JPS6155800B2 - - Google Patents
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- JPS6155800B2 JPS6155800B2 JP2247280A JP2247280A JPS6155800B2 JP S6155800 B2 JPS6155800 B2 JP S6155800B2 JP 2247280 A JP2247280 A JP 2247280A JP 2247280 A JP2247280 A JP 2247280A JP S6155800 B2 JPS6155800 B2 JP S6155800B2
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- Expired
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は回路基板の導体層の形成方法に関し、
特に高密度多層回路基板の導体層の形成方法に関
する。
特に高密度多層回路基板の導体層の形成方法に関
する。
従来回路基板の導体層の形成方法の１つとして
選択メツキ法が採用されている。この方法ではま
ず、第１図ａに示す工程で、絶縁基板１の上に密
着金属層２およびメツキ下地金属層３が形成され
る。次に、第１図ｂに示す工程で、ホトレジスト
４を用いて必要な部分のみに金属がメツキされ導
体回路５が形成される。さらに、第１図ｃに示す
工程で、ホトレジスト４が剥離される。次に、第
１図ｄに示す工程で導体回路５の下以外の密着金
属層２およびメツキ下地金属層３がエツチングで
除去され、導体層の形成は完了する。しかしなが
ら、上述の方法では、導体回路が微細になるにと
もない、サイドエツチングの問題が無視できなく
なつてきている。すなわち、密着金属層２がエツ
チングされるときに導体回路５の下部分の密着金
属層までエツチングされて導体回路の密着が劣化
するという欠点がある。
選択メツキ法が採用されている。この方法ではま
ず、第１図ａに示す工程で、絶縁基板１の上に密
着金属層２およびメツキ下地金属層３が形成され
る。次に、第１図ｂに示す工程で、ホトレジスト
４を用いて必要な部分のみに金属がメツキされ導
体回路５が形成される。さらに、第１図ｃに示す
工程で、ホトレジスト４が剥離される。次に、第
１図ｄに示す工程で導体回路５の下以外の密着金
属層２およびメツキ下地金属層３がエツチングで
除去され、導体層の形成は完了する。しかしなが
ら、上述の方法では、導体回路が微細になるにと
もない、サイドエツチングの問題が無視できなく
なつてきている。すなわち、密着金属層２がエツ
チングされるときに導体回路５の下部分の密着金
属層までエツチングされて導体回路の密着が劣化
するという欠点がある。
本発明の目的は密着劣化をまねくことなく微細
な導体回路の形成が可能となる回路基板の導体層
の形成方法を提供することにある。
な導体回路の形成が可能となる回路基板の導体層
の形成方法を提供することにある。
本発明の方法は、耐熱性絶縁基板上に密着金属
層およびメツキ下地金属層からなる複層金属層を
形成する第１の工程と、 前記ホトレジストを用いて前記金属層上の所望
の部分に貴金属をメツキして導体回路を形成第２
の工程と、 前記ホトレジストを除去し前記導体回路部分の
下以外のメツキ下地金属層をエツチングで除去す
る第３の工程と、 前記密着金属層を酸化絶縁物にかえる第４の工
程とを有することを特徴とする。
層およびメツキ下地金属層からなる複層金属層を
形成する第１の工程と、 前記ホトレジストを用いて前記金属層上の所望
の部分に貴金属をメツキして導体回路を形成第２
の工程と、 前記ホトレジストを除去し前記導体回路部分の
下以外のメツキ下地金属層をエツチングで除去す
る第３の工程と、 前記密着金属層を酸化絶縁物にかえる第４の工
程とを有することを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第２図は本発明の一実施例を示す工程断面図で
ある。第２図ａに示す工程では、耐熱性絶縁基板
１１の上に密着金属層１２およびメツキ下地金属
層１３が形成されている。耐熱性絶縁基板１１と
してはアルミナまたはベリリヤなどが適当であ
る。密着金属層１２としては、チタン、銅または
アルミニウムなどがメツキ下地金属層１３として
はパラジウム、プラチナまたはニツケルなどが適
当である。本実施例では、アルミナ基板１１上に
チタンおよびパラジウムが形成されている。
ある。第２図ａに示す工程では、耐熱性絶縁基板
１１の上に密着金属層１２およびメツキ下地金属
層１３が形成されている。耐熱性絶縁基板１１と
してはアルミナまたはベリリヤなどが適当であ
る。密着金属層１２としては、チタン、銅または
アルミニウムなどがメツキ下地金属層１３として
はパラジウム、プラチナまたはニツケルなどが適
当である。本実施例では、アルミナ基板１１上に
チタンおよびパラジウムが形成されている。
次に、第２図ｂに示す工程では、ホトレジスト
１４を用いて必要部分に貴金属がメツキされ、導
体回路１５が形成される。貴金属としては、金、
金合金またはロジウムなどがあげられる。本実施
例では金が使用されている。
１４を用いて必要部分に貴金属がメツキされ、導
体回路１５が形成される。貴金属としては、金、
金合金またはロジウムなどがあげられる。本実施
例では金が使用されている。
次に、第２図ｃに示す工程では、ホトレジスト
１４が除去され、また、メツキ下地金属層１３が
エツチングされる。このとき、導体回路１５の下
の部分は、エツチングされないで残される。
１４が除去され、また、メツキ下地金属層１３が
エツチングされる。このとき、導体回路１５の下
の部分は、エツチングされないで残される。
次に、第２図ｄに示す工程では、密着金属層１
３が酸化され絶縁物１６が形成される。本実施例
