JPH05120632A - 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツド及びその製造方法Info
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- JPH05120632A JPH05120632A JP22316491A JP22316491A JPH05120632A JP H05120632 A JPH05120632 A JP H05120632A JP 22316491 A JP22316491 A JP 22316491A JP 22316491 A JP22316491 A JP 22316491A JP H05120632 A JPH05120632 A JP H05120632A
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- Japan
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- coil conductor
- layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜磁気ヘッドの層間密着性を改善する。
【構成】 薄膜磁気ヘッド形成過程において、コイル導
体形成後で、かつ第二絶縁層の形成前に、酸素プラズマ
処理を行ない、コイル導体形成時に第一絶縁層に形成さ
れた変質層を除去するとともに、コイル導体表面に酸化
層を形成する。 【効果】 第一絶縁層と第二絶縁層の接着強度を良好な
ものとし、さらにＣｕからなるコイル導体と、レジス
ト、ポリイミド等の高分子材料からなる第二絶縁層との
密着性を改善し、良質の薄膜磁気ヘッドを提供する。
体形成後で、かつ第二絶縁層の形成前に、酸素プラズマ
処理を行ない、コイル導体形成時に第一絶縁層に形成さ
れた変質層を除去するとともに、コイル導体表面に酸化
層を形成する。 【効果】 第一絶縁層と第二絶縁層の接着強度を良好な
ものとし、さらにＣｕからなるコイル導体と、レジス
ト、ポリイミド等の高分子材料からなる第二絶縁層との
密着性を改善し、良質の薄膜磁気ヘッドを提供する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ヘッド及び薄膜
磁気ヘッドの製造方法に係わり、特にコイル導体と層間
絶縁層の密着性を良好とした薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁
気ヘッドの製造方法に関する。
磁気ヘッドの製造方法に係わり、特にコイル導体と層間
絶縁層の密着性を良好とした薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁
気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に従来の薄膜磁気ヘッドの構成例を
図３、図４を参照しながら詳しく説明する。図３は、従
来の薄膜磁気ヘッドの平面図である。図４は、図３のＡ
−Ａ’切断面に沿った薄膜磁気ヘッドの断面図である。
図３、図４を参照しながら詳しく説明する。図３は、従
来の薄膜磁気ヘッドの平面図である。図４は、図３のＡ
−Ａ’切断面に沿った薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【０００３】図３と図４に示す薄膜磁気ヘッドは、セラ
ミックあるいはフェライト等から成る基板（スライダ
ー）１の上に、パーマロイ、センダストあるいはアモル
ファス等からなる下部磁性層２が形成され、その上にＡ
ｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等からなるギャップ層３が形成されて
いる。そして、ギャップ層３の上には、レジスト、ポリ
イミド等の高分子材料からなる第一絶縁層４がコーティ
ングされ、その上にＣｕあるいはＡｌなどの導電膜から
成るコイル導体５が形成される。さらにこの上に、レジ
スト、ポリイミド等からなる第二絶縁層６、そして上部
コアとなる上部磁性層７が被覆されている。また、上部
磁性層７の上には、Ａｌ2０3，ＳｉＯ2等からなる保護
層８が設けられている。
ミックあるいはフェライト等から成る基板（スライダ
ー）１の上に、パーマロイ、センダストあるいはアモル
ファス等からなる下部磁性層２が形成され、その上にＡ
ｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等からなるギャップ層３が形成されて
いる。そして、ギャップ層３の上には、レジスト、ポリ
