JPS6052095A - 多層配線基板およびその製造方法 - Google Patents

多層配線基板およびその製造方法

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Publication number
JPS6052095A
JPS6052095A JP15951483A JP15951483A JPS6052095A JP S6052095 A JPS6052095 A JP S6052095A JP 15951483 A JP15951483 A JP 15951483A JP 15951483 A JP15951483 A JP 15951483A JP S6052095 A JPS6052095 A JP S6052095A
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JP
Japan
Prior art keywords
thin film
layer
insulating layer
aluminum
wiring pattern
Prior art date
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Pending
Application number
JP15951483A
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English (en)
Inventor
松崎 壽夫
東夫 反町
清 佐藤
工 鈴木
岳史 椙井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6052095A publication Critical patent/JPS6052095A/ja
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  • Laminated Bodies (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 +a) 発明の技術分野 本発明は配線パターンの微細化が可能で、しかも安価に
供給できる多層配線基板の構造、およびその製造方法に
関する。
(bl 技術の背景 半導体素子や回路部品素子の小型化、高性能化に伴い混
成集積回路の高密度実装化が進められており、高密度実
装用基板として配線パターンの微細化が可能で、しかも
安価に供給できる多層配線基板の実現が望まれている。
(C) 従来技術と問題点 混成集積回路用の多層配線基板として一般に厚膜素子に
より形成した多層配線基板および薄膜素子により形成し
た多層配線基板が用いられており、特殊な使用例として
両方式を併用した多層配線基板もある。
厚膜素子ば膜厚が10〜30#m程度で比較的厚(、金
属粉末やガラス粉末等に有機バインダや有機溶剤を混ぜ
てペースト状にしたものを、スクリーン印刷で印刷して
パターンを形成し、大気中または不活性雰囲気中で焼成
して得られる。この印刷、焼成は連続工程で行うことが
できるため量産性に富み安価に供給することができる。
誘電体はガラスを主体としたもので多層配線基板に用い
て安定性の高い眉間絶縁層を形成することができるが、
導体は100μm以下のパターンの形成が困難であり、
配線パターンの微細化に限度がある。
−万博膜素子は膜厚が100人〜数77111程度の薄
い膜で真空蒸着やスパッタリングで形成され、パターン
の形成は金属マスクを通して、或いはボトエソチング法
により行われる。導体はホトエツチングにより100μ
m以下のファインパターンを容易に形成できるが、Cr
−^u+NiCr−Au等の貴金属を用いるため基板が
高価になる。また誘電体として真空蒸着によるSiOや
交流スパッタにょる5iOz。
Taの陰極スパッタ膜を電解酸化して得られるTa20
5等の薄膜がある。しかし広範囲にわたってピンホール
のない膜を得ることが困難で多層配線基板の眉間絶縁層
としては不安定である。
したがって高密度実装用基板としては、導体をホトエツ
チングにより100μm以下のファインパターンが容易
に形成できる薄膜素子により形成し、誘電体はガラスを
主体としたものを用いて安定性の高い眉間絶縁層を形成
することが望ましい。しかし導体にCr−Au、NiC
r−へ〇等の貴金属を用いると誘電体を焼成するときの
熱でCrやNiCrがAu中に拡散して導体の抵抗値が
大きくなる止いう問題がある。
[dl 発明の目的 本発明の目的は高密度実装用基板として配線パターンの
微細化が可能で、しかも安価に供給できる多層配線基板
を提供することにある。
(e) 発明の構成 そしてこの目的は耐熱性基板の上に、薄膜導体よりなる
配線パターンと眉間絶縁層を交互に形成して構成する多
層配線基板を、Cuの薄膜導体の上にAI (アルミニ
ウム)の薄膜導体を重ねた二層薄膜連体より形成した配
線パターンと、八1(アルミニウム)の融熱以下の温度
で焼成できる厚膜誘電体材料で形成した眉間絶縁層とで
構成することで達成している。
(fl 発明の実施例 以下撚((1図により本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例であり、第1図(al〜第1
図(hlは製造過程を示す。
第1図fa)において99.5%のAl20aよりなる
基板1の上に膜厚2 p mのCu層2を蒸着し、更に
その上に膜厚3000人の八1(アルミニウム)層3を
重ねて蒸着し二層薄膜4を形成する。
第1図(t+lにおいて前述の二層薄膜4の」二にレジ
ストパターンを形成し、二層薄膜をリン酸系エツチング
液でエツチングして一層目の配線パターン5を得る。
第1図1c)において前述の一層目の配線パターン5の
上に600℃以下の温度で焼成できるガラスを主成分と
するI’i!−股誘電体材料をスクリーン印刷で印刷し
層間絶縁層6を焼成する。ただし配線パターン5と上層
配線パターンの接続を要する部分については眉間絶縁層
6を印刷する際に窓7を設けておく。したがって眉間絶
縁層6に窓7を設けた部分の配線パターン5は空気中に
露出しているが、表面に八1(アルミニウム)層3があ
ってCu層2の表面を覆っているため、眉間絶縁N6の
焼成時にもCu層2の酸化を防ぐことができる。
第1図Td)において層間絶縁M6の焼成時に窓7の部
分のAI (アルミニウム)層3が酸化してできるAI
zO3と八1(アルミニウム)の混合物をリン酸系エツ
チング液で取り除く。それによって配線パターン5のC
u層2と他の層の配線パターンのCu層を容易に接続す
ることができる。
第1図(8)において前述の層間絶縁層6および窓7の
上に膜厚2μmのCu層2を蒸着し、更にその上にl膜
厚3000人の八1(アルミニウム)N3を重ねて蒸着
し二層薄膜4を形成する。
第1図(flにおいて前述の二層薄HfJ4の上にレジ
ストパターンを形成し、二層F、W 119をリン酸系
エツチング液でエツチングして二層目の配線パターン8
を冑る。
第1図fglにおいて前述の二層目の配線パターン8の
」二に厚膜誘電体材料を眉間絶縁層9としてスクリーン
印刷で印刷し焼成する。ただし配線パターン8と上層配
線パターンとの接続を要する部分については層間絶縁層
9に窓10を設けておく。
第1図(hlにおいて層間絶縁層9の焼成時に窓10を
設けた部分の八1(アルミニウム)層3が酸化してでき
る八lzO:Iと八1(アルミニウム)のン昆合物をリ
ン酸系エツチング液で取り除く。
以下所望の層数が19られるまで第1図+141から第
1図fhlまでの工程を繰り返す。
本発明になる多層配線基板【才導体に薄膜を用いている
ため配線パターンの微細化が可能で、しかも薄膜を貴金
属の代わりに卑金属で形成しているため安価にできる。
また層間絶縁層は厚膜で形成するためスクリーン印刷と
焼成という量産性に冨み安価な方法が採用でき、しかも
安定性の高い層間絶縁層を形成することができる。
(g) 発明の効果 以上述べたように本発明によれば高密度実装用基板とし
て配線パターンの微細化が可能で、且つ安定性の高い眉
間絶縁層を有し、しかも安価に供給できる多層配線基板
を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例であり、第1図ta)〜第1
図(hlは製造過程を示す。図において1は基板、2は
Cu層、3は八1(アルミニウム)層、4は二層薄膜、
5および8は配線パターン、6および9は眉間絶縁層、
7および10は窓を示す。 τ 517− き ^ +S 5 」 ト b 5 ′+Qし

