JPS59130408A - 磁性体膜およびそれを用いた磁気ヘッド - Google Patents

磁性体膜およびそれを用いた磁気ヘッド

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JPS59130408A
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Takeo Yamashita
武夫 山下
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気ヘッド用コア材料に係り、とくに高密度磁
気記録に好適な性能を発揮する磁気へラドコア用磁性体
膜に関する。
〔従来技術〕
磁気記録の高密度化の進歩はめざましく、メタルテープ
の出現によって従来の酸化物テープの保磁力Ｈｃの６０
０〜７０００ｅに対して１２００〜１６０００ｅのもの
が容易に得られるようになった。このような高保磁力記
録媒体に十分記録するためには、高飽和磁束密度を有す
る磁気ヘッド用の磁性材料が要求される。高飽和磁束密
度を有する磁性材料はＦｅ、Ｃ０１Ｎ１を主成分とした
合金で、１００００ガウス以上のものを容易に得ること
ができる。
従来、磁気ヘッド等に金属磁性材料を用いる場合は、高
周波領域における渦電流損をおさえるために磁性体膜を
電気的に絶縁して積層した構造がとられている。その製
造方法はスパッタリング、真空蒸着、イオンブレーティ
ングやメッキ等のい−わゆる薄膜形成技術によって行な
われている。
第１図は従来の積層磁性体膜の構造を示す図である。す
なわち、非磁性絶縁基板１３上に磁性体層１０と非磁性
絶縁層１］を交互に順次形成し、積層体を得るものがよ
く知られている。ここで、各磁性体層１０の厚さは数ミ
クロン、非磁性絶縁層１１は磁性体層の１／１０程度の
厚さを有している。しかし、結晶質の金属磁性体膜は、
図において１２で示すような柱状構造を示すため、柱状
構造の境界で磁化を動きに＜＜シ、保磁力を大きくして
いることがある。このような保磁力の大きい磁性体膜で
磁気ヘッドを作製した場合、外部から大きな磁界が与え
られたとき、磁気へラドコアが帯磁してしまうことが問
題となる。
この問題を解決するための他の提案として、サブミクロ
ン厚さの磁性体層と１’ＯＯＯＡ厚さ程度の非磁性体層
とを交互に積層することによって保磁力を低減する方法
がある。例えば、スパッタリングによって得られた約１
μｍ厚さのＦｅ　−６，５％Ｓｉ合金の単層膜では数エ
ルステッドの保磁力を有するが−１−記提案の方法によ
れば、保磁力をｌｏｅ・程度まで低減できる。しかし、
最も低い保磁力を示すものでもＱ、３０ｅが限度であっ
た。そのため、環気ヘット用４Ａ料としては満足できる
ものではなかった。
〔発明の目的〕
本発明の１」的は高保磁力記録媒体に対して優れた記録
再生特性を示す磁気ヘッド用の磁性体膜を提供すること
にあり、と（に、磁性体膜が高飽和磁束密度の磁性体か
らなり、低い保磁力で、高透磁率を有する積層磁性体膜
を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、従来からの方法で形成された磁性体層と非磁
性絶縁体層を交互に積層した積層磁性体膜では得られな
い低保磁力の磁性体膜を１００００ガウス以上の高飽和
磁束密度を有する結晶質の金属・磁性体を用いて容易に
得られるようにしたものである。
本発明者らは、このような積層磁性体膜は、従来の積層
磁性体膜において、磁性体層の間に設ける中間膜として
