JPH0722044B2 - 高周波高透磁率磁性材料 - Google Patents
高周波高透磁率磁性材料Info
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- JPH0722044B2 JPH0722044B2 JP59190973A JP19097384A JPH0722044B2 JP H0722044 B2 JPH0722044 B2 JP H0722044B2 JP 59190973 A JP59190973 A JP 59190973A JP 19097384 A JP19097384 A JP 19097384A JP H0722044 B2 JPH0722044 B2 JP H0722044B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高周波高透磁率磁性材料に関し、特に、数十
MHz以上の超高周波信号に対しても高透磁率を確保でき
るものに関する。
MHz以上の超高周波信号に対しても高透磁率を確保でき
るものに関する。
一般に磁気ヘツド等のコア材料としては、従来よりフエ
ライト等が多用されているが、近年において磁気記録媒
体の特性向上、特に高保磁力（ハイHc）化に対応して、
いわゆる（登録商標）、パーマロイ、アルパーム等、あ
るいはCo−Nb−Zr系、Co−Ta−Zr系等の非晶質（アモル
フアス）金属のような金属材料が使用されつつある。さ
らに、磁気記録技術の進歩に伴つて、使用される信号周
波数帯域が上昇しており、例えば10MHz以上、特に数十M
Hzから100MHz程度の超高周波での高透磁率磁性材料が望
まれている。
ライト等が多用されているが、近年において磁気記録媒
体の特性向上、特に高保磁力（ハイHc）化に対応して、
いわゆる（登録商標）、パーマロイ、アルパーム等、あ
るいはCo−Nb−Zr系、Co−Ta−Zr系等の非晶質（アモル
フアス）金属のような金属材料が使用されつつある。さ
らに、磁気記録技術の進歩に伴つて、使用される信号周
波数帯域が上昇しており、例えば10MHz以上、特に数十M
Hzから100MHz程度の超高周波での高透磁率磁性材料が望
まれている。
ところで、上記非晶質金属やいわゆるセンダスト等の金
属磁性材料の比抵抗は、概略100μΩcm台程度の低い値
であり、これらの金属磁性材料をそのままコア材として
用いると、高周波信号帯域での使用時にいわゆる渦電流
損失のため透磁率が低下してしまう。このような渦電流
を防止し、高周波帯での透磁率低下を防止するために、
一般的にはいわゆる積層構造の磁気コアが用いられてい
る。これは、上記のような金属磁性材料を、上記渦電流
損失が無視できる程度の厚みに形成して一層とし、この
層と次の層との間に電気的絶縁体を挾むようにしてこれ
を順次繰り返しながら積層し、最終的に所定の厚みのコ
ア材に形成したものである。
属磁性材料の比抵抗は、概略100μΩcm台程度の低い値
であり、これらの金属磁性材料をそのままコア材として
用いると、高周波信号帯域での使用時にいわゆる渦電流
損失のため透磁率が低下してしまう。このような渦電流
を防止し、高周波帯での透磁率低下を防止するために、
一般的にはいわゆる積層構造の磁気コアが用いられてい
る。これは、上記のような金属磁性材料を、上記渦電流
損失が無視できる程度の厚みに形成して一層とし、この
層と次の層との間に電気的絶縁体を挾むようにしてこれ
を順次繰り返しながら積層し、最終的に所定の厚みのコ
ア材に形成したものである。
しかしながら、このような積層構造の磁気コアを上述の
ようなMHz帯域以上の超高周波で使用した場合には、高
周波渦電流損が生じて、結果として、期待される程の高
透磁率が得られないことが知られている。これは、少な
くとも２層の金属磁性材料層と層間の上記絶縁体層とが
コンデンサを形成していることより、このコンデンサの
インピーダンスが周波数の上昇に伴つて低下し、上記超
高周波帯域、特に、数十MHzから100MHz程度あるいはこ
れ以上の周波数帯域において、上記コンデンサを介して
上記渦電流が流れてしまうことが原因であると考えられ
ている。
ようなMHz帯域以上の超高周波で使用した場合には、高
周波渦電流損が生じて、結果として、期待される程の高
透磁率が得られないことが知られている。これは、少な
くとも２層の金属磁性材料層と層間の上記絶縁体層とが
コンデンサを形成していることより、このコンデンサの
インピーダンスが周波数の上昇に伴つて低下し、上記超
高周波帯域、特に、数十MHzから100MHz程度あるいはこ
れ以上の周波数帯域において、上記コンデンサを介して
上記渦電流が流れてしまうことが原因であると考えられ
ている。
以上述べたように、高透磁率、高飽和磁束密度の点で優
れた特性を有する非晶質（アモルフアス）金属やいわゆ
るセンダスト等の金属磁性材料には、渦電流損失による
透磁率の低下という大きな問題点があり、これを回避す
るために電気的絶縁体を層間に配した多層構造として
も、例えば10MHz程度以上の超高周波帯域で使用する場
合には、上記多層構造がコンデンサとして作用すること
