JPS6343395A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
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- JPS6343395A JPS6343395A JP18658986A JP18658986A JPS6343395A JP S6343395 A JPS6343395 A JP S6343395A JP 18658986 A JP18658986 A JP 18658986A JP 18658986 A JP18658986 A JP 18658986A JP S6343395 A JPS6343395 A JP S6343395A
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- wiring board
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- conductor
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Links
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Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、高密度実装用の配線基板に係り、特に多層の
配線が可能でかつ高信頼性の多層配線基板に関する。
配線が可能でかつ高信頼性の多層配線基板に関する。
〈従来の技術〉
近時、電気製品の小形・薄形化のためチップオンボード
と呼ばれるＣＯＢ技術が実用化域に入いりつつある。こ
の技術は多層配線基板にリードのないチップ状のコンデ
ンサーや抵抗素子。
と呼ばれるＣＯＢ技術が実用化域に入いりつつある。こ
の技術は多層配線基板にリードのないチップ状のコンデ
ンサーや抵抗素子。
ＩＣやＬＳＩチップ、あるいはセラミックやフィルムの
キャリヤに収納した形でのＬＳＩをハンダ付けやワイヤ
ーボンディングで直接実装し薄形・軽量化した回路基板
を提供するものである。
キャリヤに収納した形でのＬＳＩをハンダ付けやワイヤ
ーボンディングで直接実装し薄形・軽量化した回路基板
を提供するものである。
これら多層基板は、アルミナやジルコニア等のセラミッ
クの多層構成間にＣｒ、 ｈｉｏ、 Ｐｄ、 Ｐｔ、
Ｔａ。
クの多層構成間にＣｒ、 ｈｉｏ、 Ｐｄ、 Ｐｔ、
Ｔａ。
Ｔｉ、 Ｗ等の耐熱性のある金属を導体として多層配線
したセラミック系基板のものと、ガラス性エポキシ樹脂
もしくはポリイミドフィルムに銅箔をラミネートしパタ
ニングし、これらを多層化した有機樹脂系基板のものと
、大別して２種ある。
したセラミック系基板のものと、ガラス性エポキシ樹脂
もしくはポリイミドフィルムに銅箔をラミネートしパタ
ニングし、これらを多層化した有機樹脂系基板のものと
、大別して２種ある。
〈発明が解決しようとする問題点〉
セラミック系基板は、グリーンシートと呼ばれる未焼成
基板に導電性ペーストにて導体を印刷し８００〜２００
０℃程度の高温で焼成するプロセスが必要であるため、
不経済であること及び寸法変化や収縮、導体の酸化や拡
散等多くの欠点をかかえ、ている。
基板に導電性ペーストにて導体を印刷し８００〜２００
０℃程度の高温で焼成するプロセスが必要であるため、
不経済であること及び寸法変化や収縮、導体の酸化や拡
散等多くの欠点をかかえ、ている。
有機樹脂系基板は、銅貼りされた基板をエツチングによ
りパタニングするときに寸法変化を生じてしまい多層に
ラミネートする工程で大・潴に収率が低下してしまう欠
点がある。
りパタニングするときに寸法変化を生じてしまい多層に
ラミネートする工程で大・潴に収率が低下してしまう欠
点がある。
まだ、配線基板の保護層として二酸化硅素ＳｉＯ２を数
千λ〜数十−積層していたが、ｓｉｏ□層が条件によっ
ては吸湿しＳ Ｌ０２層表面あるいは層間で導電性をも
つようになることがあり絶縁不良を生じていた。また８
１０２層を金属導電層間の絶縁層として用いる場合、８
＋ＯＪ＠がもつごく微／ＪＳのクラツクや、ごく微量の
水分が絶縁不良をもたらすことがあった。
千λ〜数十−積層していたが、ｓｉｏ□層が条件によっ
ては吸湿しＳ Ｌ０２層表面あるいは層間で導電性をも
つようになることがあり絶縁不良を生じていた。また８
１０２層を金属導電層間の絶縁層として用いる場合、８
＋ＯＪ＠がもつごく微／ＪＳのクラツクや、ごく微量の
水分が絶縁不良をもたらすことがあった。
〈問題を解決するための手段〉