の非磁性絶縁体層の代りに、前記−・磁性体層とは異な
る磁性体層を中間膜として用いることによって達成でき
ることを見出した。特に中間膜に用いる磁性体は、比較
的保磁力が小さく（ｌＱＯｅ以下）、磁歪の小さな（１
０’以下）材料が好ましいことを見出した。
第２図は本発明の磁性体膜の構造を示す断面図である。
図において、２０は高飽和磁束密度を有するＦｅあるい
はＣｏを主成分とする磁性合金からなる主磁性体膜、２
１は比較的保磁力および磁歪の小さいＮｉ　−Ｆｅ合金
（パーマロイ）あるいは非晶質磁性合金からなる中間磁
性体膜、２３は非磁性基板である。
この中間磁性体膜２１は厚さ３０〜５００Ａのご（薄い
層からなり、主磁性体膜２０は柱状晶構造が磁気的に大
きな悪影響を与えない程度の膜厚となるように形成し、
中間磁性体層２１によって主磁性体層２゜の柱状晶構造
２２が細分化されるようにする。このような構造にすれ
ば、柱状組織に沿って膜面に垂直に向っていた磁化や、
柱状組織の境界で動きにくくなっていた磁化が、膜面内
に向き、膜面内を小さな磁界で動（ようになるので、保
磁力が小さくなる。また、この場合、中間磁性体膜２１
が各主磁性体膜２０の磁気的連結を補ない、磁化の動き
を助けているものと思われる。
本発明はＦｅあるいはＣｏを主成分とし、高飽和磁束密
度を有する複数枚の主磁性体膜と、該主磁性体膜間に介
在するＮｉ　−Ｆｅ合金もしくは非晶質磁性合金膜によ
る中間磁性体膜からなる積層構造を有する。
本発明の主磁性体膜は、Ｆｅを主成分とし、Ｓｌ、Ｍ、
’ｒｉの中から選んだ何れが１種または２種以上を含み
、またはＣｏを主成分とし、Ｆｅ、■、Ｔｉ、Ｓｎの中
から選んだ何れか１種または２種以上を含み、磁歪が小
さく（１０−６以下）、高飽和磁束密度（１００００゜
０以上）を有する磁性合金膜からなる。磁歪ｂｉｌＯ−
６・を越えると応力の作用によって磁気特性のばらつき
が大きくなる不都合を生、じ、飽和磁束密度が１０００
００未満であると保磁力の大きな媒体に対して十分記録
できないため好ましくない。なお、主磁性体膜組成は、
耐食性、耐摩耗性、磁歪制御等の目的で他の添加物を１
０％以下の量で添加してもよい。ただし、１２０００ｅ
以上の高保磁力の磁気記録媒体に適用する磁気ヘッド材
料として用いる場合には、主磁性体膜の飽和磁束密度を
１．００００ガウス以上、保磁力を１００ｅ以下にする
ことが望ましい。
一方、中間磁性体膜は、Ｎｉ−Ｆｅ合金（パーマロイ）
あるいは非晶質磁性合金からなり、保磁力が小さく　（
１００ｅ以下）、磁歪が小さい（１，０−６以下）の合
金組成のものが望ましい。また、主磁性体膜と同一合金
を用いると、その柱状組織か主磁性体膜の柱状組織とつ
ながってしまうのであまり良い結果は得られない。その
点、非晶質磁性合金は好適である。保磁力が大きい磁性
体を用いた場合、中間磁性体膜の膜厚を厚くしすぎると
中間磁性体膜の保磁力の影響が桿われ、低保磁力、高透
磁率の積層磁性体膜が得難いという欠点が生じる。その
点、中間膜として保磁力の小さい磁性体を３０〜５００
　Ａの膜厚で用いれば、比較的容易に微細構造の多層磁
性体膜が得られる。
本発明は、主磁性体膜が単層膜において、柱状（または
針状）構造を示すような結晶質の磁性体膜において有効
である。とくに、単層膜において数エルステッド程度の
保磁力を有する磁性体膜に本発明を適用すれば、保磁力
を約１桁低減することが可能である。
本発明における主磁性体膜の各層の厚みは０５μｍ以下
、好適には０．０５〜０３μｍであることが望ましい。
