JP2000515664A

JP2000515664A - 薄膜磁気トランスデューサのための積層およびめっきされた磁極片

Info

Publication number: JP2000515664A
Application number: JP10530326A
Authority: JP
Inventors: マラリー，マイケル; ギアシ，コフィ
Original assignee: エム・ケイ・イー―クウォンタム・コンポーネンツ・コロラド・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
Priority date: 1996-12-30
Filing date: 1997-12-30
Publication date: 2000-11-21
Also published as: WO1998029868A3; KR19990087424A; EP0919054A4; WO1998029868A2; AU5905298A; US5940253A; EP0919054A2; US5805392A

Abstract

(57)【要約】薄膜ヘッドの磁極片は、磁性金属ＮｉＦｅの２つの薄膜層によって形成され、各ＮｉＦｅ層は約２０，０００オングストローム厚さを有する。これら２つのＮｉＦｅ層は、約１００オングストローム厚さを有するアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、セラミックまたはＮｉＦｅ酸化物の電気絶縁層によって隔てられている。一実施例においては、ハードベイクされたフォトレジスト層が第１のＮｉＦｅ層のエッジのまわりにのみ形成され、電気絶縁層がその第１のＮｉＦｅ層の上部表面およびハードベイクされたフォトレジスト層の上に成長される。第２のＮｉＦｅ層がその後成長され、それにより、３層の金属／絶縁／金属磁極片が設けられる。ここで、ハードベイクされたフォトレジストは、２つの薄膜ＮｉＦｅ層間のエッジ短絡を阻止する。別の実施例においては、ＮｉＦｅの高い電気抵抗を有するめっきシード層の小さいフィラメントを２つのＮｉＦｅ薄膜層の間に延在させることによって、エッジ短絡が最小限に抑えられる。ここで、これら長くて薄いＮｉＦｅフィラメントの高抵抗は、２層のＮｉＦｅ薄膜層の抵抗よりもはるかに大きい。

Description

【発明の詳細な説明】薄膜磁気トンラスデューサのための積層およびめっきされた磁極片発明の背景発明の分野この発明は、磁気記録の分野に関する。より特定的にはこの発明は、磁気ビットパターンがヘッドによってその上に書込まれるかまたは先に書込まれていてヘッドによって読出されるべき磁気ビットパターンを含む磁気記録媒体の、表面に密接して浮上または移動する薄膜ヘッドまたはデータトンラスデューサに関する。この発明は、薄膜ヘッドのデータ変換磁気構造を形成する、積層およびめっきされた継鉄、磁極または磁極片に関する。関連技術の説明薄膜磁気ヘッドは、当該技術分野においてよく知られている。１９９６年９月に出版された刊行物「データ記憶（“DATA STORAGE”）」の第６１頁から第６６頁に記載の、「磁気記録用ヘッドのための次世代の磁極材料（“NEXT-GENERATON POLE MATERIALS FOR MAGNETIC RECORDING HEADS”）」と題された記事は、薄膜ヘッドについて記載している。同刊行物の第７１頁から第７６頁に記載の「テープドライブのためのＭＲ読取ヘッド（“MR READ HEADS FOR TAPE DRIVES”）」と題された記事は、ＭＲヘッドについて述べている。ここに引用により援用されるコシカワへの米国特許第５，４９３，４６４号は、単一のアセンブリ内に誘導性書込ヘッドおよびＭＲ読取ヘッドを含む、共用型薄膜磁気トンラスデューサについて記載している。この装置は、３つの磁極片から作られており、その中間の磁極片は、読取ギャップおよび書込ギャップによって共用されている。このヘッドの磁極片は、積層されてはいない。本発明の有用な用途は、このような共用型の薄膜磁気トンラスデューサの１または複数の磁極片を形成する場合である。たとえばこの共用される磁極片は、積層型磁極片として、本発明に従って構築されかつ配置される。積層型磁極片薄膜ヘッドは、磁極積層の隣接する層が本発明においては必要とされる電気絶縁層によって隔てられていないものは、よく知られている。その例として、リアウ（Liao）への米国特許第５，３７９，１７２号、キャンベル（Ca mpbell）への米国特許第５，２６４，９８１号、ジョーンズ（Jones）等への米国特許第４，１９０，８７２号、クマサカ等への米国特許第４，６１０，９３５号、クマサカ等への米国特許第４，７４８，０８９号、および、コバヤシ等への（４）欧州特許出願第０２４７８６８号が挙げられる。薄膜データトンラスデューサ内の導電性磁極片の高周波数での透磁率が、磁極片材料の厚さを、トンラスデューサの動作周波数におけるその材料の電流表皮深さの約２倍を超えないように制限することによって強化されることは、よく知られている。例として、約５０メガヘルツの動作周波数において、ニッケル／鉄（ＮｉＦｅ）の磁極片の表皮深さは、約７０００オングストロームであることが知られている。しかしながら、ＮｉＦｅの継鉄、磁極または磁極片を有する薄膜ヘッドにおいて、この理想的な薄さの条件を達成するには、ＮｉＦｅの磁極片は、たとえば、約５０メガヘルツの動作周波数において約１４０００オングストロームよりわずかに厚いだけという、極端な薄さが要求される。このように薄い磁極片は、しかし、磁極片内に流れることが要求される読取または書込磁束の十分なコンダクタンスを提供することができない。このような不十分な磁束伝導の問題を解決するために、ＮｉＦｅ磁極片は積層され、各磁極片につき少なくとも２層の磁気層が提供されるようにする。ここで、それら２層の磁気層は、電気絶縁層によって隔てられている。今日に至るまで、このような積層された磁極片を使用すると、積層磁極片を製造する段階において２つの隣接する磁気層間で電気短絡が発生するという問題があった。例として、この積層短絡の問題は、その上に上部磁気層がめっきされるかまたは堆積されているめっきシード層を取除くために従来的に使用されているイオンミリングプロセス中に、磁気層の上に発生する側壁の再堆積によって生じるものである。