JPS62154212A - 鉄一酸素系積層磁性体膜 - Google Patents
鉄一酸素系積層磁性体膜Info
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- JPS62154212A JPS62154212A JP29263385A JP29263385A JPS62154212A JP S62154212 A JPS62154212 A JP S62154212A JP 29263385 A JP29263385 A JP 29263385A JP 29263385 A JP29263385 A JP 29263385A JP S62154212 A JPS62154212 A JP S62154212A
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
- G11B5/3146—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers
- G11B5/3153—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding magnetic layers including at least one magnetic thin film coupled by interfacing to the basic magnetic thin film structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気ヘッド用コア材料に係り、更に詳しくは高
密度磁気記録に好適な性能を発揮する磁気ヘッドのコア
用鉄−酸素系積層磁性体膜に関する。〔発明の背景〕 磁気記録の高密変化の進歩は目覚ましく、メタルテープ
の出現によって従来の酸化物テープの保磁力（Ｈｃ）６
００〜７０００ｅに対して１５００〜２００００ ｅの
ものが得られるようになった。このような高保磁力の磁
気記録媒体に十分記録させるためには、高飽和磁束密度
を有する磁気へラドコア用磁性材料が要求される。高飽
和磁束密度を有する磁性材料としては、Ｆａ、Ｃｏ、Ｎ
ｉを主成分とする合金があり、飽和磁束密度１００００
Ｇ以上。
密度磁気記録に好適な性能を発揮する磁気ヘッドのコア
用鉄−酸素系積層磁性体膜に関する。〔発明の背景〕 磁気記録の高密変化の進歩は目覚ましく、メタルテープ
の出現によって従来の酸化物テープの保磁力（Ｈｃ）６
００〜７０００ｅに対して１５００〜２００００ ｅの
ものが得られるようになった。このような高保磁力の磁
気記録媒体に十分記録させるためには、高飽和磁束密度
を有する磁気へラドコア用磁性材料が要求される。高飽
和磁束密度を有する磁性材料としては、Ｆａ、Ｃｏ、Ｎ
ｉを主成分とする合金があり、飽和磁束密度１００００
Ｇ以上。
またＦｅ−８ｉ系合金は１８０００Ｇの飽和磁束密度を
持ち、高密度用の磁気ヘッド材料として開発が進められ
ている（例えば特開昭５９−１８２９３８）。
持ち、高密度用の磁気ヘッド材料として開発が進められ
ている（例えば特開昭５９−１８２９３８）。
従来の磁気記録方式（垂直記録）を第１図に示す。磁気
記録媒体１は非磁性基板２の上にパーマロイ等の下地膜
３を介して膜面に垂直方向に磁化容易軸を有するＣｏ−
Ｃｒ等の残置磁化膜４が形成されたものである。磁気ヘ
ッド５は主磁極６および補助磁極７からなり、励磁用コ
イル８に流れる信号電流により主磁極６を磁化し、その
先箱にのびる磁極に発生する垂直磁界によって、磁気記
録媒体１の垂直磁化膜４に信号を記録する。したがって
、急峻な分布をなす垂直成分磁界を得るためには主磁極
６の先端部の厚さは０．５μｍ以下にする必要がある。
記録媒体１は非磁性基板２の上にパーマロイ等の下地膜
３を介して膜面に垂直方向に磁化容易軸を有するＣｏ−
Ｃｒ等の残置磁化膜４が形成されたものである。磁気ヘ
ッド５は主磁極６および補助磁極７からなり、励磁用コ
イル８に流れる信号電流により主磁極６を磁化し、その
先箱にのびる磁極に発生する垂直磁界によって、磁気記