イミド等の高分子材料からなる第一絶縁層４がコーティ
ングされ、その上にＣｕあるいはＡｌなどの導電膜から
成るコイル導体５が形成される。さらにこの上に、レジ
スト、ポリイミド等からなる第二絶縁層６、そして上部
コアとなる上部磁性層７が被覆されている。また、上部
磁性層７の上には、Ａｌ2０3，ＳｉＯ2等からなる保護
層８が設けられている。
【０００４】そして、上記のような構成を持つ従来の薄
膜磁気ヘッドは、以下のような製造方法により製作され
る。例えばセラミックあるいはフェライト等からなる非
磁性基板１上にパーマロイ等からなる下部磁性層２をス
パッタリング法などにより規定の形状に形成し、次に、
該下部磁性層２上に、Ａｌ2０3等のギャップ層３及びレ
ジスト、ポリイミド等からなる第一絶縁層４を形成す
る。そして、該第一絶縁層４上にＣｕ等からなる導電膜
を電解メッキ法あるいはスパッタリング法等によりコイ
ル導体５に形成する。次に、該コイル導体５を含む第一
絶縁層４上にレジスト、ポリイミド等の高分子材料から
なる第二絶縁層６をコーティングし、かかる基板１上に
パーマロイ等からなる上部磁性層７をスパッタリング法
などにより規定の形状に形成した後、その上面にさらに
ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3の保護層８を被着形成する。
膜磁気ヘッドは、以下のような製造方法により製作され
る。例えばセラミックあるいはフェライト等からなる非
磁性基板１上にパーマロイ等からなる下部磁性層２をス
パッタリング法などにより規定の形状に形成し、次に、
該下部磁性層２上に、Ａｌ2０3等のギャップ層３及びレ
ジスト、ポリイミド等からなる第一絶縁層４を形成す
る。そして、該第一絶縁層４上にＣｕ等からなる導電膜
を電解メッキ法あるいはスパッタリング法等によりコイ
ル導体５に形成する。次に、該コイル導体５を含む第一
絶縁層４上にレジスト、ポリイミド等の高分子材料から
なる第二絶縁層６をコーティングし、かかる基板１上に
パーマロイ等からなる上部磁性層７をスパッタリング法
などにより規定の形状に形成した後、その上面にさらに
ＳｉＯ2またはＡｌ2Ｏ3の保護層８を被着形成する。
【０００５】以下に、従来の薄膜磁気ヘッドの問題点に
ついて、図５を参照しながら説明する。特に、薄膜磁気
ヘッド製造過程におけるコイル導体５形成過程の問題点
について詳細に説明する。図５は、薄膜磁気ヘッドのコ
イル導体部の拡大断面図である。
ついて、図５を参照しながら説明する。特に、薄膜磁気
ヘッド製造過程におけるコイル導体５形成過程の問題点
について詳細に説明する。図５は、薄膜磁気ヘッドのコ
イル導体部の拡大断面図である。
【０００６】現状の薄膜磁気ヘッド製造工程において、
コイル導体５の形成は、基板１上に下部磁性層２、ギャ
ップ層３、そしてレジスト、ポリイミド等の高分子材料
からなる第一絶縁層４を積層した後、スパッタリング等
でＣｕ等の導電膜を被膜し、前記導電膜を、以下２種の
方法のどちらかを用いて、パターニングする方法が、一
般に用いられている。一つは、電解メッキ法を用いたフ
レームメッキであり、もう一つは、イオンビームエッチ
ングである。そして、このように形成されたコイル導体
５の上には、さらに、レジスト、ポリイミドから形成さ
れる第二絶縁層６が被覆される。
コイル導体５の形成は、基板１上に下部磁性層２、ギャ
ップ層３、そしてレジスト、ポリイミド等の高分子材料
からなる第一絶縁層４を積層した後、スパッタリング等
でＣｕ等の導電膜を被膜し、前記導電膜を、以下２種の
方法のどちらかを用いて、パターニングする方法が、一
般に用いられている。一つは、電解メッキ法を用いたフ
レームメッキであり、もう一つは、イオンビームエッチ
ングである。そして、このように形成されたコイル導体
５の上には、さらに、レジスト、ポリイミドから形成さ
れる第二絶縁層６が被覆される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような工
程を経て形成された第一絶縁層４と第二絶縁層６は、密
着性が良好でなく剥離を生じ易い。なぜならば、コイル
導体５形成時、電気メッキ法を用いると、その化学エッ
チングの工程で第一絶縁層４のレジスト、ポリイミド等
の高分子材料の表面に酸の浸入による変質層４’が生じ
てしまうからである。また、イオンビームエッチング法
を用いた場合にも、イオンビームにより、第一絶縁層４
のレジスト、ポリイミド表面に変質層４’を生じる。よ
って、このような変質層４’の生成により、第一絶縁層
４と第二絶縁層６の密着性が不良となるのである。さら
に、Ｃｕを用いたコイル導体５の場合、Ｃｕとレジス
