JPS60154603A - 多層磁性膜 - Google Patents
多層磁性膜Info
- Publication number
- JPS60154603A JPS60154603A JP1008084A JP1008084A JPS60154603A JP S60154603 A JPS60154603 A JP S60154603A JP 1008084 A JP1008084 A JP 1008084A JP 1008084 A JP1008084 A JP 1008084A JP S60154603 A JPS60154603 A JP S60154603A
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- JP
- Japan
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- flux density
- magnetic flux
- alloy
- saturation magnetic
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- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気ヘッド用材料に適した、高飽和磁束密度で
高透磁率の磁性材料に関する。
高透磁率の磁性材料に関する。
従来のヘッド用磁性材料としてはまず透磁率が高いこと
が要求されることがら、Ｍ ｎ −Ｚ ｎフェライト、
Ｎ ｉ −Ｚ ｎフェライトなどフェライト系材料、Ｎ
ｉ −Ｆ ｅ結晶質合金、Ｃｏ −Ｎ ｂ −Ｚ ｒ
非晶質合金など合金系材料が知られているが、これらは
飽和磁束密度がｌ０ＫＧ程度以下と低く、ヘッド化した
場合、とくに高記録密度領域では十分な記録再生特性が
得られないことがあった。したがってｌｏＫＧ以上の望
ましくは１５ＫＧ以上の高飽和磁束密度を有した透磁率
が高いヘッド材料の開発が望まれている。
が要求されることがら、Ｍ ｎ −Ｚ ｎフェライト、
Ｎ ｉ −Ｚ ｎフェライトなどフェライト系材料、Ｎ
ｉ −Ｆ ｅ結晶質合金、Ｃｏ −Ｎ ｂ −Ｚ ｒ
非晶質合金など合金系材料が知られているが、これらは
飽和磁束密度がｌ０ＫＧ程度以下と低く、ヘッド化した
場合、とくに高記録密度領域では十分な記録再生特性が
得られないことがあった。したがってｌｏＫＧ以上の望
ましくは１５ＫＧ以上の高飽和磁束密度を有した透磁率
が高いヘッド材料の開発が望まれている。
本発明の目的は高透磁率で高飽和磁束密度の材料、特に
磁気ヘッド用として適した材料を提供することにある。
磁気ヘッド用として適した材料を提供することにある。
従来一般に、高飽和磁束密度の材料は透磁率が低く、透
磁率が高い材料は飽和磁束密度が低い傾向にあり、どち
らもヘッド材料としては不満足なものであった。
磁率が高い材料は飽和磁束密度が低い傾向にあり、どち
らもヘッド材料としては不満足なものであった。
本発明においては、低透磁率で高飽和磁束密度の２種以
上の材料を積層することによって高透磁率で高飽和磁束
密度の積層膜を得る。
上の材料を積層することによって高透磁率で高飽和磁束
密度の積層膜を得る。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。１つ
の高飽和磁束密度の材料として、飽和磁束密度が１７Ｋ
ＧのＦｅ−６，５ｗｔ％Ｓｉ−１ｗｔ％Ｒｕ合金、他の
高飽和磁束密度の材料（中間膜）として飽和磁束密度が
１５ＫＧのＧｏ−１０ｗｔ％Ｆｅ合金を用い、高周波ス
パッタ法により形成した。Ｆ ｅ −Ｓ ｉ −Ｒｕ合
金の一層の膜厚を０．１ μｍ、中間膜Ｃｏ −Ｆ ｅ
合金の一層の膜厚をｔとし、真空を破らずにくりかえし
積層した膜の透磁率μ（曲線１）を第１図に示す。全膜
厚は約２μｍで一定とした。実験を行なった範囲では膜
の飽和磁束密度は約１６ＫＧ以上であった。
の高飽和磁束密度の材料として、飽和磁束密度が１７Ｋ
ＧのＦｅ−６，５ｗｔ％Ｓｉ−１ｗｔ％Ｒｕ合金、他の
高飽和磁束密度の材料（中間膜）として飽和磁束密度が
１５ＫＧのＧｏ−１０ｗｔ％Ｆｅ合金を用い、高周波ス
パッタ法により形成した。Ｆ ｅ −Ｓ ｉ −Ｒｕ合
金の一層の膜厚を０．１ μｍ、中間膜Ｃｏ −Ｆ ｅ
合金の一層の膜厚をｔとし、真空を破らずにくりかえし
積層した膜の透磁率μ（曲線１）を第１図に示す。全膜
厚は約２μｍで一定とした。実験を行なった範囲では膜
の飽和磁束密度は約１６ＫＧ以上であった。
Ｆ ｅ −Ｓ ｉ −Ｒｕ合金もＣｏ−Ｆｅ合金も単体
では透磁率が４００以下と小さい。Ｇ ｏ −Ｆ ｅ合
金層の膜厚が数１ＯＡの領域では非常に高い透磁率が得
られ本発明の優れていることがわかる。単に高透磁率を
得るだけであればＣｏ −Ｆ ｅ合金を用いず、Ｓ ｉ
０２ 、ＡＱ２０３などの非磁性体を中間膜として用
いＦｅ−８ｉ −Ｒｕ合金を積層してもよいが、これで
は飽和磁束密度が低下してしまうので実用不利になる。
では透磁率が４００以下と小さい。Ｇ ｏ −Ｆ ｅ合
金層の膜厚が数１ＯＡの領域では非常に高い透磁率が得
られ本発明の優れていることがわかる。単に高透磁率を
得るだけであればＣｏ −Ｆ ｅ合金を用いず、Ｓ ｉ
０２ 、ＡＱ２０３などの非磁性体を中間膜として用
