JPS6285413A - 強磁性多層膜及びその製造法 - Google Patents
強磁性多層膜及びその製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、強磁性多層膜およびその製造法に係り、特に
磁気ヘッドのコアに用いるのに好適な高磁気モーメント
を有する強磁性多層膜とその製造法に関する。
磁気ヘッドのコアに用いるのに好適な高磁気モーメント
を有する強磁性多層膜とその製造法に関する。
鉄の磁気モーメントは、約２．２μＢである。
或は鉄よりも原子間距離の大きいｍ体金属上にＦｅを成
長させて界面でＦｅの原子間距離を上昇させる方法が知
られている。例えばフィジカルレビュー レターズ 第
５４巻、ナンバー２５゜２７００−２７０３頁（ＰＨ’
／５ＴＣＡＬ ＲＥＶＩＥＷ ＬＥＴＴＨＲ３Ｖｏ］ｕ
ｍｓ５４ 、 Ｎｕｍｂｅｒ２５ 、 ｐｐ２７００〜
２７０３）には、鉄よりも原子１’１４７距離の大きい
＠（（：１λ）、銀（Ａｇ）。
長させて界面でＦｅの原子間距離を上昇させる方法が知
られている。例えばフィジカルレビュー レターズ 第
５４巻、ナンバー２５゜２７００−２７０３頁（ＰＨ’
／５ＴＣＡＬ ＲＥＶＩＥＷ ＬＥＴＴＨＲ３Ｖｏ］ｕ
ｍｓ５４ 、 Ｎｕｍｂｅｒ２５ 、 ｐｐ２７００〜
２７０３）には、鉄よりも原子１’１４７距離の大きい
＠（（：１λ）、銀（Ａｇ）。
金（Ａｕ）などの−」二に鉄を成長させて、鉄の磁気モ
ーメントを一ヒ昇させる方法および理論的磁気モーメン
ト値について報告されている。
ーメントを一ヒ昇させる方法および理論的磁気モーメン
ト値について報告されている。
しかし、銅、銀或は金の基板■二に鉄を成長させる方法
は、鉄の磁気モーメントを若干増大させることはできて
も、膜全体の磁気モーメントを高めることはできない。
は、鉄の磁気モーメントを若干増大させることはできて
も、膜全体の磁気モーメントを高めることはできない。
非磁性金属である銅、銀、金を含むために膜全体の磁気
モーメントはかえって減少してしまう。
モーメントはかえって減少してしまう。
本発明は、膜全体の磁気モーメント髪減少させることな
く、鉄の磁気モーメントを高めることができる多層膜構
造およびかかる多層膜の製法を提供するにある。
く、鉄の磁気モーメントを高めることができる多層膜構
造およびかかる多層膜の製法を提供するにある。
本発明は、鉄層と、ＡｓＲ型の鉄化合物（ここでＡは鉄
、Ｂは鉄以外の金属或は半金属を意味する。）層との積
層構造とすることにある。
、Ｂは鉄以外の金属或は半金属を意味する。）層との積
層構造とすることにある。
本発明は、銅、銀、金の代りに強磁性を有しく４）
！２相に近い格子定数をもつＡ ｓ Ｂ型の鉄化合物を
選択して実験を行った結果、Ｆｅの磁気モーメントが一
ヒ昇し且つ膜全体の磁気モーメントも低下しないことを
見出したことにある。
選択して実験を行った結果、Ｆｅの磁気モーメントが一
ヒ昇し且つ膜全体の磁気モーメントも低下しないことを
見出したことにある。
ＡｓＢ型の鉄化合物としては、ＦｅａＡ Ｑ 、 Ｆｅ
５Ｓ、ｉ。
５Ｓ、ｉ。
Ｆｅ５Ｇｅ、 Ｆ’ｅａＧａなどがあり、これらは第１
表に示すようにいずれも高い磁気モーメントを有する。
表に示すようにいずれも高い磁気モーメントを有する。
第１表は、０°Ｋにおける鉄１ｙＸ子当りの磁気モーメ
ントを示している。この値は、ジャーナル オブ ザ
フィジカル ソサエティ オブ ジャパン、第３３巻、
Ｎｎ ５ 、１９７２年月月（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
ｔｈｅ Ｐｈｙｓｊｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｊ
ａｐａｎ、 Ｖ ｏ Ｑ 、 ３３ 。
ントを示している。この値は、ジャーナル オブ ザ
フィジカル ソサエティ オブ ジャパン、第３３巻、
Ｎｎ ５ 、１９７２年月月（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
ｔｈｅ Ｐｈｙｓｊｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｊ
ａｐａｎ、 Ｖ ｏ Ｑ 、 ３３ 。
Ｎｏ ５ 、 Ｎｏｖａｍｂｅｒ、 ＋９７２）の第１
３２４頁の第２表から抜粋した。
３２４頁の第２表から抜粋した。
第１表
鉄化合物の磁気モーメントは、鉄原子の原子配置により
異なるが、最大の磁気モーメントを考えると純鉄の磁気