ト、ポリイミド等の高分子材料の付着力はあまり良好な
ものでなく剥離を生じ易い状態になっている。
程を経て形成された第一絶縁層４と第二絶縁層６は、密
着性が良好でなく剥離を生じ易い。なぜならば、コイル
導体５形成時、電気メッキ法を用いると、その化学エッ
チングの工程で第一絶縁層４のレジスト、ポリイミド等
の高分子材料の表面に酸の浸入による変質層４’が生じ
てしまうからである。また、イオンビームエッチング法
を用いた場合にも、イオンビームにより、第一絶縁層４
のレジスト、ポリイミド表面に変質層４’を生じる。よ
って、このような変質層４’の生成により、第一絶縁層
４と第二絶縁層６の密着性が不良となるのである。さら
に、Ｃｕを用いたコイル導体５の場合、Ｃｕとレジス
ト、ポリイミド等の高分子材料の付着力はあまり良好な
ものでなく剥離を生じ易い状態になっている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板上に、少なくとも下部磁性体とギャップ層と第
一絶縁層とコイル導体と第二絶縁層と上部磁性体と保護
層が積層されてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第一
絶縁層上部が凹凸形状に形成されその凸部上には、コイ
ル導体が形成されるとともに、第一絶縁層上には、第一
絶縁層とコイル導体とを被包した第二絶縁層が形成され
てなることを上記課題の解決手段とする。
は、基板上に、少なくとも下部磁性体とギャップ層と第
一絶縁層とコイル導体と第二絶縁層と上部磁性体と保護
層が積層されてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第一
絶縁層上部が凹凸形状に形成されその凸部上には、コイ
ル導体が形成されるとともに、第一絶縁層上には、第一
絶縁層とコイル導体とを被包した第二絶縁層が形成され
てなることを上記課題の解決手段とする。
【０００９】請求項２に記載の発明は、基板上に、少な
くとも下部磁性体とギャップ層と第一絶縁層とコイル導
体と第二絶縁層と上部磁性体と保護層を順次積層してな
る薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記コイル導体
形成後で、かつ第二絶縁層の形成前に、酸素プラズマ処
理を行ない、コイル導体形成時に第一絶縁層表面に形成
された変質層を除去するとともに、コイル導体表面に酸
化層を形成し、その後に第二絶縁層を形成することを上
記課題の解決手段とした。なお、酸素プラズマ処理は、
酸素ガスあるいは酸素を含む混合ガスを用いたプラズマ
処理であれば、全て同様な効果が期待でき、反応性エッ
チング、プラズマエッチング、アッシング法などが可能
である。
くとも下部磁性体とギャップ層と第一絶縁層とコイル導
体と第二絶縁層と上部磁性体と保護層を順次積層してな
る薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記コイル導体
形成後で、かつ第二絶縁層の形成前に、酸素プラズマ処
理を行ない、コイル導体形成時に第一絶縁層表面に形成
された変質層を除去するとともに、コイル導体表面に酸
化層を形成し、その後に第二絶縁層を形成することを上
記課題の解決手段とした。なお、酸素プラズマ処理は、
酸素ガスあるいは酸素を含む混合ガスを用いたプラズマ
処理であれば、全て同様な効果が期待でき、反応性エッ
チング、プラズマエッチング、アッシング法などが可能
である。
【００１０】
【作用】このように、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方
法においては、コイル導体形成加工後で、かつ第二絶縁
層のコーティング前に、酸素プラズマ処理を短時間行な
うことによって、コイル導体加工時に、第一絶縁層のレ
ジスト、ポリイミド等の高分子材料の表面に形成された
変質層を除去し、かつ第一絶縁層を凹凸形状とすること
で第一絶縁層と第二絶縁層の接触面積を増加させ、両者
の接着強度を良好なものとすることができる。またさら
に、コイル導体にＣｕを用いた場合、Ｃｕと第二絶縁層
のレジスト・ポリイミド等の高分子材料の付着力はあま
り良好なものでなかったが、前記酸素プラズマ処理を行
なうことにより、コイル導体の表面にＣｕ酸化膜が形成
され、Ｃｕからなるコイル導体とレジスト、ポリイミド
等の高分子材料からなる第二絶縁層との密着性を改善す
ることができる。これは、Ｃｕと高分子材料との密着性
よりも、Ｃｕの酸化膜と高分子材料との密着性の方が良
好なためである。
法においては、コイル導体形成加工後で、かつ第二絶縁
層のコーティング前に、酸素プラズマ処理を短時間行な