このように再堆積されためっきシード材料の導電性短絡経路は通常極めて薄いが、しかし、約３０オングストロームよりも一般に厚い。その結果、この再堆積されためっきシード経路は、比較的低い抵抗を有する経路を構成して、２つの磁気層間に望ましくない渦電流を導通させることになる。この渦電流が流れることによって、２層の薄い積層磁気層を設けるという当初の目的は阻まれる。なぜなら、それら２層がこの渦電流の存在によって、単一の厚い層として作用するようになるためである。そこで、当該技術分野においては、薄膜磁気ＭＲヘッド、薄膜誘導性ヘッド、薄膜共用型ヘッド、および薄膜共用型ＭＲ／誘導性ヘッド内の積層継鉄、磁極または磁極片の製造およびその後の使用を可能にする、装置および／または方法が未だに求められている。この装置および／または方法は、積層継鉄、磁極または磁極片の磁気層間での渦電流の流れを排除するかまたは少なくとも大幅に減じるものでなければならない。より特定的には、当該技術分野においては、新規でありかつ特殊なヘッド製造プロセスおよび結果としてのヘッド構造であって、個々の磁気薄膜の膜圧がヘッドの動作周波数における磁極材料の電流表皮深さの２倍よりもわずかに大きく制限される薄膜の導電性磁極片によってもたらされる利点を有しながら、ヘッドが高周波数で動作することを可能にする、ヘッド製造プロセスおよび結果としてのヘッド構造が求められている。発明の概要本発明に従えば、積層磁極片、薄膜、磁気ヘッドを作製または製造するための装置／方法が提供される。本発明は、ＭＲ薄膜ヘッド、誘導性薄膜ヘッド、および組合せ型ＭＲ／誘導性薄膜ヘッドを含む薄膜ヘッドの高周波数性能を強化する。ここで使用される、薄膜または磁気金属薄膜の用語は、通常、約１００オングストローム（Å）から約５０，０００Å厚さの範囲内である、薄い層を意味するものである。本発明の好ましい実施例においては、薄膜ヘッドの少なくとも１つの磁極片は、ＮｉＦｅ、またはより特定的にはＮｉ₈₁Ｆｅ₁₉等の磁気材料の２層の薄膜層から形成された。ここで、各磁気材料の層は、約２０，０００Å厚さであって、これら２層の磁気材料層は、中間の電気絶縁層によって隔てられた。この絶縁層はたとえば、セラミック、ＮｉＦｅの酸化物、またはアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等からなり、約１００Å厚さであった。ここで使用される、薄膜ヘッドの用語は、単一のトラックまたは複数のトラックを有する、読取ヘッド、書込ヘッド、または組合せ型読取／書込ヘッド、誘導性ヘッド、またはＭＲヘッドであって、公知の写真製版技術および薄膜めっき技術によって磁気金属から形成される少なくとも１つの薄膜磁束経路回路を有する、ヘッドを意味するものである、書込誘導性ヘッドにおいては、磁気金属回路経路内を流れる磁束は、磁束経路に関連するコイルを通じて流れる書込電流によって誘導される。磁束経路は、ヘッドを基準として移動する磁気記録媒体に密接して位置付けられた書込ギャップを含む。この書込ギャップの位置において、磁束は書込ギャップおよび端部を繋いで、記録媒体を通じて流れるようになり、それにより、記録媒体内に磁気ビットが記録される。読取誘導性ヘッドにおいては、磁気金属回路経路内を流れる磁束は、密接する読取ギャップを基準として移動する磁気記録媒体によって保持される磁気ビットパターンによって生成される端磁界によって誘導される。この端磁束は、ヘッドの磁束経路を通じて流れて、磁束経路に関連する読取コイル内の電流を誘導するよう動作する。ＭＲ読取ヘッドにおいては、上述の誘導性読取ヘッドと機能的に類似する構造が設けられる。しかし、この場合、磁気金属回路経路は、ＭＲ部材に、すなわち、その抵抗が磁束の存在によって変化する部材に、関連する。磁気回路経路を通じて流れる磁束は、ＭＲ部材の抵抗に影響を与え、この抵抗が変化することで、磁気記録媒体のビットパターンの読取が可能となる。本発明は、磁性材料の層の構築および配置によって、低抵抗の電気短絡が磁極片の隣接しかつ電気的に絶縁された磁気金属層間で形成されることを防ぐ、積層薄膜ヘッド継鉄、磁極、または磁極片のより信頼性の高い製造方法を提供する。より特定的には、本発明は、積層磁極片の隣接する磁気金属層の縁部における、電気短絡の形成を防ぐよう動作する。本発明の一実施例においては、約２０，０００Å厚さの第１の薄膜磁気層が、従来の堆積プロセスを使用して形成される。比較的厚いハードベイクされたフォトレジスト層（すなわち、そのフォトレジストがヘッドの永久部分となるように約２６５℃でベイクされた層）がその後、この第１の磁気層の境界または縁部のまわりにのみ選択的に形成され、それにより、第１の磁気層の上部表面の主要部分が露出されるようになる。その後、第１の磁気層の上部表面およびハードベイクされたフォトレジスト層の上に、アルミナ電気絶縁層をスパッタリングで成長する。それに続いて、たとえばＮｉＦｅの非常に薄いめっきシード層が、スパッタリングで成長される。その後、第１の磁気層を堆積するのに使用されたものと同じ従来のプロセスを使用して、めっきシード層上に、第２の磁気薄膜層を電子成長させる。この金属／絶縁／シード／金属の４層の構築および配置において、第１および第２の磁気層の中間に位置し、しかも第１の磁気層の外縁または境界のまわりにのみ存在するハードベイクされたフォトレジスト層は、上部金属層、すなわち、上部磁極部材によって占有されていない領域からめっきシード層を取除くのに周知の態様で使用される、その後のイオンビームエッチング中に、２つの薄膜金属層間にエッジ短絡が発生するのを阻止する。本発明の別の実施例においては、これら２つの磁気金属薄膜層間のエッジ短絡は、めっきシード層（ＮｉＦｅ）の小さい残滓またはフィラメントを下部または第１の磁気層および上部または第２の磁気層の間で広がるようにすることによって、エッジに配される渦電流をわずかな大きさに減じる、構造および配置によって、最小限に抑えられる。この残存するめっきシード層の１または複数のフィラメントは、長くかつ薄い。そのため、フィラメントの電気抵抗は、２つの磁気金属層の電気抵抗よりもはるかに大きい。したがって、その長くかつ薄いめっきシード層のフィラメントの高抵抗の結果として、渦電流が大幅に減じられるのである。