JPS62188798A - メツキ用コンタクトピン - Google Patents
メツキ用コンタクトピンInfo
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- JPS62188798A JPS62188798A JP3032186A JP3032186A JPS62188798A JP S62188798 A JPS62188798 A JP S62188798A JP 3032186 A JP3032186 A JP 3032186A JP 3032186 A JP3032186 A JP 3032186A JP S62188798 A JPS62188798 A JP S62188798A
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Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体基板等のような通電製のよくない且つ破損し易い
被加工物に電解メッキする際のコンタクトピンの周囲に
絶縁物カバーを被せることにより、ピン接触部がメッキ
液に露出するのを避け、ビン接触部にメッキが異常成長
するのを防止し良好なメッキを得る。
被加工物に電解メッキする際のコンタクトピンの周囲に
絶縁物カバーを被せることにより、ピン接触部がメッキ
液に露出するのを避け、ビン接触部にメッキが異常成長
するのを防止し良好なメッキを得る。
本発明はメッキ用コンタクトビンンの構造に関する。
半導体基板等のように電気良導体でない基板上に金属の
電解メッキを行うためには、まづ基板にメッキ下地とな
る金属の薄い被膜をスパッタリング等で被着した後、コ
ンタクトビンを基板に押しつけてメッキする。しかし基
板全面にわたりメッキ厚さが均一なメッキ被膜を得るに
は、下地の金属被膜が余り厚くないので一個所だけにメ
ッキ用コンタク１〜ピンを接触させる方法では電圧降下
が大きく均一性がよくないので、基板周辺にコンタクト
ピンを多数押し当て、且つ全部のコンタクト部をメッキ
液中に浸漬してメッキする方法がとられる。
電解メッキを行うためには、まづ基板にメッキ下地とな
る金属の薄い被膜をスパッタリング等で被着した後、コ
ンタクトビンを基板に押しつけてメッキする。しかし基
板全面にわたりメッキ厚さが均一なメッキ被膜を得るに
は、下地の金属被膜が余り厚くないので一個所だけにメ
ッキ用コンタク１〜ピンを接触させる方法では電圧降下
が大きく均一性がよくないので、基板周辺にコンタクト
ピンを多数押し当て、且つ全部のコンタクト部をメッキ
液中に浸漬してメッキする方法がとられる。
しかしこの方法においてはコンタクトピンが基板に接触
する部分をメッキ液中に浸漬してメッキを行うので、こ
の部分にメッキの異常成長が起こり、これのこぼれ落ち
た粉末がメッキ表面に付着しメツキネ良となる欠点を有
し、これの改善が望まれている。
する部分をメッキ液中に浸漬してメッキを行うので、こ
の部分にメッキの異常成長が起こり、これのこぼれ落ち
た粉末がメッキ表面に付着しメツキネ良となる欠点を有
し、これの改善が望まれている。
第４図は従来例におけるメッキ用コンタクトビンを用い
た基板用メッキ治具の斜視図である。
た基板用メッキ治具の斜視図である。
図において、４は被加工物たるＳｉ基板面に接触する爪
状のメッキ用コンタクトピンで、これは銅等の電気抵抗
の低い金属で作られ、数本のメッキ用コンタクトピン４
が円環状のリング５に取り付けられ保持されている。
状のメッキ用コンタクトピンで、これは銅等の電気抵抗
の低い金属で作られ、数本のメッキ用コンタクトピン４
が円環状のリング５に取り付けられ保持されている。
第５図は従来例におけるメッキ用コンタクトピンの接触
部における異常成長を示す図である。
部における異常成長を示す図である。
この図において、４はメッキ用コンタクトビンンでピン
の先端部を除いてエポキシ等の樹脂による絶縁被膜１０
を表面にコーティングして絶縁されている。７は被加工
物たるｓｔ５板で、例えばこれにＡｕの電解メッキを行
うには、Ｓｉ基板７は半導体であるため電解メッキを直
接行うことが出来ない。
の先端部を除いてエポキシ等の樹脂による絶縁被膜１０
を表面にコーティングして絶縁されている。７は被加工