録媒体１の垂直磁化膜４に信号を記録する。したがって
、急峻な分布をなす垂直成分磁界を得るためには主磁極
６の先端部の厚さは０．５μｍ以下にする必要がある。
この部分では磁束密度が高くなるので、高飽和磁束密度
でかつ高透磁率の磁性薄膜が必要になる。しかし、主磁
極膜が薄いために磁気飽和が生じるので、０．５μｍ以
下の薄膜に対して１５０００Ｇ以上の高飽和磁束が必要
とされている。このような高飽和磁束密度の磁性材料と
しては鉄を主成分としたものが知られている。しかし、
スパッタリング、蒸着等の薄膜形成技術を用いて多結晶
膜を形成させた場合に、膜面に垂直な柱状結晶構造がで
き、柱状結晶構造の境界で磁化を動きに＜＜シ、保磁力
を大きくしていることがあるので、磁気ヘッド材料とし
て満足する高飽和磁束密度低保磁力の磁性体膜が得られ
なかった。
でかつ高透磁率の磁性薄膜が必要になる。しかし、主磁
極膜が薄いために磁気飽和が生じるので、０．５μｍ以
下の薄膜に対して１５０００Ｇ以上の高飽和磁束が必要
とされている。このような高飽和磁束密度の磁性材料と
しては鉄を主成分としたものが知られている。しかし、
スパッタリング、蒸着等の薄膜形成技術を用いて多結晶
膜を形成させた場合に、膜面に垂直な柱状結晶構造がで
き、柱状結晶構造の境界で磁化を動きに＜＜シ、保磁力
を大きくしていることがあるので、磁気ヘッド材料とし
て満足する高飽和磁束密度低保磁力の磁性体膜が得られ
なかった。
本発明の目的は高保磁力記録媒体に対して優れた記録再
生特性を示す垂直磁気記録用磁気ヘッドに好適な磁性体
膜を提供することにあり、更に。
生特性を示す垂直磁気記録用磁気ヘッドに好適な磁性体
膜を提供することにあり、更に。
薄膜の主磁極で磁気飽和を起こすことなく、磁束が主磁
極の先端部まで達し記録することができる高飽和磁束密
度を持ち、低保磁力で高透磁率を有する積層磁性体膜を
提供することにある。
極の先端部まで達し記録することができる高飽和磁束密
度を持ち、低保磁力で高透磁率を有する積層磁性体膜を
提供することにある。
本発明は従来の方法で形成された磁性体膜では得られな
かった、飽和磁束密度が２０００ｏ ａ 以上、保磁力
が１０ ｅ以下という磁性体膜を酸化鉄を含有する鉄−
酸素系の主磁性体膜と、主磁性体膜とは異なる他の軟質
磁性体もしくは非晶質非磁性体からなる中間膜とを積層
構造にすることによって容易に得られるようにしたもの
である。
かった、飽和磁束密度が２０００ｏ ａ 以上、保磁力
が１０ ｅ以下という磁性体膜を酸化鉄を含有する鉄−
酸素系の主磁性体膜と、主磁性体膜とは異なる他の軟質
磁性体もしくは非晶質非磁性体からなる中間膜とを積層
構造にすることによって容易に得られるようにしたもの
である。
本発明者らは、上記の低保磁力で高飽和磁束密度を有す
る積層磁性体膜が、従３．ξの積層磁性体膜において、
主磁性体膜がＦｅ、Ｃｏ、Ｎｓ を主成分とする合金系
磁性体（例えば、パーマロイ、センダスト、Ｇ ｏ −
Ｚ ｒ非晶質合金等）であったものを鉄−酸素系の主磁
性体膜に代えることによって達成できることを見出し、
本発明を完成するに至った。
る積層磁性体膜が、従３．ξの積層磁性体膜において、
主磁性体膜がＦｅ、Ｃｏ、Ｎｓ を主成分とする合金系
磁性体（例えば、パーマロイ、センダスト、Ｇ ｏ −
Ｚ ｒ非晶質合金等）であったものを鉄−酸素系の主磁
性体膜に代えることによって達成できることを見出し、
本発明を完成するに至った。
第２図は本発明の積層磁性体膜の構造を示す断面図であ
る６図において、９は？ｉＧ飽和磁束密度を有する鉄−
酸素磁性体からなる主磁性体膜で１０は比較的保磁力の
小さいＮ Ｉ−Ｆ ｅ合金、Ｆｅ−ＡＱＳＩ合金、ｃｏ
−Ｚｒ合金Ｊ）るいは非晶質非磁性体（例えば、５ｉＯ
ｚ、Ｃ等）からなる中間膜で、１１は非磁性基板である
。
る６図において、９は？ｉＧ飽和磁束密度を有する鉄−
酸素磁性体からなる主磁性体膜で１０は比較的保磁力の
小さいＮ Ｉ−Ｆ ｅ合金、Ｆｅ−ＡＱＳＩ合金、ｃｏ
−Ｚｒ合金Ｊ）るいは非晶質非磁性体（例えば、５ｉＯ
ｚ、Ｃ等）からなる中間膜で、１１は非磁性基板である
