JPS63199487A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、コンピュータ、通信機等の電子機器に使用す
るのに適する配線基板の製造方法に係シ、特に高密度、
微細パターンの形成方法に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、この種の配線基板における配線の形成方法には各
種のものがあるが、高密度、微細なパターンを形成する
ためには、フォトリソグラフィー技術が必要となる。導
体配線の形成方法として代表的なものには選択めっき法
がちシ、例えば特公昭５０−２０５９号公報にその記載
がなされている。

これは第２図に示されるように絶縁基板１の表面に薄膜
金属層２を形成した後（第２図（ａ））、フォトレジス
ト４をその上に塗布せしめ、露光現像して所望の部分の
フォトレジストを除去しく第２図（ｂ）　）　、その部
分にめっき金属５を付着する（第２図（Ｃ））。しかる
のち、上記フォトレジスト膜４およびその下の薄膜金属
層２を除去して導体パターンを得る方法である（第２図
（ｄ）、第２図（ｅ））。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、上述の方法によれば、下地の薄膜金属層
２をエツチング液で除去する時にめっき部分の下地も除
去されるアンダーカッティング現象が発生するため、導
体パターンとして線幅約３０μｍ以下の細い配線を得る
のが困難であった。また、このエツチング液として通常
、フッ酸などの強酸が用いられるが、これがガラス−セ
ラミック絶縁層を侵し、層間絶縁層としての特性に悪影
響を及ぼしていた。

これを解決する方法として、第３図に示すよりに前記薄
膜金属層２をエツチング液で除去するかわシに酸素雰囲
気における高温加熱により、この金属層２を酸化焼結し
て絶縁層６に変えてしまうという方法が特開昭５６−６
４４９４号公報に記載されている。

しかしながら、この方法を用いた場合でも、薄膜金属Ｎ
２の膜厚に対して加熱温度が不足した場合などには薄膜
金属層２の酸化が十分でなく、絶縁不良が起きるという
問題があった。

本発明は、以上の点に鑑みてなされたもので、その目的
は、選択めっき法による導体配線の形成にあたり、エツ
チング液を使用しない方法を用い、かつめっき下地金属
層を安定して酸化させることにより、上記の欠点を除去
し、微細な導体配線パターンを形成する方法を提供する
ことにある。

〔問題点を解決するための手段〕

このような目的を達成するために本発明は、耐熱性絶縁
基板上に複数の導体配線を形成する方法において、薄膜
金属層を前記基板の表面に形成し、フォトレジストを用
いて前記薄膜金属層上に金めつきによって任意の導体パ
ターンを形成し、前記フォトレジストを除去したのち、
この基板表面にイオンビームを照射して薄膜金属層の露
出部分を概略エツチングし、次いで酸素雰囲気における
高温加熱により、エツチング工程で除去しきれなかった
薄膜金属層を酸化焼結することにより、前記金めつきの
導体パターン間を電気的に分離絶縁して導体配線を形成
することを特徴としている。

〔作用〕

本発明においては、選択めっき法により、エツチング液
を不要として導体パターンが形成される。

〔実施例〕

第１図（ａ）乃至第１図（ｈ）は、本発明に係る配線基
板の製造方法の一実施例を示す工程の断面図である。同
図において、まず、第１図（、）に示すようにセラミッ
ク等の耐熱絶縁基板１の上にスパッタリング法もしくは
真空蒸着法により、チタン薄膜層２およびパラジウム薄
膜層３を順次積層形成する。

このとき、チタン薄膜層２の膜厚は５００乃至２０００
オングストロームであシ、パラジウム薄膜層３の膜厚は
３０００乃至１００００オングストロームである。

なお、チタン薄膜層２のかわシにクロム薄膜層を形成し
てもよい。また、パラジウム薄膜層３の膜厚は厚ければ
厚い程、後のめつき工程での導体パターンの膜厚の偏差
が少なくなるので、約１００００オングストローム程度
が好ましい。次に第１図（ｂ）に示すように上記パラジ
ウム薄膜層３上にフォトレジスト層４を全面にスピンコ
ードしたうえ、プリベークを行ない、ガラスマスク（図
示せず）を用いてフォトレジスト層４を選択的に露光す
る。

