JPS58128797A - 多層セラミツク基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の属する技術分野 本発明は多層セラミック基板の製造方法に関し、特にそ
の材料および形成方法に関する。

従来技術 この種の多層セラミック基板の従来の製造方法としては
グリーンシート法や、厚層印刷法があり。

これらの方法により多層セラｉ、り基板は製造されてい
九が、グリーンシート法では１４０００〜１６００℃の
高温焼結に耐えるためにタングステンやモリブデンなど
の高耐熱金＠ｒ使用しなければならない、これらの金属
は導体釡楓として電気抵抗が大きく、ま良導体パターン
の形成はそれらの金Ｉ１４粉末をペースト状とし、スク
リーン印刷によ９行なわれるため、約１００μｍ以下の
輪のパターンを得ることが困離であシ、さらに焼結の除
の補正できない焼結みバラツキかあり、高Ｗｆ健実鋲を
行う上で必賛な高鞘監ｗＬ細パターンの形成が難かしい
、グリーンシート法や厚膜印刷法では、上述の欠点があ
る。

他方、厚展印桐法では、金、プラチナ、銀およびバッジ
、−五などの賞金ＩＩＩＹｒ導体パターンとし。

空気中で焼結する絶縁ペーストにょシ絶縁層が形成され
ているため、導体材料が非常に高価であり。

を友、これもスクリーン印刷によるために、約１００μ
鋼以下のパターンを形成することは困−である楕買値細
パターンにより、よシ高密度高性能の実装管可能とする
多層セラミック基板の製造方法全提供することにある。

発明の構成 本発明の製造方法は、複数の導体層とこれらの層間を絶
縁するｒ８縁層とを有する多層セラｉ１＃り基板の製造
方法において。

微細パターンの導体層をホトレジストを用いた選択的メ
ッキ技術によｐ形成するｗＪｌの工程と。

この導体層の上に上層導体層との接続のためのスルーホ
ール管有しかつ導体層間を絶縁する絶縁層を窒素雰囲気
中で焼結する＃！３−ペーストによシ形成する第２の工
程と、 ＃Ｊ紀スルーホー°ルの少なくとも一部に接続すべき導
体の金輌と適合性のめる金楓會っめ込み、さらにこの上
に前記導体層と同律に執細パターンをホトレジストを用
いて選択的メッキｆ打なうこと明する。

纂１図管参照すると１本発明の第ｌの実施例は高装置ア
ルミナの基板ｌの９１１１に真′！ｊ！蒸膚やスパッタ
リングによｐ、基板ｌとの強い′ｆ！看會得るために、
クロムやチタンなどの１０００に程鍵の薄い下地金属層
２が形成され、さらにその上にメッキ金属の付着を良好
にするためにパラシ、−ムや銅などの金属が下地金＠膜
２の形成と同様な方法で下地金属ｍａとして形成される
。矢にホトレジスｈ　＠　４が形成され、必要な導体パ
ターンｆ腿元および現像することにより、ホトレジスト
腺４に選択的な開孔ｓ４１が杉敗され、下地曾Ｊ！ｌ１
ｉ２および３を電極として開孔部４１に銅などの金属が
メ。

キ技術により導体５として形成される０次に、必要のな
くなりたホトレジスト４２が剥龜され、さらＫｆｉ択的
にメッキされた導体５以外の部分の下地金属１１ｓ１２
がエツチングにより除去される。この結果、安価で１０
０＃調輪以下の微細パターンが比軟的容易に得られる。

次に第２図を参照すると絶縁層の製造方法では導体５の
形成された基板ｌ上にＮｍ雰囲気中で焼結する絶縁ペー
スト、例えばデ、ボン社で市販している曲品番号４２７
５やエレクトロサイエンス社の商品査号４９０１などの
ような絶縁ペーストで、導体層間の接続を得るためのス
ルーホール６１を有する未焼結絶縁膜６が形成される。

これがＮ。

ガス管流入してＴｈ　Ｎ、雰囲気にした焼成炉に入れら
れ、　８５０’Ｏ〜９５０℃程度の温度で焼結され１ｇ
８結膜７が得られる。一般に、この鴇の絶縁層は。

ピンホールが存在し、不必要な部分での層間シートを起
こすことがあるので、これ管防止し、また。

必要なｍ厚を得るために２同根度四憾の未焼結絶域Ｊ［
８の形成およびＮ、雰囲気での焼結が繰返えされ、ｍＭ
によって一体となる焼＋ｋＪＧ！９が形成される。

このように、杷威展の焼結ｆＮ８雰囲気中で行うことに
より、糖化することがないため、鋼などのような安価な
卑金属を導体層に用いることが可能となる。

ならに、絶縁層の形成された基板の上に、前記導体層の
形成と１ＷＪｆｉの方法でｍ２の導体層がその上に、さ
らにＳｔｌ配絶縁層の形成と−ｊ憬の方法で第２０杷緻
層がというように必要な層叙だけ繰返し積層されること
により安価で頷細な１ｂ号パターン管有する多層セラミ
、り基板がＭ造できる。