により高周波渦電流が流れて透磁率が低下してしまう。
れた特性を有する非晶質（アモルフアス）金属やいわゆ
るセンダスト等の金属磁性材料には、渦電流損失による
透磁率の低下という大きな問題点があり、これを回避す
るために電気的絶縁体を層間に配した多層構造として
も、例えば10MHz程度以上の超高周波帯域で使用する場
合には、上記多層構造がコンデンサとして作用すること
により高周波渦電流が流れて透磁率が低下してしまう。
そこで、本発明は、磁気特性の優れた金属磁性材料によ
る多層構造（積層構造）を有しながら、高周波帯域、特
に、10MHz程度以上の超高周波帯域での渦電流損失の増
加を抑えることができ、透磁率の低下を防止できるよう
な高周波高透磁率磁性材料の提供を目的とする。
る多層構造（積層構造）を有しながら、高周波帯域、特
に、10MHz程度以上の超高周波帯域での渦電流損失の増
加を抑えることができ、透磁率の低下を防止できるよう
な高周波高透磁率磁性材料の提供を目的とする。
このような目的を達成するために、本発明に係る高周波
高透磁率磁性材料は、10MHz以上の周波数帯域で使用さ
れる高周波高透磁率磁性材料であって、複数層の金属磁
性材料層を電気的絶縁層を介して積層し、上記各金属磁
性材料層間を局所的に電気的に短絡する手段を設けて成
り、上記金属磁性材料層の比抵抗をρM、上記絶縁層の
比抵抗をρI、上記短絡手段の比抵抗をρCとするとき、 ρI＞ρM≧ρC の関係を満足することを特徴としている。
高透磁率磁性材料は、10MHz以上の周波数帯域で使用さ
れる高周波高透磁率磁性材料であって、複数層の金属磁
性材料層を電気的絶縁層を介して積層し、上記各金属磁
性材料層間を局所的に電気的に短絡する手段を設けて成
り、上記金属磁性材料層の比抵抗をρM、上記絶縁層の
比抵抗をρI、上記短絡手段の比抵抗をρCとするとき、 ρI＞ρM≧ρC の関係を満足することを特徴としている。
以上のような構成の高周波高透磁率材料によれば、複数
層の金属磁性材料層の全体にわたつて流れようとする渦
電流が、上記短絡手段によつて局所的に短絡された形態
で流れるため、大ループの（内部面積の大きな）渦電流
の発生が阻止され、特に10MHz程度以上の超高周波帯域
における透磁率の大幅な減少を有効に防止できる。
層の金属磁性材料層の全体にわたつて流れようとする渦
電流が、上記短絡手段によつて局所的に短絡された形態
で流れるため、大ループの（内部面積の大きな）渦電流
の発生が阻止され、特に10MHz程度以上の超高周波帯域
における透磁率の大幅な減少を有効に防止できる。
ここで、本発明の具体的実施例の説明に先立ち、本発明
の基本概念について図面を参照しながら説明する。
の基本概念について図面を参照しながら説明する。
先ず第１図は、本発明の基本構成例を模式的に示す端面
図であり、複数層、例えば３層の金属磁性材料層1a,1b,
1cは、各層間に電気的絶縁層2a,2bをそれぞれ介して積
層されるとともに、各金属磁性材料層1a,1b,1c間を局所
的に電気的に短絡するための導電材料層３が積層体の一
側面に被着形成されている。このような構成において、
渦電流が例えば第１図の矢印を付した閉曲線Ｅに沿つて
流れるものと考えられる。このような閉曲線Ｅの内部領
域中の各金属磁性材料層1a,1b,1cと重なる部分（第１図
中の斜線部分）は、上記渦電流によつて磁束変化が妨げ
られ、透磁率の点から見て磁性材料が欠除した部分とみ
なされる。
図であり、複数層、例えば３層の金属磁性材料層1a,1b,
1cは、各層間に電気的絶縁層2a,2bをそれぞれ介して積
層されるとともに、各金属磁性材料層1a,1b,1c間を局所
的に電気的に短絡するための導電材料層３が積層体の一
側面に被着形成されている。このような構成において、
渦電流が例えば第１図の矢印を付した閉曲線Ｅに沿つて
流れるものと考えられる。このような閉曲線Ｅの内部領
域中の各金属磁性材料層1a,1b,1cと重なる部分（第１図
中の斜線部分）は、上記渦電流によつて磁束変化が妨げ
られ、透磁率の点から見て磁性材料が欠除した部分とみ
なされる。
すなわち、第２図は上記金属磁性材料層の一層となる板
状の金属磁性体１の端面図を示しており、この第２図に
おいて、図面に対し垂直方向の磁束密度が変化すると
き、この磁束変化を妨げる向きに渦電流が生じ、この渦
電流の主要な流れを第２図中の矢印を付した閉曲線Ｅに
て表すとき、この閉曲線Ｅ内部（第２図中斜線部分）の
磁束密度の変化は、外部からの磁束と渦電流による磁束
とが互いに逆向きとなつて打ち消し合うことより極めて
少なくなる。したがつて、金属磁性体１の断面積が略上
記閉曲線Ｅ内部の分だけ減ることになつて、透磁率がそ
の分低下することになる。
状の金属磁性体１の端面図を示しており、この第２図に
おいて、図面に対し垂直方向の磁束密度が変化すると
き、この磁束変化を妨げる向きに渦電流が生じ、この渦
電流の主要な流れを第２図中の矢印を付した閉曲線Ｅに
て表すとき、この閉曲線Ｅ内部（第２図中斜線部分）の
磁束密度の変化は、外部からの磁束と渦電流による磁束