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)耐熱性基1反の」二に、薄膜導体よりなる配線パタ
    ーンと層間絶縁層を交互に形成して構成する多層配線基
    板において、Cuの薄膜導体の上にAI (アルミニウ
    ム)の薄膜導体を重ねた二層薄膜導体より形成した配線
    パターンと、八1(アルミニウム)の融点以下の温度で
    焼成できる眉間絶縁層とで構成する層を、少なくとも一
    層以上有することを特徴とする多層配線基板。 2)耐熱性基板の」二に、薄膜導体よりなる配線パター
    ンと眉間絶縁層を交互に形成して構成する多層配線基板
    の!J造方法において、Cuの薄膜を形成した後その」
    −にAI (アルミニウム)の薄膜を蒸着せしめて二層
    構造の薄膜とし、該薄膜からエツチングによって形成し
    た配線パターンに、八1(アルミニウム)の融点以下の
    温度で焼成できる厚膜誘電体材料を付着せしめ、これを
    焼成して層間絶縁層となし、該Coの薄膜形成から該眉
    間絶縁層の焼成までの工程を少なくとも1回以上繰り返
    して所望の層数を得ることを特徴とする多層配線基板の
    製造方法。
JP15951483A 1983-08-31 1983-08-31 多層配線基板およびその製造方法 Pending JPS6052095A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5069060A (en) * 1986-12-29 1991-12-03 Mitoshi Ishii Method of operating press machine and servo controller therefor

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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