いＦｅ−８ｉ −Ｒｕ合金を積層してもよいが、これで
は飽和磁束密度が低下してしまうので実用不利になる。
２種以上の高飽和磁束密度材料、たとえばＦｅ−８ｉ系
結晶寧合金ｔ Ｆｅ−Ｑｅ系粘結晶質合金Ｆ ｅ −Ｔ
ｉ系結晶質合金、Ｆｅ−Ｎ系結晶質合金。
結晶寧合金ｔ Ｆｅ−Ｑｅ系粘結晶質合金Ｆ ｅ −Ｔ
ｉ系結晶質合金、Ｆｅ−Ｎ系結晶質合金。
Ｎｉ Ｆｅ−”Ｇｏ系粘結晶質合金Ｇｏ−Ｆｅ系結晶質
合金、Ｃｏ−Ｚｒ系非晶質合金、Ｇｏ−Ｔｉ系非晶質合
金Ｃｏ−Ｔａ系非晶質合金などいずれもｌｏＫＧ以上の
高飽和磁束密度を有する材料を積層することによって同
様の効果が得られるが、とくに結晶系が異なるものを積
層した方が一般に良い結果が得られる。各−ｍの膜厚は
組み合せによって多少異なるが、０．０２〜０．５μｍ
の範囲で最適な条件が得られる。
合金、Ｃｏ−Ｚｒ系非晶質合金、Ｇｏ−Ｔｉ系非晶質合
金Ｃｏ−Ｔａ系非晶質合金などいずれもｌｏＫＧ以上の
高飽和磁束密度を有する材料を積層することによって同
様の効果が得られるが、とくに結晶系が異なるものを積
層した方が一般に良い結果が得られる。各−ｍの膜厚は
組み合せによって多少異なるが、０．０２〜０．５μｍ
の範囲で最適な条件が得られる。
本発明によれば高飽和磁束密度で高透磁率の磁性膜がで
き、これをコア材料として磁気ヘッドに用いるとヘッド
性能を高めることができる。
き、これをコア材料として磁気ヘッドに用いるとヘッド
性能を高めることができる。
第１図は多層磁性膜の中間膜の厚さと透磁率との関係を
示すグラフである。 代理人 弁理士 高橋明ｍ
示すグラフである。 代理人 弁理士 高橋明ｍ
Claims (1)
- １．２種以上の高飽和磁束密度の磁性材料を積層したこ
とを特徴とする多層磁性膜。 ２、上記高飽和磁束密度材料は、Ｆｅ−３ｔ。 Ｆｅ−Ｇｅ、Ｆｅ−Ｔｉ、Ｆｅ−Ｎ、Ｎｉ −Ｆ ｅ
−Ｇ ｏ 、 Ｇ ｏ −Ｆ ｅ 、 Ｃｏ −Ｚ ｒ
、 Ｇ ｏ −Ｔｉ、Ｇｏ−Ｔａを主成分とする合金
から選ばれた少なくとも２種の材料であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の多層磁性膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1008084A JPS60154603A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 多層磁性膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1008084A JPS60154603A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 多層磁性膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154603A true JPS60154603A (ja) | 1985-08-14 |
Family
ID=11740369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1008084A Pending JPS60154603A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 多層磁性膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60154603A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6365604A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-24 | Hitachi Ltd | 鉄系磁性体膜 |
| US6721139B2 (en) | 2001-05-31 | 2004-04-13 | International Business Machines Corporation | Tunnel valve sensor with narrow gap flux guide employing a lamination of FeN and NiFeMo |
-
1984
- 1984-01-25 JP JP1008084A patent/JPS60154603A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6365604A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-24 | Hitachi Ltd | 鉄系磁性体膜 |
| US6721139B2 (en) | 2001-05-31 | 2004-04-13 | International Business Machines Corporation | Tunnel valve sensor with narrow gap flux guide employing a lamination of FeN and NiFeMo |
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