うことによって、コイル導体加工時に、第一絶縁層のレ
ジスト、ポリイミド等の高分子材料の表面に形成された
変質層を除去し、かつ第一絶縁層を凹凸形状とすること
で第一絶縁層と第二絶縁層の接触面積を増加させ、両者
の接着強度を良好なものとすることができる。またさら
に、コイル導体にＣｕを用いた場合、Ｃｕと第二絶縁層
のレジスト・ポリイミド等の高分子材料の付着力はあま
り良好なものでなかったが、前記酸素プラズマ処理を行
なうことにより、コイル導体の表面にＣｕ酸化膜が形成
され、Ｃｕからなるコイル導体とレジスト、ポリイミド
等の高分子材料からなる第二絶縁層との密着性を改善す
ることができる。これは、Ｃｕと高分子材料との密着性
よりも、Ｃｕの酸化膜と高分子材料との密着性の方が良
好なためである。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例を
図面を参照しながら説明する。図１は本発明における薄
膜磁気ヘッドのコイル導体部分の拡大断面図である。
図面を参照しながら説明する。図１は本発明における薄
膜磁気ヘッドのコイル導体部分の拡大断面図である。
【００１２】非磁性体からなる基板１の上に、パーマロ
イ合金などからなる下部磁性層２が、そしてその上にギ
ャップ材３が形成されている。そしてその上にレジス
ト、ポリイミド等の高分子材料からなる第一絶縁層４が
形成され、この第一絶縁層４の上部に凹凸部が形成さ
れ、凸部上にコイル導体５が設けられ、この上に第二絶
縁層６が積層されている。そして第二絶縁層６は、前記
第一絶縁層４と同様にレジスト、ポリイミド等の高分子
材料が用いられる。さらに前記第二絶縁層６を介して、
上部コアとなる上部磁性層７が形成されている。なお、
前記上部磁性層７はＮｉ−Ｆｅの合金等が用いられる。
そして、前記上部磁性層７の上には保護層８としてＡｌ
2Ｏ3やＳｉＯ2等が約５０μm被着されている。よって、
本発明による薄膜磁気ヘッドは、従来の薄膜磁気ヘッド
に比べて、第一絶縁層４と第二絶縁層６との接触面積が
増加し、第一絶縁層４と第二絶縁層６の接着強度を高め
ることができる。
イ合金などからなる下部磁性層２が、そしてその上にギ
ャップ材３が形成されている。そしてその上にレジス
ト、ポリイミド等の高分子材料からなる第一絶縁層４が
形成され、この第一絶縁層４の上部に凹凸部が形成さ
れ、凸部上にコイル導体５が設けられ、この上に第二絶
縁層６が積層されている。そして第二絶縁層６は、前記
第一絶縁層４と同様にレジスト、ポリイミド等の高分子
材料が用いられる。さらに前記第二絶縁層６を介して、
上部コアとなる上部磁性層７が形成されている。なお、
前記上部磁性層７はＮｉ−Ｆｅの合金等が用いられる。
そして、前記上部磁性層７の上には保護層８としてＡｌ
2Ｏ3やＳｉＯ2等が約５０μm被着されている。よって、
本発明による薄膜磁気ヘッドは、従来の薄膜磁気ヘッド
に比べて、第一絶縁層４と第二絶縁層６との接触面積が
増加し、第一絶縁層４と第二絶縁層６の接着強度を高め
ることができる。
【００１３】上記の第一絶縁層４と第二絶縁層６の接触
面積を従来のものと具体的な数値によって比較すると、
以下のような相対的な結果が得られる。従来の薄膜磁気
ヘッドにおいては、パターニングされた各コイル導体５
間の約１〜２μm部分に限られたが、本発明においては
各コイル導体５間の１〜２μm部分に加え、さらに凹凸
形状の第一絶縁層４凹部側壁深０．５μm×２だけ第一
絶縁層４と第二絶縁層６の接触面積が増加する。よっ
て、従来の薄膜磁気ヘッドより約２倍、第一絶縁層４と
第二絶縁層６の接触面積が増加することとなり、第一絶
縁層４と第二絶縁層６接着強度の向上を図ることができ
る。
面積を従来のものと具体的な数値によって比較すると、
以下のような相対的な結果が得られる。従来の薄膜磁気
ヘッドにおいては、パターニングされた各コイル導体５
間の約１〜２μm部分に限られたが、本発明においては
各コイル導体５間の１〜２μm部分に加え、さらに凹凸
形状の第一絶縁層４凹部側壁深０．５μm×２だけ第一
絶縁層４と第二絶縁層６の接触面積が増加する。よっ
て、従来の薄膜磁気ヘッドより約２倍、第一絶縁層４と
第二絶縁層６の接触面積が増加することとなり、第一絶
縁層４と第二絶縁層６接着強度の向上を図ることができ
る。
【００１４】以下に上記構成を持つ本発明による薄膜磁
気ヘッドの製造方法の一実施例について図２を用いて説
明する。図２は、本発明による薄膜磁気ヘッドの断面図
である。まず、非磁性の基板１上にパーマロイ、センダ
ストあるいはアモルファスなどから成る下部磁性層２
が、そしてギャップ層３、さらにその上にレジスト、ポ
リイミド等の高分子材料からなる第一絶縁層４がスパッ