物たるｓｔ５板で、例えばこれにＡｕの電解メッキを行
うには、Ｓｉ基板７は半導体であるため電解メッキを直
接行うことが出来ない。
そのため、Ｓｉ基板７にスパッタリング等で２００〜１
ｏｏｏ人程度の極く薄い下地のＡｕあるいはＴｉあるい
はｐｔ被膜８を被着し、電気を通りやすくした後、本式
のメッキを行う。しかしながら下地Ａｕ被膜８の膜厚が
薄いため、多数のメッキ用コンタクトピン４をＳｉ基板
７０周辺に接触させてメンキして初めて、メッキ厚が略
均−なものとなる。
ｏｏｏ人程度の極く薄い下地のＡｕあるいはＴｉあるい
はｐｔ被膜８を被着し、電気を通りやすくした後、本式
のメッキを行う。しかしながら下地Ａｕ被膜８の膜厚が
薄いため、多数のメッキ用コンタクトピン４をＳｉ基板
７０周辺に接触させてメンキして初めて、メッキ厚が略
均−なものとなる。
メッキ用コンタクトピン４とＳｉｌ板７との接触部をメ
ッキ液中に？’ｘ ｆＨしてメッキするためのトラブル
が発生する。これはメッキ用コンタクトピン４が下地Ａ
ｕ被膜８に接触する面積が小さいので、この部分での電
圧ドロップが大きく、この部分にＡｕの異常成長９が生
ずる。
ッキ液中に？’ｘ ｆＨしてメッキするためのトラブル
が発生する。これはメッキ用コンタクトピン４が下地Ａ
ｕ被膜８に接触する面積が小さいので、この部分での電
圧ドロップが大きく、この部分にＡｕの異常成長９が生
ずる。
このメッキの異常成長９はＡｕの粉が脱落し易すく、こ
れがメッキ中にＳｉ基板７の表面に付着し、突起等のメ
ツキネ良の原因となるので改善が望まれている。
れがメッキ中にＳｉ基板７の表面に付着し、突起等のメ
ツキネ良の原因となるので改善が望まれている。
メッキ時におけるメッキ用コンタクトビン露出部へのメ
ッキの異常成長を防止し、これのこぼれたわ）がメッキ
表面に付着するのを防止する。
ッキの異常成長を防止し、これのこぼれたわ）がメッキ
表面に付着するのを防止する。
上記問題点の解決は、メッキされる被加工物に電気的接
触をするための金属製のピンと、このピンの周囲に絶縁
物カバーとを有し、ピンの先端と絶縁物カバーの先端面
はフリー状態では食い違っており、被加工物にピンを押
し当てた状態では一面上に揃い、メッキ液の侵入を防止
する構造とした本発明によるメッキ用コンタクトピンに
より達成される。
触をするための金属製のピンと、このピンの周囲に絶縁
物カバーとを有し、ピンの先端と絶縁物カバーの先端面
はフリー状態では食い違っており、被加工物にピンを押
し当てた状態では一面上に揃い、メッキ液の侵入を防止
する構造とした本発明によるメッキ用コンタクトピンに
より達成される。
特に前記絶縁物カバーは軟質材料の絶縁物でなり、フリ
ー状態では、絶縁物カバーの先端面が前記ピンの先端よ
り突出しており、被加工物にピンを押し当てた状態では
絶縁物カバーが変形することにより、一面上に揃う構造
、とすることにより本発明は容易に実施することが出来
る。
ー状態では、絶縁物カバーの先端面が前記ピンの先端よ
り突出しており、被加工物にピンを押し当てた状態では
絶縁物カバーが変形することにより、一面上に揃う構造
、とすることにより本発明は容易に実施することが出来
る。
更に又、前記ピンはスプリングで支えられ、フリー状態
ではピンの先端が前記絶縁物カバーの先端面より突出し
ており、被加工物にピンを押し当てた状態では、ピンが
沈入することにより一面上に揃う構造とすることにより
本発明は容易に実施することができる。
ではピンの先端が前記絶縁物カバーの先端面より突出し
ており、被加工物にピンを押し当てた状態では、ピンが
沈入することにより一面上に揃う構造とすることにより
本発明は容易に実施することができる。
電解メッキにおいてメッキ用コンタクトピンが被加工物
に電気的に接触する点を囲んで外周に絶縁物でカバーす
ることによりメッキ液の侵入を阻止し、ピン周囲に発生
するメッキの異常成長をなくし、異常成長からの粉によ
るメツキネ良をなくする。
に電気的に接触する点を囲んで外周に絶縁物でカバーす
ることによりメッキ液の侵入を阻止し、ピン周囲に発生
するメッキの異常成長をなくし、異常成長からの粉によ
るメツキネ良をなくする。
（実施例〕
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例における
