JPS62145526A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は磁気ディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記
録を行うことができる薄膜磁気ヘッドに関する。

（従来技術） 第２図に従来のマルチターンの薄膜磁気ヘッドの平面図
を示し、第３図に第２図のＡ−Ａ’線で切断した側断面
図を示す。これらの図をもとに従来のマルチターン磁気
ヘッドの加工工程および構造について説明する。屑仮（
１）上に真空蒸着法、スパッタリング法等によってＣｕ
またはＡｆ２等の導電体層が積層され、湿式エツチング
法、イオン・ビーム・エツチング法により所定形状に加
工形成された第１導体層（２）が形成される。次にＣＶ
Ｄ法、プラズマ−ＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリン
グ法等によりシリコン酸化物、シリコン窒化物、Ａ　（
！２０３等の絶縁層（３）が積層され、該絶縁層（３）
上に真空蒸着法、スパッタリング法等によってＣｕまた
はＡ（等の導電体層が積層され、湿式エツチング法、イ
オンビームエツチング法等により所定形状に加工された
第２導体ＩＭ（１）か形成される。

該第２導体層（４）は、上記絶縁層（３）の一部切欠部
分を介して上記第１導体層（２）と電気的に接続５れろ
。最後にＮｉ−Ｆｅ、Ｆｅ−Ａ（！−９ｉまたはＣｏ系
アモルファス等の軟磁性薄膜かスパッタリング法、真空
蒸着法等により積層され、イオン・ビーム・エツチング
性等により所定彩状にエツチングされて磁性体層（５）
が形成される。

上述のように形成されたマルチターンの薄膜磁気ヘッド
においては、ノンゲルターンヘッドと異なり、少なくと
らｌ箇所のリード接合部（第１導体層（２）と第２導体
層（４）との接合部）か必要である。しかしなから、多
トラツク構成てのマルチターンヘッドの構造は非常に微
細な乙のが要求され、それに伴い上記リード接合部、即
ち絶縁層（３）のスルホール部（６）の面積も非常な制
限を受けろことになる。そのためスルホール（６）を絶
縁層（３）に開口するには、絶縁層（３）のエツチング
は反応性イオンエツチング等のドライエツチングを行う
事か不可欠なものとなる。しかし、絶縁層（３）をドラ
イエツチング法で加工し１こ場合、絶縁、響（３）のス
ルホール部（６）のエツジ部ての段差は非常に急峻な乙
のとなり、該エツジ部の段差角度θ：よ７０〜９０°と
いっｆ二傾斜をな４−（第４図参照）。

このようなスルホール部（６）を何する上記絶縁層（３
）上に真空蒸着法等によって第２導体層（４）を積層し
た時、該スルホール部（６）内における導体層のまイつ
り込みが悪く切れ込み等が生じ、第１導体層（２）との
電気的接続性に問題点がある（第５図参照）。

この対策として、第２導体層（４）の積層法として■イ
オンブレーティング法、■スルホール部（６）のエツジ
部の段差角度をより援やかにする、という方法がある。

しかしながら、前述したようにマルチターンヘッドの構
造は非常に微細ならのが要求され、スルホール部（６）
の面積の制限も更にきびしくなってくると、イオンブレ
ーティング法では第１導体層（２）と第２導体層（４）
との間の電気的接続を充分に行うことが難しい。また、
上記絶縁層（３）上に第２導体層（４）を積層したとき
第５図に示されるように、スルホール部（６）のエツジ
部において第２導体層（４）の膜厚が大変薄くなり、ひ
どい場合には断線を招く事もある。また、上記■のよう
にスルホール部（６）のエツジ部の傾斜を援やかにする
方法を用いた時、その方法としてレジストにあらかじめ
テーパを形成しておいてドライエツチング法により絶縁
層（３）に転写する等が考えられるが傾斜角度の再現性
に乏しく、また再現性よく加工が可能になったとしてら
上記のようにスルホース部（６）の面積が制限されてい
ることがらスルホール部（６）のエツジ部の傾斜角度を
必要十分に取ることは難しく、上記イオンブレーティン
グ法での問題点と同様スルホール部（６）のエツジ部に
おいて第２導体層（４）の膜厚が大変薄くなり、第１導
体層（２）との接続部において断線を招く事もあり、最
適な手法とは言えない面がある。

（目的） 本発明は上述した従来の問題点に鑑みなされたもので、
絶縁層上の一部スルホール部を通して第１導体層と第２
導体層とを接続するための新規な手法を具備する薄膜磁
気ヘッドの製造方法を提供することを目的とするもので
ある。即ち、本発明は軟磁性基板上に第１の導体層を形
成し、該第１の導体層上に絶縁層を形成し、次いで該絶
縁層の一部スルホール部を介して前記第１の導体層と接
続する第２の導°体層を前記絶縁体層上に形成する複数
巻線型の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記絶縁
層上にフォトレジスト膜をエツチング処理により前記ス
ルホール部を形成し、該スルホール部を通して露出した
前記第１の導体層上に導電体をメッキ形成し、次いで第
２の導体層を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッド
の製造方法を提供する。