では、900℃以上の高温焼成工程によりチタンの
酸化物が形成される。こうして、密着金属層１３
をエツチングする必要がなくなるため、密着金属
層のサイドエツチも必要もなくこれによる密着劣
化もおこらなくなる。
３が酸化され絶縁物１６が形成される。本実施例
では、900℃以上の高温焼成工程によりチタンの
酸化物が形成される。こうして、密着金属層１３
をエツチングする必要がなくなるため、密着金属
層のサイドエツチも必要もなくこれによる密着劣
化もおこらなくなる。
本実施例では導体が一層の場合を説明したが、
この導体層の上に絶縁層を形成しさらに本発明の
導体層を形成することにより、本発明は多層回路
基板の導体層の形成方法にも適用できる。
この導体層の上に絶縁層を形成しさらに本発明の
導体層を形成することにより、本発明は多層回路
基板の導体層の形成方法にも適用できる。
本発明には、密着金属層を絶縁酸化物してか
え、密着金属層のエツチング工程を削除すること
により、サイドエツチをなくし、導体回路の基板
上または絶縁層上に対する密着劣化を防ぐことが
できるという効果がある。
え、密着金属層のエツチング工程を削除すること
により、サイドエツチをなくし、導体回路の基板
上または絶縁層上に対する密着劣化を防ぐことが
できるという効果がある。
第１図ａ〜ｄは従来の導体層の形成方法を示す
工程断面図および第２図ａ〜ｄは本発明の一実施
例を示す工程断面図である。第１図ａから第２図
ｄにおいて、 １，１１…絶縁基板、２，１２…密着金属層、
３，１３…メツキ下地金属層、４，１４…ホトレ
ジスト、５，１５…導体回路、１６…絶縁物。
工程断面図および第２図ａ〜ｄは本発明の一実施
例を示す工程断面図である。第１図ａから第２図
ｄにおいて、 １，１１…絶縁基板、２，１２…密着金属層、
３，１３…メツキ下地金属層、４，１４…ホトレ
ジスト、５，１５…導体回路、１６…絶縁物。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 耐熱性絶縁基板上または該基板上に形成され
た絶縁層上に密着金属層およびメツキ下地金属層
からなる複層金属層を形成する第１の工程と、 ホトレジストを用いて前記金属層上の所望の部
分に貴金属をメツキして導体回路を形成する第２
の工程と、 前記ホトレジストを除去し前記導体回路部分の
下以外のメツキ下地金属層をエツチングで除去す
る第３の工程と、 前記密着金属層を酸化絶縁物にかえる第４の工
程とを有することを特徴とする回路基板の導体層
の形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2247280A JPS56118397A (en) | 1980-02-25 | 1980-02-25 | Method of forming conductive layer of circuit board |
| FR8103559A FR2476913B1 (fr) | 1980-02-25 | 1981-02-23 | Circuit a plusieurs couches pour integration a grande echelle et procede de fabrication de ce circuit |
| US06/429,636 US4434544A (en) | 1980-02-25 | 1982-09-30 | Multilayer circuit and process for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2247280A JPS56118397A (en) | 1980-02-25 | 1980-02-25 | Method of forming conductive layer of circuit board |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56118397A JPS56118397A (en) | 1981-09-17 |
| JPS6155800B2 true JPS6155800B2 (ja) | 1986-11-29 |
Family
ID=12083647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2247280A Granted JPS56118397A (en) | 1980-02-25 | 1980-02-25 | Method of forming conductive layer of circuit board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56118397A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5893297A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | 日本電気株式会社 | 導体回路の形成方法 |
| JPS58128797A (ja) * | 1982-01-27 | 1983-08-01 | 日本電気株式会社 | 多層セラミツク基板の製造方法 |
| JPH0642592B2 (ja) * | 1986-02-05 | 1994-06-01 | 電気化学工業株式会社 | 微細回路基板の製造法 |
-
1980
- 1980-02-25 JP JP2247280A patent/JPS56118397A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56118397A (en) | 1981-09-17 |
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