本発明は基板上にすくなくとも絶縁層である二酸化珪素
、ポリイミド等の有機フィルムなどのものの表面が酸化
マグネシウムあるいは弗化マグネシウムのいずれかより
覆われていることを特徴とする配線基板である。
、ポリイミド等の有機フィルムなどのものの表面が酸化
マグネシウムあるいは弗化マグネシウムのいずれかより
覆われていることを特徴とする配線基板である。
〈作用〉
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）や弗化マグネシウム（Ｍｇ
Ｆ２） は水分との親和性に乏しく、水分の透過を許
さない。従ってこれを８１０２．ポリイミド等の絶縁層
もしくは保護層の表面に薄層として覆うことで、絶縁層
もしくは保護層と外面との水分の転移を遮断することが
できる。
Ｆ２） は水分との親和性に乏しく、水分の透過を許
さない。従ってこれを８１０２．ポリイミド等の絶縁層
もしくは保護層の表面に薄層として覆うことで、絶縁層
もしくは保護層と外面との水分の転移を遮断することが
できる。
ところで、５ｉ０２．ポリイミド等の絶縁層もしくは保
護層中の水分が無くなればＰ３Ｒ不良が減少する。従っ
てこの様に酸化マグネシウムや弗化マグネシウムを薄層
で覆うことで絶縁不良を減少させることが出来る。
護層中の水分が無くなればＰ３Ｒ不良が減少する。従っ
てこの様に酸化マグネシウムや弗化マグネシウムを薄層
で覆うことで絶縁不良を減少させることが出来る。
以下実施例に基付いて詳細に説明する。
第１図から第６図は本発明による多層基板の製造工程を
模式的に説明したものである。
模式的に説明したものである。
第１図に示した様にガラス基板（１）上にあらかじめＣ
ｒ（１０００Ｘ） ／ Ｃｕ（４０００１） ／ ＩＴ
Ｏ（１００ＯＸ） の３層構成をスパッタリングによ
り成膜後、感光性レジストを用いた通常のフォトリソの
手法でパタニング及びエツチングして第１の導体（２）
とした。なお、ＩＴＯの組成はＩｎ、０３９５％。
ｒ（１０００Ｘ） ／ Ｃｕ（４０００１） ／ ＩＴ
Ｏ（１００ＯＸ） の３層構成をスパッタリングによ
り成膜後、感光性レジストを用いた通常のフォトリソの
手法でパタニング及びエツチングして第１の導体（２）
とした。なお、ＩＴＯの組成はＩｎ、０３９５％。
５ｎ０２５％重量比である。
第２図、第３図に示すように感光性ポリイミドＰＩ−４
００（宇部興産製）を２声厚みにコーテイング後、露光
現像して第１の中間絶縁層（３）としてポリイミド層を
形成した。
００（宇部興産製）を２声厚みにコーテイング後、露光
現像して第１の中間絶縁層（３）としてポリイミド層を
形成した。
次に第４図に示すごとく、基板（１）上に全面にＩＴＯ
（１０００１） ／ Ｃｕ（４０００人） ／ ＩＴＯ
（１０００１）をスパッタリングによシ成膜後、同様に
フォトリンの手法でパタニング及びエツチングして、第
５図に示した第２の導体（４）とした。エツチング液は
塩酸と塩化第２鉄液の混液を用いた。
（１０００１） ／ Ｃｕ（４０００人） ／ ＩＴＯ
（１０００１）をスパッタリングによシ成膜後、同様に
フォトリンの手法でパタニング及びエツチングして、第
５図に示した第２の導体（４）とした。エツチング液は
塩酸と塩化第２鉄液の混液を用いた。
さらに第６図に示したように以上の第２図から第５図に
て説明した手順と同様に第２の中間絶縁層（５）、第３
の導体（６）を形成した後、５１０２を５０００１ 、
ＭｇＲヲ２０００１ 、電極を取シ出す端子部を除い
てほぼ全面に連続してスパッタリングし保護層（力と薄
層（８）を積層して配線基板とした。
て説明した手順と同様に第２の中間絶縁層（５）、第３
の導体（６）を形成した後、５１０２を５０００１ 、
ＭｇＲヲ２０００１ 、電極を取シ出す端子部を除い
てほぼ全面に連続してスパッタリングし保護層（力と薄
層（８）を積層して配線基板とした。
当実施例において、Ｃｕ層を挾持するＩＴＯ層！ｄ Ｃ
ｕ層の酸化や水酸化を防ぐ保護層であυ、配線基板の使
用条件によってはＩＴＯ層を省いても良い。
ｕ層の酸化や水酸化を防ぐ保護層であυ、配線基板の使
用条件によってはＩＴＯ層を省いても良い。
以上の実施例において絶縁層に相当するポリイミド層は
２層、導体は３層として説明したが、本発明はこの層の
数を制限するものでない。基板上に下部導体、絶縁層、
上部導体といった最も簡単なる３層構成の場合、この絶
縁層の表面にＭｇＦ、もしくはＭｇＯの薄層を与えるこ
とでも良い効果をもたらす。本発明による配線基板を使
用する環境によって耐熱性、耐酸化性や耐プラズマ性等
を特に要求する場合はＭｇＦ、よりＭｇＯの方が良く、
成膜からみた生産性はＭｇＦ２の方が良い。導体の材料
