JPH02765B2 - - Google Patents
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- JPH02765B2 JPH02765B2 JP56121423A JP12142381A JPH02765B2 JP H02765 B2 JPH02765 B2 JP H02765B2 JP 56121423 A JP56121423 A JP 56121423A JP 12142381 A JP12142381 A JP 12142381A JP H02765 B2 JPH02765 B2 JP H02765B2
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- layer
- thin film
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、低段差構造を持つ薄膜磁気ヘツドの
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
一般に、薄膜磁気ヘツドは、ヨーク部の下部磁
性層の厚みを大きくとることにより磁気効率を向
上させているが、反面これにより段差が生じるた
め、コイル部の断線、マスク合せ作業の困難性が
生じ、種々の不都合が生じるので、これを解消す
べく低段差構造を持つ薄膜磁気ヘツドも開発され
るようになつてきた。
性層の厚みを大きくとることにより磁気効率を向
上させているが、反面これにより段差が生じるた
め、コイル部の断線、マスク合せ作業の困難性が
生じ、種々の不都合が生じるので、これを解消す
べく低段差構造を持つ薄膜磁気ヘツドも開発され
るようになつてきた。
このような低段差構造を持つ薄膜磁気ヘツドと
して第１図に示すようなものがある。図に示すよ
うに、基板１上の第１の非磁性絶縁層２の所定の
部分に凹部を形成し、凹部及びその近傍に下部磁
性層３を設ける。その上にギヤツプ長となる非磁
性絶縁層４を積層し、次いでコイル部を挾む第２
の非磁性絶縁層５、コイル部を形成する導体層
６、及び、第３の非磁性絶縁層７が順に存在し、
その上の上部磁性層８は下部磁性層３と、バツク
ギヤツプ部９に於いて接触した構造をもつ。また
主要薄膜部の保護のため、保護層１０が最上部層
に設けられている。第１図のように下部磁性層３
を、第１の非磁性絶縁層２の凹部に形成すること
によつて、その後の薄膜形成プロセスによつて生
ずる段差、すなわち第２の非磁性絶縁層５および
導体層６の厚みによる段差が大幅に減少され、磁
気効率的にも、又、製造プロセス上の各薄膜層の
積層状態においても好ましい状態が実現できるも
のである。
して第１図に示すようなものがある。図に示すよ
うに、基板１上の第１の非磁性絶縁層２の所定の
部分に凹部を形成し、凹部及びその近傍に下部磁
性層３を設ける。その上にギヤツプ長となる非磁
性絶縁層４を積層し、次いでコイル部を挾む第２
の非磁性絶縁層５、コイル部を形成する導体層
６、及び、第３の非磁性絶縁層７が順に存在し、
その上の上部磁性層８は下部磁性層３と、バツク
ギヤツプ部９に於いて接触した構造をもつ。また
主要薄膜部の保護のため、保護層１０が最上部層
に設けられている。第１図のように下部磁性層３
を、第１の非磁性絶縁層２の凹部に形成すること
によつて、その後の薄膜形成プロセスによつて生
ずる段差、すなわち第２の非磁性絶縁層５および
導体層６の厚みによる段差が大幅に減少され、磁
気効率的にも、又、製造プロセス上の各薄膜層の
積層状態においても好ましい状態が実現できるも
のである。
本発明の目的は、このような薄膜磁気ヘツドを
高い歩留りで製造することのできる方法を提供す
ることである。
高い歩留りで製造することのできる方法を提供す
ることである。
次に、本発明の構成を実施例に基づいて説明す
る。第２図は、本発明の要部をなす前述の凹部近
傍を形成するためのプロセスを示す図である。図
において、１１は非磁性導電性基板であつて、導
電率が小さい単一物質、或いはAL2O3−TiCのよ
うな導体相を含む組織を有する焼結材料等が用い
られている。これらはいずれも記録媒体との接触
に対して耐摩耗性に富む特性をもつ材料であるこ
とも選定基準とされている。基板１１上の第１の
非磁性絶縁層１２を、SiO2、Al2O3等のスパツタ
リングの蒸着法により積層し、ついでその上にマ
スク用薄膜層としてAl層１３を500〜1000Åの厚
さに真空蒸着法等によつて形成する。Al蒸着層
１３は以下に記すように非磁性絶縁層１２の凹部
をフツ化炭素系ガスプラズマによるドライエツチ
ングによつて形成する際のパターン形状の広がり
を最少限にするために設ける層であつて、Al層
１３自身は長時間この雰囲気にさらされてもほと
んどエツチングされない。非磁性絶縁層１２の凹
部はAl蒸着層１８上に積層されたポジタイプの
レジスト１４のパターン形状に従つて、まず第２
図ｂのようにマスク用薄膜であるAl層１３がAl
−エツチング液でパターン形状に除去され、非磁
性絶縁層１２が露出した後、この非磁性絶縁層１
２をフツ化炭素系のガスプラズマによつてドライ
エツチングして形成する。その後、残つたAl層
をエツチング液で除去した後、第２図ｃのような