とが互いに逆向きとなつて打ち消し合うことより極めて
少なくなる。したがつて、金属磁性体１の断面積が略上
記閉曲線Ｅ内部の分だけ減ることになつて、透磁率がそ
の分低下することになる。
ところで、第３図に示すように、複数層、例えば３層の
金属磁性材料層1a,1b,1cをそれぞれ電気的絶縁層2a,2b
を介して積層して成る積層体において、取り扱う周波数
が比較的低いときには、第３図中の破線に示すように、
各金属磁性材料層1a,1b,1c内部にそれぞれ小ループの渦
電流が生じ、透磁率の低下が比較的少量に抑えられる。
これに対して、高周波帯域、特に、10MHz程度以上の超
高周波帯域においては、上記積層体によつて形成されて
いるコンデンサのインピーダンスが極めて小さくなるこ
とから、第３図中の矢印を付した閉曲線Ｅのように、全
ての層にわたる大ループの渦電流が流れてしまい、この
閉曲線Ｅ内部（図中斜線部分）が透磁率の点から見て略
無効部分となることにより、結果的に透磁率は著しく劣
化してしまう。
金属磁性材料層1a,1b,1cをそれぞれ電気的絶縁層2a,2b
を介して積層して成る積層体において、取り扱う周波数
が比較的低いときには、第３図中の破線に示すように、
各金属磁性材料層1a,1b,1c内部にそれぞれ小ループの渦
電流が生じ、透磁率の低下が比較的少量に抑えられる。
これに対して、高周波帯域、特に、10MHz程度以上の超
高周波帯域においては、上記積層体によつて形成されて
いるコンデンサのインピーダンスが極めて小さくなるこ
とから、第３図中の矢印を付した閉曲線Ｅのように、全
ての層にわたる大ループの渦電流が流れてしまい、この
閉曲線Ｅ内部（図中斜線部分）が透磁率の点から見て略
無効部分となることにより、結果的に透磁率は著しく劣
化してしまう。
これに対して、第１図の構成のように、金属磁性材料層
1a,1b,1cと絶縁層2a,2bとの積層体の例えば一側面に導
電材料層３を設けて、各金属磁性層間を局所的に短絡さ
せた場合において、高周波渦電流は主に導電材料層３を
通るように流れるため、透磁率の点から見て略無効領域
となる部分（第１図中斜線部分）が第３図の従来例に比
べて激減することになり、結果的に超高周波帯域におけ
る透磁率低下を有効に防止できる。
1a,1b,1cと絶縁層2a,2bとの積層体の例えば一側面に導
電材料層３を設けて、各金属磁性層間を局所的に短絡さ
せた場合において、高周波渦電流は主に導電材料層３を
通るように流れるため、透磁率の点から見て略無効領域
となる部分（第１図中斜線部分）が第３図の従来例に比
べて激減することになり、結果的に超高周波帯域におけ
る透磁率低下を有効に防止できる。
次に、本発明に係る高周波高透磁率磁性材料の好ましい
実施例について、従来構造との比較の下に説明する。
実施例について、従来構造との比較の下に説明する。
ここで、以下の実施例に用いられる金属磁性材料層とし
ては、Co−Ta−Zr系材料を高周波マグネトロン・スパツ
タ装置を用いてスライド・ガラス等の基板上に所定厚み
被着形成しており、電気的絶縁層としてはSiO2（二酸化
シリコン）を上記金属磁性材料層上に所定厚み被着形成
している。これらの金属磁性材料層および電気的絶縁層
を交互に繰り返し被着形成することによつて、第４図に
示すように、複数層（例えば５層）の金属磁性材料層１
間にそれぞれ絶縁層２が介在されたコア材等となる積層
体５を、スライド・ガラス等の基板６上に所望の厚みに
形成することができる。次に、このような積層体５の上
記基板面を除く全面（５つの面）上に、導電材料、例え
ばCu（銅）を、真空中（例えば10-5Torr）で蒸着し、数
千Å程度あるいはそれ以上の膜厚の導電材料層を被着形
成した後、積層体５の一側面5Aや他側面5Bに被着形成さ
れた上記導電材料層を部分的に除去することによつて、
各金属磁性材料層間が局所的に短絡（電気的に導通）さ
れるような構造にする。これは、例えばピンセツト等に
より上記一側面5Aや他側面5Bの銅薄膜に多数の傷を付け
ることにより実現でき、この他、銅等の導電材料層を蒸
着形成する際に、側面に所望形状の蒸着マスクを設ける
ことにより、上記局所的な短絡が生ずるようなパターン
の導電材料層を形成してもよい。
ては、Co−Ta−Zr系材料を高周波マグネトロン・スパツ
タ装置を用いてスライド・ガラス等の基板上に所定厚み
被着形成しており、電気的絶縁層としてはSiO2（二酸化
シリコン）を上記金属磁性材料層上に所定厚み被着形成
している。これらの金属磁性材料層および電気的絶縁層
を交互に繰り返し被着形成することによつて、第４図に
示すように、複数層（例えば５層）の金属磁性材料層１
間にそれぞれ絶縁層２が介在されたコア材等となる積層
体５を、スライド・ガラス等の基板６上に所望の厚みに
形成することができる。次に、このような積層体５の上
記基板面を除く全面（５つの面）上に、導電材料、例え
ばCu（銅）を、真空中（例えば10-5Torr）で蒸着し、数
千Å程度あるいはそれ以上の膜厚の導電材料層を被着形
成した後、積層体５の一側面5Aや他側面5Bに被着形成さ
れた上記導電材料層を部分的に除去することによつて、