モーメントの約２．２μＢよりも大きい値を有する。
異なるが、最大の磁気モーメントを考えると純鉄の磁気
モーメントの約２．２μＢよりも大きい値を有する。
に
れらの鉄化合物は、格子定数、、Ｆｅ（ｂｃｒｓ）よ告
り大きいために、この上に鉄を成長さ熟たときに鉄原子
間距離が広がり、多層膜全体の磁気モーメントを増大さ
せることができた。
間距離が広がり、多層膜全体の磁気モーメントを増大さ
せることができた。
多層膜の層間隔を変化させると鉄の磁気モーメントも変
動し、層間隔が小さくなると鉄の磁気モ−メントは増加
する。５０Å以下の層間隔の場合には鉄の磁気モーメン
トが急激に−に昇し膜全体の磁気モーメントも高くなる
。ＦｅとＦｅ５Ａ Ｑ 、ＦｅｇＳｉ。
動し、層間隔が小さくなると鉄の磁気モ−メントは増加
する。５０Å以下の層間隔の場合には鉄の磁気モーメン
トが急激に−に昇し膜全体の磁気モーメントも高くなる
。ＦｅとＦｅ５Ａ Ｑ 、ＦｅｇＳｉ。
Ｆ’ｅｓＧθ、ＦｅａＧａなどの強磁性Ａ ｓ Ｂ型化
合物の積層膜を低温時効し、ＦａとＦｅ５Ａ Ｑ 、
ＦｅａＳｊ、 ＦｅａＧｅ。
合物の積層膜を低温時効し、ＦａとＦｅ５Ａ Ｑ 、
ＦｅａＳｊ、 ＦｅａＧｅ。
ＦｅａＧａの界面を安定化させれば、未熱処理の多層膜
よりもさらに高い磁気モーメントを有する多層膜を得る
ことができる。Ｇａを２０〜３５原子％含有するＦｅ
ＢＧａとＦ″ｅの多層膜を作製後５００〜８００℃で熱
処理することによってｆＣｃ構造のＦｅａＧａを安定化
させ、多層膜の磁気モーメントをさらに−１−昇させる
ことができる。
よりもさらに高い磁気モーメントを有する多層膜を得る
ことができる。Ｇａを２０〜３５原子％含有するＦｅ
ＢＧａとＦ″ｅの多層膜を作製後５００〜８００℃で熱
処理することによってｆＣｃ構造のＦｅａＧａを安定化
させ、多層膜の磁気モーメントをさらに−１−昇させる
ことができる。
既に説明したようにＦｅの磁気モーメントを一ヒ昇させ
るためにはＦｅ（７）原子間距離を大きくすればよいｅ
Ｆｅの原子間距離が大きいｉｐ２相は、２．８μＢの磁
気モーメン１〜をもつことが計算されており、ｖ２相に
近い原子間距離のＦｅ を作製することかできればＦ
ｅの磁気モーメントを上昇させることが可能である。
るためにはＦｅ（７）原子間距離を大きくすればよいｅ
Ｆｅの原子間距離が大きいｉｐ２相は、２．８μＢの磁
気モーメン１〜をもつことが計算されており、ｖ２相に
近い原子間距離のＦｅ を作製することかできればＦ
ｅの磁気モーメントを上昇させることが可能である。
本発明は、鵞・２相と格子定数がほぼ等しいＡ ａ Ｂ
型の強磁性化合物を用いて鉄を成長させることにより、
鉄の磁気モーメントを増大させ１つ多層股木 化体の磁気モーメントを上昇させることに成功したもの
である。
型の強磁性化合物を用いて鉄を成長させることにより、
鉄の磁気モーメントを増大させ１つ多層股木 化体の磁気モーメントを上昇させることに成功したもの
である。
ＦａとＦｅ５Ａ Ｑ 、 Ｆｅ５Ｓ’ｒ ＋ ＦｅｇＧ
ｅ、 Ｆｅａｒｉａの強磁性製 Ａ ８ＢＮ化合物を積層する時、Ｆｅと強磁性Ａ ａ
Ｒ聖火。
ｅ、 Ｆｅａｒｉａの強磁性製 Ａ ８ＢＮ化合物を積層する時、Ｆｅと強磁性Ａ ａ
Ｒ聖火。
化合物の層間隔化を１対１にして層間隔を変化させると
層間隔７０八以上ではＦｅの磁気モーメントはほとんど
上昇しないが、層間隔７０λ以下になると磁気モーメン
トが」−昇する。
層間隔７０八以上ではＦｅの磁気モーメントはほとんど
上昇しないが、層間隔７０λ以下になると磁気モーメン
トが」−昇する。
これにより層間隔を７０Å以下とすることが好ましい。
層間隔の最小値は原子レベルの大きさまででよい。
またＦｅとＦｅａＡ Ｑ 、 ＦｅＢＳｊ 、 Ｆａｓ
Ｇｅ、 Ｆｅ５Ｇａの強磁性Ａ ｓ Ｂ型化合物を積層
した後低温で時効すると、Ｆｅと強磁性Ａ ａ Ｒ型化
合物の整合性が高まり磁気モーメントが一！−昇した。
Ｇｅ、 Ｆｅ５Ｇａの強磁性Ａ ｓ Ｂ型化合物を積層
した後低温で時効すると、Ｆｅと強磁性Ａ ａ Ｒ型化
合物の整合性が高まり磁気モーメントが一！−昇した。
ＦａｇＧａとＦｅの多層膜を作製する場合、多層膜中の
Ｆｅ５ＧａはｂａａＪｆ／１ｉｆ９であるが、Ｇａ２Ｏ
−３５原子％含有するＦｅ６にａをＦａと積層させ５０
０〜８００℃で熱処理することによりＦｅ３Ｇａはｂｃ
ｃ構造からｆａｃ構造に変化してＦｅの原子間距離が大
きくなるために磁気モーメントが増加する。
Ｆｅ５ＧａはｂａａＪｆ／１ｉｆ９であるが、Ｇａ２Ｏ
−３５原子％含有するＦｅ６にａをＦａと積層させ５０