００５μｍ以下では中間磁性体膜の磁性が勝り、中間磁
性体膜を薄くすると、均一の膜が得難く、安定な微細構
造が得られない。０．５μｍ以上では柱状組織の影響が
強（、保磁力が大きくなってしまう。
また、中間磁性体膜の各層の膜厚は３０〜５００　Ａ、
好適には５０〜３００　Ａであることが望ましい。３０
Ａ以下では中間磁性体膜の磁気的性質の効果が薄れ、５
００Ａ以上では中間磁性体膜の磁性が強調され、保磁力
が太き（なってしまう。上記のような主磁性体膜と中間
磁性体膜とを積層した本発明の積層磁性体膜は、従来の
主磁性体膜と非磁性絶縁体中間膜で構成した積層磁性体
膜に比べ、保磁力の低い磁性体膜を得ることができる。
一方、中間磁性体膜は、磁歪が１．Ｘ１０−６以下のＮ
ｉ　−Ｆｅ合金、例えば、Ｎ１８１重量％、Ｆｅ　１９
重量％近傍の組成のものが望ましい。非晶質磁性合金で
は、例えば、ＣｏにＺｒ５Ｔｉ、　Ｍｏ、　Ｎｂ５ＷＳ
ＡＡ、　Ｎｉ、　Ｃｒ。
Ｓｉ、Ｂのうちの１種または２種以上の元素を添加した
もの、あるいはＣ０１Ｆｅ、ＮｉにＳｉ、Ｂ、Ｐ等を添
加したもので、保磁力が数エルステッド以下のものが用
いられるが、必ずしもこれらに限定する必要はない。結
晶化温度は高い方が好ましい。結晶化すると保磁力は急
激に大きくなるからであり保磁力１００ｅ以上のものは
中間磁性体膜としての磁性が勝り、多層膜の保磁力が太
き（なってしまうので好ましくない。
以上において、主磁性体膜と中間磁性体膜の積層枚数は
使用目的により要求される積層磁性体膜の膜厚に応じて
、主磁性体膜と中間磁性体膜の積層枚数は、使用目的に
より要求される積層磁性体膜の膜厚に応じて、両者それ
ぞれの膜厚と共に、所定の特性が得られるように選択す
るものである。
さらに、前記主磁性体膜と中間磁性体膜とからなる適当
な厚さの単位積層磁性体膜をＳｉＯ２膜、Ａｌ２Ｏ３膜
のような電気絶縁性のある非磁性絶縁体膜を介して所定
枚数積層することによって、高周波特性の優れた本発明
による厚膜積層磁性体膜を得ることかできる。ここで、
単位積層磁性体膜の積層枚数と厚膜積層磁性体膜におけ
る単位積層磁性体膜の積層枚数は、使用目的により要求
される厚膜積層磁性体膜の膜厚に応じて、主磁性体膜、
中間磁性体膜、非磁性絶縁体膜のそれぞれの膜厚と共に
所望の特性が得られるように選択するものである。
上記非磁性絶縁体膜は通常０．０５μｍ〜１μｍの厚さ
とする。非磁性絶縁体膜の厚さが１μｍより犬であると
透磁率等の磁気特性が低下し、０．０５μｍより小にな
ると健全な膜の形成が困難となり層間絶縁が・不十分と
なり、いずれも好ましくない。
また、非磁性絶縁体層を介して積層する単位積層磁性体
膜は通常１０〜５０枚位の主磁性体膜を中間磁性体膜を
介して積層したものを用いる。３０枚位であると高周波
特性に優れた磁性体膜が得られ好都合である。
〔発明の実施例〕
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
磁性体膜の形成は、第３図に示すようなＲＦスッタリン
グ装置を用いた。真空容器３０内には３つの独立した対
向電極を有し、電極３１．３２．３３はターゲット電極
（陰極）で、電極３１にはＦｅもしくはＣＯを主成分と
した主磁性体膜を形成するための合金ターゲットが配置
され、電極３２には中間磁性体膜となるＮｉ　−Ｆｅ合
金（パーマロイ）もしくは非晶質磁性合金膜を形成する
ための合金ターゲットが配置され、電極３３には非磁性
体絶縁体層を形成するための５ｉ０２、Ａｌ２Ｏ３等の
絶縁体からなるターゲットが配置される。一方、電極３