次にＷＡ３図を奈照すると、纂２の実施例は導体層間の
接＠′ｆｒ蓚実にし１歩留りおよび侶籾性を同上させる
ためにスルーホールに接続する導体の金属と適合性の有
る金ｆ４ヶつめ込む工程を訓えた多層セラきツク基板の
製造方法である。なお、導体層の形成および絶縁層の形
成は謝１の実施例と同様でＴｏシ、また多数のスルーホ
ールに関しても同じであるので、それら會／４略し、１
個のスルーホ−ル部に関して説明する。

ＩＮ３図において基板ｌの上に選択的メツΦ技術によ〕
導体５が形成され、その上にスルーホール６１を有する
Ｎｍ雰髄気中で焼結された絶縁層９が形成されている。

これらは第１の実施例で述べた製造方法と同一の方法で
ある。

本実緬例は久の導体層管形成する前にスルーホール６１
の中に導体すおよび次に形成される導体１１との適合性
の有る金属、一般的には同種金属をつめ込んだビアフィ
ルｌＯが選択的メツ命技術を九はペーストにより形成さ
れ、その後に導体層が形成される。このようにすること
により、下層の導体５と上層の導体１１とはビアフィル
１０を介して接続されるため、ビアフィルｌＯ管形成し
ない場合に生じる段差により発生していた不完全な接続
がなくな〕１歩留りが向上し、信頼性が改譬される。

なおこのビアフィル１０ｔｆ必ずしも全てのピアホール
に形成する公費はなく、歩留シや信頼性を低下させる部
分にのみ形成すればよい。

さらに多層化する場合は、絶縁層の形成、ビアフィルの
形成、導体層の形ＦｉＬｆ順次繰返すことによシ、倣細
な信号パターンを有し１歩留りや信輔性の高い多層セ、
ランツク基板がＩＩＲ造できる。

他方、ｔＳバスやグランドバスなどのような寸法的に大
きなパターンはホトレジストｔ−柑いた選択的メッキ技
術によらなくとも良いので部分的に鋼ペーストなどをス
クリーン印Ｊ１１Ｊ　して、Ｎ、焼成して形成してもよ
く、また最上鳩の導体層には必た選択的メッキ技術で形
成し、Ｎ冨雰囲気中で焼結する絶縁ペーストを絶縁層に
用いることにより。

安価で高装置高性能の実装を可能とする多層セラξ、り
基板Ｙｒｊ＋！！造できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

） 第１図は本発明の第１の実施例の倣細な導体パターンの
製造方法ｆ下す図、第２幽は纂ｌの実施例の絶縁層の製
造方法を示す図、第３図は襖２の実施例の製造方法管示
す図である。 図において、ｌ・・・・・・基板、２．３・旧・・下地
金属。 ４・・・・・・ホトレジスト族、ｂ・・・・・・導体％
４１・・・・・・開孔部、４２・・・・・・ホトレジス
トｂ１２・・・・・・下地金属ＷｉＡ、６．８・・・・
・・未焼結絶縁層、６１・・・・・・スルーホール％７
．９・・・・・・焼結１１４ｓ　ｌ　１・・・・・・導
体％１０・・・・・・ビアフィル。 第　／Ｉ￥］ ＄２　閉 第３　ｍ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 複数の導体層と、これらの層間管絶縁する絶縁層と１有
   する多層セラ建、り基板の製造方法において、 微細パターンの導体Ｎ會ホトレジストを用いた選択的メ
   ッキ技術によシ形成するＩＩｌの工程と。 この導体層の上に上層導体層との接続のためのスルーホ
   ールを有し、かつ導体層間を絶縁する絶縁層を窒素雰囲
   気中で焼結する＃Ａ緻ペーストにより形成する第２の工
   程と。 前記スルーホールの少なくとも一部に接続すべき導体の
   金属と適合性のある金１Ｉ４ｔ一つめ込み、さらにこの
   上に前記導体層と同様に微細パターン管ホトレジス）？
   用いて選択的メッキを行うことにより導体層を形成する
   第３の工程と１有することを特徴とする多層セラミック
   基板の製造方法。