各金属磁性材料層間が局所的に短絡（電気的に導通）さ
れるような構造にする。これは、例えばピンセツト等に
より上記一側面5Aや他側面5Bの銅薄膜に多数の傷を付け
ることにより実現でき、この他、銅等の導電材料層を蒸
着形成する際に、側面に所望形状の蒸着マスクを設ける
ことにより、上記局所的な短絡が生ずるようなパターン
の導電材料層を形成してもよい。
なお、上記積層体５の金属磁性材料層１については、Ｘ
線回折により非晶質（アモルフアス）構造となつている
ことを確認しており、また、積層体５の中心部を基板６
とともに切断して、切断端面を顕微鏡観察することによ
り、各金属磁性材料層１間がSiO2等の絶縁層２にて完全
に分離されていることを確認している。さらに、上記金
属磁性材料層１に対しては、一般に非晶質金属の透磁率
向上のために行われる回転磁場中熱処理を、350℃で30
分施している。
線回折により非晶質（アモルフアス）構造となつている
ことを確認しており、また、積層体５の中心部を基板６
とともに切断して、切断端面を顕微鏡観察することによ
り、各金属磁性材料層１間がSiO2等の絶縁層２にて完全
に分離されていることを確認している。さらに、上記金
属磁性材料層１に対しては、一般に非晶質金属の透磁率
向上のために行われる回転磁場中熱処理を、350℃で30
分施している。
このような積層体５を用いた第１の実施例となる高周波
高透磁率磁性材料について以下説明する。
高透磁率磁性材料について以下説明する。
上記Co−Ta−Zr系非晶質（アモルフアス）金属として
は、原子比率（いわゆるatm％）が、Co:Ta:Zr＝85:8:7
のものを用い、この非晶質金属磁性材料層１の一層の膜
厚を1.9μｍとして５層積層する。各磁性層１間には膜
厚0.2μｍの上記SiO2絶縁層２をそれぞれ介在させてい
る。この積層体５に対して、上記回転磁場中熱処理を施
し、次に上記銅を数千Å程度以上の厚みに被着形成し、
次に一側面5Aの銅薄膜に傷を付けること等により銅を部
分的に除去し、さらに他側面5Bの銅薄膜についても同様
に部分的に除去して、本発明の第１の実施例となる高周
波高透磁率磁性材料を得ている。
は、原子比率（いわゆるatm％）が、Co:Ta:Zr＝85:8:7
のものを用い、この非晶質金属磁性材料層１の一層の膜
厚を1.9μｍとして５層積層する。各磁性層１間には膜
厚0.2μｍの上記SiO2絶縁層２をそれぞれ介在させてい
る。この積層体５に対して、上記回転磁場中熱処理を施
し、次に上記銅を数千Å程度以上の厚みに被着形成し、
次に一側面5Aの銅薄膜に傷を付けること等により銅を部
分的に除去し、さらに他側面5Bの銅薄膜についても同様
に部分的に除去して、本発明の第１の実施例となる高周
波高透磁率磁性材料を得ている。
ここで第５図は、上記実施例が得られるまでの各段階に
おける透磁率μの周波数特性を示すグラフである。すな
わち、第５図の曲線Ａは上記磁場中熱処理後（従来
例）、曲線Ｂは上記銅薄膜を被着形成した後、曲線Ｃは
上記一側面5Aの銅薄膜を部分的に除去した後、曲線Ｄは
さらに上記他側面5Bの銅薄膜を部分的に除去した後（第
１実施例）、の各段階におけるμ−特性曲線をそれぞ
れ示している。
おける透磁率μの周波数特性を示すグラフである。すな
わち、第５図の曲線Ａは上記磁場中熱処理後（従来
例）、曲線Ｂは上記銅薄膜を被着形成した後、曲線Ｃは
上記一側面5Aの銅薄膜を部分的に除去した後、曲線Ｄは
さらに上記他側面5Bの銅薄膜を部分的に除去した後（第
１実施例）、の各段階におけるμ−特性曲線をそれぞ
れ示している。
この場合の透磁率μは、例えば８の字コイルタイプのパ
ーミアンス・メータを用いて、外部励磁用磁界を10mOe
で周波数を0.5M〜100MHzに変化させて測定したものであ
る。
ーミアンス・メータを用いて、外部励磁用磁界を10mOe
で周波数を0.5M〜100MHzに変化させて測定したものであ
る。
この第５図から明らかなように、外部磁界の周波数が10
MHz程度までの範囲においては、本実施例（曲線Ｄ）と
従来例（曲線Ａ）とは略同程度の透磁率μの値となつて
いるが、10MHz以上から100MHz程度になると、従来例
（曲線Ａ）に比べて本実施例（曲線Ｄ）の方が透磁率低
下が少なく、超高周波帯域においても高透磁率の磁性材
料を得ることが可能となる。なお、積層体５の一方の側
面5Aのみ同薄膜を部分的に除去した場合（曲線Ｃ）も、
超高周波帯域における透磁率の低下が比較的少くなく抑
えられ、比較的高い透磁率を得ることができる。
MHz程度までの範囲においては、本実施例（曲線Ｄ）と
従来例（曲線Ａ）とは略同程度の透磁率μの値となつて
いるが、10MHz以上から100MHz程度になると、従来例
（曲線Ａ）に比べて本実施例（曲線Ｄ）の方が透磁率低
下が少なく、超高周波帯域においても高透磁率の磁性材
料を得ることが可能となる。なお、積層体５の一方の側
面5Aのみ同薄膜を部分的に除去した場合（曲線Ｃ）も、
超高周波帯域における透磁率の低下が比較的少くなく抑
えられ、比較的高い透磁率を得ることができる。
次に、本発明に係る高周波高透磁率磁性材料の第２の実