。
中間膜１０は薄い層からなり、主磁性体膜９は柱状結晶
構造が磁気的に大きな悪影響を与えない程度の薄膜とな
るように形成し、中間膜によって主磁性体膜の柱状結晶
構造が細分化されろようにする。このようにすれば、柱
状結晶組織に沿って膜面に垂直に向かっていた磁化や柱
状組織の境界で動きにくくなっていた磁化が、膜面内に
向き、膜面内に小さな磁界で動くようになるので保磁力
が小さくなる。また、この場合中間膜が各主磁性体膜の
磁気的連結を補ない、磁化の動きを助けているものと思
われる。
構造が磁気的に大きな悪影響を与えない程度の薄膜とな
るように形成し、中間膜によって主磁性体膜の柱状結晶
構造が細分化されろようにする。このようにすれば、柱
状結晶組織に沿って膜面に垂直に向かっていた磁化や柱
状組織の境界で動きにくくなっていた磁化が、膜面内に
向き、膜面内に小さな磁界で動くようになるので保磁力
が小さくなる。また、この場合中間膜が各主磁性体膜の
磁気的連結を補ない、磁化の動きを助けているものと思
われる。
本発明の主磁性体膜はＦｅをターゲットとして酸素雰囲
気中で酸化鉄膜を形成する。膜の形成はイオンビームス
パッタ法、高周波スパッタ法等の薄膜形成技術によって
行なわれる。膜の酸化度は酸素分圧、基板温度、堆積粒
子のエネルギーに依存し、さらに堆積時にイオン照射を
行なう場合はイオンのエネルギーにも依存する。ガス１
メ囲気はＡ、等の不活性ガスとＯｚバガス混合雰囲気も
しくは基板周囲のみ０２ガスを吹き付けた不活性ガス雰
囲気である。
気中で酸化鉄膜を形成する。膜の形成はイオンビームス
パッタ法、高周波スパッタ法等の薄膜形成技術によって
行なわれる。膜の酸化度は酸素分圧、基板温度、堆積粒
子のエネルギーに依存し、さらに堆積時にイオン照射を
行なう場合はイオンのエネルギーにも依存する。ガス１
メ囲気はＡ、等の不活性ガスとＯｚバガス混合雰囲気も
しくは基板周囲のみ０２ガスを吹き付けた不活性ガス雰
囲気である。
好適な蒸着条件はイオンビームスパッタ法において、ス
パッタ用イオンの加速電圧８００〜１７００Ｖ、イオン
電流密度０．５〜２ｍＡ／−基板照射用イオンガンの加
速電圧１００〜５００Ｖ、イオン電流密度０ 、１−０
、２ ｍ Ａ ／ ｏｌ 、 Ａ ｒもしくはＨｅと
０２ガスの混合ガス圧力５＞：１Ｏ−６〜５×１０−’
Ｔｏｒｒ、但し、０２ガス濃度は５〜３０％基板温度基
板−３００℃である。このような条件で作製した鉄−酸
素系磁性膜はほぼ純鉄の飽和磁束密度２２０００ Ｇ
と同程度の値を示し、保磁力は純鉄の３〜１００ｅに
対して１〜３０．、と小さい値を示し、好ましい結果に
なる。この時の相構成はα−Ｆｅ、Ｆｅｚｅｓ、Ｆａｓ
ｔ＜等が含まれるがＦ ａｘ Ｏ５ｔＦｅａＯａ等の酸
化鉄はＸ線回折法では検出されない場合もある。Ｆｅｚ
ｅｓもしくはＦｅｎ０ａの含有量が１重量パーセント以
上で保磁力の減少が認められ、５０重量パーセントを超
えると保磁力の増大および飽和磁束密度の減少が顕著に
なる、したがって、好ましい含有量は１〜５０重量パー
セントである。
パッタ用イオンの加速電圧８００〜１７００Ｖ、イオン
電流密度０．５〜２ｍＡ／−基板照射用イオンガンの加
速電圧１００〜５００Ｖ、イオン電流密度０ 、１−０
、２ ｍ Ａ ／ ｏｌ 、 Ａ ｒもしくはＨｅと
０２ガスの混合ガス圧力５＞：１Ｏ−６〜５×１０−’
Ｔｏｒｒ、但し、０２ガス濃度は５〜３０％基板温度基
板−３００℃である。このような条件で作製した鉄−酸
素系磁性膜はほぼ純鉄の飽和磁束密度２２０００ Ｇ
と同程度の値を示し、保磁力は純鉄の３〜１００ｅに
対して１〜３０．、と小さい値を示し、好ましい結果に
なる。この時の相構成はα−Ｆｅ、Ｆｅｚｅｓ、Ｆａｓ
ｔ＜等が含まれるがＦ ａｘ Ｏ５ｔＦｅａＯａ等の酸
化鉄はＸ線回折法では検出されない場合もある。Ｆｅｚ
ｅｓもしくはＦｅｎ０ａの含有量が１重量パーセント以
上で保磁力の減少が認められ、５０重量パーセントを超
えると保磁力の増大および飽和磁束密度の減少が顕著に
なる、したがって、好ましい含有量は１〜５０重量パー
セントである。