より特定的には、この第２の実施例においては、第２のまたは上部磁気薄膜層のエッジは、第１または底部磁気薄膜層の対応する下部エッジから、従来よりも長い距離だけ、水平方向に離されて位置付けられる。周知のように、めっきシード層は、第１および第２の磁気層の双方のめっきを容易にするために使用される。本発明のこの実施例に従えば、めっきシード層は、上部磁気層をめっきした後にも、第１および第２のめっきされた層または積層の近傍に、適所に残される。この残存するめっきシード層が第１および第２の磁気層間にある程度の導電性をもたらし得ることは確かではあるが、この残存するめっきシード層回路の抵抗は非常に高いため、第１および第２の磁気層間の顕著な量の渦電流の流れは、この高抵抗によって防止することができる。本発明の好ましい実施例に従えば、第１または底部磁気金属薄膜層は、上述のＡｌ₂Ｏ₃またはセラミック層の位置に、約１００Å厚さの薄いニッケル／鉄酸化物層を保持してもよい。このニッケル／鉄酸化物層は、酸素プラズマアッシュプロセスを使用して成長される。本発明の装置／方法は、２つの隣接する磁気薄膜層の間に非常に薄い電気絶縁またはセラミック層を使用することができるようにするばかりではなく、加えて、第１または底部磁気薄膜層の上部表面上にある固有ニッケル−鉄酸化物層によって、十分な電気絶縁が提供されるようにする。本発明は、ヘッドの磁極または磁極片内にある、上述の第１および第２の磁気金属薄膜層、ならびに上述のめっきシード層が、強磁性材料、および好ましくはＮｉＦｅ等のニッケルと鉄との合金を含むものとして考えられる。この合金ＮｉＦｅは、高い透磁率を有するものとして知られており、例として、およそＮｉ₇₈ _.5 およびおよそＦｅ_21.5を含む、商標パーマロイ（Permalloy）が挙げられる。本発明の以上およびその他の目的、利点および特徴は、添付の図面を参照する、以下の詳細な説明を読まれることにより、当業者には明らかとなるであろう。図面の簡単な説明図１は、両方の磁極片がこの発明に従って積層される、ＭＲ読取ヘッドの側断面図である。図２は、両方の磁極片が本発明に従って積層された、誘導性読取または書込ヘッドの側断面図である。図３は、中央の、中間の、または共用されている磁極片のみが本発明に従って積層されている、組合せＭＲ読取ヘッドおよび誘導性書込ヘッドの側断面図である。図４は、図１に示す磁極片１１のみの拡大された空気軸受表面（ＡＢＳ）を示す（矢印４０１参照）。この図は、図１に示す磁極片１１および１４、図２に示す磁極片１１１および１１２、ならびに図３に示す共用磁極片２７０の構造および配置の第１の実施例を説明するのに使用される。図５は、図１の磁極片１１のみの、空気軸受表面（ΛＢＳ）の拡大図である（矢印４０１参照）。この図は、図１に示す磁極片１１および１４、図２に示す磁極片１１１および１１２、ならびに図３に示す共用型磁極片２７０の構造および配置の第２の実施例を説明するのに使用される。好ましい実施例の説明図１は、本発明を包含するＭＲヘッド２５を簡素化して示す。図中、磁束強磁性金属回路経路が、第１の磁極片１１および第２の磁極片１２によって設けられる。これら２つの磁極片１１および１２は、非磁性の誘電体層１３によって互いに隔てられて、読取または変換ギャップ２２が形成される。ギャップ１３は、周知のＭＲ部材２４を含む。ＭＲヘッド２５と、磁気記録媒体２３、たとえばフロッピーディスクの平らな上部表面２３との間には、相対運動２６が提供される。ヘッド２５はまた、周知の構造および配置による、基板部材１０およびカプセル化部材２１を含む。本発明に従えば、２つの磁極片１１および１２はそれぞれ、積層構造を有するよう形成される。より特定的には、磁極片１１は、（１）ギャップ隣接磁気金属層１６、（２）中間の電気絶縁および誘電体層１５、ならびに（３）外部磁気金属層１４を含む。同様に、磁極片１２は、（１）ギャップ隣接磁気金属層２０、（２）中間の電気絶縁および誘電体層１９、ならびに（３）外部磁気金属層１８を含む。本発明の好ましい実施例においては、層１４、１６、２０、１８は同じ材料、好ましくはＮｉＦｅから形成され、層１５、１９は、同じ材料、好ましくはアルミナから形成される。図２は、本発明を包含する誘導性ヘッド１２５を簡素化して示す。図中、磁性金属回路経路は、第１の磁極片１１１および第２の磁極片１１２によって提供される。これら２つの磁極片１１１および１１２は、非磁性の誘電体層１１３および変換ギャップ１１２によって互いに隔てられている。コイル１６０は、磁極片１１１および１１２を含む磁束回路に関連する。誘導性ヘッド１２５と磁気記録媒体、たとえば、長い磁気記録テープの上部平面１２３との間には、相対運動２６が提供される。図１に示した書込ヘッド２５と同様に、ヘッド１２５は、従来の基板部材１１０およびカプセル化部材１２１を含む。本発明に従えば、２つの磁極片１１１および１１２は各々、積層構造を有するよう形成されている。より特定的には、磁極片１１１は、（１）ギャップ隣接磁気金属層１１６、（２）中間の電気絶縁および誘電体層１１５、ならびに（３）外部磁気金属層１１４を含む。同様に、磁極片１１２は、（１）ギャップ隣接磁気金属層１１８、（２）中間の電気絶縁および誘電体層１１９、ならびに（３）外部磁気金属層１２０を含む。本発明の好ましい実施例においては、層１１４、１１６、１１８、１２０は同じ材料、好ましくはＮｉＦｅから形成され、層１１５、１１９は、同じ材料、好ましくはアルミナから形成される。図３は、磁極共用型誘導性書込ギャップ２５０および磁極共用型ＭＲ読取ギャップ２２２を有する組合せヘッド２２５を簡素化して示す。ヘッド２２５においては、中央または中間の共用される磁極片２７０のみが本発明に従って構築および配置される。ただし、ヘッド２２５の３つすべての磁極片、または、ヘッド２２５のいずれか２つの磁極片、または、ヘッド２２５のいずれか１つの磁極片を、本発明の精神および範囲に従って積層することが可能である。図３の構造および配置は、好ましくはパーマロイで形成される、読取ギャップ関連の磁性金属の磁極片２１４および、やはり好ましくはパーマロイで形成される、書込ギャップ関連の磁性金属の磁極片２１９を提供する。ヘッド２２５においては、図３に示すように、２つの磁極片２１４および２１９は積層されていない。図３の型のヘッドは、たとえば、リードアフタライト環境において使用することが可能である。