施例について説明する。この第２の実施例の上記金属磁
性材料層には、Co:Ta:Zr＝84:8:8（原子比率、atm％）
のCo−Ta−Zr系非晶質金属を一層の厚みが2.2μｍとな
るように被着形成したものを用いており、各金属磁性材
料層の間に膜厚が0.2μｍのSiO2絶縁膜を介在させなが
ら上記磁性材料層を４層積層している。この積層体に対
して、上記第１の実施例と同様に、回転磁場中熱処理、
銅被着、側面の銅薄膜の部分的除去の各工程を経る毎に
μ−特性測定を行つた結果を第６図に示す。すなわ
ち、この第６図の各特性曲線Ａ〜Ｄは、上記第１の実施
例の各曲線Ａ〜Ｄとそれぞれ対応するものである。
施例について説明する。この第２の実施例の上記金属磁
性材料層には、Co:Ta:Zr＝84:8:8（原子比率、atm％）
のCo−Ta−Zr系非晶質金属を一層の厚みが2.2μｍとな
るように被着形成したものを用いており、各金属磁性材
料層の間に膜厚が0.2μｍのSiO2絶縁膜を介在させなが
ら上記磁性材料層を４層積層している。この積層体に対
して、上記第１の実施例と同様に、回転磁場中熱処理、
銅被着、側面の銅薄膜の部分的除去の各工程を経る毎に
μ−特性測定を行つた結果を第６図に示す。すなわ
ち、この第６図の各特性曲線Ａ〜Ｄは、上記第１の実施
例の各曲線Ａ〜Ｄとそれぞれ対応するものである。
この第２の実施例（第６図曲線Ｄ参照）の場合も、上記
第１の実施例と同様に、約10MHz以上の超高周波帯域に
おける透磁率が従来例（曲線Ａ）に比べて改善されてい
ることが明らかである。
第１の実施例と同様に、約10MHz以上の超高周波帯域に
おける透磁率が従来例（曲線Ａ）に比べて改善されてい
ることが明らかである。
なお、本発明は上記実施例のみに限定されるものではな
く、一般的には、室温での直流比抵抗ρMが1mΩcm以下
の金属又は合金の磁性体を、室温での直流比抵抗ρIが
上記ρMより充分大きな（ρM＜ρI）絶縁体を介して順
次積層した構造を有する積層体に対して、例えば直流比
抵抗ρCが上記ρM以下（ρC≦ρM）の導電材料により、
上記金属磁性層に生じた渦電流をバイパスするための局
所的な短絡路を形成すればよい。この場合の上記導電材
料は、上記金属磁性材料と同じものでも異なるものでも
よく、また、金属磁性材料層のすべての層間を短絡する
必要はなく、少なくとも２層以上を短絡すればよい。
く、一般的には、室温での直流比抵抗ρMが1mΩcm以下
の金属又は合金の磁性体を、室温での直流比抵抗ρIが
上記ρMより充分大きな（ρM＜ρI）絶縁体を介して順
次積層した構造を有する積層体に対して、例えば直流比
抵抗ρCが上記ρM以下（ρC≦ρM）の導電材料により、
上記金属磁性層に生じた渦電流をバイパスするための局
所的な短絡路を形成すればよい。この場合の上記導電材
料は、上記金属磁性材料と同じものでも異なるものでも
よく、また、金属磁性材料層のすべての層間を短絡する
必要はなく、少なくとも２層以上を短絡すればよい。
さらに、上記短絡手段については、必ずしも積層体の側
面等に導電材料層を被着形成する必要は無く、例えば、
各磁性層間の絶縁層を被着形成する際に、マスキングや
フオトエツチング等により部分的に開口部を形成してお
き、この開口部の穿設された絶縁層を介して次の金属磁
性材料層を被着形成することで、上記開口部を介して磁
性材料層間の局所的な導通を図るようにしてもよい。ま
た、上記絶縁層をスパツタや真空蒸着等により被着形成
する際に、その膜厚を十分薄くして、膜構造を島状構造
としてもよい。これらの場合には、上記金属磁性材料自
体が上記短絡手段となつている。
面等に導電材料層を被着形成する必要は無く、例えば、
各磁性層間の絶縁層を被着形成する際に、マスキングや
フオトエツチング等により部分的に開口部を形成してお
き、この開口部の穿設された絶縁層を介して次の金属磁
性材料層を被着形成することで、上記開口部を介して磁
性材料層間の局所的な導通を図るようにしてもよい。ま
た、上記絶縁層をスパツタや真空蒸着等により被着形成
する際に、その膜厚を十分薄くして、膜構造を島状構造
としてもよい。これらの場合には、上記金属磁性材料自
体が上記短絡手段となつている。
本発明に係る高周波高透磁率磁性材料によれば、複数層
の金属磁性材料層間が局所的に短絡されることにより、
積層体の断面全体にわたつて流れようとする渦電流が局
所的にバイパスされ、主要渦電流路で囲まれる部分すな
わち透磁率上の無効部分の面積が従来に比べて減少する
ため、例えば10MHz程度以上の超高周波帯域における透
磁率の減少を防止できる。
の金属磁性材料層間が局所的に短絡されることにより、
積層体の断面全体にわたつて流れようとする渦電流が局
所的にバイパスされ、主要渦電流路で囲まれる部分すな
わち透磁率上の無効部分の面積が従来に比べて減少する
ため、例えば10MHz程度以上の超高周波帯域における透
磁率の減少を防止できる。
第１図は本発明の基本構成例を模式的に示す端面図、第
２図は金属磁性材料層の一層となる板状磁性体の概略端
面図、第３図は従来例を示す概略端面図、第４図は本発