なお、鉄−酸素系磁性体膜は、磁歪制御、耐食性向上等
の目的で他の添加物を１０重量パーセント以下の量で添
加してもよい。
の目的で他の添加物を１０重量パーセント以下の量で添
加してもよい。
一方、中間膜はＦｅ単体以外の硬性体材料であれば良い
が、好ましくはパーセント系合金（Ｆｅ−Ｎｒ金合金セ
ンダスト系合金（Ｆａ ＡＱ−３＋金合金ｃｏ、Ｎｌ
単体、非晶質磁性合金（ＣＯ−Ｚ １合金等）等からな
り、保磁力が小さく （１００ｅ以下）、磁歪が小さい
（ｔｏ−６以下）磁性体が良い、なお非晶質非磁性材料
の５ｉＯｚおよびＣでも効果があることを発明者らは確
認している。
が、好ましくはパーセント系合金（Ｆｅ−Ｎｒ金合金セ
ンダスト系合金（Ｆａ ＡＱ−３＋金合金ｃｏ、Ｎｌ
単体、非晶質磁性合金（ＣＯ−Ｚ １合金等）等からな
り、保磁力が小さく （１００ｅ以下）、磁歪が小さい
（ｔｏ−６以下）磁性体が良い、なお非晶質非磁性材料
の５ｉＯｚおよびＣでも効果があることを発明者らは確
認している。
本発明は、主磁性体膜である鉄−酸素系磁性体薄膜の単
層膜において、数Ｏｅ以下の保磁力となるように形成し
、中間磁性体膜を介し、て積層することによって、保磁
力の大幅な低減を［留ることができる。
層膜において、数Ｏｅ以下の保磁力となるように形成し
、中間磁性体膜を介し、て積層することによって、保磁
力の大幅な低減を［留ることができる。
本発明の離礁性体膜の各層の１りさけ０．０５〜０．２
μｍとすることが好ましい、０．０５μｍ以下では単層
での磁気特性が悪く、安定した積層膜が得られない、ま
た、０．２μｍ以上では柱状結晶組織の影響が強く、保
持力が大きくなってしまう。
μｍとすることが好ましい、０．０５μｍ以下では単層
での磁気特性が悪く、安定した積層膜が得られない、ま
た、０．２μｍ以上では柱状結晶組織の影響が強く、保
持力が大きくなってしまう。
一方、中間膜の各層の厚さは１〜２０Ｉｆｆ１１である
ことが好ましい。ＩＩＩｆｉ以下では中間層の連続膜を
形成することが困難であり、保磁力の低減を図ることが
できない、また、２０ｍｍ以上では中間層の体積が大き
くなりすぎ、主磁性体の磁気的性質が蒲められ、積層膜
の特性が悪化する。
ことが好ましい。ＩＩＩｆｉ以下では中間層の連続膜を
形成することが困難であり、保磁力の低減を図ることが
できない、また、２０ｍｍ以上では中間層の体積が大き
くなりすぎ、主磁性体の磁気的性質が蒲められ、積層膜
の特性が悪化する。
上記のように、鉄−酸素系磁性体からなる主磁性体膜と
他の軟質磁性体もしくは非晶質非磁性膜からなる中間膜
とを積層した本グ１明の積層膜は、従来の単層磁性膜に
比べて保磁力の低い磁性体膜を得ることができる。
他の軟質磁性体もしくは非晶質非磁性膜からなる中間膜
とを積層した本グ１明の積層膜は、従来の単層磁性膜に
比べて保磁力の低い磁性体膜を得ることができる。
以下、本発明を実施例により詳しく説明する。
磁性体膜の形成はイオンビームスパッタ法によって行っ
た。
た。
主磁性体膜の鉄−酸素系磁性ｇｔを形成するための諸条
件は次のとおりであった。
件は次のとおりであった。
ターゲット・・・・・・Ｆｅ（９９，９’Ｘ、純度）ス
パッタ用イオンガン加速電圧・・・１１００ Ｖスパッ
タ用イオンガンイオン電流密度・・・・・・０ 、８
ｍ Ａ ／ ｄ 基板照射用イオンガン加速電圧・・・・・・２００Ｖ基
板照射用イオンガンイオン電流密度・・・・・・０．１
５ｍＡ／ａＪ Ａ ｒ ＋ Ｏｚ混合ガス圧・・・・・・・・・１．４
Ｘ１０一番ＴｏｒｒＯ２濃度 ・・・・・・
・・・１５％基板温度 ・・・・・・・・・室
温また、中間膜のパーマロイ（Ｎ １− Ｆ ｅ合金）
膜を形成するための諸条件は次のとおりであった。
パッタ用イオンガン加速電圧・・・１１００ Ｖスパッ
タ用イオンガンイオン電流密度・・・・・・０ 、８
ｍ Ａ ／ ｄ 基板照射用イオンガン加速電圧・・・・・・２００Ｖ基
板照射用イオンガンイオン電流密度・・・・・・０．１
５ｍＡ／ａＪ Ａ ｒ ＋ Ｏｚ混合ガス圧・・・・・・・・・１．４
Ｘ１０一番ＴｏｒｒＯ２濃度 ・・・・・・