中間に位置付けられかつ共用される磁極片２７０は、（１）読取ギャップに隣接する磁性金属層２７１と、（２）中間の電気絶縁および誘電体層２７２と、（３）書込ギャップに隣接する磁性金属層２７３とを有するように、本発明に従って積層される。この発明の好ましい実施例においては、層２７１および２７３は同じ材料、好ましくはＮｉＦｅから形成され、層２７２はアルミナから形成される。図４は、図１の矢印４０１によって示される方向で取られた、空気軸受表面（ＡＢＳ）の拡大図である。図４は、図１の磁極片１１のＡＢＳの図のみを示すが、図４は、図１の磁極片１１および１４、図２の磁極片１１１および１１２、ならびに図３の磁極片２７０の構造および配置の第１の実施例を正確に示すものである。磁極片１１は、（１）第１または底部磁性金属層１４、（２）第２または上部磁性金属層１６、（３）電気絶縁誘電体層１５、およびめっきシード層４１５を有するものとして示される。層１５の重要な特性は、それが比較的高い電気的インピーダンスを有する一方で、非常に薄いために、すなわち、Ｘ方向で約１００ Åであるために、比較的低い磁気インピーダンスを有することである。金属層１４および１６は、その各々が例示的にＸ方向で約２０,０００オングストロームの厚さを有する、薄膜層である。例示的に、層１４、１６のＺ方向の幅は、約４４ミクロンであり、上部層１６は、おそらくは、このＺ方向において、底部層１４よりも１または２ミクロン狭い。理解されるように、このＺ方向の幅は、磁気インピーダンスを最小限に抑えるために、磁極のＹ方向の長さとほぼ同じ幅とされる。金属層１４および１６は、非常に薄い、非導電性または絶縁層１５によって隔てられる。層１５のＸ方向の厚さは、例示的に、約１００オングストロームである。この中間絶縁層１５は、好ましくは、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）等の、非常に薄いセラミックまたはセラミック様の材料からなる。絶縁層１５の上部表面４１６は、好ましくはＮｉＦｅのめっきシード層４１５でコーティングされるが、これにより、上部磁気層１６のめっきが促される。図４に示すこの発明の実施例においては、底部磁気層１４の２つの側縁４０２、４０３等のすべての垂直方向またはＸ方向の側縁は、ハードベイクされたフォトレジストの比較的厚い層４００で覆われている。すなわち、通常フォトレジストは公知の写真製版プロセスにおいて取除かれるため、フォトレジスト４００を容易に取除くことができない硬いプラスチック状態へと変化させるために、フォトレジスト４００は比較的高温で加熱されている。ボーダーまたは縁部に配置されたハードベイクされたフォトレジスト部材４００は、底部磁気層１４の上部表面４１１のＺ方向の小さいボーダー部分４１０を覆って、その上部表面４１１の中央部分の大半を露出させる。ハードベイクされたフォトレジスト４００のこのボーダー部分４１０のＸ方向の厚さは、たとえば約１ミクロン厚さと、非常に薄い。代替的な実施例においては、絶縁層１５は底部ＮｉＦｅ磁気層１４に、外縁のフォトレジスト４００およびめっきシード層４１５の成長に先立って酸素プラズマアッシング装置内で酸化された、ＮｉＦｅ酸化上部表面４１１を含んでもよい。図４に示す構造および配置において、（後に説明する）イオンビームエッチング製造ステップ中に、たとえばエッジ４２０の下部エッジ４０２に対するショーティング等のエッジショーティングまたは電気短絡が生じることはない。なぜなら、エッジ４２０および４０２は、ハードベイクされたフォトレジスト部材４００によって保護または被覆されているからである。層１４、１５、４１５、１６を成長またはめっきする手段は本発明において決定的ではないが、ハードベイクされたフォトレジスト領域４００を提供するステップを含む本発明の一実施例は、以下のとおりである。図４に示す磁極片１１の製造における第１のステップとして、スパッタ成長されたＮｉＦｅのシート（図示せず）によって、第１のＮｉＦｅ磁気層１４の電子成長のための第１のめっきシード層を形成する。その後、この第１のめっきシード層の上にフォトレジストマスクまたは層（図示せず）がパターニングされる。このフォトレジストマスクのパターニングは、ＮｉＦｅ（たとえばＮｉが８１％、Ｆｅが１９％）の層１４をＸ方向で約２０，０００Åの厚さでめっきするのを容易にするようになされるものである。理解されるように、この発明に従って多数の薄膜ヘッドを同時に製造できるように、比較的大きいウェハ１０が通常使用される。このヘッド製造の公知の局面は、ここに説明はしない。従来同様、ＮｉＦｅ層１４のめっきは、めっき電流密度を制御するよう動作する、電流シーフエレメント（current thief element）を使用して行なわれてもよい。Ｎｉｆｅ層１４のめっきがなされると、上に記載したフォトレジストマスクが取除かれて、第１のめっきシード層が部分的に露出する。その露出した部分は、イオンミリングによって取除かれる。その後、図４に示す２つの側縁４０２、４０３等の、ＮｉＦｅ層１４のほぼ垂直に延びる側縁のすべてがフォトレジストでコーティングされる。このフォトレジストは、完成した磁極片１１と一体となる部分を含むものである。このフォトレジストはこの時点でハードベイクされる。これにより、ＮｉＦｅ層１４の側縁はハードベイクされたフォトレジスト部材４００によって被覆されかつ電気的に絶縁される。次に、ＮｉＦｅ層１４の露出した上部表面４１１およびハードベイクされたレジスト部材４００の上部表面４４１の両方の上に、アルミナ層１５がコーティングまたはシート成長される。その後、好ましくはＮｉＦｅの第２のめっきシード層４１５がアルミナ層１５の上部表面４１６上にスパッタ成長される。ここで、第２のフォトレジストマスク（図示せず）が設けられて、磁極片１１の上部ＮｉＦｅ層１６がＸ方向で約２０，０００Åの厚さにめっきされる。ＮｉＦｅ層１６のめっき後、この第２のフォトレジストマスクは取除かれる。その後、図４に矢印４８０で表わしたイオンビームエッチングまたはミリングが行なわれて、第２のめっきシード層４１５の露出部分が取除かれ、上部ＮｉＦｅ層１６のＹ−Ｚの平面形状がトリミングされかつ完全にされる。イオンビームミリングは一例として、アルゴン原子を使用する。当業者には理解されるように、イオンミリング４８０は図４に示した比較的垂直の角度ばかりではなく、多種多様な角度で行なうことが可能である。