メッキ用コンタクトピンの断面模式図である。
メッキ用コンタクトピンの断面模式図である。
これら図において、第４図と同じ名称のものは同じ符号
で示す。
で示す。
第１図（ａ）において、１はピンでメッキの被加工物に
電気的に接触する銅製のものである。このピン１の周囲
に軟質塩化ビニール等軟らかく且つ耐薬品性材質からな
る円筒形の絶縁物カバー２を取りつける。絶縁物カバー
２の先端面はピン１の先端よりもフリーな状態では若干
出ており、メ。
電気的に接触する銅製のものである。このピン１の周囲
に軟質塩化ビニール等軟らかく且つ耐薬品性材質からな
る円筒形の絶縁物カバー２を取りつける。絶縁物カバー
２の先端面はピン１の先端よりもフリーな状態では若干
出ており、メ。
キのために、下地のＡｕ被膜を形成したＳｉ基板等にピ
ン１を押し当てると柔軟性のある絶縁物カバー２は変形
してピン１がＳｉ、ｌ板に接触すると同時に絶縁物カバ
ー２の先端面がＳｉ基板に密着し、メッキ液の通過を防
ぐ。これによりピン１がＳｉ基板に接触する部分にメッ
キ液が侵入することがなくなり、絶縁物カバー２の先端
面が接触する部分より外側の５ｉ７４板がメッキされる
だけとなるので、メッキの異常成長はなく、従ってＡｕ
の粉のこぼれもなくなり、略均−な厚さの、突起のない
良好なメッキを得ることが出来る。
ン１を押し当てると柔軟性のある絶縁物カバー２は変形
してピン１がＳｉ、ｌ板に接触すると同時に絶縁物カバ
ー２の先端面がＳｉ基板に密着し、メッキ液の通過を防
ぐ。これによりピン１がＳｉ基板に接触する部分にメッ
キ液が侵入することがなくなり、絶縁物カバー２の先端
面が接触する部分より外側の５ｉ７４板がメッキされる
だけとなるので、メッキの異常成長はなく、従ってＡｕ
の粉のこぼれもなくなり、略均−な厚さの、突起のない
良好なメッキを得ることが出来る。
又絶縁物カバー２の先端面のＳｉ基板表面への接触が完
全でなく僅かなメッキ液の侵入があっても、メッキに必
要な新しい液の補充が微量であること、更に又メッキの
異常成長を許したとしても、こぼれ落ちた粉の絶縁物カ
バーの隙間を通過するものはなく、Ｓｉ基板表面のメッ
キには殆ど影響がない。
全でなく僅かなメッキ液の侵入があっても、メッキに必
要な新しい液の補充が微量であること、更に又メッキの
異常成長を許したとしても、こぼれ落ちた粉の絶縁物カ
バーの隙間を通過するものはなく、Ｓｉ基板表面のメッ
キには殆ど影響がない。
第１図（ｂ）におけるメッキ用コンタクトピンは絶縁物
カバー２の形が第１図（ａ）におけるものより変わった
だけのもので、円筒形の絶縁物カバー２の中間に膨らみ
をつけて、絶縁物カバー２の変形時機方向への捩れが起
きにくいようにしたものである。
カバー２の形が第１図（ａ）におけるものより変わった
だけのもので、円筒形の絶縁物カバー２の中間に膨らみ
をつけて、絶縁物カバー２の変形時機方向への捩れが起
きにくいようにしたものである。
第２図におけるものは、本発明の第２の実施例における
メッキ用コンタクトピンの断面模式図である。
メッキ用コンタクトピンの断面模式図である。
図において、第１図（ａ）、（ｂ）におけるものと異な
り、銅製のピン１はスプリング３で支えられて、円筒状
の絶縁物カバー２の先端面より、ピン１の先端はフリー
状態では突出しており、Ｓｉ基板等にピン１を押し当て
ると絶縁物カバー２の中に沈入する如（なっている。絶
縁物カバー２は余り腰の弱くない樹脂製のものがよい。
り、銅製のピン１はスプリング３で支えられて、円筒状
の絶縁物カバー２の先端面より、ピン１の先端はフリー
状態では突出しており、Ｓｉ基板等にピン１を押し当て
ると絶縁物カバー２の中に沈入する如（なっている。絶
縁物カバー２は余り腰の弱くない樹脂製のものがよい。
第３図は本発明のメッキ用コンタクトピンを用いた基板
用メッキ治具の上面図である。
用メッキ治具の上面図である。
この図において、５は銅製の円環状のリングで、これに
メッキ用コンタクトピン４を嵌め込んだ銅製のコンタク
トピンホルダー６を複数個配設している。これらリング
５、コンタクトビンホルダー６の表面はエポキシ樹脂等
の耐薬品性の絶縁被膜を被覆する。
メッキ用コンタクトピン４を嵌め込んだ銅製のコンタク
トピンホルダー６を複数個配設している。これらリング
