JPS5823316A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS5823316A JPS5823316A JP56121423A JP12142381A JPS5823316A JP S5823316 A JPS5823316 A JP S5823316A JP 56121423 A JP56121423 A JP 56121423A JP 12142381 A JP12142381 A JP 12142381A JP S5823316 A JPS5823316 A JP S5823316A
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- JP
- Japan
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- layer
- thin film
- nonmagnetic
- mask
- yoke
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
製造方法に関するものである。
一般に、薄膜磁気ヘッドは、ヨーク部の下部磁性層の厚
みを大きくとることにより磁気効率を向上させているが
、反面これにより段差が生じるだめ、コイル部の断線、
マスク合せ作業の困難性が生じ、種々の不都合が生じる
ので、これを解消すべく低段差構造を持つ薄膜磁気ヘッ
ドも開発されるようになってきた。
みを大きくとることにより磁気効率を向上させているが
、反面これにより段差が生じるだめ、コイル部の断線、
マスク合せ作業の困難性が生じ、種々の不都合が生じる
ので、これを解消すべく低段差構造を持つ薄膜磁気ヘッ
ドも開発されるようになってきた。
このような低段差構造を持つ薄膜磁気ヘッドとして第１
図に示すようなものがある。図に示すように、基板１上
の第１の非磁性絶縁層２の所定の部分に凹部を形成し、
凹部及びその近傍に下部磁性層３を設ける。その上にギ
ヤツプ長となる非磁性絶縁層４を積層し、次いでコイル
部を挾む第２の非磁性絶縁層５、コイを部を形成する導
体層６、及び、第３の非磁性絶縁層７が順に存在し、そ
の上の上部磁性層８は下部磁性層３と、パノクギャソノ
部９に於いて接触した構造をもつ。また主要薄膜部の保
護のため、保護層１０が最上部層に設けられている。第
１図のように下部磁性層３を、第１の非磁性絶縁層２の
凹部に形成することによって、その後の薄膜形成プロセ
スによって生ずる段差、すなわち第２の非磁性絶縁層５
および導体層６の厚みによる段差が大幅に減少され、磁
気効率的にも、又、製造プロセス上の各薄膜層の積層状
態においても好ましい状態が実現できるものである。
図に示すようなものがある。図に示すように、基板１上
の第１の非磁性絶縁層２の所定の部分に凹部を形成し、
凹部及びその近傍に下部磁性層３を設ける。その上にギ
ヤツプ長となる非磁性絶縁層４を積層し、次いでコイル
部を挾む第２の非磁性絶縁層５、コイを部を形成する導
体層６、及び、第３の非磁性絶縁層７が順に存在し、そ
の上の上部磁性層８は下部磁性層３と、パノクギャソノ
部９に於いて接触した構造をもつ。また主要薄膜部の保
護のため、保護層１０が最上部層に設けられている。第
１図のように下部磁性層３を、第１の非磁性絶縁層２の
凹部に形成することによって、その後の薄膜形成プロセ
スによって生ずる段差、すなわち第２の非磁性絶縁層５
および導体層６の厚みによる段差が大幅に減少され、磁
気効率的にも、又、製造プロセス上の各薄膜層の積層状
態においても好ましい状態が実現できるものである。
本発明の目的は、このような薄膜磁気ヘッドを高い歩留
りで製造することのできる方法を提供することである。
りで製造することのできる方法を提供することである。
次に、本発明の構成を実施例に基づいて説明する。第２
図は、本発明の要部をなす前述の凹部近傍を形成するだ
めのプロセスを示す図である。図において、ｌｌは非磁
性導電性基板であって、導電率が小さい単一物質、或い
はＡｔ２０３− Ｔｉｃのような導体層を含む組織を有
する焼結材料等が用いられている。これらはいずれも記
録媒体との接触にｉ↑して耐摩耗性に富む特性をもつ材
料であることも選定基準とされている。基板ｌｌ上の第
１の非磁性絶縁層ｌ２を、Ｓｔ．２， Ａｔ２０３等の
スノＰソタリングの蒸着法により積層し、ついでその上
にマスク用薄膜層としてＡｔ層ｌ３を５００〜１０００
Ｘの厚さに真空蒸着法等によって形成する。Ａｔ蒸着層