このイオンミリングのステップは、露出した第２のめっきシード層４１５のすべてまたは大半の部分を取除くことになる。このイオンミリングによる材料除去作業はまた、ＮｉＦｅ層１６の上部表面の一部分およびアルミナ層１５の小さく露出した上部表面を、ほぼ均等に除去する。先行技術においては、この最後に述べたイオンミリングステップによって、上部磁気金属層１４の一部分が取除かれ、この取除かれた材料が再堆積されて絶縁層１５にわたる短絡ブリッジとなり、かつ、金属層１４と１６とが電気的に接続される結果となった。しかしながら、本発明においては、ハードベイクされたフォトレジスト部材４００がＮｉＦｅ層１４の側縁を被覆および絶縁するよう動作するため、ＮｉＦｅ層１４とＮｉＦｅ層１６との間には望ましくない電気短絡が生じることはない。２つのＮｉＦｅ層１４および１６は、今や、磁極片１１のための積層された磁束経路を提供する。磁極片１１のＸ方向の有効厚さはほぼ４０，０００Åであり、これら２層のＮｉＦｅ層１４および１６のＹ−Ｚの４つの平らな表面は、約５０メガヘルツのヘッド動作周波数において、合計で２８，０００Åの有効表皮深さを提供する。図５は、本発明の別の実施例に従った磁極片５１１の、空気軸受表面（ＡＢＳ）を示す拡大図である。図５は、図１における矢印４０１で示した方向で取られている。図５は、図１の磁極片１１および１４、図２の磁極片１１１および１１２、ならびに図３の磁極片２７０の第２の構造および配列を、正確に示すものである。本発明のこの第２の実施例においては、２つのＮｉＦｅ薄膜磁極片積層１４および１６の間の渦電流電気回路経路は、図４の実施例のように、完全に遮断されるわけではない。しかしながら、流れるであろう渦電流の大きさは、薄膜積層型磁極片の有利な効果が保持される程度にまで減じられる。図５に示すこの発明の実施例は、図２に示した積層型薄膜磁極片１１２のように、積層薄膜磁極片の形状が平らではない場合に、特に有益である。本発明のこの実施例においては、図４に示したフォトレジスト境界部分層４００が存在することなく、アルミナ層１５が第１または底部ＮｉＦｅ薄膜層１４の上部表面５８５上に成長される。図５の磁極片５１１は、（１）ＮｉＦｅまたはパーマロイの第１または底部磁気金属層１４と、（２）ＮｉＦｅまたはパーマロイの第２または上部磁気金属層１６と、（３）底部ＮｉＦｅ層１４の上の、アルミナ、ＮｉＦｅ酸化物、および／またはセラミックの絶縁層１５と、（４）絶縁層１５の上の、ＮｉＦｅまたはパーマロイのめっきシード層５１５とを有するものとして示されている。ＮｉＦｅ層１４および１６は、各々が例示的にＸ方向で約２０，０００Åの厚さを有する、薄膜層である。アルミナ層１５の例示的なＸ方向の厚さは、約１００Åである。本発明のこの実施例においては、底部ＮｉＦｅ層１４は、意図的に、Ｚ方向の幅が上部ＮｉＦｅ層１６のＺ方向の幅よりもはるかに大きくなるように形成されている。たとえば、層１４は約４４ミクロン幅であるのに対し、層１４上にほぼ中央に位置付けられた層１６は、約３６ミクロン幅である。その結果、層１６の各エッジを超えて、層１４の約４ミクロン幅の部分が外側に延びる。たとえば図５の距離５８１を参照されたい。理解されるように、底部ＮｉＦｅ層１４を露出したままにするこの比較的長い長さ５８１は、本発明のこの実施例の動作において重要な役割を果たす。アルミナ絶縁層１５の上部表面５１６は、好ましくはＮｉＦｅからなるめっきシード層５１５を保持し、これが上部ＮｉＦｅ層１６のめっきまたは電子成長を促す。後に説明するように、本発明のこの実施例においては、ＮｉＦｅめっきシード層５１５の２つの薄くかつ長い残存部分またはフィラメント５７０が、上部ＮｉＦｅ層１６と底部ＮｉＦｅ層１４とを短絡させる。しかし、ＮｉＦｅめっきシード層５１５のこれらの残存フィラメント５７０は、Ｚ方向で十分長い（寸法５８１を参照）ため、ＮｉＦｅ薄膜磁気層１４、１６の電気抵抗よりもはるかに大きい電気抵抗がフィラメント５７０には提供される。したがって、図５に示す平面内で、一連の回路経路１６、５７０、１４、５７０、１６を通じて循環式に流れようとする渦電流は、その電流経路の２つのフィラメント部分５７０の高抵抗によって、その大きさが大いに減じられる。図５に示す磁極片５１１の種々の層を成長またはめっきする手段は本発明において決定的ではないが、その一実施例は以下のとおりである。まず、基板部材１０の上部表面５８２上に、めっきシード層またはシート５１７をスパッタ成長する。ここで、めっきシード層５１７の上部表面５１８の上に、第１のフォトレジストマスク（図示せず）をパターニングする。この第１のフォトレジストマスクは、Ｘ方向で約２０，０００Åの厚さでのＮｉＦｅ（たとえば８１％Ｎｉ、１９％Ｆｅ）の層１４のめっきまたは電子成長を容易にするようにパターニングされる。ここでもやはり、この発明に従って多数の薄膜ヘッドを同時に製造することができるように、比較的大きいウェハ１０が通常使用される。また、ＮｉＦｅ層１４のめっきは、めっき電流密度を制御するよう動作する、電流シーフエレメントを使用して行なうことが可能である。ＮｉＦｅ層１４にめっきを施した後に、上述の第１のフォトレジストマスクを取除く。その後、めっきシード層５１７のめっきされていない領域（すなわち、層１４によって被覆されていない領域）が、イオンミリングによって取除かれる。ここで、ＮｉＦｅ層１４の露出した上部表面５８５上に、アルミナ層１５をスパッタ成長する。その後、アルミナ層１５の上部表面上に、第２のめっきシード層５１５がスパッタ成長される。次に、磁極片５１１の上部ＮｉＦｅ層１６をＸ方向で約２０，０００Åの厚さでめっきすることができるように、第２のフォトレジストマスク（図示せず）が提供される。ＮｉＦｅ層１６をめっきした後に、この第２のフォトレジストマスクが取除かれる。次に、上述のように形成された磁極５１１上に第３のフォトレジストマスク５９０が配される。図５においては、この第３のフォトレジストマスク５９０は破線で示されているが、これは、マスク５９０が磁極片５１１を製造するプロセスにおいて後のステップで取除かれることを示す。その後、図５において矢印５８０で示すように、イオンビームエッチングまたはミリングを行なって、フォトレジストマスク５９０によって被覆されていない露出したＮｉＦｅめっきシード層５１５のすべてまたは少なくとも大半の部分を取除く。