凹部及びその近傍の所定の形状を除いて、レジス
ト層１５を形成し、その上から電気メツキの電極
となる導体層１６をNi−Fe合金のスパツタリン
グや真空蒸着法で形成する。ついでこのNi−Fe
合金薄膜から成る導体層１６はリフトオフ法によ
つて凹部内以外の部分は除去され、基板面と物理
的に接触した凹部内に残留した導体層１６を電極
として第２図ｄのように下部磁性層１７が電気メ
ツキ法で形成される。特にAl2O3−TiCのような
導体の組織相を含む基板を用いた場合、導体層１
６を形成しないで直接露出した基板面を電極とし
て電気メツキを行うと、導体組織相のTiC相のみ
にメツキ層が成長し、メツキ組織に凹凸ができて
磁性層として不適なものが形成される。ここで、
基板１１には比抵抗の小さい、或いは又、導体の
組織相を含む材料を選んでいるため、電解電圧は
電解液との絶縁さえ確保すれば、側面、裏面を含
めて、露出した基板面のいずれの箇所に印加して
も、凹部に選択的に下部磁性層を形成させ得る。
このことは基板面の電位分布の平坦化を容易にさ
せ、同一基板内で均一な膜厚でメツキ層が形成さ
せ得るだけでなく、メツキ工程をも簡略化でき
る。
る。第２図は、本発明の要部をなす前述の凹部近
傍を形成するためのプロセスを示す図である。図
において、１１は非磁性導電性基板であつて、導
電率が小さい単一物質、或いはAL2O3−TiCのよ
うな導体相を含む組織を有する焼結材料等が用い
られている。これらはいずれも記録媒体との接触
に対して耐摩耗性に富む特性をもつ材料であるこ
とも選定基準とされている。基板１１上の第１の
非磁性絶縁層１２を、SiO2、Al2O3等のスパツタ
リングの蒸着法により積層し、ついでその上にマ
スク用薄膜層としてAl層１３を500〜1000Åの厚
さに真空蒸着法等によつて形成する。Al蒸着層
１３は以下に記すように非磁性絶縁層１２の凹部
をフツ化炭素系ガスプラズマによるドライエツチ
ングによつて形成する際のパターン形状の広がり
を最少限にするために設ける層であつて、Al層
１３自身は長時間この雰囲気にさらされてもほと
んどエツチングされない。非磁性絶縁層１２の凹
部はAl蒸着層１８上に積層されたポジタイプの
レジスト１４のパターン形状に従つて、まず第２
図ｂのようにマスク用薄膜であるAl層１３がAl
−エツチング液でパターン形状に除去され、非磁
性絶縁層１２が露出した後、この非磁性絶縁層１
２をフツ化炭素系のガスプラズマによつてドライ
エツチングして形成する。その後、残つたAl層
をエツチング液で除去した後、第２図ｃのような
凹部及びその近傍の所定の形状を除いて、レジス
ト層１５を形成し、その上から電気メツキの電極
となる導体層１６をNi−Fe合金のスパツタリン
グや真空蒸着法で形成する。ついでこのNi−Fe
合金薄膜から成る導体層１６はリフトオフ法によ
つて凹部内以外の部分は除去され、基板面と物理
的に接触した凹部内に残留した導体層１６を電極
として第２図ｄのように下部磁性層１７が電気メ
ツキ法で形成される。特にAl2O3−TiCのような
導体の組織相を含む基板を用いた場合、導体層１
６を形成しないで直接露出した基板面を電極とし
て電気メツキを行うと、導体組織相のTiC相のみ
にメツキ層が成長し、メツキ組織に凹凸ができて
磁性層として不適なものが形成される。ここで、
基板１１には比抵抗の小さい、或いは又、導体の
組織相を含む材料を選んでいるため、電解電圧は
電解液との絶縁さえ確保すれば、側面、裏面を含
めて、露出した基板面のいずれの箇所に印加して
も、凹部に選択的に下部磁性層を形成させ得る。
このことは基板面の電位分布の平坦化を容易にさ
せ、同一基板内で均一な膜厚でメツキ層が形成さ
せ得るだけでなく、メツキ工程をも簡略化でき
る。
このようにして下部磁性層１７が形成される
と、次に第１図に示されるようにパターン近傍の
先端ポールピース部を形成することと、凹部のヨ
ーク部の厚みとを増大させることのために、第２
図におけるのと同様に導体層を蒸着等により形成
して２度目の電気メツキを行なうか、または先端
ポールピース部のみをスパツタリング蒸着する等
の工程が実施される。その後、下部磁性層３の上
にギヤツプ長に対応した厚さにSiO2、Al2O3等の
非磁性絶縁層４をスパツタリング蒸着法で形成
し、バツクギヤツプ部９に於いて下部磁性層３を
エツチングによつて露出させる。第２の非磁性絶
縁層５をポジタイプのレジストにより形成し、コ
イル部となる導体層６をその上に電気メツキ法に
より形成させる。コイル部を挾む第３の非磁性絶
縁層７は、前述した第２の非磁性絶縁層５と同様
な方法で形成させる。下部非磁性層上のこれ等の
各非磁性絶縁層を形成するためのプロセスは、従
来のものと同様のプロセスにより達成され、また
本発明の要部でもないのでその詳細な説明は省略
する。上部磁性層８については、メツキ法、真空
蒸着法、スパツタリング蒸着法等によつて形成
し、バツクギヤツプ部９において下部磁性層３と
接触させられている。保護層１０はSiO2、
Al2O3、SiC等のスパツタリング蒸着で形成させ
る。薄膜部が形成された後、記録媒体と面する側
に於いて所定のギヤツプ深さgDが得られるように
切断、研削、研磨が行われる。
と、次に第１図に示されるようにパターン近傍の