明の第１の実施例に用いられる積層体を示す概略斜視
図、第５図は上記第１の実施例および従来例のμ−特
性を示すグラフ、第６図は本発明の第２の実施例および
従来例のμ−特性を示すグラフである。 1,1a,1b,1c…金属磁性材料層 2,2a,2b…電気的絶縁層 ３…導電材料層 ５…積層体
２図は金属磁性材料層の一層となる板状磁性体の概略端
面図、第３図は従来例を示す概略端面図、第４図は本発
明の第１の実施例に用いられる積層体を示す概略斜視
図、第５図は上記第１の実施例および従来例のμ−特
性を示すグラフ、第６図は本発明の第２の実施例および
従来例のμ−特性を示すグラフである。 1,1a,1b,1c…金属磁性材料層 2,2a,2b…電気的絶縁層 ３…導電材料層 ５…積層体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 早川 正俊 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 松田 秀樹 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 石川 理 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 岩崎 洋 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 阿蘇 興一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (56)参考文献 実開 昭56−152931（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】10MHz以上の周波数帯域で使用される高周
波高透磁率磁性材料であって、 複数層の金属磁性材料層を電気的絶縁層を介して積層
し、上記各金属磁性材料層間を局所的に電気的に短絡す
る手段を設けて成り、 上記金属磁性材料層の比抵抗をρM、上記絶縁層の比抵
抗をρI、上記短絡手段の比抵抗をρCとするとき、 ρI＞ρM≧ρC の関係を満足することを特徴とする高周波高透磁率磁性
材料。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59190973A JPH0722044B2 (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 高周波高透磁率磁性材料 |
| CA000490058A CA1263435A (en) | 1984-09-12 | 1985-09-05 | Magnetic material having high permeability in the high frequency range |
| US06/773,019 US4640871A (en) | 1984-09-12 | 1985-09-06 | Magnetic material having high permeability in the high frequency range |
| DE8585111401T DE3574519D1 (de) | 1984-09-12 | 1985-09-09 | Magnetischer werkstoff hoher permeabilitaet im hochfrequenzbereich. |
| EP85111401A EP0177780B1 (en) | 1984-09-12 | 1985-09-09 | Magnetic material having high permeability in the high frequency range |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59190973A JPH0722044B2 (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 高周波高透磁率磁性材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6169103A JPS6169103A (ja) | 1986-04-09 |
| JPH0722044B2 true JPH0722044B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=16266750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59190973A Expired - Lifetime JPH0722044B2 (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 高周波高透磁率磁性材料 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4640871A (ja) |
| EP (1) | EP0177780B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0722044B2 (ja) |