めっきシード層５１５の残存するフィラメント部分５７０は各々、長く薄いＮｉＦｅフィラメントまたは線を含み、これが、２つのＮｉＦｅ層１４および１６の間に延びかつそれらを相互接続する。たとえば、ＮｉＦｅフィラメント５７０は、Ｘ方向の厚さが約０．１ミクロン、Ｚ方向の長さが約４．０ミクロンである（寸法５８１を参照）。この第３のフォトレジストマスクはその後取除かれる。これら２つのＮｉＦｅ層１４および１６は、今や、磁極片５１１に積層された磁束経路を提供する。磁極片５１１のＸ方向の有効厚さはおよそ４０，０００Å であり、ＮｉＦｅの２層１４、１６の４つのＹ−Ｚ平面は、約５０メガヘルツのヘッド動作周波数において合計で２８，０００Åの有効表皮深さを提供する。この発明の図５に示した実施例は、図４において達成されたように、２つの磁気金属薄膜層１４および１６の間の電流の流れを完全に遮断するものではない。しかし、図５のめっきシード層５１５の２つのＮｉＦｅフィラメント部分５７０は、Ｘ方向において薄くかつＺ方向において長い。このため、ＮｉＦｅフィラメント部分５７０の電気抵抗は、磁気金属薄膜層１４、１５の電気抵抗よりもはるかに大きくなる。このように２つのＮｉＦｅフィラメント５７０の電気抵抗が比較的高いために、上部ＮｉＦｅ層１６、ＮｉＦｅフィラメント５７０、底部ＮｉＦｅ層１４のエッジ５８６、底部ＮｉＦｅ層１４、底部ＮｉＦｅ層１４のエッジ５８７、およびＮｉＦｅフィラメント５７０からＮｉＦｅ層１６へと戻る直列回路（図５におけるＣＣＷ）を通じて流れる渦電流の大きさは、非常に小さい。本発明の図５に示した実施例においてＮｉＦｅフィラメント５７０を通じておよびＮｉＦｅ薄膜層１４、１５の間に流れ得る渦電流は、したがって、イオンミリング中に材料が再堆積することによってＮｉＦｅ薄膜層１４、１５の間に完全短絡が存在した先行技術の場合に比べて、大幅に、その大きさが減じられる。この非常に小さい渦電流を最終的に構築するための基準は、以下の関係によって表わされる：Ａ×（Ｂ／Ｃ）はＤ×（Ｅ／Ｆ）よりもはるかに大きい。ここで、Ａはめっきシード層５１５の抵抗率、Ｂはめっきシードフィラメント５７０のＺ方向の長さ、Ｃはめっきシードフィラメント５７０のＸ方向の厚さ、Ｄは磁気層１４、１６の抵抗率、Ｅは狭い上部磁気層１６のＺ方向の幅、およびＦは狭い上部磁気層１１６のＸ方向の厚さ、である。上の等式においては、電子堆積される薄膜磁気層１４および１６が、上に記載した２つの高抵抗のショートフィラメント５７０を形成するめっきシード層５１５のように、同じ種類の磁性材料で形成されない場合もあるという事実を考慮して、抵抗ファクタＡおよびＤが含まれている。本発明に従った積層磁極片の形成に関する上の説明において、非磁性の電気的絶縁Ａｌ₂Ｏ₃層が底部または第１のＮｉＦｅ薄膜層の上にスパッタ成長され、ＮｉＦｅの第２の磁気めっきシード層がその後そのＡｌ₂Ｏ₃層の上にスパッタ成長されると説明した。これら２つのスパッタリングのステップは、２つの異なるスパッタリング装置を使用して行なうことも可能であるが、これら２つのスパッタリングの作業は、ウェハをＡｌ₂Ｏ₃ターゲットからＮｉＦｅターゲットへと続けて移動させることによって、同じスパッタリング装置内で続けて、かつ、その装置の同じ真空ポンプダウンサイクル内で行なうことが望ましい。以上に、本発明をその好ましい実施例を参照して詳細に説明した。当業者が本発明を知ることにより、本発明の精神および範囲内で他のさらなる実施例を容易に思い描くことができることは明らかであろう。したがって、上述の詳細な説明は本発明の精神および範囲を限定するものと受取られてはならない。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者ギアシ，コフィアメリカ合衆国、01532 マサチューセッツ州、ノースボロー、デイビス・ストリート、267

Claims

【特許請求の範囲】１．磁気データ変換ヘッド内で使用するための積層磁束経路磁極片であって、前記ヘッドは非磁性かつ非導電性の基板部材を有し、前記基板部材は前記積層磁極片を物理的に支持するための第１の表面を有し、前記積層磁極片は、透磁性金属からなる第１の連続する薄膜層を含み、前記第１の薄膜金属層は前記第１の表面上に成長され、前記第１の薄膜金属層は第２の表面を有し、前記第１の薄膜金属層は前記第２の表面から前記第１の表面へと延びる側縁を有し、前記積層磁極片はさらに、連続する、ハードベイクされたフォトレジスト部材を有し、前記ハードベイクされたフォトレジスト部材は前記第１の薄膜金属層の前記側縁を完全に被覆する第１の部分を有し、前記ハードベイクされたフォトレジスト部材は前記第１の薄膜金属層の前記側縁に隣接する前記第２の表面の境界部分のみを完全に被覆する第２の部分を有し、前記ハードベイクされたフォトレジスタ部材は前記第１の薄膜金属層の前記側縁に隣接する前記第１の表面の境界部分のみを完全に被覆する第３の部分を有し、前記ハードベイクされたフォトレジスト部材は前記第２の表面の中央部分をフォトレジストで被覆されないまま残すよう動作し、前記積層磁極片はさらに、連続する薄膜電気絶縁層を含み、前記電気絶縁層は前記第２の表面の前記中央部分を完全に被覆する第１の部分を有し、前記電気絶縁層は前記ハードベイクされたフォトレジスト部材の前記第２の部分を被覆する第２の部分を有し、前記積層磁極片はさらに、透磁性金属からなる第２の連続する薄膜層を含み、前記第２の薄膜金属層は前記電気絶縁層の前記第１の部分をコーティングする第１の部分を有し、前記第２の薄膜金属層は前記電気絶縁層の前記第２の部分をコーティングする第２の部分を有する、積層磁束経路磁極片。２．前記ヘッドは約５０メガヘルツの周波数で動作し、前記第１および第２の連続する薄膜金属層は各々、前記第１の表面にほぼ垂直に測定して約２０，０００ Åの厚さを有する、請求項１に記載の磁極片。３．前記電気絶縁層は、前記第１の表面にほぼ垂直に測定して、約１００Åの厚さを有する、請求項２に記載の磁極片。４．前記第１および第２の連続する薄膜金属層はＮｉＦｅからなり、前記電気絶縁層はＮｉＦｅ酸化物、セラミックおよびアルミナのグループから選択される、請求項３に記載の磁極片。５．