０〜８００℃で熱処理することによりＦｅ３Ｇａはｂｃ
ｃ構造からｆａｃ構造に変化してＦｅの原子間距離が大
きくなるために磁気モーメントが増加する。
多層膜を磁気ヘッドのコアとして使えるようにするため
には膜の合計の厚さを１０００人以−Ｌとすることが好
ましい。
には膜の合計の厚さを１０００人以−Ｌとすることが好
ましい。
ＦｅとＦｅａＡ Ｑ 、 ＦｅａＳｉ 、 ＦｅａＧｅ
、 Ｆｅ５Ｇａなどの強磁性Ａ ｓ Ｂ型化合物を積層
するためにスパッタ法王 を用い８１ｍ結晶、地基板上に強磁性Ａ ａ Ｒ型化合
物をスパッタした後Ｆｅをスパッタして、第２表に示す
スパッタ条件でＡ ｓ Ｒ型強磁性多層膜を作製した。
、 Ｆｅ５Ｇａなどの強磁性Ａ ｓ Ｂ型化合物を積層
するためにスパッタ法王 を用い８１ｍ結晶、地基板上に強磁性Ａ ａ Ｒ型化合
物をスパッタした後Ｆｅをスパッタして、第２表に示す
スパッタ条件でＡ ｓ Ｒ型強磁性多層膜を作製した。
第２表
作製したＡ ａ Ｂ増強磁性多層膜の磁気モーメントを
振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を用いて測定し、Ｆｅ
と強磁性ＡｓＢ型化合物の膜厚化を１対１として層間隔
を変化された時のＦｅｌ原子当りの磁気モーメントを第
１図に示した。層間隔を小さくすると磁気モーメントは
増加し、層化間隔７０Å以下で急激に増加する。Ｆ ｅ
−ＦｅｓＧａ強磁性多層膜では２５８ （ｅｍｕ／ ｇ
）の磁気モーメントを有する。
振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を用いて測定し、Ｆｅ
と強磁性ＡｓＢ型化合物の膜厚化を１対１として層間隔
を変化された時のＦｅｌ原子当りの磁気モーメントを第
１図に示した。層間隔を小さくすると磁気モーメントは
増加し、層化間隔７０Å以下で急激に増加する。Ｆ ｅ
−ＦｅｓＧａ強磁性多層膜では２５８ （ｅｍｕ／ ｇ
）の磁気モーメントを有する。
層間隔３０Å以下でけＦｅｇＧａ、 ＦａａＧｅ、 Ｆ
ｅｇＳ５ＦａａＡ Ｑ のすべての強磁性Ａ ａ Ｒ
型多層膜における磁気モーメントがＦｅの磁気モーメン
トを越えた値になった。また層間隔一定ではＦａｓＡ
Ｑ 、 ＦｅａＳｊ 。
ｅｇＳ５ＦａａＡ Ｑ のすべての強磁性Ａ ａ Ｒ
型多層膜における磁気モーメントがＦｅの磁気モーメン
トを越えた値になった。また層間隔一定ではＦａｓＡ
Ｑ 、 ＦｅａＳｊ 。
ＦｅａＧｅ、 ＦｅａＧａの順に増加する傾向があり、
Ａ ｓ Ｒ型化合物自体のもつ磁気モーメン１〜に依存
する。
Ａ ｓ Ｒ型化合物自体のもつ磁気モーメン１〜に依存
する。
ＦｅとＦｅ５Ａ Ｑ 、ＦｅｇＳｊ 、 ＦｅａＧｅ、
ＦａａＧｅ強磁性ＡａＲ型化合物を積層したＡ ｓ Ｒ
型強磁性多層膜を２００℃で時効した時のＦｅｌ原子当
りの磁気モーメントは第２図に示すように時効時間と共
に増加する。
ＦａａＧｅ強磁性ＡａＲ型化合物を積層したＡ ｓ Ｒ
型強磁性多層膜を２００℃で時効した時のＦｅｌ原子当
りの磁気モーメントは第２図に示すように時効時間と共
に増加する。
スパッタリングターゲットにＦｅ５Ｇａ を用い目つ層
間隔５０人でターゲットのＧａ含有量を１５〜５０原子
％の範囲で変化さ糺た場合、第３図に示すように、Ｆ
ｅ−ＦｅａＧａ強磁性多層膜の磁気モーメントは変化す
る。すなオ〕ち２７原子％Ｇａ以下ではＧａ濃度を増加
させると共に磁気モーメント６″′Ｌ 増加するが、Ｇａ能度が２７原子％を越えると一メント
を示すＦｅａＧａのターゲット組成は２０〜３５原子％
である。また層間隔５０人でＧ ａ ２７原子％のＦ３
ＢＧａのターゲットを用いた時にＦｓ−Ｆ３ＢＧａ強磁
性多層膜を時効温度６００℃で時効すると、第４図に示
すようにＦｅｌ原子当りの磁気モーメントは時効時間と
共に増加し、時効温度５００〜８００℃でも同様に磁気
モーメントが増加することがわかった。
間隔５０人でターゲットのＧａ含有量を１５〜５０原子
％の範囲で変化さ糺た場合、第３図に示すように、Ｆ
ｅ−ＦｅａＧａ強磁性多層膜の磁気モーメントは変化す
る。すなオ〕ち２７原子％Ｇａ以下ではＧａ濃度を増加
させると共に磁気モーメント６″′Ｌ 増加するが、Ｇａ能度が２７原子％を越えると一メント
を示すＦｅａＧａのターゲット組成は２０〜３５原子％
である。また層間隔５０人でＧ ａ ２７原子％のＦ３
ＢＧａのターゲットを用いた時にＦｓ−Ｆ３ＢＧａ強磁
性多層膜を時効温度６００℃で時効すると、第４図に示
すようにＦｅｌ原子当りの磁気モーメントは時効時間と