・・・１５％基板温度 ・・・・・・・・・室
温また、中間膜のパーマロイ（Ｎ １− Ｆ ｅ合金）
膜を形成するための諸条件は次のとおりであった。
ターゲット・・・・・・・・・８３Ｎ＋ １７Ｆｅ（
重量％）スパッタ用イオンガン加速電圧・・・・・・・
・・ｌ１００Ｖスパツタ用イオンガンイオン電流密度 ・・・・・・・・・０ 、８ ｍ Ａ ／ ｃｌ基板照
射用イオンガン加速電圧・・・・・・２００■基板照射
用イオンガンイオン電流密度 ・・・・・・・・・０．０７ｍＡ／ｃｉＡ、ガス圧
−−−１、４Ｘ ｌ Ｏ−４Ｔｏｒｒ基板温度
・・・・・・・・・室温以上の条件で得られた鉄
−酸素系磁性体の１１１層膜の磁気特性は飽和磁束密度
２２３００Ｇ 、保磁力１．９０ａであった。Ｆｅの酸
化は蒸着条件によって大幅に変化した。すなわち、基板
温度が３００℃以上ではＦｅの酸化が進みすぎて膜の５
０重景％以上がＦｅｚｅｓもしくはＦｅ１２番の酸化鉄
になり、磁性膜の磁気特性は劣化した。また、Ａ ｒ
＋ Ｏｚ混合ガス中の酸素濃度が３０％を超えた場合も
同様に磁気特性の劣化が認められた。但し、濃度が５％
以下では保磁力の増大が認められ、純鉄の値に近づいた
１以上の実施例で、形成された酸化鉄の量が多い場合は
例えばＦｅｚｅｓとしてＸ線回折法によって検出された
が、酸化鉄のＢ：が少ない場合は必ずしも検出できなか
った。但し、酸化鉄の量が微量で検出できない場合も保
磁力は純鉄の場合より低下し、好ましい値らなることが
ら、鉄−酸素系磁性体は好適な材料といえる。このとき
の酸化鉄の含有量をオージェ分析法によって推定したと
ころ、１重量％以上であることがわがった。
重量％）スパッタ用イオンガン加速電圧・・・・・・・
・・ｌ１００Ｖスパツタ用イオンガンイオン電流密度 ・・・・・・・・・０ 、８ ｍ Ａ ／ ｃｌ基板照
射用イオンガン加速電圧・・・・・・２００■基板照射
用イオンガンイオン電流密度 ・・・・・・・・・０．０７ｍＡ／ｃｉＡ、ガス圧
−−−１、４Ｘ ｌ Ｏ−４Ｔｏｒｒ基板温度
・・・・・・・・・室温以上の条件で得られた鉄
−酸素系磁性体の１１１層膜の磁気特性は飽和磁束密度
２２３００Ｇ 、保磁力１．９０ａであった。Ｆｅの酸
化は蒸着条件によって大幅に変化した。すなわち、基板
温度が３００℃以上ではＦｅの酸化が進みすぎて膜の５
０重景％以上がＦｅｚｅｓもしくはＦｅ１２番の酸化鉄
になり、磁性膜の磁気特性は劣化した。また、Ａ ｒ
＋ Ｏｚ混合ガス中の酸素濃度が３０％を超えた場合も
同様に磁気特性の劣化が認められた。但し、濃度が５％
以下では保磁力の増大が認められ、純鉄の値に近づいた
１以上の実施例で、形成された酸化鉄の量が多い場合は
例えばＦｅｚｅｓとしてＸ線回折法によって検出された
が、酸化鉄のＢ：が少ない場合は必ずしも検出できなか
った。但し、酸化鉄の量が微量で検出できない場合も保
磁力は純鉄の場合より低下し、好ましい値らなることが
ら、鉄−酸素系磁性体は好適な材料といえる。このとき
の酸化鉄の含有量をオージェ分析法によって推定したと
ころ、１重量％以上であることがわがった。
以上の鉄−酸素系磁性体の一層の薄膜を０．１μｍとし
、中間膜の膜厚を１０ｍ＋＋とじ、各々を１ｏ層ずつ交
互に積層して、全膜厚を約１．１μｍとした積層磁性体
膜を作製した。
、中間膜の膜厚を１０ｍ＋＋とじ、各々を１ｏ層ずつ交
互に積層して、全膜厚を約１．１μｍとした積層磁性体
膜を作製した。
なお、中間膜として非晶質磁性合金（ｃｏ−Ｚｒ系を使
用した場合の中間膜形成条件は次のとおりであった。
用した場合の中間膜形成条件は次のとおりであった。
ターゲット・・・・・・ＣｏａｘＭｏｓＺｒ＋ｏ （Ｍ
子比）スパッタ用イオンガン加速電圧・・・・・・ｌ１
００Ｖスパツタ用イオンガンイオン電流密度 ・・・・・・０ 、８ ｍ Ａ ／ ｄ基板照射用イオ
ンガン加速電圧・・・・・・２００Ｖ基板照射用イオン
ガンイオン電流密度 ・・・・・・・・・０．０７ｍＡ／ａ＃Ａｒガス圧
・・・・・・・・・１．４ Ｘ Ｉ Ｏ一番Ｔ
ｏｒｒ基板温度 ・・・・・・・・・室温な
お、中間膜を形成する場合はＡ、ガスのみを用いた。
