JPH03203308A - 磁性薄膜積層体 - Google Patents
磁性薄膜積層体Info
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- JPH03203308A JPH03203308A JP34104289A JP34104289A JPH03203308A JP H03203308 A JPH03203308 A JP H03203308A JP 34104289 A JP34104289 A JP 34104289A JP 34104289 A JP34104289 A JP 34104289A JP H03203308 A JPH03203308 A JP H03203308A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
7@業上の利用分野]
本発明は、磁性体からなる薄膜の複数を非磁性体からな
る薄膜と交互に積層した磁性薄膜積層体に係り、特にビ
デオテープレコーダ(VTR)の磁気へノドに好適な磁
性薄膜積層体に関する。
る薄膜と交互に積層した磁性薄膜積層体に係り、特にビ
デオテープレコーダ(VTR)の磁気へノドに好適な磁
性薄膜積層体に関する。
(従来の技術)
VTRなどの磁気へメトは、記録の高密度化に伴って、
高飽和磁化、高透磁率を有する軟磁性材が要求されてい
る。近年は、センダスI・や、C。
高飽和磁化、高透磁率を有する軟磁性材が要求されてい
る。近年は、センダスI・や、C。
系アモルファス等の飽和磁化の大きい合金をスパッタリ
ング等によって成膜し、磁気ヘッドに利用することが行
われている。
ング等によって成膜し、磁気ヘッドに利用することが行
われている。
しかしながら、さらに大きな飽和磁化を得るために、飽
和磁化の大きい鉄あるいは、鉄に冨む合金の結晶粒を極
微細化(平均粒径10nm以下)することで軟磁気特性
を得る方法がとられている。
和磁化の大きい鉄あるいは、鉄に冨む合金の結晶粒を極
微細化(平均粒径10nm以下)することで軟磁気特性
を得る方法がとられている。
材料としては、純鉄〔例えば、儒学技報MR8816(
1988))、FeSi (例えば、信学技報MR8
6−15(1986))、FeC(例えば、I EEE
Trans、on Mag、 MAG−23,N。
1988))、FeSi (例えば、信学技報MR8
6−15(1986))、FeC(例えば、I EEE
Trans、on Mag、 MAG−23,N。
5.2746 (1987))等の20KG程度以上の
飽和磁化を持つ膜を、Sin、やアルミナ等の非磁性膜
、あるいはパーマロイ膜等と交互に積層することにより
、微結晶化したもの、あるい4LFe−M−C(M:Z
r、Ta、Hf、Nbなど)系膜において、適当な熱処
理を施すことによりスパッタ成膜時のアモルファス状態
から、極微結晶を析出させたもの(儒学技報MR89−
12(1989))等が用いられている。
飽和磁化を持つ膜を、Sin、やアルミナ等の非磁性膜
、あるいはパーマロイ膜等と交互に積層することにより
、微結晶化したもの、あるい4LFe−M−C(M:Z
r、Ta、Hf、Nbなど)系膜において、適当な熱処
理を施すことによりスパッタ成膜時のアモルファス状態
から、極微結晶を析出させたもの(儒学技報MR89−
12(1989))等が用いられている。
C発明が解決しようとする課題〕
上記した、積層あるいは、アモルファス相から熱処理に
より析出させることにより得られた微結晶軟磁性膜は、
+U気ヘッドに加工する時に、ガラスを溶着する熱工程
(600’CVi度)経ると、微結晶が成長し、軟磁気
性をそこなうという欠点があった。軟磁気特性の熱安定
性は、積層膜(Fe/5in2、FeSi/510g、
FeSi/NiFe、FeC/NiFeなど)で高々3
50°C1FeMC微結晶膜で高々600°Cである。
より析出させることにより得られた微結晶軟磁性膜は、
+U気ヘッドに加工する時に、ガラスを溶着する熱工程
(600’CVi度)経ると、微結晶が成長し、軟磁気
性をそこなうという欠点があった。軟磁気特性の熱安定
性は、積層膜(Fe/5in2、FeSi/510g、
FeSi/NiFe、FeC/NiFeなど)で高々3
50°C1FeMC微結晶膜で高々600°Cである。
本発明は、以上の従来技術の欠点を改善するためになさ