４．３５．３６はそれぞれ前記ターゲット電極３１．３
２．３３の直下に設けた試料電極（陽極）で、試料３７
は目的に応じて、それぞれの試料電極上に移動できるよ
うになっている。また、必要に応じて、形成される磁性
体膜の磁化容易軸方向が膜面内となるように、スパッタ
リング時に電磁石３８．３８’によって試料３７の面内
に磁界が印加されるようになっている。なお、放電はア
ルゴンガス中で行なわれ、同ガスはガス導入管′５９か
ら真空容器６０内に導入される。４０は容器６０の排気
孔、４１は電極切シ換え器である。
まず、主磁性体膜とするＦｅ　−６，，５％Ｓｉ　（重
量係）膜の形成について述べる。
比較的好条件でスパッタリングするだめに選ばれた諸条
件は以下のようである。
ターゲット組成・・・・・・・・・　Ｆｅ　−７，５％
Ｓｉ高周波電力密度・・・・・・・・・　２．８　Ｗ／
。ｍ２アルゴン圧力　・・・・・・・・・　２　Ｘ　１
０　’　Ｔｏｒｒ基板温度　　　・・・・・・・・　６
５０℃電極間距離　　・・・・・・・・・　２５ｍｍ膜
　厚　　　　・・・・・・・・・　１．５μｍ（参考例
）０．１μｍ（本実施例） この結果得られた単層膜の磁気特性は、保磁力Ｈｃ　；
　２，５ｏｅ、５ＭＨｚにおける透磁率μ＋　４００、
飽和磁束密度ｉ　１８５００ガウスであった。なお、ス
パッタリング中には磁性体膜の面内に一方向の磁界（約
１００６）が印加されている。試料の磁気特性は磁性膜
の膜面に直角な磁化困難軸方向で測定した結果である。
また、基板としてはガラス基板を用いた。スパッタリン
グに際しての諸条件は、得うれるスパッタ膜の組成はタ
ーゲット組成よりＦｅ側にずれる傾向にあるので、ター
ゲットとしてはＳｉ過剰のものを用いる必要がある。高
周波電力密度は２Ｗ／ｃｍ２以上にした方が、保磁力１
−１ｃが低減する傾向にある。基板温度は膜の歪応力を
緩和するために２５０゛℃以上にするのが好ましい。電
極間距離は短かい方が保磁力が低くなる傾向にあシ、ス
パッタリング中の放電の安定性を加味すると、２０−３
０　ｍｍ程度が好ましい。また、アルゴンガス導入前の
真空容器内の真空度は酸素や不純物の残存が磁性体膜の
磁気特性に影響するので、１Ｏ−７Ｔｏｒｒ台の高真空
にすることが好捷しい。
一方、中間磁性体膜の形成は、一般にＲＦスパッタリン
グで行なわれている以下の条件で行なった。
ターゲット材料・・・・・・・・・　８３％Ｎ１−１７
４Ｆｅ高周波電力密度・・・・・・・・・　０．５　Ｗ
／　ｃ　ｍ２アルゴン圧力　　・・・・・・・・　５　
Ｘ　１Ｑ−６Ｔｏｒｒ基板温度　　　・・・・・・・・
・　２５０℃電極間距離　　・・・・・・・・・５［］
　ｍｍ膜厚　　・・・・・・・・・１００Ａ 以」二の方法により、組成はぼ８１％Ｎｉ　−１９％Ｆ
ｅの中間磁性体膜を得た。そして主磁性体膜の一層の膜
厚な０．１μｍとし、中間磁性体膜の膜厚を１０ＯＡと
し、主磁性体膜を１５層積層して全膜厚を約１．５μｎ
１とした積層磁性体膜を作成した。
次に、他の中間磁性体膜として用いた非晶質磁性合金膜
の形成は以下の条件で行なった。
ターゲット材料　・・・・・・・・・ＣＯ８Ｃ０８ｏ、
５Ｚｒ１ｏ、５、Ｃｏ　　　Ｎｂ　　　Ｚｒ ８２　　　１３　　　５１ ＣＯ５９Ｗｓ　Ｚｒ　ｂ、 ＣＯ８１Ｔ　ｌ　１ｑ 高周波電力密度・・・・・・・・・　０．８Ｗ／ｃｍ２
アルゴン圧カ　・・・・・・・・・　５　Ｘ　１Ｏ−３
Ｔｏｒｒ基板温度　　　・・・・・・・・・　１５０℃
電極間距離　　・・・・・・・・・　５Ｑ　ｍｍ膜厚　
　・・・・・・・・・１００Ａ なお、非晶質磁性合金膜を中間磁性体膜とする場合には