| CA (1) | CA1263435A (ja) |
| DE (1) | DE3574519D1 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5805392A (en) * | 1996-12-30 | 1998-09-08 | Quantum Corporation | Laminated plated pole pieces for thin film magnetic transducers |
| US6337999B1 (en) | 1998-12-18 | 2002-01-08 | Orban, Inc. | Oversampled differential clipper |
| US6255852B1 (en) | 1999-02-09 | 2001-07-03 | Micron Technology, Inc. | Current mode signal interconnects and CMOS amplifier |
| US6373740B1 (en) * | 1999-07-30 | 2002-04-16 | Micron Technology, Inc. | Transmission lines for CMOS integrated circuits |
| US7554829B2 (en) | 1999-07-30 | 2009-06-30 | Micron Technology, Inc. | Transmission lines for CMOS integrated circuits |
| US7101770B2 (en) * | 2002-01-30 | 2006-09-05 | Micron Technology, Inc. | Capacitive techniques to reduce noise in high speed interconnections |
| US6846738B2 (en) | 2002-03-13 | 2005-01-25 | Micron Technology, Inc. | High permeability composite films to reduce noise in high speed interconnects |
| US7235457B2 (en) | 2002-03-13 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | High permeability layered films to reduce noise in high speed interconnects |
| US6900116B2 (en) | 2002-03-13 | 2005-05-31 | Micron Technology Inc. | High permeability thin films and patterned thin films to reduce noise in high speed interconnections |
| US7160577B2 (en) * | 2002-05-02 | 2007-01-09 | Micron Technology, Inc. | Methods for atomic-layer deposition of aluminum oxides in integrated circuits |
| US7192892B2 (en) | 2003-03-04 | 2007-03-20 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited dielectric layers |
| US6970053B2 (en) * | 2003-05-22 | 2005-11-29 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition (ALD) high permeability layered magnetic films to reduce noise in high speed interconnection |
| US7927948B2 (en) | 2005-07-20 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Devices with nanocrystals and methods of formation |
| US9364293B2 (en) * | 2006-04-28 | 2016-06-14 | Biosense Webster, Inc. | Reduced field distortion in medical tools |
| US8922160B2 (en) * | 2007-08-21 | 2014-12-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-contact type power receiving apparatus, electronic equipment and charging system using the power receiving apparatus |