子比）スパッタ用イオンガン加速電圧・・・・・・ｌ１
００Ｖスパツタ用イオンガンイオン電流密度 ・・・・・・０ 、８ ｍ Ａ ／ ｄ基板照射用イオ
ンガン加速電圧・・・・・・２００Ｖ基板照射用イオン
ガンイオン電流密度 ・・・・・・・・・０．０７ｍＡ／ａ＃Ａｒガス圧
・・・・・・・・・１．４ Ｘ Ｉ Ｏ一番Ｔ
ｏｒｒ基板温度 ・・・・・・・・・室温な
お、中間膜を形成する場合はＡ、ガスのみを用いた。
第１表には上記実施例で得た積層磁性体膜および単層磁
性体膜の磁気特性を示す。表から明らかなように、純鉄
単層膜よりも鉄−酸素系磁性体単層膜の方が低い保持力
を示し、鉄−ａ素糸磁性体単層膜より鉄−酸素系磁性体
積ＭＵの方がさらに低い保磁力を示した０本実施例以外
の中間膜としてはセンダクト系合金、ｃｏ、Ｎｔ等の単
体磁性材料、Ｓ ｉ Ｏｚ、Ｃ等の非晶質でも同様の効
果が得られた。
性体膜の磁気特性を示す。表から明らかなように、純鉄
単層膜よりも鉄−酸素系磁性体単層膜の方が低い保持力
を示し、鉄−ａ素糸磁性体単層膜より鉄−酸素系磁性体
積ＭＵの方がさらに低い保磁力を示した０本実施例以外
の中間膜としてはセンダクト系合金、ｃｏ、Ｎｔ等の単
体磁性材料、Ｓ ｉ Ｏｚ、Ｃ等の非晶質でも同様の効
果が得られた。
上述の積層磁性体を垂直記録用磁気ヘッドの主磁極に用
いた磁気記録ヘッドは従来の磁気記録ヘッドの記録密度
７０ＫＢＰＩ（キ【１ビット／インチ）を上回る１００
ＫＢＰＩ以上の記録密度を与えた。
いた磁気記録ヘッドは従来の磁気記録ヘッドの記録密度
７０ＫＢＰＩ（キ【１ビット／インチ）を上回る１００
ＫＢＰＩ以上の記録密度を与えた。
第１表
〔発明の効果〕
以上説明したごとく、本発明によれば、鉄−酸素系磁性
体膜を中間膜を介して多層構造とした積層磁性体膜は高
飽和磁束密度（２００００Ｇ以上）で低保磁力（１０ｅ
以下）を示す優れた磁気ヘッドのコア材料として適用で
きる。したがって、本発明を垂直磁気記録の磁気ヘッド
の主磁極膜として用いた場合、０．２μｍ程度の薄膜に
しても磁気飽和を起こすことなく、磁極の先端に強い磁
束を発生させることができ、超高密度磁気記録を達成す
ることができる。
体膜を中間膜を介して多層構造とした積層磁性体膜は高
飽和磁束密度（２００００Ｇ以上）で低保磁力（１０ｅ
以下）を示す優れた磁気ヘッドのコア材料として適用で
きる。したがって、本発明を垂直磁気記録の磁気ヘッド
の主磁極膜として用いた場合、０．２μｍ程度の薄膜に
しても磁気飽和を起こすことなく、磁極の先端に強い磁
束を発生させることができ、超高密度磁気記録を達成す
ることができる。
第１図は垂直磁気記録用磁気ヘッドおよび磁気記録媒体
の構成を示す説明図、第２図は本発明の鉄−酸素系積層
磁性休眠の断面構造図である。
の構成を示す説明図、第２図は本発明の鉄−酸素系積層
磁性休眠の断面構造図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、主磁性体膜が酸化鉄を含有する鉄−酸素系磁性体か
らなり、主磁性体膜の磁性体とは異なる他の比較的低保
磁力の軟質磁性体もしくは非晶質磁性膜からなる中間膜
を介して多層構造となすことを特徴とする鉄−酸素系積
層磁性体膜。 ２、主磁性体膜がＦｅ＿２Ｏ＿３もしくはＦｅ＿３〇＿
４を１〜５０重量％含有することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の鉄−酸素系積層磁性体膜。 ３、中間膜がパーマロイ系合金、センダスト系合金、Ｎ
ｉ、Ｃｏ単体磁性材料、非晶質系磁性合金もしくは非晶