、主磁性体膜のスパッタ中の基板温度は２５０℃とした
。
第４図は、上記のようにして得だＦｅ　−６，５％Ｓｉ
膜を主磁性体膜とし、種々の中間膜を用いた積層磁性体
膜の磁気特性を示す図表である。同図表中の磁気特性は
それぞれスパッタリングしたままの膜の複数個の平均値
を示す。まだ図表中、（イ）はＦｅ−６，５％　Ｓｉ合
金の単層膜の特性、（ロ）、（ハ）は従来の非磁性絶縁
体を中間膜とした積層磁性体膜の特性、（ニ）〜（チ）
はパーマロイ膜および非晶質磁性合金膜を中間膜とした
本発明の積層磁性体膜の特性である。同図表に示しだ結
果によれば、前記磁性体膜を中間膜とした本発明の積層
磁性体膜は、従来の非磁性絶縁体膜を中間膜とした積層
磁性体膜に比べて、保磁力が非常に小さいことがわかる
。すなわち、保磁力がＱ、５０ｅ以下と々す、実用的な
透磁率を得ることができる。
本発明において、主磁性体膜の一層の膜厚は、０．０５
〜０．５μｍの範囲で、積層磁性体膜の磁気特性に悪影
響を与えない程度に柱状組織を微細にすることができる
。
第５図は膜厚０．１μｍのＦｅ　−６，５％Ｓｉ膜を主
磁性体膜とし、パーマロイを中間膜としたときの中間膜
の膜厚と保磁力ＨＣおよび５ＭＦ（ｚでの透磁率μの関
係を示したものである。この積層磁性体膜は１５層の主
磁性体膜とそれらの間に中間膜を設けたものである。こ
の図によると、中間膜の膜厚は３０〜５００　Ａの範囲
で保磁力が約０．８０ｅ、５０〜３００　Ａの範囲で保
磁力がＱ、　５０ｅ以下とな９．１００Ａ付近で最小と
なる。一方、透磁率はこの付近で最大となる。中間膜の
膜厚の影響は材質によって若干具なり、主磁性体膜の１
層の膜厚によっても異なるものの、はぼ同等の範囲で好
適な磁気特性が得られる。なお、３０Ａ以下の膜厚では
、中間磁性体層の磁気的性質が薄れ、保磁力が大きくな
ってしまい、さらに、１０Ａ以下の膜厚では主磁性体膜
の組織をしゃ断することが困難となり、柱状組織が成長
してしまうため、効果が低減する。
一方、中間磁性体膜の膜厚を５００Ａ以上にすると、中
間磁性体膜の磁気的性質が強調され、保磁力が大きくな
ってしまう。また、飽和磁束密度の大きい主磁性体膜の
飽和磁束密度を低減してしまう。中間磁性体膜の膜厚は
直接測定することが困難なため、数ミクロンの膜厚に被
着したときのスパッタリング速度から算出して時間で管
理した。
本発明における中間磁性体膜の保磁力が１０エルステツ
ド以下のものを用いているため、比較的膜厚も制御し易
い範囲に設定でき、実用上の効果も太きい。
本実施例では、スパッタリング中に主磁性体膜の面内に
一方向の磁界が印加されておシ、磁界印加方向に磁化容
易軸が形成される。第６図に示すように周波数を変えて
磁界印加方向（磁化容易軸方向）で測定した透磁率（曲
線５１）よシ印加磁界と直角方向（磁化困難軸方向）で
測定した透磁率（曲線５２）の方が高くなっている。し
たがって、本発明の積層磁性体膜を磁気ヘッドの作製に
用いる場合に、磁化困難軸方向を磁気ヘッドの磁気回路
に対して有利な方向に配置することができる。
つぎに、本発明の他の実施例について述べる。
例えば、Ｃｏ−１２％Ｆｅをターゲットとし、以下の条
件でスパッタリングして得られた積層磁性体膜は、単層
膜の場合、数十エルステッドであった保磁力が、本発明
法によれば１０ｅ以下に低減できた。ただし、Ｃｏ　−
Ｆｅ合金は元の保磁力が太きいため、若干膜厚を薄くし
なければならない。
ターゲット組成・・・・・・・　Ｃｏ−１２％Ｆｅ高周
波電力密度・・・・・・・・　２．５　Ｗ／。ｍ２アル
