキ槽の上部開口位置に、半導
体基板の裏面に面接触させる平板電極を陽極電極と対向
して設置したことを特徴とする金属メッキ装置である。
メッキ装置において、メッキ槽の上部開口位置に、半導
体基板の裏面に面接触させる平板電極を陽極電極と対向
して設置したことを特徴とする金属メッキ装置である。
次に本発明を実施例により説明する。
第１図、第２図は本発明を半導体基板用噴流式金属メッ
キ装置に適用した場合の図である。図において、本発明
に係る金属メッキ装置の陰極側の電極１は従来の点電極
ではなく、被メツキ半導体基板と同径か又はやや小径の
平板電極からなり、該平板電極１をメッキ槽Ｍの上部開
口位置に陽極電極４と対向して設置したものである。こ
こで、この平板電極は点電極型の従来装置に、全面に金
属を被着した半導体基板を重ねることによっても代用す
ることができる。
キ装置に適用した場合の図である。図において、本発明
に係る金属メッキ装置の陰極側の電極１は従来の点電極
ではなく、被メツキ半導体基板と同径か又はやや小径の
平板電極からなり、該平板電極１をメッキ槽Ｍの上部開
口位置に陽極電極４と対向して設置したものである。こ
こで、この平板電極は点電極型の従来装置に、全面に金
属を被着した半導体基板を重ねることによっても代用す
ることができる。
このような構造のメッキ装置のメッキ槽Ｍの上部に半導
体基板３をその被メッキ面を下向きにして装着し、該半
導体基板３の裏面に前記平板電極１を面接触させる。然
る後に半導体基板３にメッキ液２を介して陽極電極４か
ら電流を流し、所望の厚さまでメッキを行う。この時、
基板３に流れる電流は平板電極１により均一化されるた
め、メッキの成長速度は基板上の各点において一様とな
り、均一な膜の被着ができる。
体基板３をその被メッキ面を下向きにして装着し、該半
導体基板３の裏面に前記平板電極１を面接触させる。然
る後に半導体基板３にメッキ液２を介して陽極電極４か
ら電流を流し、所望の厚さまでメッキを行う。この時、
基板３に流れる電流は平板電極１により均一化されるた
め、メッキの成長速度は基板上の各点において一様とな
り、均一な膜の被着ができる。
以上説明した様に、本発明は半導体基板に電極を面接触
させてメッキを行うようにしたので、局部的なメッキ厚
のばらつきを防止することができ、半導体装置を歩留り
良く製造することができる効果を有するものである。
させてメッキを行うようにしたので、局部的なメッキ厚
のばらつきを防止することができ、半導体装置を歩留り
良く製造することができる効果を有するものである。
第１図は本発明の実施例を示す断面図、第２図は本発明
装置の斜視図である。 １・・平板電極、２ メッキ液、３・・・被メツキ半導
体基板、４・・陽極電極、Ｍ・・・メッキ槽特許出願人
日本電気株式会社 第１図 １１ 第２図 メツ知夜
装置の斜視図である。 １・・平板電極、２ メッキ液、３・・・被メツキ半導
体基板、４・・陽極電極、Ｍ・・・メッキ槽特許出願人
日本電気株式会社 第１図 １１ 第２図 メツ知夜
Claims (1)
- （１）半導体基板上に金属被膜を被着させる金属メッキ
装置において、メッキ槽の上部開口位置に、半導体基板
の裏面に面接触させる平板電極を陽極電極と対向して設
置したことを特徴とする金属メッキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8443484A JPS60228697A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 金属メツキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8443484A JPS60228697A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 金属メツキ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60228697A true JPS60228697A (ja) | 1985-11-13 |
Family
ID=13830475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8443484A Pending JPS60228697A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 金属メツキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60228697A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012246544A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 電解メッキ装置 |
-
1984
- 1984-04-26 JP JP8443484A patent/JPS60228697A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012246544A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 電解メッキ装置 |
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