共に増加し、時効温度５００〜８００℃でも同様に磁気
モーメントが増加することがわかった。
更に時効処理しなくてもスパッタリング時に基板温度を
高めることによって、磁気モーメントの高い多層膜を製
造することができる。第５図は、Ｆｅ８Ｇａ 欧基板温
度を４００℃として鉄をスパッタしたときの層間隔と磁
気モーメントの関係を示しく１１） たものであり、基板を１５０’υ以上に加熱することに
より膜の磁気モーメントを高めることができた。
高めることによって、磁気モーメントの高い多層膜を製
造することができる。第５図は、Ｆｅ８Ｇａ 欧基板温
度を４００℃として鉄をスパッタしたときの層間隔と磁
気モーメントの関係を示しく１１） たものであり、基板を１５０’υ以上に加熱することに
より膜の磁気モーメントを高めることができた。
本発明の多層膜ば、磁気モーメントが高く、そのうえ熱
安定性もすぐれている。従って、高磁束密度と耐熱性が
要求されるところの磁気へラドコア材として好適である
。本発明の多層膜を磁気ヘッドのコアを用いたときには
、高周波特性がよいので高速送りが可能となり、￥に高
磁束密度を有するので記録密度を向［−さゼることが可
能となる。
安定性もすぐれている。従って、高磁束密度と耐熱性が
要求されるところの磁気へラドコア材として好適である
。本発明の多層膜を磁気ヘッドのコアを用いたときには
、高周波特性がよいので高速送りが可能となり、￥に高
磁束密度を有するので記録密度を向［−さゼることが可
能となる。
本発明の多層膜は、磁気媒体等にも使用できる。
以り説明したように、本発明は、Ｆ ｅとＦｅＢＡ Ｑ
、 。
、 。
ＦｅｇＳｉ、 Ｆｅ５Ｇｅ、 Ｆｅ５Ｇａなどの強磁性
Ａ ａ Ｂｌｆ！化合物を積層して多層膜としたもので
あり、本発明によれば、鉄の磁気モーメントを高め目。
Ａ ａ Ｂｌｆ！化合物を積層して多層膜としたもので
あり、本発明によれば、鉄の磁気モーメントを高め目。
つ膜全体の磁気モーメントも高めることができる。
ω
第１図は多層膜の鉄１原子当り磁気モーメントと層間隔
との関係を示す特性図、第２図は多層膜の鉄１原子当り
の磁気モーメントと時効時間との関係を示す特性図、第
３図はＦｅとＦｅ８Ｇａとの多層膜におけるＧ ａ 紙
と磁気モーメントとの関係を示す特性図、第４図はＦｅ
とＦｓａＧａとの多層膜の時効時間と磁気モーメントの
関係を示す特性図、第５１４はＦｓやＦｅＢＧＢとの多
層膜における層間隔と磁気モーメントの関係を示す特性
図である。
との関係を示す特性図、第２図は多層膜の鉄１原子当り
の磁気モーメントと時効時間との関係を示す特性図、第
３図はＦｅとＦｅ８Ｇａとの多層膜におけるＧ ａ 紙
と磁気モーメントとの関係を示す特性図、第４図はＦｅ
とＦｓａＧａとの多層膜の時効時間と磁気モーメントの
関係を示す特性図、第５１４はＦｓやＦｅＢＧＢとの多
層膜における層間隔と磁気モーメントの関係を示す特性
図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、鉄層と、Ａ＿３Ｂ型の鉄化合物（ここでＡは鉄、Ｂ
は鉄以外の金属又は半金属を意味する）層との積層構造
よりなることを特徴とする強磁性多層膜。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記鉄化合物層の
厚さが７０Å以下よりなることを特徴とする強磁性多層
膜。 ３、特許請求の範囲第１項において、前記鉄以外の金属
又は半金属がアルミニウム、シリコン、ゲルマニウムお
よびガリウムの少なくとも１つよりなることを特徴とす
る強磁性多層膜。 ４、特許請求の範囲第１項において、前記鉄層の厚さが
７０Å以下よりなることを特徴とする強磁性多層膜。 ５、特許請求の範囲第１項において、前記鉄層と前記鉄
化合物層の合計の厚さが少なくとも１０００Åよりなる
ことを特徴とする強磁性多層膜。 ６、鉄層と、Ａ＿３Ｂ型の鉄化合物（ここでＡは鉄、Ｂ
は鉄以外の金属又は半金属を意味する。）層とを順次積
層し、次いで時効処理することを特徴とする強磁性多層
膜の製造方法。 ７、特許請求の範囲第６項において、前記時効処理の温
度を５００〜８００℃とすることを特徴とする強磁性多
層膜の製造法。 ８、特許請求の範囲第６項において、前記鉄以外の金属
又は半金属がアルミニウム、シリコン、ゲルマニウム及
びカリウムの少なくとも１つよりなることを特徴とする
強磁性多層膜の製造法。 ９、特許請求の範囲第６項において、前記鉄層を初期真
空度が１．０×１０＾−＾４Ｐａ以下、アルゴンガス圧