５、コンタクトビンホルダー６の表面はエポキシ樹脂等
の耐薬品性の絶縁被膜を被覆する。
このメッキ用コンタクトピン４を半導体基板等の周辺部
に押したてて、メッキ液中に浸漬し、電解メッキを行う
。
に押したてて、メッキ液中に浸漬し、電解メッキを行う
。
この基板用メッキ冶具は、Ｓｉ基板上へのＡｕ等のメッ
キによる配線の形成、Ｘ線マスクの製造におけるＡｕ（
７）Ｘ線吸収体パターンのメッキによる形成等に有効に
活用することが出来る。
キによる配線の形成、Ｘ線マスクの製造におけるＡｕ（
７）Ｘ線吸収体パターンのメッキによる形成等に有効に
活用することが出来る。
以上詳細に説明したように本発明によるメッキ用コンタ
クトピンを用いると、ピン接触部の周囲に絶縁物カバー
があるためメッキ液がピン接触部に侵入せず、メッキの
異常成長を防止出来るので、突起等のない良好なメッキ
を得ることが出来る。
クトピンを用いると、ピン接触部の周囲に絶縁物カバー
があるためメッキ液がピン接触部に侵入せず、メッキの
異常成長を防止出来るので、突起等のない良好なメッキ
を得ることが出来る。
第１図は本発明の第１の実施例におけるメッキ用コンタ
クトピンの断面模式図、 第２図は本発明の第２の実施例におけるメッキ用コンタ
クトピンの断面模式図、 第３図は本発明のメッキ用コンタクトピンを用いた基板
用メッキ冶具の上面図、 第４図は従来例におけるメッキ用コンタクトピンを用い
た基板用メッキ冶具の斜視図、第５図は従来例における
メッキ用コンタクトピンの接触部における異常成長を示
す図である。 図において、 １はビン、 ２は絶縁物カバー、 ３はスプリング、 ４はメッキ用コンタクトピン、 ５はリング、 ６はコンタク１−ピンホルダー、 １０は絶縁被膜 革３丙
クトピンの断面模式図、 第２図は本発明の第２の実施例におけるメッキ用コンタ
クトピンの断面模式図、 第３図は本発明のメッキ用コンタクトピンを用いた基板
用メッキ冶具の上面図、 第４図は従来例におけるメッキ用コンタクトピンを用い
た基板用メッキ冶具の斜視図、第５図は従来例における
メッキ用コンタクトピンの接触部における異常成長を示
す図である。 図において、 １はビン、 ２は絶縁物カバー、 ３はスプリング、 ４はメッキ用コンタクトピン、 ５はリング、 ６はコンタク１−ピンホルダー、 １０は絶縁被膜 革３丙
Claims (3)
- （１）メッキされる被加工物に電気的接触をするための
金属製のピン（１）と、 このピン（１）の周囲に絶縁物カバー（２）とを有し、 ピン（１）の先端と絶縁物カバー（２）の先端面はフリ
ー状態では食い違っており、被加工物にピン（１）を押
し当てた状態では一面上に揃い、メッキ液の侵入を防止
する構造とした ことを特徴とするメッキ用コンタクトピン。 - （２）前記絶縁物カバー（２）は軟質材料の絶縁物でな
り、フリー状態では、絶縁物カバー（２）の先端面が前
記ピン（１）の先端より突出しており、被加工物にピン
（１）を押し当てた状態では絶縁物カバー（２）が変形
することにより、一面上に揃う構造である ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のメッキ用
コンタクトピン。 - （３）前記ピン（１）はスプリング（３）で支えられ、
フリー状態ではピン（１）の先端が前記絶縁物カバー（
２）の先端面より突出しており、被加工物にピン（１）
を押し当てた状態では、ピン（１）が沈入することによ
り一面上に揃う構造である ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のメッキ用
コンタクトピン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3032186A JPS62188798A (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | メツキ用コンタクトピン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3032186A JPS62188798A (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | メツキ用コンタクトピン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62188798A true JPS62188798A (ja) | 1987-08-18 |