質非磁性体からなることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の鉄−酸素系積層磁性体膜。 ４、主磁性体膜の単位膜厚が０．０５〜０．２μｍ中 間膜の単位膜層が１〜２０ｍｍであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の鉄−酸素系積層磁性体膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29263385A JPS62154212A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 鉄一酸素系積層磁性体膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29263385A JPS62154212A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 鉄一酸素系積層磁性体膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62154212A true JPS62154212A (ja) | 1987-07-09 |
Family
ID=17784316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29263385A Pending JPS62154212A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 鉄一酸素系積層磁性体膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62154212A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5589221A (en) * | 1994-05-16 | 1996-12-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic thin film, and method of manufacturing the same, and magnetic head |
| US6428657B1 (en) * | 1999-08-04 | 2002-08-06 | International Business Machines Corporation | Magnetic read head sensor with a reactively sputtered pinning layer structure |
-
1985
- 1985-12-27 JP JP29263385A patent/JPS62154212A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5589221A (en) * | 1994-05-16 | 1996-12-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic thin film, and method of manufacturing the same, and magnetic head |
| US5849400A (en) * | 1994-05-16 | 1998-12-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic thin film, and method of manufacturing the same, and magnetic head |
| US6428657B1 (en) * | 1999-08-04 | 2002-08-06 | International Business Machines Corporation | Magnetic read head sensor with a reactively sputtered pinning layer structure |
| US6735061B2 (en) * | 1999-08-04 | 2004-05-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Read head sensor with a reactively sputtered pinning layer structure |
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