が０．５〜５ｍＴｏｒｒの条件でスパッタすることによ
り積層することを特徴とする強磁性多層膜の製造法。 １０、特許請求の範囲第６項において、前記鉄化合物層
を初期真空度が１．０×１０＾−＾４Ｐａ以下、アルゴ
ンガス圧が０．５〜５ｍＴｏｒｒの条件でスパッタする
ことにより積層することを特徴とする強磁性多層膜の製
造法。 １１、特許請求の範囲第６項において、前記鉄層及び前
記鉄化合物層をいずれも７０Å以下の厚さで形成し且つ
合計の厚さを少なくとも１０００Å以上とすることを特
徴とする強磁性多層膜の製造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60224758A JPS6285413A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 強磁性多層膜及びその製造法 |
| EP86113206A EP0219714B1 (en) | 1985-10-11 | 1986-09-25 | Multi-layered ferromagnetic film and method of manufacturing the same |
| DE8686113206T DE3669129D1 (de) | 1985-10-11 | 1986-09-25 | Vielschichtiger ferromagnetischer film und verfahren zur herstellung desselben. |
| US06/918,333 US4698273A (en) | 1985-10-11 | 1986-10-14 | Multi-layered ferromagnetic film and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60224758A JPS6285413A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 強磁性多層膜及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6285413A true JPS6285413A (ja) | 1987-04-18 |
| JPH0365884B2 JPH0365884B2 (ja) | 1991-10-15 |
Family
ID=16818767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60224758A Granted JPS6285413A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 強磁性多層膜及びその製造法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4698273A (ja) |
| EP (1) | EP0219714B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6285413A (ja) |
| DE (1) | DE3669129D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0242702A (ja) * | 1988-04-28 | 1990-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 軟磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5038242A (en) * | 1988-05-13 | 1991-08-06 | Citizen Watch Co., Ltd. | Magnetic head containing a barrier layer |
| US5793279A (en) * | 1996-08-26 | 1998-08-11 | Read-Rite Corporation | Methods and compositions for optimizing interfacial properties of magnetoresistive sensors |
| EP0903758A4 (en) * | 1997-02-12 | 1999-09-08 | Tdk Corp | MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND MAGNETIC RECORDING / REPRODUCING METHOD |