タリングや蒸着やコーティングなどにより形成される。
次に、Ｃｕ膜を電解メッキ法を用いたフレームメッキ、
あるいはスパッタリングとイオンビームエッチングによ
りパターニングしてコイル導体５を形成する。そして、
このように形成された形成途上の薄膜磁気ヘッド表面に
酸素プラズマ処理を行ない、前記コイル形成時に第一絶
縁層４に形成された変質層４’を除去するとともに、コ
イル導体５表面に酸化膜５’を形成し、また第一絶縁層
４上部は凹凸形状となる。そして前記のような処理をし
た後、さらにレジスト、ポリイミド等からなる第二絶縁
層６をスパッタリングや蒸着等により積層し、この上に
パーマロイ等からなる上部磁性層７を、そしてＳｉＯ2
等からなる保護層８を被膜する。
気ヘッドの製造方法の一実施例について図２を用いて説
明する。図２は、本発明による薄膜磁気ヘッドの断面図
である。まず、非磁性の基板１上にパーマロイ、センダ
ストあるいはアモルファスなどから成る下部磁性層２
が、そしてギャップ層３、さらにその上にレジスト、ポ
リイミド等の高分子材料からなる第一絶縁層４がスパッ
タリングや蒸着やコーティングなどにより形成される。
次に、Ｃｕ膜を電解メッキ法を用いたフレームメッキ、
あるいはスパッタリングとイオンビームエッチングによ
りパターニングしてコイル導体５を形成する。そして、
このように形成された形成途上の薄膜磁気ヘッド表面に
酸素プラズマ処理を行ない、前記コイル形成時に第一絶
縁層４に形成された変質層４’を除去するとともに、コ
イル導体５表面に酸化膜５’を形成し、また第一絶縁層
４上部は凹凸形状となる。そして前記のような処理をし
た後、さらにレジスト、ポリイミド等からなる第二絶縁
層６をスパッタリングや蒸着等により積層し、この上に
パーマロイ等からなる上部磁性層７を、そしてＳｉＯ2
等からなる保護層８を被膜する。
【００１５】従って、本発明による薄膜磁気ヘッドの製
造方法によれば、コイル導体５形成加工後で、かつ第二
絶縁層６コーティング前に酸素プラズマ処理を行なうこ
とにより、コイル導体５形成過程時に、第一絶縁層４表
面に形成される変質層４’を除去し、かつ第一絶縁層４
を凹凸形状とすることで第一絶縁層４と第二絶縁層６の
接触面積を増加させて、その接着強度を高め密着性を良
好なものとすることができる。さらに、Ｃｕをコイル導
体材料とする従来の薄膜磁気ヘッドは、コイル導体５を
形成するＣｕと第二絶縁層６を形成するレジストポリイ
ミド等の高分子材料の付着力が良好なものでなくコイル
導体５と第二絶縁層６の間で剥離を生じることがあった
が、本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、コイル形成後に酸素プラズマ処理を行なうことで、
コイル導体５の表面にＣｕの酸化層５’を形成して、前
述したＣｕとレジスト、ポリイミド等の高分子材料の密
着性の欠点を解消すべく、第二絶縁層６とＣｕよりなる
コイル導体５の接着強度を良好なものとすることができ
る。これは、Ｃｕと高分子材料との密着性よりもＣｕの
酸化膜と高分子材料との密着性の方が良好なためであ
る。
造方法によれば、コイル導体５形成加工後で、かつ第二
絶縁層６コーティング前に酸素プラズマ処理を行なうこ
とにより、コイル導体５形成過程時に、第一絶縁層４表
面に形成される変質層４’を除去し、かつ第一絶縁層４
を凹凸形状とすることで第一絶縁層４と第二絶縁層６の
接触面積を増加させて、その接着強度を高め密着性を良
好なものとすることができる。さらに、Ｃｕをコイル導
体材料とする従来の薄膜磁気ヘッドは、コイル導体５を
形成するＣｕと第二絶縁層６を形成するレジストポリイ
ミド等の高分子材料の付着力が良好なものでなくコイル
導体５と第二絶縁層６の間で剥離を生じることがあった
が、本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、コイル形成後に酸素プラズマ処理を行なうことで、
コイル導体５の表面にＣｕの酸化層５’を形成して、前
述したＣｕとレジスト、ポリイミド等の高分子材料の密
着性の欠点を解消すべく、第二絶縁層６とＣｕよりなる
コイル導体５の接着強度を良好なものとすることができ
る。これは、Ｃｕと高分子材料との密着性よりもＣｕの
酸化膜と高分子材料との密着性の方が良好なためであ
る。
【００１６】
【発明の効果】本発明における薄膜磁気ヘッドの場合、
コイル導体形成加工後で、かつ第二絶縁層形成前に酸素
プラズマ処理を行なうことにより、コイル導体形成時、
レジスト、ポリイミド等からなる第一絶縁層表面に形成
される変質層を除去し、かつ第一絶縁層を凹凸形状とす
ることで第一絶縁層と第二絶縁層の接触面積を増加さ