ゴン圧力　・・・・・・・・・　Ｉ　Ｘ　１０−ロＴｏ
ｒｒ基板温度　　　・・・・・・　１５０℃電極間距離
　　・・・・・・・・・　３ＱｍｍＣｏ　−Ｆｅ合金の
膜厚・・・・・・０．０５μｎ〕中間膜　　　　・・・
・・・・・・　Ｃｏ８ｏＭＯ１ｏＺｒ１゜中間膜の膜厚
　・・・・・・・・　８０Ａ合金膜の層数　・・・・・
・・・・　１０中間膜の層数　・・・・・・・・・　９
保磁力ｌ−Ｔｃ　　　　・・・・・・・・・　１０ｅ飽
和磁束密度　・・・・・・・・・　１５０００ガウスな
お、中間膜はパーマロイでも同様な結果が得られた。
本発明に用いる主磁性体膜はＦｅもしくはＣｏを主成分
とする磁性体膜であって、高飽和磁束密度（１０，００
０ガウス以上）を有し、磁歪がほぼ零付近である合金磁
性体であれば十分な効果がある。とくに、薄膜形成技術
によって形成される膜体が膜面に垂直あるいは傾斜して
柱状構造を示す磁性体膜において保磁力を低減させ、磁
気ヘッド材料として好適な積層磁性体膜を本発明によっ
て得ることができる。
第７図は膜構造に関する本発明の他の実施例であって、
厚膜積層磁性体膜の構造を示すものである。非磁性基板
２６の上に主磁性体膜２ｏと中間磁性体膜２１を交互に
積層した厚さ数ミクロンの単位積層膜ごとに非磁性絶縁
膜のような第２の中間膜２４を形成してなる積層磁性体
膜である。このように構成した積層磁性体膜は高周波領
域での透磁率の劣化がなく、優れた磁気へソドコア材と
なる。
このような積層磁性体膜はトラック幅が１ｏμｉｎ以上
のビデオへノド材料として用いられる。
第８図には、上述の積層磁性体膜を非磁性基板上に形成
してから、所定の形状に加工し、ギヤノブ形成面が互に
対向するように突き合せて作った磁気ヘッドの一例を示
す。図において、６１は磁性体膜が形成された非磁性基
板、６２は積層磁性体膜、６６は積層磁性体膜を保護す
るためのもう一方の非磁性基板であって、他方の基板又
は磁性体膜にガラス等で接着されている。６４はギャッ
プ、６５はコイル巻線窓である。この例では積層磁性体
膜６２の厚さがトランク幅となる。
第９図は上述した本発明の積層磁性体層を用いた薄膜磁
気ヘッドの一例である。図（イ）は磁気へノドコア断面
図、図（ロ）は上面図である。図において、７１は非磁
性基板、７２は下部磁性体膜、７３は上部磁性体膜、７
４は導体コイル、７５は作動ギャップである。この例で
は、磁性体膜は数ミクロン以下の膜厚でよいので、第７
図に示すような非磁性絶縁体膜２４を省くことができる
。
つぎに、本発明の他の効果について述べる。第１０図は
第９図の磁気ヘッドの作動ギャップ近傍の磁性体膜の主
要部拡大図である。図（イ）は磁性体膜７２．７６を柱
状構造の大きい単層膜で形成した例を示す。この場合、
７６．７７のように曲りをもつ部分で柱状組織がみだれ
、その部分でひび割れを生じたり、腐食が起る原因とな
る。また、曲りの部分での応力集中によってクラックを
生じる。
図（ロ）に示す本発明による積層磁性体膜によれば、曲
シの部分７６．７７で結晶組織が細かく、均一に連続的
で、応力集中も少ないため、クラックを生じることも々
く、耐食性の良い磁気回路を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の積層磁性体膜の断面図、第２図は本発明
による積層磁性体膜の積層構造を示す断面図、第６図は
本発明の磁性体膜を形成するだめのスパッタリング装置
の構成図、第４図はＦｅ−６，５％８１合金膜を主磁性
体膜とし、種々の中間膜を用いた積層磁性体膜の磁気特