| US7028743B1 (en) * | 2002-06-28 | 2006-04-18 | Seagate Technology Llc | High field contrast magnetic stampers/imprinters for contact patterning of magnetic media |
| JP4796788B2 (ja) * | 2005-05-10 | 2011-10-19 | 株式会社日立製作所 | コアレスモータ |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2920381A (en) * | 1953-04-01 | 1960-01-12 | Bell Telephone Labor Inc | Permanent magnets |
| DE1252739B (de) * | 1964-03-17 | 1967-10-26 | Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, München | Speicherelement mit gestapelten magnetischen Schichten |
| JPS51149008A (en) * | 1975-05-23 | 1976-12-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium manufacturing method |
| US4103315A (en) * | 1977-06-24 | 1978-07-25 | International Business Machines Corporation | Antiferromagnetic-ferromagnetic exchange bias films |
| JPH061729B2 (ja) * | 1983-01-17 | 1994-01-05 | 株式会社日立製作所 | 磁性体膜およびそれを用いた磁気ヘッド |
| US4640755A (en) * | 1983-12-12 | 1987-02-03 | Sony Corporation | Method for producing magnetic medium |
| JPH0622170B2 (ja) * | 1983-12-16 | 1994-03-23 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘッド |
| JPS60220914A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-05 | Sony Corp | 磁性薄膜 |
-
1985
- 1985-10-11 JP JP60224758A patent/JPS6285413A/ja active Granted
-
1986
- 1986-09-25 DE DE8686113206T patent/DE3669129D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-09-25 EP EP86113206A patent/EP0219714B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-10-14 US US06/918,333 patent/US4698273A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0242702A (ja) * | 1988-04-28 | 1990-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 軟磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0219714B1 (en) | 1990-02-28 |
| DE3669129D1 (de) | 1990-04-05 |
| US4698273A (en) | 1987-10-06 |
| EP0219714A1 (en) | 1987-04-29 |
| JPH0365884B2 (ja) | 1991-10-15 |
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