（実施例） 以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施
例について、図面を用いて詳細に説明する。

第１図は第１導体層上の絶縁層のスルホール部加工から
スルホール部内の平坦化、続いて第２導体層の形成を示
す説明図である。

同図（’ａ）は第１導体層（２）であるＣしＬに絶縁層
（３）としてＳｉＯ２膜をプラズマ−ＣＶ　ｌ）法等で
１〜２μｍ漬層し、フォトレジストをマスク付としてＣ
Ｆ４カスを用いて゛ド行平板型トライエソチンク゛装置
で反応性イオンエツチングを行ってスルホール部（６）
が形成された状態を示している。この時スルホール部（
６）のエツジ部の段差ｆｉ１度は７０〜９０°と非常に
急峻なものとなるが、反応性イオンエツチングを行うこ
とによってスルポール部（６）の形成は再現性よく行な
われろ。

このスルホール部（６）内の表面にはＣｕが露出してい
る。そこで第１図（ｂ）に示されているように、導電体
（例えば、Ｃｕ、Ｆｅ、ＡＱ等）をメッキする。メッキ
方法は従来公知のいかなる方法を用いてらよい。例えば
、無電解Ｃｕメッキを行うとスルホール部（６）内にＣ
Ｕが析出し、かつスルポール部（６）がＣｕで平坦化さ
れる。この無電解Ｃｕメッキの析出膜厚は絶縁層（３）
の９ｉ０ｚの膜厚と同等であるため１〜２μｍ析出する
ことになるが、ホルムアルデヒド還元による無電解ＣＬ
Ｉメッキにおいてエヂレンノアミン四酢酸（ＥＤＴＡｊ
を錯化剤として使用した場合、４〜５μｍ／ｈｏｕｒと
いう高速厚付メッキが可能となる。また、第１導体層て
己５るＣｕ二にのみ析出し絶縁層てあろＳｉＯ２上には
析出しないという選択性を持ったメッキを行うことら可
能であるため、容易にスルポール部（６）内のＣｕによ
る平坦化を行うことができる。

二のようにして平坦化が行なイつれたＳｉＯ２層（３）
上に真空蒸着法、スパッタリング法等によってＣｕ等の
第２導体層を積層し、フォトレジストをマスク財として
イオン・ビーム・エツチング法またはスパッタ・エツチ
ング法等で第２導体層（４）が形成された状態を第１図
（Ｃ）に示している。この図に示されているように、第
２導体層（４）の形成は第１導体層（２）と同様に平坦
部に形成することになり、もはや第２導体層（４）が断
線を起こすようなことは殆どなく、かつ無電解メッキに
よって析出したＣｕによって第１導体層（２）と第２導
体層（４）は十分に電気的に接続される。

（効果） 本発明によれば、精密に微細加工されたスルホール部を
通して第１導体層と第２導体層との良好な接続を容易に
しかも平坦な状態で行えるようにｔろ。また、導体層が
２層以上の多層構造になつｆ二場合にも、本発明により
常に安定した各導体層間の接続を得ろことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の１実施例を示す薄膜磁気ヘットの製造
工程を示す模式図である。第２図は、マルチターン薄膜
磁気ヘッドの平面図を示し、第３図は第２図のＡ−Ａ　
’で切断した側断面図（６）を示す。 第４図は従来のスルホール部の側断面図であり、第５図
は従来スルホール部を介する電気的接続部分を示す図で
ある。 図中の番号は以下の通りである・ （１）・下部基板、　　（２）・・・第１導体層、（３
）・絶縁層、　　　　（４）・・第２導体層、（５）・
・磁性体層、　　　　（６）・　スルホール部。 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、軟磁性基板上に第１の導体層を形成し、該第１の導
   体層上に絶縁層を形成し、次いで該絶縁層の一部スルホ
   ール部を介して前記第１の導体層と接続する第２の導体
   層を前記絶縁体層上に形成する複数巻線型の薄膜磁気ヘ
   ッドの製造方法において、前記絶縁層上にフォトレジス
   ト膜を用いるエッチング処理により前記スルホール部を
   形成し、該スルホール部を通して露出した前記第１の導
   体層上に導電体をメッキ形成し、次いで第２の導体層を
   形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ２、スルホール部に形成する導電体層が銅である第１項
   記載の製法。 ３、メッキが無電解メッキである第１項記載の製法。