１３は以下に記すように非磁性絶縁層１２の凹部をツノ
化水素系ガスプラズマによるドライエノチングによって
形成する際の・ぞターン形状の広がりを最少限にするだ
めに設ける層であって、Ａｔ層１３自身は長時間この雰
囲気にさらされてもほとんどエノチングされない。非磁
性絶縁層１２坦 の凹部はＡ７蒸着層上に積層されたポジタイノのしく５
） ノスト１４の・ぞターン形状に従って、まず第２図（ｂ
）のようにマスク用薄膜であるＡｔ層１３がＡｔ −エ
ノチンダ液でパターン形状に除去され、非磁性絶縁層１
２が露出しだ後、この非磁性絶縁層ｌ２をフッ化水素系
のガスプラズマによってドライエノチングして形成する
。その後、残ったＡｔ層をエソチング液で除去した後、
第２図（ｃ）のように凹部及びその近傍の所定の形状を
除いて、レノスト層１５を形成し、その上から電気メッ
キの電極となる導体層ｌ６をＮｉ − Ｆｅ合金のスノ
やソタリングや真空蒸着法で形成する。ついでとのＮｉ
− Ｆｅ合金薄膜から成る導体層１６はリフトオフ法
によって凹部内以外の部分は除去され、基板面と物理的
に接触した凹部内に残留した導体層１６を電極として第
２図（ｄ）のように下部磁性層１７が電気メッキ法で形
成される。特にＡｔ２０３− ＴｉＣのような導体の組
織相を含む基板を用いた場合、導体層１６を形成しない
で直接露出した基板面を電極として電気メッキを行うと
、導体組織相のＴｉＣ相のみにメッキ層が成長し、メッ
キ組織に凹凸ができて磁性（６） 層として不適なものが形成される。ここで、基板１１に
は比抵抗の小さい、或いは又、導体の組織相を含む材料
を選んでいるだめ、電解電圧は電解液との絶縁さえ確保
すれば、側面、裏面を含めて、露出した基板面のいずれ
の箇所に印加しても、凹部に選択的に下部磁性層を形成
させ得−る。このことは基板面の電位分布の平坦化を容
易にさせ、同−Ｍ板内で均一な膜厚でメッキ層が形成さ
せ得るだけでなく、メッキ工程をも簡略化できる。
図は、本発明の要部をなす前述の凹部近傍を形成するだ
めのプロセスを示す図である。図において、ｌｌは非磁
性導電性基板であって、導電率が小さい単一物質、或い
はＡｔ２０３− Ｔｉｃのような導体層を含む組織を有
する焼結材料等が用いられている。これらはいずれも記
録媒体との接触にｉ↑して耐摩耗性に富む特性をもつ材
料であることも選定基準とされている。基板ｌｌ上の第
１の非磁性絶縁層ｌ２を、Ｓｔ．２， Ａｔ２０３等の
スノＰソタリングの蒸着法により積層し、ついでその上
にマスク用薄膜層としてＡｔ層ｌ３を５００〜１０００
Ｘの厚さに真空蒸着法等によって形成する。Ａｔ蒸着層
１３は以下に記すように非磁性絶縁層１２の凹部をツノ
化水素系ガスプラズマによるドライエノチングによって
形成する際の・ぞターン形状の広がりを最少限にするだ
めに設ける層であって、Ａｔ層１３自身は長時間この雰
囲気にさらされてもほとんどエノチングされない。非磁
性絶縁層１２坦 の凹部はＡ７蒸着層上に積層されたポジタイノのしく５
） ノスト１４の・ぞターン形状に従って、まず第２図（ｂ
）のようにマスク用薄膜であるＡｔ層１３がＡｔ −エ
ノチンダ液でパターン形状に除去され、非磁性絶縁層１
２が露出しだ後、この非磁性絶縁層ｌ２をフッ化水素系
のガスプラズマによってドライエノチングして形成する
。その後、残ったＡｔ層をエソチング液で除去した後、
第２図（ｃ）のように凹部及びその近傍の所定の形状を
除いて、レノスト層１５を形成し、その上から電気メッ
キの電極となる導体層ｌ６をＮｉ − Ｆｅ合金のスノ
やソタリングや真空蒸着法で形成する。ついでとのＮｉ
− Ｆｅ合金薄膜から成る導体層１６はリフトオフ法
によって凹部内以外の部分は除去され、基板面と物理的
に接触した凹部内に残留した導体層１６を電極として第
２図（ｄ）のように下部磁性層１７が電気メッキ法で形
成される。特にＡｔ２０３− ＴｉＣのような導体の組
織相を含む基板を用いた場合、導体層１６を形成しない
で直接露出した基板面を電極として電気メッキを行うと
、導体組織相のＴｉＣ相のみにメッキ層が成長し、メッ
キ組織に凹凸ができて磁性（６） 層として不適なものが形成される。ここで、基板１１に
は比抵抗の小さい、或いは又、導体の組織相を含む材料
を選んでいるだめ、電解電圧は電解液との絶縁さえ確保
すれば、側面、裏面を含めて、露出した基板面のいずれ
の箇所に印加しても、凹部に選択的に下部磁性層を形成
させ得−る。このことは基板面の電位分布の平坦化を容
易にさせ、同−Ｍ板内で均一な膜厚でメッキ層が形成さ
せ得るだけでなく、メッキ工程をも簡略化できる。