れたちので、へンド加工時の熱工程における磁性膜の結
晶粒の成長を抑制できるf磁性薄膜積層体を提供するこ
とを目的としている。
れたちので、へンド加工時の熱工程における磁性膜の結
晶粒の成長を抑制できるf磁性薄膜積層体を提供するこ
とを目的としている。
(Lm題を解決するための手段および作用]上記の目的
を達成するために、本発明に係る磁性薄膜積層体は、磁
性膜と非磁性膜とが交互に積層してある磁性薄膜積層体
において、前記非磁性膜がジルコニウム、ハフニウム、
タンタル、チタニウムまたはニオブの1種以上の炭化物
からなることを特徴としている。
を達成するために、本発明に係る磁性薄膜積層体は、磁
性膜と非磁性膜とが交互に積層してある磁性薄膜積層体
において、前記非磁性膜がジルコニウム、ハフニウム、
タンタル、チタニウムまたはニオブの1種以上の炭化物
からなることを特徴としている。
磁性膜は、鉄またはコバルトの少なくともいずれか一方
と、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、チタニウム
またはニオブの1種以上と、炭素とからなるものが望ま
しい。また、磁性膜には、アルミニウム、ガリウム、ケ
イ素またはゲルマニウムの少なくとも1種以上を添加す
ることができる。
と、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、チタニウム
またはニオブの1種以上と、炭素とからなるものが望ま
しい。また、磁性膜には、アルミニウム、ガリウム、ケ
イ素またはゲルマニウムの少なくとも1種以上を添加す
ることができる。
上記の如く構成した本発明は、非磁性膜が炭素と親和力
の強いZr、Hf、Ta、Ti、Nb(D一種以上の炭
化物によって構成してある。このため、磁性薄膜積層体
を磁気ヘッドに加工する際のガラスを溶着する熱工程に
おいて、磁性薄膜積層体に700°C程度の高温が作用
しても、上記の炭化物の融点が3000 ’C程度と高
く安定なことから磁性膜内の結晶粒がIll厚方向に拡
散、成長することを妨げる。従って、熱工程における磁
性膜内の結晶粒が大きく成長することによる透磁率の低
下、保磁力が大きくなることを阻止でき、良好な磁気ヘ
ッドを得ることができる。
の強いZr、Hf、Ta、Ti、Nb(D一種以上の炭
化物によって構成してある。このため、磁性薄膜積層体
を磁気ヘッドに加工する際のガラスを溶着する熱工程に
おいて、磁性薄膜積層体に700°C程度の高温が作用
しても、上記の炭化物の融点が3000 ’C程度と高
く安定なことから磁性膜内の結晶粒がIll厚方向に拡
散、成長することを妨げる。従って、熱工程における磁
性膜内の結晶粒が大きく成長することによる透磁率の低
下、保磁力が大きくなることを阻止でき、良好な磁気ヘ
ッドを得ることができる。
磁性膜が鉄またはコバルトの少なくともいずれか一方と
、Zr、、Hf、Ta、、Ti、Nbの工種以上と、炭
素とからなるものであると、磁性膜の熱処理の際に、炭
素と親和力の強いZr、Hf、Ta、Ti、Nbが、磁
性結晶粒の界面に炭化物を形成する。このため、磁気へ
ンドに加工する際の熱工程において、これらの炭化物が
磁性膜の面内における結晶粒の成長を妨げ、結晶粒を微
細な状態に維持し、透磁率の低下を防止する。
、Zr、、Hf、Ta、、Ti、Nbの工種以上と、炭
素とからなるものであると、磁性膜の熱処理の際に、炭
素と親和力の強いZr、Hf、Ta、Ti、Nbが、磁
性結晶粒の界面に炭化物を形成する。このため、磁気へ
ンドに加工する際の熱工程において、これらの炭化物が
磁性膜の面内における結晶粒の成長を妨げ、結晶粒を微
細な状態に維持し、透磁率の低下を防止する。
この磁性膜中のZr、Hf、Ta、Ti、Nb;よ、5
〜15at%がよい(信学技報MR89−12(198
9))、第工3回日木応磁講演概要集25aD−2(1
989))、これらがあまり多いと、強磁性体であるF
eまたはCo0)割合が少なくなり、保磁力が大きくな
ったり、飽和磁化が小さくなるなど、磁気特性が低下す
る。また、Zr、Hf、Ta、Ti、Nbが5at%よ
り少ないと、炭化物を形成して結晶粒の成長を防止する
効果が小さくなる。一方、Cの含有量は、上記のZr、
Hf、、Ta、TiまたはNbと炭化物を形成する量で
あって、7〜20a t%が望ましい(信学技報MR8
9−12(1989))、第13回日本応磁講演概要集
25aD−2(1989))。Cの含有量が多すぎると
保磁力が大きくなったり、飽和磁化が低下するし、Cが
少なすぎると、充分な量の炭化物を形成できない。
〜15at%がよい(信学技報MR89−12(198
9))、第工3回日木応磁講演概要集25aD−2(1
989))、これらがあまり多いと、強磁性体であるF
eまたはCo0)割合が少なくなり、保磁力が大きくな
ったり、飽和磁化が小さくなるなど、磁気特性が低下す
る。また、Zr、Hf、Ta、Ti、Nbが5at%よ
り少ないと、炭化物を形成して結晶粒の成長を防止する
効果が小さくなる。一方、Cの含有量は、上記のZr、
Hf、、Ta、TiまたはNbと炭化物を形成する量で
あって、7〜20a t%が望ましい(信学技報MR8
9−12(1989))、第13回日本応磁講演概要集
25aD−2(1989))。Cの含有量が多すぎると
保磁力が大きくなったり、飽和磁化が低下するし、Cが
少なすぎると、充分な量の炭化物を形成できない。
また、上記の磁性膜にAlXGa、S i、Geを添加
すると、保磁力を低下させることができる。
すると、保磁力を低下させることができる。
これらの元素は、Feの磁歪を低下させることから保磁
力を低下させる作用がある。しかし、添加量は、8at
%以下か望ましい。添加量が8at%を超えると、飽和
磁化が14KG以下となり高飽和磁化材料としては不十
分である。
力を低下させる作用がある。しかし、添加量は、8at
%以下か望ましい。添加量が8at%を超えると、飽和
磁化が14KG以下となり高飽和磁化材料としては不十
分である。
〔実施例]
鉄ターゲツト上にZr、Hf、Ta、、TiまたはNb
のいずれかのチップと炭素チップとを配置し、スパッタ
リングによって基板上にFe−M−Cからなるアモルフ
ァス磁性膜を、100〜2000人形成する。但し、こ
こにMは、Zr、Hf、Ta、Ti、Nbのいずれかで
ある。次に、Z r。
のいずれかのチップと炭素チップとを配置し、スパッタ
リングによって基板上にFe−M−Cからなるアモルフ
ァス磁性膜を、100〜2000人形成する。但し、こ
こにMは、Zr、Hf、Ta、Ti、Nbのいずれかで
ある。次に、Z r。
Hf、Ta5Ti、Nbのいずれかからなルターゲソト
と炭素からなるターゲットとを同時にスパッタリングし
、M−Cの非磁性膜を数10〜200A戚膜する。ただ
し、ここにMは、上記と同しZr、Hf、Ta、Ti、
Nbのいずれかである。
と炭素からなるターゲットとを同時にスパッタリングし
、M−Cの非磁性膜を数10〜200A戚膜する。ただ
し、ここにMは、上記と同しZr、Hf、Ta、Ti、
Nbのいずれかである。
さらに、このMC非磁性膜の上に前記のFe−M−Cア
モルファス磁性膜、MC非磁性膜を交互にスパッタリン
グによって積層し、全体として数μm〜数10μmの厚
さの磁性Fi膜積層体にする。
モルファス磁性膜、MC非磁性膜を交互にスパッタリン
グによって積層し、全体として数μm〜数10μmの厚
さの磁性Fi膜積層体にする。
その後、上記の積層した磁性薄膜積層体を熱処理をし、
アモルファス磁性膜を結晶化する。このとき、磁性膜中
の炭素と親和力のあるMは、Cと結合して炭化物となっ
て結晶粒界に析出するとともに、非磁性膜のMが炭化物
を形成する。
アモルファス磁性膜を結晶化する。このとき、磁性膜中
の炭素と親和力のあるMは、Cと結合して炭化物となっ
て結晶粒界に析出するとともに、非磁性膜のMが炭化物
を形成する。
スパッタリングの条件は、通常のスパッタリング条件で
よく、例えば磁性膜を成膜する場合、真空度lX10”
Torrのチャンバ内を2×1゜3Torrのアルゴン
ガス雰囲気にし、MとCのチップを配置した20.32
cm (8インチ)の鉄ターゲツトに1kWの電力を投
入し、マグネトロンスパッタによって基板にFeZrC
アモルファス磁性膜を形成する。また、非磁性膜を成膜
する場合にも同様である。
よく、例えば磁性膜を成膜する場合、真空度lX10”
Torrのチャンバ内を2×1゜3Torrのアルゴン
ガス雰囲気にし、MとCのチップを配置した20.32
cm (8インチ)の鉄ターゲツトに1kWの電力を投
入し、マグネトロンスパッタによって基板にFeZrC
アモルファス磁性膜を形成する。また、非磁性膜を成膜
する場合にも同様である。
積層した磁性薄膜積層体の熱処理は、500 ”C〜6
00 ”Cの雰囲気中に30分〜2時間程度保持してア
ニール処理を行う。
00 ”Cの雰囲気中に30分〜2時間程度保持してア
ニール処理を行う。
く具体的実施例〉
20.32cmの鉄ターゲツト上にZrと炭素とのチッ
プを配置し、2X10−’Torrアルゴンガス雰囲気
中においてマグネトロンスパッタにより、第1図(A)
のように基板12上に、Zrが6+−10at%、Cが
l O= 15 a t%のアモルファスのFeZrC
からなる磁性111j14を約1OOOλの成膜した。
プを配置し、2X10−’Torrアルゴンガス雰囲気
中においてマグネトロンスパッタにより、第1図(A)
のように基板12上に、Zrが6+−10at%、Cが
l O= 15 a t%のアモルファスのFeZrC
からなる磁性111j14を約1OOOλの成膜した。
その後、zrとCとのターゲットを2X10−3Tor
rアルゴンガス雰囲気中でスパッタリングし、ZrCか
らなる非磁性膜16を約20入形成した。さらに、この
非磁性膜16上にFeZrCの磁性膜14とZrCの非
磁性膜16とを交互に成膜し、磁性薄膜積層体20を形
成した。次に、上記のように形成した磁性薄膜積層体2
0を600℃で30分保持してアニール処理を施した。
rアルゴンガス雰囲気中でスパッタリングし、ZrCか
らなる非磁性膜16を約20入形成した。さらに、この
非磁性膜16上にFeZrCの磁性膜14とZrCの非
磁性膜16とを交互に成膜し、磁性薄膜積層体20を形
成した。次に、上記のように形成した磁性薄膜積層体2
0を600℃で30分保持してアニール処理を施した。
このアニール処理をした磁性薄膜積層体20の磁性膜1
2を電子顕微鏡によって観察したところ、第1図(B)
に模式図で示したように、平均結晶粒数10入の磁性微
結晶粒22が形成されているとともに、結晶粒界にZr
の炭化物24の析出していることが観察された。また、
非磁性膜16は、Zrが炭化物となっていた(図示せず
)、そして、上記磁性薄膜積層体20の飽和磁化(4π
MS)、保(B力(Hi、i3I率(μ)を測定したと
ころ、飽和磁化が15〜16kC;、保磁力が0.50
e以下、5MHzにおける透磁率が3000以上であっ
た。
2を電子顕微鏡によって観察したところ、第1図(B)
に模式図で示したように、平均結晶粒数10入の磁性微
結晶粒22が形成されているとともに、結晶粒界にZr
の炭化物24の析出していることが観察された。また、
非磁性膜16は、Zrが炭化物となっていた(図示せず
)、そして、上記磁性薄膜積層体20の飽和磁化(4π
MS)、保(B力(Hi、i3I率(μ)を測定したと
ころ、飽和磁化が15〜16kC;、保磁力が0.50
e以下、5MHzにおける透磁率が3000以上であっ
た。
一方、実施例の磁性薄膜積層体2oの熱処理温度と保磁
力との関係を求めたところ、第2図に示した結果が得ら
れた。
力との関係を求めたところ、第2図に示した結果が得ら
れた。
FeS iからなる磁性膜とSi○からなる非磁性膜と
を積層した従来例Iの磁性薄膜積層体は、熱処理温度が
350°Cを越えると保磁力が角、激に大きくなる。こ
のため、従来例Iは、磁気ヘッドに加工する際のガラス
を溶着する熱工程において、結晶粒が成長じて透磁率の
低下を招き、保磁力が大きくなる。また、FeZrCの
みからなる従来例■は、処理温度が600°Cを越える
と保磁力が急激に大きくなる。従って、従来例■は、従
来例Iより熱特性が優れている。
を積層した従来例Iの磁性薄膜積層体は、熱処理温度が
350°Cを越えると保磁力が角、激に大きくなる。こ
のため、従来例Iは、磁気ヘッドに加工する際のガラス
を溶着する熱工程において、結晶粒が成長じて透磁率の
低下を招き、保磁力が大きくなる。また、FeZrCの
みからなる従来例■は、処理温度が600°Cを越える
と保磁力が急激に大きくなる。従って、従来例■は、従
来例Iより熱特性が優れている。
しかし、本実施例のFeZrCとZrCとからなる磁性
薄膜積層体20は、処理温度が750°Cであっても保
磁力を1以下に保つことができ、透磁率がほとんど低下
しない。じかも、保(B力を0゜5以下にすることがで
き、従来例1、従来例■よりも保磁力が小さく、これら
よりも優れた磁気特性を示している。
薄膜積層体20は、処理温度が750°Cであっても保
磁力を1以下に保つことができ、透磁率がほとんど低下
しない。じかも、保(B力を0゜5以下にすることがで
き、従来例1、従来例■よりも保磁力が小さく、これら
よりも優れた磁気特性を示している。
なお、前記実施例においては、磁性体薄膜12がFeZ
rCからなる場合について説明したが、上記の磁性体薄
嘆中にAl4.Ga、S i、Geのいずれか一種また
は複数種を添加してもよい。A2、Ga、S i、Ge
は、保磁力を低下させる性質を有していることが知られ
ており、FeZrCの磁性膜14にこれらを添加すると
、磁性膜12の保磁力をより低下させることができる。
rCからなる場合について説明したが、上記の磁性体薄
嘆中にAl4.Ga、S i、Geのいずれか一種また
は複数種を添加してもよい。A2、Ga、S i、Ge
は、保磁力を低下させる性質を有していることが知られ
ており、FeZrCの磁性膜14にこれらを添加すると
、磁性膜12の保磁力をより低下させることができる。
ただし、A1、Ga、SiまたはGeの添加量は、8a
t%以下が望ましい。これらの添加量が8at%を超え
ると、飽和磁化が14KG以上となるる。
t%以下が望ましい。これらの添加量が8at%を超え
ると、飽和磁化が14KG以上となるる。
また、前記実施例においては、FeZrCの磁性膜14
どZrCの非磁性膜16とを積層した場合について説明
したが、基膜のZrの代わりにHf、Ta、Ti、Nb
のいずれを用いても同様の効果を得ることができ、また
Zr、、Hf、Ta、Ti、Nbの複数を含ませてもよ
い。そして、前記実施例においては、Feを主成分とす
る場合について説明したが、Feに代えてCoを使用し
てもよい。
どZrCの非磁性膜16とを積層した場合について説明
したが、基膜のZrの代わりにHf、Ta、Ti、Nb
のいずれを用いても同様の効果を得ることができ、また
Zr、、Hf、Ta、Ti、Nbの複数を含ませてもよ
い。そして、前記実施例においては、Feを主成分とす
る場合について説明したが、Feに代えてCoを使用し
てもよい。
[発明の効果]
以上に説明したように、本発明によれば、磁性膜と交互
に積層した非磁性膜をZr、Hf、Ta、TiまたはN
bの1種以上からなる炭化物によって構成したことによ
り、この炭化物が磁性膜中の磁性結晶粒の膜厚方向に拡
散、成長するのを阻止し、i!!fi率粒が低下するこ
とを防止する。
に積層した非磁性膜をZr、Hf、Ta、TiまたはN
bの1種以上からなる炭化物によって構成したことによ
り、この炭化物が磁性膜中の磁性結晶粒の膜厚方向に拡
散、成長するのを阻止し、i!!fi率粒が低下するこ
とを防止する。
そして、磁性膜を、鉄またはコバルトの少なくともいず
れか一方と、ジルコニウム、 ハフニウム、タンタル、
チタニウムまたはニオブの1種以上と、炭素とによって
形成すると、磁性膜の熱処理の際に、炭素と親和力の強
いZr、Hf、Ta、Ti、Nbが、磁性結晶粒の界面
に炭化物を形成し、磁気ヘッドに加工する際の熱工程に
おいて、これらの炭化物が磁性膜の面内における結晶粒
の成長を妨げ、結晶粒を微細な状態に維持し、透磁率の
低下を防止する。
れか一方と、ジルコニウム、 ハフニウム、タンタル、
チタニウムまたはニオブの1種以上と、炭素とによって
形成すると、磁性膜の熱処理の際に、炭素と親和力の強
いZr、Hf、Ta、Ti、Nbが、磁性結晶粒の界面
に炭化物を形成し、磁気ヘッドに加工する際の熱工程に
おいて、これらの炭化物が磁性膜の面内における結晶粒
の成長を妨げ、結晶粒を微細な状態に維持し、透磁率の
低下を防止する。
また、磁性膜に、アルミニウム、ガリウム、ケイ素また
はゲルマニウムの少なくとも1種以上を添カロすると、
保磁力を低下させることができる。
はゲルマニウムの少なくとも1種以上を添カロすると、
保磁力を低下させることができる。
第1図は本発明の実施例に係る磁性薄膜積層体の説明図
、第2図は実施例と従来例との熱処理温度と保磁力との
関係を示す図である。 14 磁性膜、16− 非磁性膜、20−・磁性薄膜
積層体、22− 磁性結晶粒、24 ・−・炭化物。 (A) 第1図
、第2図は実施例と従来例との熱処理温度と保磁力との
関係を示す図である。 14 磁性膜、16− 非磁性膜、20−・磁性薄膜
積層体、22− 磁性結晶粒、24 ・−・炭化物。 (A) 第1図
Claims (3)
- (1)磁性膜と非磁性膜とが交互に積層してある磁性薄
膜積層体において、前記非磁性膜がジルコニウム、ハフ
ニウム、タンタル、チタニウムまたはニオブの1種以上
の炭化物からなることを特徴とする磁性薄膜積層体。 - (2)前記磁性膜は、鉄またはコバルトの少なくともい
ずれか一方と、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、
チタニウムまたはニオブの1種以上と、炭素とからなる
ことを特徴とする請求項1に記載の磁性薄膜積層体。 - (3)前記磁性膜に、アルミニウム、ガリウム、ケイ素
またはゲルマニウムの1種以上を含ませたことを特徴と
する請求項2に記載の磁性薄膜積層体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34104289A JPH03203308A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 磁性薄膜積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34104289A JPH03203308A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 磁性薄膜積層体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03203308A true JPH03203308A (ja) | 1991-09-05 |
Family
ID=18342696
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34104289A Pending JPH03203308A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 磁性薄膜積層体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03203308A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0412508A (ja) * | 1990-05-02 | 1992-01-17 | Alps Electric Co Ltd | 軟磁性合金膜 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63119210A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-23 | Hitachi Ltd | 非晶質磁性膜および磁気ヘツド |
JPS6428343A (en) * | 1987-07-23 | 1989-01-30 | Hitachi Metals Ltd | Alloy film for magnetic head and magnetic head using same |
-
1989
- 1989-12-29 JP JP34104289A patent/JPH03203308A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63119210A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-23 | Hitachi Ltd | 非晶質磁性膜および磁気ヘツド |
JPS6428343A (en) * | 1987-07-23 | 1989-01-30 | Hitachi Metals Ltd | Alloy film for magnetic head and magnetic head using same |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0412508A (ja) * | 1990-05-02 | 1992-01-17 | Alps Electric Co Ltd | 軟磁性合金膜 |
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