性を示す図表、第５図及び第６図はＦｅ　−６，５％　
Ｓｉ合金膜を主磁性体膜とし、パーマロイを中間膜とし
た本発明の積層磁性体膜の磁気特性を示す図、第７図は
本発明の他の実施例の積層磁性体膜の磁気特性を示す図
、第８図及び第９図は積層磁性体膜を用いて作製した磁
気ヘットの説明図、第１０図は本発明を薄膜磁気ヘッド
に適用した場合の効果を説明するための磁気ヘッド作動
ギャップ近傍の磁性体膜の主要部拡大図である。 図において、 ２０・・・主磁性体膜　　　２１・・・中間磁性体膜２
６・・・非磁性基板　　　２４・・・非磁性絶縁体膜６
１・・・非磁性基板　　　　６２・・・積層磁性体膜６
３・・・非磁性基板　　　７１・・・非磁性基板７２・
・・下部磁性体膜　　７６・・・上部磁性体膜７４・・
・導体コイル　　　７５・・作動ギヤノブ代理人弁理士
　中村純之助 矛３閏 ｔ４図 １’５図 Ｎλ−Ｆｅ令合金中間膜厚さくλ） オ６図 周シ皮数（（ＭＨｚ） １Ｆ７図　　　　才８図 国分寺市東恋ケ窪−丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発　明　者　工藤實弘 国分寺市東恋ケ窪−丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、高飽和磁束密度を有し、磁歪が小さい金属磁性合金
    からなる所定厚さ、所定枚数の主磁性体膜がＮｉ　−Ｆ
    ｅ合金もしくは非晶質磁性合金からなる所定厚さの中間
    磁性体膜を介して積層されていることを特徴とする磁性
    体膜。 ２、高飽和磁束密度を有し、磁歪が小さい金属磁性合金
    ′からなる所定厚さ、所定枚数の主磁性体膜をＮｉ　−
    Ｆｅ合金もしくは非晶質磁性合金からなる所定厚さの中
    間磁性体膜を介して積層した単位積層磁性体膜が非磁性
    絶縁体膜を介して所定枚数積層されていることを特徴と
    する磁性体膜。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項記載の磁性体膜
    において、前記主磁性体膜がＦｅもしくはＣｏを主成分
    とし、１００００ガウス以上の高飽和磁束密度と１０エ
    ルスデツド以下の保磁力と１０−６以下の磁歪を有する
    組成の合金膜であることを特徴とする磁性体膜。 ４、特許請求の範囲第１項、第２項または第３項記載の
    磁性体膜において、前記中間磁性体膜がＮｉ−Ｆｅ合金
    もしくは非晶質磁性合金であって、１０エルステツド以
    下の保磁力と１０−６以下の磁歪を有する組成の合金膜
    であることを特徴とする磁性体膜。 ５、特許請求の範囲第１項、第２項、第３項または第４
    項記載の磁性体膜において、前記主磁性体膜の一層の膜
    厚が０．０５〜０．５μｍであることを特徴とする磁性
    体膜。 ６、特許請求の範囲第１項、第２項、第３項、第４項ま
    たは第５項記載の磁性体膜において、前記中間磁性体膜
    の一層の膜厚が３０〜５００Ａであることを特徴とする
    磁性体膜。 ７、特許請求の範囲第２項、第３項、第４項、第５項ま
    たは第６項記載の磁性体膜において、前記非磁性絶縁体
    膜が酸化けい素、酸化アルミニウム等の酸化物からなる
    絶縁膜であり、該膜の膜厚が０．０５〜１μｍであるこ
    とを特徴とする磁性体膜。
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