その後、現像液を用いて現像することにより、フォトレ
ジスト層４によるパターニングが完了する。

フォトレジスト層４の一例としては東京応化製の０ＦＰ
Ｒシリーズが用いられる。このフォトレジスト層４の厚
さは、約６マイクロメードルである。

次に第１図（Ｃ）に示すように上記フォトレジスト層４
の開口部に金めつき層５が施される。この場合、パラジ
ウム薄膜層３は電解金めつきの電極層として用いられる
。この金めつき層５の厚さは約５マイクロメートルであ
る。次に第１図（ｄ）に示すようにメチルエチルケトン
等の剥離液を用いて上記フォトレジスト層４を剥離し、
金めつき部以外のパラジウム薄膜層３を露出せしめる。

次に第１図（、）に示すようにパラジウム薄膜層３の表
面よシイオンビームエツチングを行カい、パラジウム薄
膜層３を概略エツチングする。このとき、イオンビーム
エツチングによってパラジウム薄膜層３とチタン薄膜層
２とが完全にエツチングできれば金めつき層５による個
々のパターンは互いに絶縁され、独立したパターンにな
るがパラジウム薄膜層３が厚い場合もしくは絶縁基板１
の表面が十分に滑らかではない場合には図に示したよう
にチタン薄膜層２やパラジウム薄膜層３は完全にはエッ
チングされずにエツチング残シの膜ができる。この膜が
有ると金めつき層５による個々のパターンは、互いにシ
ョートしている。次に第１図（ｆ）に示すように上記絶
縁基板１を酸素雰囲気中で加熱すると、チタン薄膜層２
およびパラジウム薄膜層３は酸化焼結し、絶縁膜６と力
る。この結果、金めつき層５による個々の導体パターン
５′は互いに電気的に分離、絶縁された状態になる。な
お、このときの金めつき層５による導体パターン５１は
、高温加熱処理の工程でチタ”ン薄膜層２．パラジウム
薄膜層３との相互拡散により合金化しておシ、との金合
金薄膜層Ｔは図示したほど明確には存在しない場合もあ
る。また、高温加熱の条件は、約８５０℃以上の温度で
１０分間以上の時間が好ましい。このようにして選択め
っき法を用いながら、エツチング液を使用することなく
、導体パターン５′を形成することができる。したがっ
てこの導体パターン５′の形成可能なパターン幅はレジ
ストの特性に依存するが、０ＦＰＲの場合は厚さ約６マ
イクロメードルの場合で、約１５マイクロメートル程度
の幅までが可能である。次に第１図（ｇ）に示すように
このようにして形成された配線パターン５１の上にさら
に絶縁層８およびヴイアホール９をガラス−セラミック
ペーストを用いて形成した後、第１図（ｈ）に示すよう
にこの絶縁層８の上にさらにチタン薄膜層１０とパラジ
ウム薄膜層１１とを形成し、第１図（為）から第１図（
ｆ）までに示したものと同様の方法で第２の導体配線層
を金めつきパターン１２で形成して完成する。このよう
に層間絶縁材料として、ガラス−セラミックなどの耐熱
性に優れたものを用いることにより、任意の暦数の多層
配線基板を形成することができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明に係る配線基板の製造方法
によれば、選択めっき法でエツチング液をもいちずに導
体パターンを形成することにより、高密度、微細な配線
パターンの形成が可能になる。

さらにガラス−セラミックを侵食するエツチング液を用
いずに導体パターンを形成できるので、特性劣化がない
高品質の導体パターンが得られるという極めて優れた効
果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による配線基板の製造方法を
示す工程の縦断面図、第２図（ａ）乃至第２図（、）は
従来技術の一例を示す縦断面図、第３図（ａ）乃至第３
図（＠）は他の従来技術の一例を示す縦断面図である。 １・・・・セラミック基板、２．１０−・・・チタン薄
膜層、３．１１−・・・パラジウム薄膜層、４・・・−
フォトレジスト層、５・・・・金めつき層、５′・・・
・導体パターン、６・・・・酸化絶縁膜、７・・・・金
合金薄膜層、８・・・・層間絶縁層、９・・・・ヴイア
ホール、１２・・・・第２配線層導体パターン。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　耐熱性絶縁基板の表面に少なくとも１層の薄膜金属層
   を形成する工程と、前記薄膜金属層上にフォトレジスト
   を用いて金めつきによつて任意の導体パターンを形成す
   る工程と、前記フォトレジストを除去する工程と、前記
   耐熱性絶縁基板上にイオンビームを照射して薄膜金属層
   の露出部分を概略エッチングする工程と、前記薄膜金属
   層を酸素雰囲気における高温加熱により酸化焼結してエ
   ッチング工程で除去しきれなかつた前記金めつき層の導
   体パターン間を電気的に分離絶縁する工程とを具備する
   ことを特徴とした配線基板の製造方法。