このようにして下部磁性層１７が形成されると、次に第
１図に示されるように・ぞターン近傍の先端ポールピー
ス部を形成することと、凹部内のヨーク部の厚みとを増
大させることのために、第２図におけるのと同様に導体
層を蒸着等により形成して２度目の電気メブキを行なう
か、または先端ポールピース部のみをス・ぞツタリング
蒸着する等の工程が実施される。その後、下部磁性層３
の上にギャップ長に対応した厚さに５１０２．Ａｔ２０
５等の非磁性絶縁層４をス・クノタリング蒸着法で形成
し、パノクギャノゾ部９に於いて下部磁性層３をエツチ
ングによって露出させる。第２の非磁性絶縁層５をボノ
タイグのレノストにより形成し、コイル部となる導体層
６をその上に電気メツキ法により形成させる。コイル部
を挾む第３の非磁性絶縁層７は、前述した第２の非磁性
絶縁層５と同様な方法で形成させる。下部磁性層上のこ
れ等の各非磁性絶縁層を形成するだめのプロセスは、従
来のものと同様のプロセスにより達成され、また本発明
の要部でもないのでその詳細な説明は省略する。
１図に示されるように・ぞターン近傍の先端ポールピー
ス部を形成することと、凹部内のヨーク部の厚みとを増
大させることのために、第２図におけるのと同様に導体
層を蒸着等により形成して２度目の電気メブキを行なう
か、または先端ポールピース部のみをス・ぞツタリング
蒸着する等の工程が実施される。その後、下部磁性層３
の上にギャップ長に対応した厚さに５１０２．Ａｔ２０
５等の非磁性絶縁層４をス・クノタリング蒸着法で形成
し、パノクギャノゾ部９に於いて下部磁性層３をエツチ
ングによって露出させる。第２の非磁性絶縁層５をボノ
タイグのレノストにより形成し、コイル部となる導体層
６をその上に電気メツキ法により形成させる。コイル部
を挾む第３の非磁性絶縁層７は、前述した第２の非磁性
絶縁層５と同様な方法で形成させる。下部磁性層上のこ
れ等の各非磁性絶縁層を形成するだめのプロセスは、従
来のものと同様のプロセスにより達成され、また本発明
の要部でもないのでその詳細な説明は省略する。
上部磁性層８については、メッキ法、真空蒸着法、ス・
やツタリング蒸着法等によって形成し、パノクギャノゾ
部９において下部磁性層３と接触させられている。保護
層１０は５ｉｎ２＋ Ａｔ２０． ＊ ＳｉＣ等のス・
ぐツタリング蒸着で形成させる。薄膜部が形成された後
、記録媒体と面する側に於いて所定のギャップ深さｇＤ
７ｊＥ得られるように切断、研削、研摩が行われる。
やツタリング蒸着法等によって形成し、パノクギャノゾ
部９において下部磁性層３と接触させられている。保護
層１０は５ｉｎ２＋ Ａｔ２０． ＊ ＳｉＣ等のス・
ぐツタリング蒸着で形成させる。薄膜部が形成された後
、記録媒体と面する側に於いて所定のギャップ深さｇＤ
７ｊＥ得られるように切断、研削、研摩が行われる。
本発明の効果として、■低段差構造が実現されるため、
磁気効率が向上されるだけでなく、各薄膜層の段差によ
ってできる積層不良による欠陥が減少し、製造歩留りを
改善できる。■非磁性絶縁層２の凹部を形成するために
、マスク用薄膜層であるＡｔ層１３を形成させたので、
プラズマエツチングによる凹部段差の形状を高精度に形
成することができる。■非磁性絶縁層凹部に下部磁性層
を電気メツキ法で成長させる際、電極電圧を側面、裏面
を含めて基板面の露出しているいずれの箇所にも印加で
きることから、均一な膜厚をもつメッキ層を形成させる
ことができるだけでなく、メッキ法も簡略化できる。■
下部磁性層３は基板面の組織相に無関係に均一なメッキ
組織を成長させることができ、基板全体として約１０５
０の以下すなわち半導体以上の導電度があれば、基板材
料に関係なく電気メツキ法による層形成が可能となる、
等の多大の効果がある。
磁気効率が向上されるだけでなく、各薄膜層の段差によ
ってできる積層不良による欠陥が減少し、製造歩留りを
改善できる。■非磁性絶縁層２の凹部を形成するために
、マスク用薄膜層であるＡｔ層１３を形成させたので、
プラズマエツチングによる凹部段差の形状を高精度に形
成することができる。■非磁性絶縁層凹部に下部磁性層
を電気メツキ法で成長させる際、電極電圧を側面、裏面
を含めて基板面の露出しているいずれの箇所にも印加で
きることから、均一な膜厚をもつメッキ層を形成させる
ことができるだけでなく、メッキ法も簡略化できる。■
下部磁性層３は基板面の組織相に無関係に均一なメッキ
組織を成長させることができ、基板全体として約１０５
０の以下すなわち半導体以上の導電度があれば、基板材
料に関係なく電気メツキ法による層形成が可能となる、
等の多大の効果がある。
第１図は、低段差構造を有する薄膜磁気ヘッドの基本構
造を示すだめの断面図、第２図（、）〜（ｄ）は、本発
明による下部磁性層形成のだめのプロセスを示す断面図
である。 （９） １１・・・非磁性導電性基板、１２・・・第１の非磁性
絶縁層、１３・・・Ａｔ層、１４．１５・・レノスト層
、１６・・・導体層、１７・・・下部磁性層。 （１０） 第１図 １０ 第２図 手続補正書（自発） 収入印紙’ｎｉ１ 円 昭和５７年８月２日 生乳１庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事ｆ’ｌの表示 特願昭５６−１２１４２３号２
、発 明 の名称 薄膜磁気ヘッドの製造方法 ３、４＋Ｉｔ正をする者 小作との関係 出願人 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地２′１
称 （５８２）松下電器産業株式会社代表苔
山 下 俊 彦４、代理人 〒１
０５
造を示すだめの断面図、第２図（、）〜（ｄ）は、本発
明による下部磁性層形成のだめのプロセスを示す断面図
である。 （９） １１・・・非磁性導電性基板、１２・・・第１の非磁性
絶縁層、１３・・・Ａｔ層、１４．１５・・レノスト層
、１６・・・導体層、１７・・・下部磁性層。 （１０） 第１図 １０ 第２図 手続補正書（自発） 収入印紙’ｎｉ１ 円 昭和５７年８月２日 生乳１庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事ｆ’ｌの表示 特願昭５６−１２１４２３号２
、発 明 の名称 薄膜磁気ヘッドの製造方法 ３、４＋Ｉｔ正をする者 小作との関係 出願人 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地２′１
称 （５８２）松下電器産業株式会社代表苔
山 下 俊 彦４、代理人 〒１
０５
Claims (6)
- （１）非磁性導電性基板上に第１の非磁性絶縁層、下部
磁性層、ギャップ長となる厚みをもつ非磁性絶縁層、第
２の非磁性絶縁層、巻線部となる導体層、第３の非磁性
絶縁層、上部磁性層を順次形成してなる薄膜磁気ヘッド
の製造方法において、該非磁性導電性基板上に第１の非
磁性絶縁層を形成した後、所定の部分に基板面の露出し
た凹部を形成し、該凹部内のみに電極用導体層を形成す
る第１の工程と、該導体層を電極として、該凹部内に下
部磁性層のヨーク部を該非磁性導電性基板の薄膜形成面
以外の面からの通電により電解メッキ法で形成させる第
２の工程と、該ヨーク部上およびその近傍に一定厚みの
磁性層を形成し、該ヨーク部上の該磁性層は該ヨーク部
の厚みを増加し、該ヨーク部近傍の該磁性層は、下部磁
性層の先端Ｉ−ルビース部とする第３の工程を含むこと
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - （２）該非磁性導電性基板が１０ Ωα以下の比抵抗を
もつ単一材料であることを特徴とする特許請求の範囲の
第（１）項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - （３）該非磁性導電性基板が導体組織相を含む焼結材料
であることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載
の薄膜磁気へノドの製造方法。 - （４）該焼結材料がＡｔ２０３− ’ｒｉｃであ′るこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（３）項記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法。 - （５）該第１の工程において、予め比較的薄いマスク用
薄膜層を第１の非磁性絶縁層上に形成し、該マスク用薄
膜層上に所定のホトレジストハターンを形成後、該ホト
レゾストによって該マスク用薄膜層をエツチングした後
、プラズマエツチングにより、該ホトレジスト及び該マ
スク用薄膜層をマスクとして該非磁性絶縁層に凹部を形
成した後、電極用導体層を少なくとも凹部上及びその近
傍に形成し、その後、該ホトレゾスト及び該マスク用薄
膜層上の該電極用導体層を選択的に除去し、該凹部内の
みに電極用導体層を残存させる工程を含むことを特徴と
する特許請求の範囲第（１）、項記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法。 - （６）該マスク用薄膜層がＡｔ薄膜であり、該電極用導
体層がＮｉ −Ｆｅ合金薄膜であることを特徴とする特
許請求の範囲第（５）項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121423A JPS5823316A (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| US06/405,059 US4402801A (en) | 1981-08-04 | 1982-08-04 | Method for manufacturing thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121423A JPS5823316A (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5823316A true JPS5823316A (ja) | 1983-02-12 |
| JPH02765B2 JPH02765B2 (ja) | 1990-01-09 |
Family
ID=14810771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56121423A Granted JPS5823316A (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4402801A (ja) |
| JP (1) | JPS5823316A (ja) |
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| US6167611B1 (en) | 1994-03-07 | 2001-01-02 | Commissariat A L'energie Atomique | Process for producing a vertical magnetic head |
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|---|---|---|---|---|
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| EP0218445A3 (en) * | 1985-10-01 | 1989-08-30 | Sony Corporation | Thin film magnetic heads |
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| FR2606197B1 (fr) * | 1986-10-31 | 1988-12-02 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une tete magnetique permettant de simplifier la realisation des connexions electriques |
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| JP3576783B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2004-10-13 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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| US3764486A (en) * | 1972-01-03 | 1973-10-09 | Buckbee Mears Co | Method of making memory planes |
-
1981
- 1981-08-04 JP JP56121423A patent/JPS5823316A/ja active Granted
-
1982
- 1982-08-04 US US06/405,059 patent/US4402801A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4402801A (en) | 1983-09-06 |
| JPH02765B2 (ja) | 1990-01-09 |
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