は目的によって、ＡｕやＡｇ、 Ａｌ。
２層、導体は３層として説明したが、本発明はこの層の
数を制限するものでない。基板上に下部導体、絶縁層、
上部導体といった最も簡単なる３層構成の場合、この絶
縁層の表面にＭｇＦ、もしくはＭｇＯの薄層を与えるこ
とでも良い効果をもたらす。本発明による配線基板を使
用する環境によって耐熱性、耐酸化性や耐プラズマ性等
を特に要求する場合はＭｇＦ、よりＭｇＯの方が良く、
成膜からみた生産性はＭｇＦ２の方が良い。導体の材料
は目的によって、ＡｕやＡｇ、 Ａｌ。
Ｃｕ等の良導体、Ｃｒ、 Ｍｏ、 Ｔｉ、 Ｔａ、 Ｗ
等の耐候性のある金属、これから選ぶことができる。
等の耐候性のある金属、これから選ぶことができる。
絶縁層の材料も、前記した様にポリイミドを省略しても
良いし、あるいは他の感光性の有機材料を用いても良い
。
良いし、あるいは他の感光性の有機材料を用いても良い
。
本発明は、さらに内側の絶縁層をＴａｔ Ｏｓや友
ＢａＴｉＯ２等の誘電率の高い材料を用いればコンデン
サー等の能動素子への応用、また上記下部導体もしくは
上部導体に磁性材料を用いれば磁気センサー等の磁気素
子へ応用が可能である。
サー等の能動素子への応用、また上記下部導体もしくは
上部導体に磁性材料を用いれば磁気センサー等の磁気素
子へ応用が可能である。
上記実施例において、ハンダ付けを考［ばする場合は、
ハンダ部位のみ銅表面のＩＴＯをエツチングにより除い
ておくか、もしくは最外層（当実施例では第３の導体（
６）のみＩＴＯの代シにハンダ食われの少ないＮ１を形
成しハンダ付けをすることも可能である。基板材料はセ
ラミックでも可能である。
ハンダ部位のみ銅表面のＩＴＯをエツチングにより除い
ておくか、もしくは最外層（当実施例では第３の導体（
６）のみＩＴＯの代シにハンダ食われの少ないＮ１を形
成しハンダ付けをすることも可能である。基板材料はセ
ラミックでも可能である。
〈発明の効果〉
本発明は、以上のように最外殻の絶縁層の表面をＭｇＦ
２もしくはＭｇＯの薄層で覆うため、ポリイミドなどの
有機フィルムやＳ ｒ ０２単体の構成より雰囲気中の
水分の影響を少くシ、信頼性の向上に寄与するものであ
る。
２もしくはＭｇＯの薄層で覆うため、ポリイミドなどの
有機フィルムやＳ ｒ ０２単体の構成より雰囲気中の
水分の影響を少くシ、信頼性の向上に寄与するものであ
る。
第１図〜第６図は、本発明による配線基板の製造プロセ
スを工程順に示す断面図である。 １・・・・・・・・・・・・基板 ２．４．６・
・・導体３．５・・・・・中間絶縁層 ７・・・・・・
・・・・・・保護層８・・・・・・・・曲薄層 特許出頭人 凸版印刷株式会社 代表者鈴木和夫 第３図 第４図 第５図 第６図
スを工程順に示す断面図である。 １・・・・・・・・・・・・基板 ２．４．６・
・・導体３．５・・・・・中間絶縁層 ７・・・・・・
・・・・・・保護層８・・・・・・・・曲薄層 特許出頭人 凸版印刷株式会社 代表者鈴木和夫 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- （１）基板上にすくなくとも絶縁層と金属導電層を積層
する多層基板において、最外殼の絶縁層の表面が酸化マ
グネシウムあるいは弗化マグネシウムのいずれかの薄層
で覆われていることを特徴とする配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18658986A JPS6343395A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18658986A JPS6343395A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6343395A true JPS6343395A (ja) | 1988-02-24 |
Family
ID=16191193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18658986A Pending JPS6343395A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6343395A (ja) |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP18658986A patent/JPS6343395A/ja active Pending
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