せ、その密着強度を高めることができる。さらに、Ｃｕ
をコイル導体の材料として用いた薄膜磁気ヘッドでは、
前記プラズマ処理により、前記コイル導体のＣｕ表面に
酸化層を形成し、コイル導体と、その上に積層されるレ
ジスト・ポリイミド等の高分子材料からなる第二絶縁層
５の密着性を、従来より良好なものとすることができ
る。
コイル導体形成加工後で、かつ第二絶縁層形成前に酸素
プラズマ処理を行なうことにより、コイル導体形成時、
レジスト、ポリイミド等からなる第一絶縁層表面に形成
される変質層を除去し、かつ第一絶縁層を凹凸形状とす
ることで第一絶縁層と第二絶縁層の接触面積を増加さ
せ、その密着強度を高めることができる。さらに、Ｃｕ
をコイル導体の材料として用いた薄膜磁気ヘッドでは、
前記プラズマ処理により、前記コイル導体のＣｕ表面に
酸化層を形成し、コイル導体と、その上に積層されるレ
ジスト・ポリイミド等の高分子材料からなる第二絶縁層
５の密着性を、従来より良好なものとすることができ
る。
【図１】本発明による薄膜磁気ヘッドのコイル導体部拡
大断面図である。
大断面図である。
【図２】本発明による薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図３】従来の薄膜磁気ヘッドの要部平面図である。
【図４】従来の薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図５】従来の薄膜磁気ヘッドのコイル導体部拡大断面
図である。
図である。
１ 基板 ２ 下部磁性層 ３ ギャップ層 ４ 第一絶縁層 ４’変質層 ５ コイル導体 ５’酸化膜 ６ 第二絶縁層 ７ 上部磁性層 ８ 保護層
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に、少なくとも下部磁性体とギャ
ップ層と第一絶縁層とコイル導体と第二絶縁層と上部磁
性体と保護層が積層されてなる薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記第一絶縁層上部が凹凸形状に形成されその凸部
上には、コイル導体が形成されるとともに、第一絶縁層
上には第一絶縁層とコイル導体とを被包した第二絶縁層
が形成されてなることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 基板上に、少なくとも下部磁性体とギャ
ップ層と第一絶縁層とコイル導体と第二絶縁層と上部磁
性体と保護層を順次積層してなる薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、前記コイル導体形成後で、かつ第二絶縁
層の形成前に酸素プラズマ処理を行ない、コイル導体形
成時に第一絶縁層表面に形成された変質層を除去すると
ともに、コイル導体表面に酸化層を形成し、その後に第
二絶縁層を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22316491A JPH05120632A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22316491A JPH05120632A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05120632A true JPH05120632A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=16793805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22316491A Pending JPH05120632A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05120632A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0279207A (ja) * | 1988-09-16 | 1990-03-19 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
-
1991
- 1991-09-03 JP JP22316491A patent/JPH05120632A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0279207A (ja) * | 1988-09-16 | 1990-03-19 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980106 |