前記第１および第２の連続する薄膜層は電子成長され、前記基板部材と前記第１の連続する薄膜層との中間に第１のめっきシード層と、前記電気絶縁層と前記第２の連続する薄膜層との中間に第２のめっきシード層とを含む、請求項４に記載の磁極片。６．磁気データ変換ヘッドにおいて使用するための積層磁極片であって、前記ヘッドは非磁性かつ電気絶縁性の基板部材を有し、前記基板部材は第１の表面を有し、前記磁極片は、透磁性金属からなる第１の連続する薄膜金属層を含み、前記第１の薄膜金属層は前記第１の表面に成長され、前記第１の薄膜金属層は前記第１の表面にほぼ垂直に測定して約２０，０００ Åの厚さを有し、前記第１の薄膜層は第２の表面を有し、前記磁極片はさらに、前記第２の表面をコーティングする連続する薄膜電気絶縁層を含み、前記電気絶縁層は連続する第３の表面を有し、前記磁極片はさらに、前記第３の表面および前記第１の薄膜金属層の側縁をコーティングする導電性のめっきシード層を含み、前記第３の表面は前記第１の表面にほぼ垂直に測定して約０．１ミクロンの厚さを有し、前記第３の表面は前記第１の表面にほぼ平行に測定して約４．０Åの幅を有する境界部分を有し、前記磁極片はさらに、透磁性金属からなる第２の薄膜金属層を含み、前記第２の薄膜金属層は前記第１の表面にほぼ垂直に測定して約２０，０００ Åの厚さを有し、前記第２の薄膜金属層は前記第３の表面の前記境界部分が被覆されずに残るように、前記第３の表面上に電子成長される、積層磁極片。７．前記第１および第２の薄膜金属層はＮｉＦｅからなり、前記めっきシード層はＮｉＦｅからなり、前記電気絶縁層はＮｉＦｅ酸化物、セラミックおよびアルミナのグループから選択される、請求項６に記載の磁極片。８．データ変換ヘッドであって、非磁性かつ非導電性の基板部材を含み、前記基板部材は第１の表面を有し、前記データ変換ヘッドはさらに、前記第１の表面によって支持される第１の磁極片を含み、前記第１の磁極片は第２の表面を有し、前記データ変換ヘッドはさらに、前記第２の表面によって支持される非磁性かつ非導電性のギャップ部材を含み、前記ギャップ部材は第３の表面を有し、前記データ変換ヘッドはさらに、前記ギャップ部材内に変換素子と、前記第３の表面によって支持される第２の磁極片とを含み、前記第１および第２の磁極片の少なくとも一方は以下のものを含む積層薄膜磁極片であって、前記積層薄膜磁極片は、透磁性金属からなる第１の連続する薄膜層を含み、前記第１の薄膜金属層は第４の表面を有し、前記第１の薄膜金属層は側縁を有し、前記積層薄膜磁極片はさらに、連続する、ハードベイクされたフォトレジスト部材を含み、前記ハードベイクされたフォトレジスト部材は前記第１の薄膜金属層の前記側縁を完全に被覆する第１の部分を有し、前記ハードベイクされたフォトレジスト部材は前記第１の薄膜金属層の前記側縁に隣接する前記第４の表面の境界部分のみを完全に被覆する第２の部分を有し、前記ハードベイクされたフォトレジスト部材は前記第４の表面の中央部分がフォトレジストで被覆されずに残るよう動作し、前記積層薄膜磁極片はさらに、連続する薄膜電気絶縁層を含み、前記電気絶縁層は前記第４の表面の前記中央部分を完全に被覆する部分を有し、前記積層薄膜磁極片はさらに、透磁性金属からなる第２の連続する薄膜層を含み、前記第２の薄膜金属層は前記電気絶縁層の前記部分をコーティングする部分を有する、データ変換ヘッド。９．前記データ変換素子は、ＭＲ素子および誘導性素子のグループから選択される、請求項８に記載のデータ変換ヘッド。１０．前記変換ヘッドは約５０メガヘルツの周波数で動作し、前記第１および第２の連続する薄膜金属層は各々、前記第１の表面にほぼ垂直に測定して約２０，０００Åの厚さを有する、請求項９に記載のデータ変換ヘッド。１１．前記電気絶縁層は前記第１の表面にほぼ垂直に測定して約１００Åの厚さを有する、請求項１０に記載のデータ変換ヘッド。１２．前記第１および第２の連続する薄膜金属層はＮｉＦｅからなり、前記電気絶縁層はアルミナからなる、請求項１１に記載のデータ変換ヘッド。１３．前記第２の薄膜ＮｉＦｅ層は電子成長される層であって、前記データ変換ヘッドは、前記第２の薄膜ＮｉＦｅ層と前記電気絶縁層の前記部分との中間にＮｉＦｅめっきシード層を含む、請求項１２に記載のデータ変換ヘッド。１４．データ変換ヘッドであって、非磁性かつ非導電性の基板部材を含み、前記基板部材は第１の表面を有し、前記データ変換ヘッドはさらに、前記第１の表面によって支持される第１の磁極片を含み、前記第１の磁極片は第２の表面を有し、前記データ変換ヘッドはさらに、前記第２の表面によって支持される非磁性かつ非導電性のギャップ部材を含み、前記ギャップ部材は第３の表面を有し、前記データ変換ヘッドはさらに、前記ギャップ部材内に変換部材と、前記第３の表面によって支持される第２の磁極片とを含み、前記第１および第２の磁極片の少なくとも一方は、以下を含む積層薄膜磁極片であって、前記積層薄膜磁極片は、約２０，０００Åの厚さを有する透磁性金属の第１の連続する薄膜金属層を含み、前記第１の薄膜層は第４の表面を有し、前記積層薄膜磁極片はさらに、前記第４の表面をコーティングする連続する薄膜電気絶縁層を含み、前記電気絶縁層は第５の表面を有し、前記積層薄膜磁極片はさらに、前記第５の表面および前記第１の薄膜層の側縁をコーティングするめっきシード層を含み、前記めっきシード層は約０．１ミクロンの厚さを有し、前記めっきシード層は約４．０Åの幅を有する境界部分を有し、前記積層薄膜磁極片はさらに、約２０，０００Åの厚さを有する透磁性金属からなる第２の薄膜金属層を含み、前記第２の薄膜金属層は前記境界部分を除く前記めっきシード層上に電子成長される、データ変換ヘッド。１５．前記データ変換素子はＭＲ素子および誘導性素子のグループから選択される、請求項１４に記載のデータ変換ヘッド。１６．前記第１および第２の薄膜金属層はＮｉＦｅからなり、前記めっきシード層はＮｉＦｅからなり、前記電気絶縁層はＮｉＦｅの酸化物、セラミック、およびアルミナのグループから選択される、請求項１５に記載のデータ変換ヘッド。１７．