先端ポールピース部を形成することと、凹部のヨ
ーク部の厚みとを増大させることのために、第２
図におけるのと同様に導体層を蒸着等により形成
して２度目の電気メツキを行なうか、または先端
ポールピース部のみをスパツタリング蒸着する等
の工程が実施される。その後、下部磁性層３の上
にギヤツプ長に対応した厚さにSiO2、Al2O3等の
非磁性絶縁層４をスパツタリング蒸着法で形成
し、バツクギヤツプ部９に於いて下部磁性層３を
エツチングによつて露出させる。第２の非磁性絶
縁層５をポジタイプのレジストにより形成し、コ
イル部となる導体層６をその上に電気メツキ法に
より形成させる。コイル部を挾む第３の非磁性絶
縁層７は、前述した第２の非磁性絶縁層５と同様
な方法で形成させる。下部非磁性層上のこれ等の
各非磁性絶縁層を形成するためのプロセスは、従
来のものと同様のプロセスにより達成され、また
本発明の要部でもないのでその詳細な説明は省略
する。上部磁性層８については、メツキ法、真空
蒸着法、スパツタリング蒸着法等によつて形成
し、バツクギヤツプ部９において下部磁性層３と
接触させられている。保護層１０はSiO2、
Al2O3、SiC等のスパツタリング蒸着で形成させ
る。薄膜部が形成された後、記録媒体と面する側
に於いて所定のギヤツプ深さgDが得られるように
切断、研削、研磨が行われる。
本発明の効果として、低段差構造が実現され
るため、磁気効率が向上されるだけでなく、各薄
膜層の段差によつてできる積層不良による欠陥が
減少し、製造歩留りを改善できる。非磁性絶縁
層２の凹部を形成するために、マスク用薄膜層で
あるAl層１３を形成させたので、プラズマエツ
チングによる凹部段差の形状を高精度に形成する
ことができる。非磁性絶縁層凹部に下部磁性層
を電気メツキ法で成長させる際、電極電圧を側
面、裏面を含めて基板面の露出しているいずれの
箇所にも印加できることから、均一な膜厚をもつ
メツキ層を形成させることができるだけでなく、
メツキ法も簡略化できる。下部磁性層３は基板
面の組織相に無関係に均一なメツキ組織を成長さ
せることができ、基板全体として約105Ωcm以下
すなわち半導体以上の導電度があれば、基板材料
に関係なく電気メツキ法による層形成が可能とな
る、等の多大の効果がある。
るため、磁気効率が向上されるだけでなく、各薄
膜層の段差によつてできる積層不良による欠陥が
減少し、製造歩留りを改善できる。非磁性絶縁
層２の凹部を形成するために、マスク用薄膜層で
あるAl層１３を形成させたので、プラズマエツ
チングによる凹部段差の形状を高精度に形成する
ことができる。非磁性絶縁層凹部に下部磁性層
を電気メツキ法で成長させる際、電極電圧を側
面、裏面を含めて基板面の露出しているいずれの
箇所にも印加できることから、均一な膜厚をもつ
メツキ層を形成させることができるだけでなく、
メツキ法も簡略化できる。下部磁性層３は基板
面の組織相に無関係に均一なメツキ組織を成長さ
せることができ、基板全体として約105Ωcm以下
すなわち半導体以上の導電度があれば、基板材料
に関係なく電気メツキ法による層形成が可能とな
る、等の多大の効果がある。
第１図は、低段差構造を有する薄膜磁気ヘツド
の基本構造を示すための断面図、第２図ａ〜ｄ
は、本発明による下部磁性層形成のためのプロセ
スを示す断面図である。 １１……非磁性導電性基板、１２……第１の非
磁性絶縁層、１３……Al層、１４，１５……レ
ジスト層、１６……導体層、１７……下部磁性
層。
の基本構造を示すための断面図、第２図ａ〜ｄ
は、本発明による下部磁性層形成のためのプロセ
スを示す断面図である。 １１……非磁性導電性基板、１２……第１の非
磁性絶縁層、１３……Al層、１４，１５……レ
ジスト層、１６……導体層、１７……下部磁性
層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非磁性導電性基板上に第１の非磁性絶縁層、
下部磁性層、ギヤツプ長となる厚みをもつ非磁性
絶縁層、第２の非磁性絶縁層、巻線部となる導体
層、第３の非磁性絶縁層、上部磁性層を順次形成
してなる薄膜磁気ヘツドの製造方法において、該
非磁性導電性基板上に第１の非磁性絶縁層を形成
した後、所定の部分に基板面の露出した凹部を形
成し、該凹部内のみに電極用導体層を形成する第
１の工程と、該導体層を電極として、該凹部内に
下部磁性層のヨーク部を該非磁性導電性基板の薄
膜形成面以外の面からの通電により電解メツキ法
で形成させる第２の工程と、該ヨーク部上および
その近傍に一定厚みの磁性層を形成し、該ヨーク
部上の該磁性層は該ヨーク部の厚みを増加し、該
ヨーク部近傍の該磁性層は、下部磁性層の先端ポ
ールピース部とする第３の工程を含むことを特徴
とする薄膜磁気ヘツドの製造方法。 ２ 該非磁性導電性基板が105Ωcm以下の比抵抗
をもつ単一材料であることを特徴とする特許請求
の範囲の第１項記載の薄膜磁気ヘツドの製造方
法。 ３ 該非磁性導電性基板が導体組織相を含む焼結
材料であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の薄膜磁気ヘツドの製造方法。 ４ 該焼結材料がAl2O3−TiCであることを特徴
とする特許請求の範囲第３項記載の薄膜磁気ヘツ