| US8754500B2 (en) * | 2012-08-29 | 2014-06-17 | International Business Machines Corporation | Plated lamination structures for integrated magnetic devices |
| US10304603B2 (en) * | 2016-06-29 | 2019-05-28 | International Business Machines Corporation | Stress control in magnetic inductor stacks |
| US10811177B2 (en) * | 2016-06-30 | 2020-10-20 | International Business Machines Corporation | Stress control in magnetic inductor stacks |
| US10283249B2 (en) | 2016-09-30 | 2019-05-07 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating a magnetic material stack |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1511664A (fr) * | 1966-12-23 | 1968-02-02 | Commissariat Energie Atomique | Couches minces à fort champ coercitif |
| US3614830A (en) * | 1969-02-28 | 1971-10-26 | Ibm | Method of manufacturing laminated structures |
| JPS53127707A (en) * | 1977-04-13 | 1978-11-08 | Nippon Gakki Seizo Kk | Production of laminated type head core |
| US4321641A (en) * | 1977-09-02 | 1982-03-23 | Magnex Corporation | Thin film magnetic recording heads |
| JPS56152931U (ja) * | 1980-04-15 | 1981-11-16 | ||
| JPS573216A (en) * | 1980-06-06 | 1982-01-08 | Canon Inc | Manufacture of magnetic core |
| JPS56163520A (en) * | 1980-07-10 | 1981-12-16 | Alps Electric Co Ltd | Production of magnetic core head |
| NL8100545A (nl) * | 1981-02-05 | 1982-09-01 | Philips Nv | Magneetkop met gepuntlaste al-fe-si lamellen. |
-
1984
- 1984-09-12 JP JP59190973A patent/JPH0722044B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-09-05 CA CA000490058A patent/CA1263435A/en not_active Expired
- 1985-09-06 US US06/773,019 patent/US4640871A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-09-09 EP EP85111401A patent/EP0177780B1/en not_active Expired
- 1985-09-09 DE DE8585111401T patent/DE3574519D1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0177780A3 (en) | 1986-06-25 |
| CA1263435A (en) | 1989-11-28 |
| US4640871A (en) | 1987-02-03 |
| JPS6169103A (ja) | 1986-04-09 |
| EP0177780B1 (en) | 1989-11-29 |
| EP0177780A2 (en) | 1986-04-16 |
| DE3574519D1 (de) | 1990-01-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |