JPS6082638A - Νｉ−Ｃｏ−Ｆｅの三元系合金薄膜およびその製造方法 - Google Patents
Νｉ−Ｃｏ−Ｆｅの三元系合金薄膜およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS6082638A JPS6082638A JP58188862A JP18886283A JPS6082638A JP S6082638 A JPS6082638 A JP S6082638A JP 58188862 A JP58188862 A JP 58188862A JP 18886283 A JP18886283 A JP 18886283A JP S6082638 A JPS6082638 A JP S6082638A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic
- magnetic field
- film
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、磁性薄膜およびその製造方法に係り、特に磁
気記録用の薄膜ヘッドに使う磁気コアに適した異方性磁
界が小さく高周波領域の透磁率が高いＮ ｉ −Ｃｏ
−Ｆ ｅ三元系合金【１１！、膜およびその製造方法に
関するものである。
気記録用の薄膜ヘッドに使う磁気コアに適した異方性磁
界が小さく高周波領域の透磁率が高いＮ ｉ −Ｃｏ
−Ｆ ｅ三元系合金【１１！、膜およびその製造方法に
関するものである。
約８０％Ｎ１−２０４Ｆｅのパーマロイから形成された
磁性薄膜は薄膜磁気ヘッドのコアとして広く使用されて
いる。この種の磁性薄膜は高周波領域で高速のスイッチ
動作をする点に特徴がある。
磁性薄膜は薄膜磁気ヘッドのコアとして広く使用されて
いる。この種の磁性薄膜は高周波領域で高速のスイッチ
動作をする点に特徴がある。
ところで、薄膜磁気ヘッドのコア材料としては従来使用
されているパーマロイより大きな飽和磁束密度を有する
磁気薄膜が開発されれば、磁気記録用薄膜として記録密
度の向上、ヘッドの信頼性向上あるいは周波数特性の向
上を図ることができるという３つの利点が期待できる。
されているパーマロイより大きな飽和磁束密度を有する
磁気薄膜が開発されれば、磁気記録用薄膜として記録密
度の向上、ヘッドの信頼性向上あるいは周波数特性の向
上を図ることができるという３つの利点が期待できる。
さて、従来のパーマロイの磁気的性質を改善させる方法
としてはパーマロイの基本組成であるＮ１−Ｊｉ’ｅ二
元系合金に第３元素としてＣＯを添加して飽和磁気密度
を大きくすることが試みられている。これらに関する技
術は多くの公知文献に開示されている。たとえばＢｒａ
ｄｌｙは１”Ｊ ｉ −Ｃ。
としてはパーマロイの基本組成であるＮ１−Ｊｉ’ｅ二
元系合金に第３元素としてＣＯを添加して飽和磁気密度
を大きくすることが試みられている。これらに関する技
術は多くの公知文献に開示されている。たとえばＢｒａ
ｄｌｙは１”Ｊ ｉ −Ｃ。
−■−ｅ三元系合金薄膜の磁気的性質について述べてお
シ、薄膜の磁歪定数が零になると単なる二元″パーマロ
イ薄膜に比べてより大きな飽和磁束密度を示す。またＣ
ｏの添加を重１：比で１ｅチ以上にすると異方性磁界が
１００ｅ以上になり、かえって透磁率は小さくなること
を開示している［Ｊｏｕｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ
ｐｌｉｙｓｉｓ、Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔｔｏ Ｖｏｌ
、 ３３ （１９６２） Ｉ）り、 １０５１〜１０５
７）。
シ、薄膜の磁歪定数が零になると単なる二元″パーマロ
イ薄膜に比べてより大きな飽和磁束密度を示す。またＣ
ｏの添加を重１：比で１ｅチ以上にすると異方性磁界が
１００ｅ以上になり、かえって透磁率は小さくなること
を開示している［Ｊｏｕｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ
ｐｌｉｙｓｉｓ、Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔｔｏ Ｖｏｌ
、 ３３ （１９６２） Ｉ）り、 １０５１〜１０５
７）。
またＴ０１＋ｎａｎけ磁歪定数が零近くになるＮｉ−Ｃ
ｏ −Ｆ ｅ三元系合金薄膜において、一方向の外部磁
場を印加しながら薄膜を作製するとｐｅ−Ｎｉ系にＣｏ
”を添加することにより異方性磁界および保磁力が大き
くなることを公知文献（Ｊ□ｕｎａ Ｉｏｆ ａｐｐｌ
ｉｅｄ ｐｈｙｓｉｓ、Ｖｏ１３８（１９６７）ｐｐ、
３４０９〜３４１０）に開示している。
ｏ −Ｆ ｅ三元系合金薄膜において、一方向の外部磁
場を印加しながら薄膜を作製するとｐｅ−Ｎｉ系にＣｏ
”を添加することにより異方性磁界および保磁力が大き
くなることを公知文献（Ｊ□ｕｎａ Ｉｏｆ ａｐｐｌ
ｉｅｄ ｐｈｙｓｉｓ、Ｖｏ１３８（１９６７）ｐｐ、
３４０９〜３４１０）に開示している。
また、磁歪定数が零近くになる組成（Ｎｉ；０〜８０重
計チ、ＣＯ；０〜９０重散チおよびＦｅ；０〜２０重量
％の組成範囲内）では飽和磁束密度がパーマロイより大
きくなることが公知文献（Ｂｏｊｏｒｔｈ著、Ｖａｒｌ
Ｎｏ５ｔｒａｎｄ社刊、’Ｆｏｒｒｏｍａｇｎｅｔｊ
ｓｍ ’ 第４刷、ｐ１６５）に明らかにされている。
計チ、ＣＯ；０〜９０重散チおよびＦｅ；０〜２０重量
％の組成範囲内）では飽和磁束密度がパーマロイより大
きくなることが公知文献（Ｂｏｊｏｒｔｈ著、Ｖａｒｌ
Ｎｏ５ｔｒａｎｄ社刊、’Ｆｏｒｒｏｍａｇｎｅｔｊ
ｓｍ ’ 第４刷、ｐ１６５）に明らかにされている。
さらに、Ｓａｋａｋｉｍａはコバルト基合金膜を作製し
た後、回転磁場中で熱処理を怖すことにより透磁率を高
めることができることを公知文献（ＩＥＦ、ＥＴｒａｎ
ｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ、 Ｖｏ
ｌ、 Ｍａｇ−１９。
た後、回転磁場中で熱処理を怖すことにより透磁率を高
めることができることを公知文献（ＩＥＦ、ＥＴｒａｎ
ｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ、 Ｖｏ
ｌ、 Ｍａｇ−１９。
１９８３ ｐｐ、 １３１〜１３５）で明らかにしてい
る。しかし、これに関する公知技術においては、非晶質
のコバルト基合金膜について示唆しでいるが、結晶質の
合金膜について回転磁場中で熱処理することによる結晶
についてはなんら開示されていない。
る。しかし、これに関する公知技術においては、非晶質
のコバルト基合金膜について示唆しでいるが、結晶質の
合金膜について回転磁場中で熱処理することによる結晶
についてはなんら開示されていない。
従来のパーマロイの薄、膜では磁歪定数が±２×１０−
６以内で異方性磁界が８〜１００ｅであるため飽和磁束
密度はＩＴ程度であシ、磁気ヘッドのコアの記録密度、
ヘッドの信頼性、周波数特性の向上を図るには不適当で
あるという問題点を有していた。
６以内で異方性磁界が８〜１００ｅであるため飽和磁束
密度はＩＴ程度であシ、磁気ヘッドのコアの記録密度、
ヘッドの信頼性、周波数特性の向上を図るには不適当で
あるという問題点を有していた。
本発明の目的は、パーマロイよシ大きな飽和磁束密度と
小、さな異方性磁界を有すると共に、高周波領域で高い
透磁率を示し、磁気ヘッドに使う磁気コア材料として好
適なＮ ｉ −ＣＯ−１ｉ’ ｅ三元系合金／シｊ膜お
よびその選造方法を提供することにちる。
小、さな異方性磁界を有すると共に、高周波領域で高い
透磁率を示し、磁気ヘッドに使う磁気コア材料として好
適なＮ ｉ −ＣＯ−１ｉ’ ｅ三元系合金／シｊ膜お
よびその選造方法を提供することにちる。
本発明は、磁気ひずみが＋２Ｘ１０−’〜−２Ｘ１０−
’の範囲の（ｒｌｉｋ示すと共に一軸方向性を有し且つ
異方性磁界が１０エルステツド以下であるＮ１−（：ｏ
−Ｆｅ三元系合金薄膜に係る。このＮ１−ｃｏ −ｐ
ｅ三元系合金薄１漢は重量比でＮ＋ ；７５チ以下、Ｃ
ｏ；１０〜９０％およびＦｅ；１５％以下の化学組成か
らなシ、高い記録密度、高いヘンズの信頼性およびよい
周波性特性が要求される磁気記録用薄、模ヘッドの磁気
コアに用いるのに適したものである。
’の範囲の（ｒｌｉｋ示すと共に一軸方向性を有し且つ
異方性磁界が１０エルステツド以下であるＮ１−（：ｏ
−Ｆｅ三元系合金薄膜に係る。このＮ１−ｃｏ −ｐ
ｅ三元系合金薄１漢は重量比でＮ＋ ；７５チ以下、Ｃ
ｏ；１０〜９０％およびＦｅ；１５％以下の化学組成か
らなシ、高い記録密度、高いヘンズの信頼性およびよい
周波性特性が要求される磁気記録用薄、模ヘッドの磁気
コアに用いるのに適したものである。
さらに、本発明は、基板上に互いに直交する方向に所定
の周波数で、繰返して外部磁場を交互に印加しながら基
板上にＮｉ−Ｃｏ−Ｆｅ三元系合金を堆積する薄膜の製
造方法を含むものである。
の周波数で、繰返して外部磁場を交互に印加しながら基
板上にＮｉ−Ｃｏ−Ｆｅ三元系合金を堆積する薄膜の製
造方法を含むものである。
通常、磁気へラドコア等において磁性膜形成部は段差部
を有している。
を有している。
磁性膜Ｍを平坦部に膜形成する場合と段差部に膜形成す
る場合とで膜全体の平均の透磁率値は異なる。即ち、第
１図に示すようにガラス基板２の平坦部で磁性膜１を形
成すると磁歪定数が少々異なっても高周波Ｉ Ｍ Ｈｚ
の透磁率値は変化しないつじかし、第２図に示すように
ガラス基板２簡に５μｍの段差（絶縁物３）分有し、２
００／ｉｍピッチで磁性膜１を形成すると、磁歪定数の
大きさにより高周波Ｉ Ｍ Ｈｚの透磁率値は大きく変
化する。
る場合とで膜全体の平均の透磁率値は異なる。即ち、第
１図に示すようにガラス基板２の平坦部で磁性膜１を形
成すると磁歪定数が少々異なっても高周波Ｉ Ｍ Ｈｚ
の透磁率値は変化しないつじかし、第２図に示すように
ガラス基板２簡に５μｍの段差（絶縁物３）分有し、２
００／ｉｍピッチで磁性膜１を形成すると、磁歪定数の
大きさにより高周波Ｉ Ｍ Ｈｚの透磁率値は大きく変
化する。
この関係を示したのが第３図である。
第３図において、磁歪定数λのＪＨＱ’、Ｊ値が＋２×
１０−’ −２ＸＩ Ｑ”” の範囲では段差部のμ／
平坦部のμの値が４に近く、段差部で膜形成された時の
高周波１１ｖｉ ｆ−Ｉ ｚでの透磁率値は殆ど変化し
なくなるのが判る。従って初透磁率値は膜形成部分に段
差部が有ると大きく変化するが、磁歪定数λの・１１′
９対（直を＋２Ｘ１０””−２Ｘ１．０−’の範囲とす
ると要求特性値を満足することが期待できる。
１０−’ −２ＸＩ Ｑ”” の範囲では段差部のμ／
平坦部のμの値が４に近く、段差部で膜形成された時の
高周波１１ｖｉ ｆ−Ｉ ｚでの透磁率値は殆ど変化し
なくなるのが判る。従って初透磁率値は膜形成部分に段
差部が有ると大きく変化するが、磁歪定数λの・１１′
９対（直を＋２Ｘ１０””−２Ｘ１．０−’の範囲とす
ると要求特性値を満足することが期待できる。
そこで、Ｎ！−Ｃｏ−ｐｅ三元系合金について磁歪定数
を＋２Ｘ１０−’ −２Ｘ１０−’の範囲に維持するこ
とができると共に、異方性磁界が１０エルステツド以下
になる合金組成はＮｉニア５％以下、Ｃｏ： １０〜９
０％、Ｆｅ二１５％以下の範囲であることを見出した。
を＋２Ｘ１０−’ −２Ｘ１０−’の範囲に維持するこ
とができると共に、異方性磁界が１０エルステツド以下
になる合金組成はＮｉニア５％以下、Ｃｏ： １０〜９
０％、Ｆｅ二１５％以下の範囲であることを見出した。
このような磁気特性を有するＮｉ−Ｃｏ−Ｆｅ三元系合
金の薄膜を製造するには基板の蒸着面に平行に直交する
方向に所定の周波数の外部磁界を加えながらＮｉ−Ｃｏ
−Ｆｅ三元系合金の微粉子全蒸着して膜を鑓積するよう
にすればよい。
金の薄膜を製造するには基板の蒸着面に平行に直交する
方向に所定の周波数の外部磁界を加えながらＮｉ−Ｃｏ
−Ｆｅ三元系合金の微粉子全蒸着して膜を鑓積するよう
にすればよい。
さらに第４図に示す蒸着装置を用すて薄膜を製造する方
法を詳細に説明する。
法を詳細に説明する。
第４図は本発明の製造方法に用いた蒸着装置の一例を示
す説明模式図であって、４は密閉状゛にしたチャンバー
である。チャンバー４の上部には第２図に示した段差部
を有するガラス基板５が保持されておシ、とのガラス基
板５に対向して抵抗加熱るつぼ６がシャッター７を介し
てチャンバー４の下部に載置されている。さらにガラス
基板５の左右端側および前後端側には薄膜を雄状する際
に、基板の蒸着面に平行にかつ直交して外部磁界を印加
できるように２対のへルムホルツコイル８が配設されて
いる。ｉたガラス基板５の上面側にはガラス基板５を加
熱できるようにヒータ９が取り付けられ、さらにガラス
基板５の一端部にはガラス基板５の温度を測定する熱電
対１０が接続され加熱温度をコントロールできるように
なっている。
す説明模式図であって、４は密閉状゛にしたチャンバー
である。チャンバー４の上部には第２図に示した段差部
を有するガラス基板５が保持されておシ、とのガラス基
板５に対向して抵抗加熱るつぼ６がシャッター７を介し
てチャンバー４の下部に載置されている。さらにガラス
基板５の左右端側および前後端側には薄膜を雄状する際
に、基板の蒸着面に平行にかつ直交して外部磁界を印加
できるように２対のへルムホルツコイル８が配設されて
いる。ｉたガラス基板５の上面側にはガラス基板５を加
熱できるようにヒータ９が取り付けられ、さらにガラス
基板５の一端部にはガラス基板５の温度を測定する熱電
対１０が接続され加熱温度をコントロールできるように
なっている。
またチャンバー４の底部側面には排気口１１が開口され
、この排気口１１には図示しない真空ポンプが連結され
、真空ポンプを作動することによｐチャンバー４内を真
空にすることができる。なお１２はガラス基板５に蒸着
した薄膜の厚さを確認する膜厚モニターである。
、この排気口１１には図示しない真空ポンプが連結され
、真空ポンプを作動することによｐチャンバー４内を真
空にすることができる。なお１２はガラス基板５に蒸着
した薄膜の厚さを確認する膜厚モニターである。
このような蒸着装置において、抵抗加熱るつぼ６内に装
入したＮｉ１ＣＯＸＦｅのいずれか２種以上の合金を加
熱気化させ、気化した金属微粒子Ｆｋ交するヘルムホル
ツコイル８によって外部磁界全交互にスイッチングさせ
て印加しているガラス基板５上に蒸着することにより一
軸異方性を有する磁性薄膜を製造することができる。
入したＮｉ１ＣＯＸＦｅのいずれか２種以上の合金を加
熱気化させ、気化した金属微粒子Ｆｋ交するヘルムホル
ツコイル８によって外部磁界全交互にスイッチングさせ
て印加しているガラス基板５上に蒸着することにより一
軸異方性を有する磁性薄膜を製造することができる。
ところで、膜形成に際し、他磁気下および一方向の外部
磁場下では一軸異方性を有するｊ漢をｉ挿ることができ
るが、異方性磁界が犬きくなシ好ましくない。本発明の
ようにｊ膜堆積用基板上に直交する方向に互いに所定の
周波数で操シ返して外部磁場を印加すると、−軸異方性
を示すと共に、異方性磁界の小さな磁性Ｎ膜をうろこと
ができる。さらに、繰シ返し周波数を高くすればよシ好
ましい傾向を示す。また数十エルステッドの外部磁界を
基板の蒸着面内に直交方向にスイッチングさせて印加さ
せながら、０．０５μｍ以上の磁性薄膜を形成した場合
には膜の異方性磁界を１０エルステツド以下にすること
ができる。（ｍ性薄膜’ｘ；１２図に示す如く絶縁膜を
磁性膜と基板の間に介在させる多層構造にすれば、さら
に小さな異方性磁界にすることができる。
磁場下では一軸異方性を有するｊ漢をｉ挿ることができ
るが、異方性磁界が犬きくなシ好ましくない。本発明の
ようにｊ膜堆積用基板上に直交する方向に互いに所定の
周波数で操シ返して外部磁場を印加すると、−軸異方性
を示すと共に、異方性磁界の小さな磁性Ｎ膜をうろこと
ができる。さらに、繰シ返し周波数を高くすればよシ好
ましい傾向を示す。また数十エルステッドの外部磁界を
基板の蒸着面内に直交方向にスイッチングさせて印加さ
せながら、０．０５μｍ以上の磁性薄膜を形成した場合
には膜の異方性磁界を１０エルステツド以下にすること
ができる。（ｍ性薄膜’ｘ；１２図に示す如く絶縁膜を
磁性膜と基板の間に介在させる多層構造にすれば、さら
に小さな異方性磁界にすることができる。
本発明法において、Ｎ’ Ｃｏ Ｉ″ｅの三元系合金の
１）引ハ所定の配合組成の一つの蒸着源から蒸着してえ
られる。この際の蒸着用７°ｊＯ熱源として（は、抵抗
加熱を用いているが、・ｄ子ビーム加熱その他の加熱方
法を用いるのも適宜である。蒸着の際のｑく空度は５Ｘ
１０−”ｆｏｒｒ 以下がよく、特にバラツキが少なく
且つ異方性磁界の小さい換言すれば高透磁率の合金５膜
をうるにはｌＸｌ０−６Ｔｏｒｒ以下にするのが好まし
い。址だ蒸Ｍは拳板の温度を２００〜４００Ｃの範囲に
して膜形成するのが普通でちり、特にバラツキが少なく
且つ異方性磁界の小さい合金膜をつるには約３５００が
望ましい。
１）引ハ所定の配合組成の一つの蒸着源から蒸着してえ
られる。この際の蒸着用７°ｊＯ熱源として（は、抵抗
加熱を用いているが、・ｄ子ビーム加熱その他の加熱方
法を用いるのも適宜である。蒸着の際のｑく空度は５Ｘ
１０−”ｆｏｒｒ 以下がよく、特にバラツキが少なく
且つ異方性磁界の小さい換言すれば高透磁率の合金５膜
をうるにはｌＸｌ０−６Ｔｏｒｒ以下にするのが好まし
い。址だ蒸Ｍは拳板の温度を２００〜４００Ｃの範囲に
して膜形成するのが普通でちり、特にバラツキが少なく
且つ異方性磁界の小さい合金膜をつるには約３５００が
望ましい。
この実施例は本発明に係る磁性薄膜を第４図に示した製
造装置を用いて製造した一例である。
造装置を用いて製造した一例である。
製造条件は第１表に示す通りである。
第−１表
なお、比較のために、直交スイッチング磁界中で膜形成
しないで、従来使用されている一方向の磁界中で膜形成
した。
しないで、従来使用されている一方向の磁界中で膜形成
した。
このようにして得られた本発明の磁性薄膜および従来の
磁性薄膜についてのＢ−Ｈ特性を第５図第６図に示す。
磁性薄膜についてのＢ−Ｈ特性を第５図第６図に示す。
図において、１３は磁化容易軸方向のＢ−Ｈ曲ｉ１．１
４は磁化困難線方向のＢ−Ｈ曲線を示す。また、その他
の磁気特性および膜組成の結果は第２表に示す通りであ
る。
４は磁化困難線方向のＢ−Ｈ曲線を示す。また、その他
の磁気特性および膜組成の結果は第２表に示す通りであ
る。
以上の結果から明らかなように、本発明ｅこよる磁性薄
膜は一軸異方性金示すと共に、異方性磁界が小さいのに
伴い１００ ＩＶｉＨｚ の透磁率が１４００と高いの
に比べて、従来による磁性７１ｇ膜では４誠界印加方法
ｆ ６００ ｅの一方向外部磁界下で１艮形成したため
に一軸異方性を示すが、異方性磁界が大きく、それに伴
って１００ ＭＩ−Ｉ２ の透イ１べ率が５００と小さ
くなることがわかった。
膜は一軸異方性金示すと共に、異方性磁界が小さいのに
伴い１００ ＩＶｉＨｚ の透磁率が１４００と高いの
に比べて、従来による磁性７１ｇ膜では４誠界印加方法
ｆ ６００ ｅの一方向外部磁界下で１艮形成したため
に一軸異方性を示すが、異方性磁界が大きく、それに伴
って１００ ＭＩ−Ｉ２ の透イ１べ率が５００と小さ
くなることがわかった。
このように一方向の外部磁界下で形成した磁性薄膜につ
いて、異方性磁界を小さくすることを目的に直交スイッ
チング磁界中で熱処理を施したが、異方性磁界を小さく
する効果はほとんどなかった。
いて、異方性磁界を小さくすることを目的に直交スイッ
チング磁界中で熱処理を施したが、異方性磁界を小さく
する効果はほとんどなかった。
一方、本発明による直交スイッチング磁界中で形成した
磁性薄膜はμｍｆ特性において浸れた高周波特性を示す
ことがわかった。さらに、本発明に係る磁性薄膜におい
ては、を色縁物を中間層として介在させる積層構造にし
、その全層数を多くする程、並びに中間絶縁層の厚さを
薄くする程高周波領域での透磁率値を一段と高くするこ
とができる。
磁性薄膜はμｍｆ特性において浸れた高周波特性を示す
ことがわかった。さらに、本発明に係る磁性薄膜におい
ては、を色縁物を中間層として介在させる積層構造にし
、その全層数を多くする程、並びに中間絶縁層の厚さを
薄くする程高周波領域での透磁率値を一段と高くするこ
とができる。
本発明のＮ ｉ−ｃｏ −Ｆ ｅ三元系合金膜では、そ
の構成する元素Ｎｉ、Ｃｏ、 Ｆｅの蒸気圧が比較的類
似しているため、同一組成の膜を工業的に再現性よく得
ることができる。
の構成する元素Ｎｉ、Ｃｏ、 Ｆｅの蒸気圧が比較的類
似しているため、同一組成の膜を工業的に再現性よく得
ることができる。
以上の説明においては合金膜を形成する方法として真空
蒸着法を例に説明したが、本発明においてはこの方法に
限定されるものでなく、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法、メッキ法およびスプラットクーリング法
のいずれの方法も有効であることはもちろんである。
蒸着法を例に説明したが、本発明においてはこの方法に
限定されるものでなく、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法、メッキ法およびスプラットクーリング法
のいずれの方法も有効であることはもちろんである。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、パー
マロイより大きな飽和磁束密度と小さな異方性磁界を有
すると共に、高周波頃域で被透磁率の大きな一軸異方性
の膜を形成できるので磁気記録用の薄膜ヘッドのコア材
料に適用でき、高密度記録化に適する。
マロイより大きな飽和磁束密度と小さな異方性磁界を有
すると共に、高周波頃域で被透磁率の大きな一軸異方性
の膜を形成できるので磁気記録用の薄膜ヘッドのコア材
料に適用でき、高密度記録化に適する。
第１図は基板の平坦部に形成した膜を示す斜視図、第２
図は基板の段差部に形成した膜を示す斜の 視図、第３図は磁歪定数λと段差へμ／平坦部のμの値
との関係を示す線図、第４図は本発明を実施するのに用
いた製造装置の一例を示す説明模式図、第５図は本発明
に係るＮ ｉ −ｃｏ −Ｆｅ三元系合金膜のＢ−Ｈ曲
線を示す線図、第６図は従来法による合金膜のＢ−Ｈ曲
、線を示す線図である。 １・・・薄膜、２・・・基板、３・・・杷縁物。 代理人 弁理士 鵜沼辰之 第 １ 目 魁 １塾 ＼ 第２２ 駕 第３ 固 猛歪定数入（Ｘ ｔｏカ ド・ 第５ 目 ３ 第６ 口 ／、３ 第１頁の続き ０発 明 者 原 真 −日立市幸町 所内 ０発 明 者 華 園 雅 信 日立市幸町所内
図は基板の段差部に形成した膜を示す斜の 視図、第３図は磁歪定数λと段差へμ／平坦部のμの値
との関係を示す線図、第４図は本発明を実施するのに用
いた製造装置の一例を示す説明模式図、第５図は本発明
に係るＮ ｉ −ｃｏ −Ｆｅ三元系合金膜のＢ−Ｈ曲
線を示す線図、第６図は従来法による合金膜のＢ−Ｈ曲
、線を示す線図である。 １・・・薄膜、２・・・基板、３・・・杷縁物。 代理人 弁理士 鵜沼辰之 第 １ 目 魁 １塾 ＼ 第２２ 駕 第３ 固 猛歪定数入（Ｘ ｔｏカ ド・ 第５ 目 ３ 第６ 口 ／、３ 第１頁の続き ０発 明 者 原 真 −日立市幸町 所内 ０発 明 者 華 園 雅 信 日立市幸町所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、重量比でＮｉニア５チ以下、ＣＯ：１０〜９０チお
よびＦｅ：１５％以下からなるＮｉ−Ｃｏ−Ｆｅ三元系
合金の薄膜において、膜の磁気ひずみ値が＋２ Ｘ １
０−’ −２刈０−６の範囲で一軸異方性を有し且つ異
方性磁界が１０エルステッド以下であることを特徴とす
るＮ１−Ｃｏ−ｐｅ三元系合金の薄膜。 ２、ｉ：ｌ’ｊ膜の厚さが０．０５ミクロン以上である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＮｉ−Ｃ
ｏ−Ｆｅ三元系合金の薄膜。 ３、基板上にＮ ｉ −ｃｏ −Ｆｅ三元系合金を堆積
して薄膜を製造するにあたり、前記基板上面で互いに直
交する方向に所定の周波数で外部磁界を交互に印加しな
がら基板上に薄膜を堆積することを特徴とするＮ１−ｃ
ｏ−：［ｉ”ｅ三元系合金の製造方法。 ４、基板上に真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブ
レーティング法、メッキ法あるいはスプラットクーリン
グ法のいずれかの方法で薄膜を堆積することを特徴とす
る特許請求の範囲第３項記載のＮ ｉ −ｃｏ −Ｆ
ｅ三元系合金薄膜の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58188862A JPS6082638A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | Νｉ−Ｃｏ−Ｆｅの三元系合金薄膜およびその製造方法 |
| US06/658,161 US4623439A (en) | 1983-10-07 | 1984-10-05 | Thin film of Ni-Co-Fe ternary alloy and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58188862A JPS6082638A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | Νｉ−Ｃｏ−Ｆｅの三元系合金薄膜およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6082638A true JPS6082638A (ja) | 1985-05-10 |
| JPH0553852B2 JPH0553852B2 (ja) | 1993-08-11 |
Family
ID=16231159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58188862A Granted JPS6082638A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | Νｉ−Ｃｏ−Ｆｅの三元系合金薄膜およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4623439A (ja) |
| JP (1) | JPS6082638A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01223611A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-09-06 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置 |
| JPH05263170A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-12 | Hitachi Ltd | 磁性合金膜及びその製造方法 |
| US6262867B1 (en) | 1995-02-03 | 2001-07-17 | Hitachi, Ltd | Thin film magnetic head with Ni-Fe alloy thin film |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6176642A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-19 | Hitachi Ltd | Ｃｏ―Ｎｉ―Ｆｅ合金の電気めっき浴及び電気めっき方法 |
| US4880514A (en) * | 1985-05-03 | 1989-11-14 | Akshic Memories Corporation | Method of making a thin film magnetic disk |
| EP0396227B1 (en) * | 1989-05-01 | 1995-05-17 | Quantum Corporation | Magnetic devices with enhanced poles |
| US5683568A (en) * | 1996-03-29 | 1997-11-04 | University Of Tulsa | Electroplating bath for nickel-iron alloys and method |
| JP5155755B2 (ja) * | 2008-07-10 | 2013-03-06 | 株式会社荏原製作所 | 磁性体膜めっき装置及びめっき処理設備 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4825664A (ja) * | 1971-08-06 | 1973-04-03 | ||
| JPS5964734A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-12 | Nippon Gakki Seizo Kk | Ｃｏ−Ｎｉ系磁性合金 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3095319A (en) * | 1958-05-28 | 1963-06-25 | Gen Electric Co Ltd | Manufacture of apparatuses including thin magnetic films |
| US3047423A (en) * | 1958-12-17 | 1962-07-31 | Ibm | Isotropic thin magnetic film |
| US3303117A (en) * | 1964-12-23 | 1967-02-07 | Ibm | Process for cathodically sputtering a ferromagnetic thin film of a nickeliron-molybdenum alloy |
| US3577326A (en) * | 1968-07-12 | 1971-05-04 | Ibm | Process for making a magnetic data storage element |
| GB1599161A (en) * | 1976-07-15 | 1981-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium and method of making the same |
-
1983
- 1983-10-07 JP JP58188862A patent/JPS6082638A/ja active Granted
-
1984
- 1984-10-05 US US06/658,161 patent/US4623439A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4825664A (ja) * | 1971-08-06 | 1973-04-03 | ||
| JPS5964734A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-12 | Nippon Gakki Seizo Kk | Ｃｏ−Ｎｉ系磁性合金 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01223611A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-09-06 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置 |
| JPH05263170A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-12 | Hitachi Ltd | 磁性合金膜及びその製造方法 |
| US6262867B1 (en) | 1995-02-03 | 2001-07-17 | Hitachi, Ltd | Thin film magnetic head with Ni-Fe alloy thin film |
| US6385009B2 (en) | 1995-02-03 | 2002-05-07 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head and assembled construction thereof |
| US6490131B2 (en) | 1995-02-03 | 2002-12-03 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head with electroplated Ni-Fe alloy thin film having small average crystal grain size range |
| US6661606B2 (en) | 1995-02-03 | 2003-12-09 | Hitachi, Ltd. | Magnetic disk apparatus with magnetic head having upper and lower magnetic cores of an electroplated thin film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0553852B2 (ja) | 1993-08-11 |
| US4623439A (en) | 1986-11-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2004086427A1 (ja) | 垂直磁気異方性を有するＦｅＰｔ磁性薄膜とその製造方法 | |
| JPH0744110B2 (ja) | 高飽和磁束密度軟磁性膜及び磁気ヘッド | |
| US5439754A (en) | Ferromagnetic film, method of manufacturing the same, and magnetic head | |
| JP3318204B2 (ja) | 垂直磁化膜およびその製造法ならびに 垂直磁気記録媒体 | |
| JPS63119209A (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JPS6082638A (ja) | Νｉ−Ｃｏ−Ｆｅの三元系合金薄膜およびその製造方法 | |
| JP3392444B2 (ja) | 磁性人工格子膜 | |
| JP3382084B2 (ja) | 磁気ヘッド用磁性薄膜およびその製造方法ならびに該磁性薄膜を用いた磁気ヘッド | |
| US4698273A (en) | Multi-layered ferromagnetic film and method of manufacturing the same | |
| JPS58100412A (ja) | 軟質磁性材料の製法 | |
| JP3127074B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JP2925257B2 (ja) | 強磁性膜、その製造方法及び磁気ヘッド | |
| JPS63311613A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0727822B2 (ja) | Ｆｅ−Ｃｏ磁性多層膜及び磁気ヘッド | |
| JPS6039157A (ja) | 非晶質磁性合金の製造方法 | |
| JP3130407B2 (ja) | 磁性膜の製法および薄膜磁気ヘッド | |
| JPH01119005A (ja) | 磁性体膜およびその製造方法 | |
| JP2752199B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JP2893706B2 (ja) | 鉄系軟磁性膜 | |
| JPH11329882A (ja) | 交換結合膜の製造方法および磁気抵抗効果素子 | |
| KR100193703B1 (ko) | 연자성합금막과 자기헤드 및 연자성합금막의 제조방법 | |
| JPH0198203A (ja) | 磁性体膜およびその製造方法 | |
| JPS5975610A (ja) | 鉄基磁性合金薄膜およびその製造方法 | |
| Ross | Anisotropic stress in window-plated Permalloy thin films | |
| JPH02152208A (ja) | 軟磁性合金膜 |