ドの製造方法。 ５ 該第１の工程において、予め比較的薄いマス
ク用薄膜層を第１の非磁性絶縁層上に形成し、該
マスク用薄膜層上に所定のホトレジストパターン
を形成後、該ホトレジストによつて該マスク用薄
膜層をエツチングした後、プラズマエツチングに
より、該ホトレジスト及び該マスク用薄膜層をマ
スクとして該非磁性絶縁層に凹部を形成した後、
電極用導体層を少なくとも凹部上及びその近傍に
形成し、その後、該ホトレジスト及び該マスク用
薄膜層上の該電極用導体層を選択的に除去し、該
凹部内のみに電極用導体層を残存させる工程を含
むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
薄膜磁気ヘツドの製造方法。 ６ 該マスク用薄膜層がAl薄膜であり、該電極
用導体層がNi−Fe合金薄膜であることを特徴と
する特許請求の範囲第５項記載の薄膜磁気ヘツド
の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121423A JPS5823316A (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| US06/405,059 US4402801A (en) | 1981-08-04 | 1982-08-04 | Method for manufacturing thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121423A JPS5823316A (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5823316A JPS5823316A (ja) | 1983-02-12 |
| JPH02765B2 true JPH02765B2 (ja) | 1990-01-09 |
Family
ID=14810771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56121423A Granted JPS5823316A (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4402801A (ja) |
| JP (1) | JPS5823316A (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4391849A (en) * | 1982-04-12 | 1983-07-05 | Memorex Corporation | Metal oxide patterns with planar surface |
| JPS60177417A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-11 | Seiko Epson Corp | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| EP0218445A3 (en) * | 1985-10-01 | 1989-08-30 | Sony Corporation | Thin film magnetic heads |
| FR2604021B1 (fr) * | 1986-09-17 | 1988-10-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation de tetes magnetiques en couches minces et a structure planaire et tete obtenue par ce procede |
| FR2606197B1 (fr) * | 1986-10-31 | 1988-12-02 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une tete magnetique permettant de simplifier la realisation des connexions electriques |
| EP0351048A3 (en) * | 1988-07-11 | 1992-04-08 | Digital Equipment Corporation | Recording head to optimize high density recording |
| US5068959A (en) * | 1988-07-11 | 1991-12-03 | Digital Equipment Corporation | Method of manufacturing a thin film head |
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1982
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5823316A (ja) | 1983-02-12 |
| US4402801A (en) | 1983-09-06 |
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