Family
ID=12300533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3032186A Pending JPS62188798A (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | メツキ用コンタクトピン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62188798A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0525697A (ja) * | 1991-07-16 | 1993-02-02 | Canon Inc | 陽極酸化処理方法およびその装置 |
| US5495074A (en) * | 1992-05-20 | 1996-02-27 | Yamaha Corporation | Keyboard unit for electronic musical instrument having a key motion detectors |
| WO1999035309A1 (en) * | 1998-01-12 | 1999-07-15 | Ebara Corporation | Plating jig of wafer |
| EP1010780A2 (en) * | 1998-11-30 | 2000-06-21 | Applied Materials, Inc. | Cathode contact ring for electrochemical deposition |
| JP2009287093A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Yamamoto Mekki Shikenki:Kk | 電気めっき用陰極カートリッジ |
-
1986
- 1986-02-14 JP JP3032186A patent/JPS62188798A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0525697A (ja) * | 1991-07-16 | 1993-02-02 | Canon Inc | 陽極酸化処理方法およびその装置 |
| US5495074A (en) * | 1992-05-20 | 1996-02-27 | Yamaha Corporation | Keyboard unit for electronic musical instrument having a key motion detectors |
| WO1999035309A1 (en) * | 1998-01-12 | 1999-07-15 | Ebara Corporation | Plating jig of wafer |
| US6365020B1 (en) | 1998-01-12 | 2002-04-02 | Ebara Corporation | Wafer plating jig |
| EP1010780A2 (en) * | 1998-11-30 | 2000-06-21 | Applied Materials, Inc. | Cathode contact ring for electrochemical deposition |
| EP1010780A3 (en) * | 1998-11-30 | 2004-01-21 | Applied Materials, Inc. | Cathode contact ring for electrochemical deposition |
| JP2009287093A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Yamamoto Mekki Shikenki:Kk | 電気めっき用陰極カートリッジ |
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