読取／書込データ変換ヘッドであって、非磁性かつ非導電性の基板部材を含み、前記基板部材は第１の表面を有し、前記読取／書込データ変換ヘッドはさらに、前記第１の表面によって支持される第１の磁極片を含み、前記第１の磁極片は第２の表面を有し、前記読取／書込データ変換ヘッドはさらに、前記第２の表面によって支持される第１の非磁性かつ非導電性のギャップ部材を含み、前記ギャップ部材は第３の表面を有し、前記読取／書込データ変換ヘッドはさらに、前記第１のギャップ部材内にＭＲ素子と、前記第３の表面によって支持される第２の磁極片とを含み、前記第２の磁極片は第４の表面を有し、前記読取／書込データ変換ヘッドはさらに、前記第４の表面によって支持される第２の非磁性かつ非導電性のギャップ部材を含み、前記ギャップ部材は第５の表面を有し、前記読取／書込データ変換ヘッドはさらに、前記第２のギャップ部材内に書込コイルと、前記第５の表面によって支持される第３の磁極片とを含み、前記第１、第２および第３の磁極片の１または複数は、以下を含む積層薄膜磁極片であって、前記積層薄膜磁極片は、透磁性金属からなる第１の連続する薄膜金属層を含み、前記第１の薄膜層は第６の表面を有し、前記第１の薄膜金属層は前記第６の表面にほぼ垂直に測定して約２０，０００ Åの厚さを有し、前記積層薄膜磁極片はさらに、前記第６の表面を完全にコーティングする連続する薄膜電気絶縁層を含み、前記電気絶縁層は連続する第７の表面を有し、前記積層薄膜磁極片はさらに、前記第７の表面および前記第１の薄膜金属層の側縁を完全にコーティングするめっきシード層を含み、前記めっきシード層は第８の表面を有し、前記めっきシード層は前記第６の表面にほぼ垂直に測定して約０．０１ミクロンの厚さを有し、前記めっきシード層は前記第６の表面にほぼ平行に測定して約４．０Åの幅を有し、前記積層薄膜磁極片はさらに、約２０，０００Åの厚さを有する透磁性金属からなる第２の薄膜金属層を含み、前記第２の薄膜金属層は前記第８の表面のほぼ中央部分上のみに電子成長される、読取／書込データ変換ヘッド。１８．前記第１および第２の薄膜金属層はＮｉＦｅからなり、前記めっきシード層はＮｉＦｅからなり、前記電気絶縁層はＮｉＦｅ酸化物、セラミックおよびアルミナのグループから選択される、請求項１７に記載の読取／書込データ変換ヘッド。１９．読取／書込データ変換ヘッドであって、非磁性かつ非導電性の基板部材を含み、前記基板部材は第１の表面を有し、前記読取／書込データ変換ヘッドはさらに、前記第１の表面によって支持される第１の磁極片を含み、前記第１の磁極片は第２の表面を有し、前記読取／書込データ変換ヘッドはさらに、前記第２の表面によって支持される第１の非磁性かつ非導電性のギャップ部材を含み、前記ギャップ部材は第３の表面を有し、前記読取／書込データ変換ヘッドはさらに、前記第１のギャップ部材内にＭＲ素子と、前記第３の表面によって支持される第２の磁極片とを含み、前記第２の磁極片は第４の表面を有し、前記読取／書込データ変換ヘッドはさらに、前記第４の表面によって支持される第２の非磁性かつ非導電性のギャップ部材を含み、前記ギャップ部材は第５の表面を有し、前記読取／書込データ変換ヘッドはさらに、前記第２のギャップ部材内に書込コイルと、前記第５の表面によって支持される第３の磁極片とを含み、前記第１、第２および第３の磁極片のうち１または複数は、薄膜積層されかつ、透磁性金属からなる第１の連続する薄膜金属層を含み、前記第１の薄膜金属層は第６の表面を有し、前記第１の薄膜金属層は前記第６の表面から下方に延びる側縁を有し、前記磁極片のうち１または複数はさらに、連続する、ハードベイクされたフォトレジスト部材を含み、前記ハードベイクされたフォトレジスト部材は前記第１の薄膜金属層の前記側縁を完全に被覆する第１の部分を有し、前記ハードベイクされたフォトレジスト部材は前記第１の薄膜金属層の前記側縁に隣接する前記第６の表面の境界部分のみを完全に被覆する第２の部分を有し、前記ハードベイクされたフォトレジスト部材は前記第６の表面の中央部分がハードベイクされたフォトレジストで被覆されないで残るように動作し、前記磁極片の１または複数はさらに、連続する薄膜絶縁層を含み、前記絶縁層は前記第６の表面の前記中央部分を完全に被覆する第１の部分を有し、前記絶縁層は前記ハードベイクされたフォトレジスト部材の前記第２の部分を被覆する第２の部分を有し、前記磁極片の１または複数はさらに、透磁性金属からなる第２の連続する薄膜層を含み、前記第２の薄膜金属層は前記絶縁層の前記第１の部分をコーティングする第１の部分を有し、前記第２の薄膜金属層は前記絶縁層の前記第２の部分をコーティングする第２の部分を有する、読取／書込データ変換ヘッド。２０．前記ヘッドは約５０メガヘルツの周波数で動作し、前記第１および第２の連続する薄膜金属層は各々、前記第６の表面にほぼ垂直に測定して約２０，０００Åの厚さを有する、請求項１９に記載の読取／書込データ変換ヘッド。２１．前記絶縁層は、前記第６の表面にほぼ垂直に測定して約１００Åの厚さを有する、請求項２０に記載の読取／書込データ変換ヘッド。２２．前記第１および第２の連続する薄膜金属層はＮｉＦｅからなり、前記絶縁層はＮｉＦｅ酸化物、セラミック、およびアルミナのグループのうち１または複数を含む、請求項２１に記載の読取／書込データ変換ヘッド。２３．磁気データ変換ヘッド内で使用するための積層磁極片であって、前記ヘッドは非磁性かつ電気絶縁性の基板部材を有し、前記基板部材は第１の表面を有し、前記磁極片は、透磁性金属からなる第１の連続する薄膜金属層を含み、前記第１の薄膜金属層は前記第１の表面上に成長され、前記第１の薄膜金属層は抵抗率Ｄを有し、前記第１の薄膜層は第２の表面を有し、前記磁極片はさらに、前記第２の表面をコーティングする、連続する薄膜電気絶縁層を含み、前記電気絶縁層は連続する第３の表面を有し、前記磁極片はさらに、前記第３の表面および前記第１の薄膜金属層の側縁をコーティングする導電性めっきシード層を含み、前記第３の表面は抵抗率Ａおよび厚さＣを有し、前記第３の表面は長さＢを有する境界部分を有し、前記磁極片はさらに、透磁性金属からなる第２の薄膜金属層を含み、前記第２の薄膜金属層は抵抗率Ｄ、幅Ｅ、および厚さＦを有し、前記第２の薄膜金属層は前記第３の表面の前記境界部分が被覆されないまま残るよう、前記第３の表面上に電子成長され、前記積層磁極片は、 Λ×（Ｂ／Ｃ）はＤ×（Ｅ／Ｆ）よりもはるかに大きい、という等式を満たす、積層磁極片。２４．前記第１および第２の薄膜金属層はＮｉＦｅからなり、前記めっきシード層はＮｉＦｅからなり、前記電気絶縁層はＮｉＦｅ酸化物、セラミックおよびアルミナのグループから選択される、請求項２３に記載の磁極片。