JP2734404B2 - セラミック配線基板およびその製造方法 - Google Patents
セラミック配線基板およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は導体配線層と有機樹脂の
絶縁層とが交互に積層された多層配線基板の土台として
用いられ、表裏面を貫通するスルーホールを有するセラ
ミック配線基板およびその製造方法に関する。
絶縁層とが交互に積層された多層配線基板の土台として
用いられ、表裏面を貫通するスルーホールを有するセラ
ミック配線基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】グリーンシートを積層して形成する基板
のスルーホール形成技術の一例が特開平６２−６９６４
８号公報に開示されている。この公報記載の第１図であ
る図２を参照して、公報第２頁右上欄第８行目−左下欄
第９行目の記載を示す。「まず、・・・無機組成物から
なるグリーンシート５，８および１０のそれぞれにスル
ーホール配線４，７および１１のための穴をパンチし、
次に、それぞれのシートのパンチされたスルーホールに
金を主成分とする厚膜導体ペーストを印刷により充填
し、さらにグリーンシート５の表面に第一の電源配線層
６として金を主成分とする厚膜導体ペーストを用いて印
刷により形成し、裏面に端子３形成用パッドを同様に形
成する。またグリーンシート８の表面に第２の電源配線
層９を同様に印刷形成する。次にグリーンシート５，
８，１０のそれぞれを目合わせした後積層し、プレスに
よって各層を貼り合わせる。しかる後にこのグリーンシ
ート積層体を７００℃〜９００℃空気中で焼成する。こ
の工程によって各グリーンシート５，８，１０は一体化
されてガラス・セラミック基板１となり、各導体ペース
トは焼成されて電源配線層６，９およびスルーホール配
線４，７および１１となり、端子３のうちの電源端子の
それぞれと各電源配線層との相互電気的接続および端子
３のそれぞれとスルーホール配線の表面露出部との電気
的接続が行われる。」 この従来の技術では、スルーホールを形成するための穴
はすべて同じ位置にあるので、セラミック基板の表裏面
を貫通するスルーホールの形状は、一直線状になってい
た。
のスルーホール形成技術の一例が特開平６２−６９６４
８号公報に開示されている。この公報記載の第１図であ
る図２を参照して、公報第２頁右上欄第８行目−左下欄
第９行目の記載を示す。「まず、・・・無機組成物から
なるグリーンシート５，８および１０のそれぞれにスル
ーホール配線４，７および１１のための穴をパンチし、
次に、それぞれのシートのパンチされたスルーホールに
金を主成分とする厚膜導体ペーストを印刷により充填
し、さらにグリーンシート５の表面に第一の電源配線層
６として金を主成分とする厚膜導体ペーストを用いて印
刷により形成し、裏面に端子３形成用パッドを同様に形
成する。またグリーンシート８の表面に第２の電源配線
層９を同様に印刷形成する。次にグリーンシート５，
８，１０のそれぞれを目合わせした後積層し、プレスに
よって各層を貼り合わせる。しかる後にこのグリーンシ
ート積層体を７００℃〜９００℃空気中で焼成する。こ
の工程によって各グリーンシート５，８，１０は一体化
されてガラス・セラミック基板１となり、各導体ペース
トは焼成されて電源配線層６，９およびスルーホール配
線４，７および１１となり、端子３のうちの電源端子の
それぞれと各電源配線層との相互電気的接続および端子
３のそれぞれとスルーホール配線の表面露出部との電気
的接続が行われる。」 この従来の技術では、スルーホールを形成するための穴
はすべて同じ位置にあるので、セラミック基板の表裏面
を貫通するスルーホールの形状は、一直線状になってい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】セラミック基板の貫通
スルーホールに使用する導体金属の熱膨張係数は、通常
セラミックの熱膨張係数よりはるかに大きい。従って、
従来の製造方法によるセラミック基板の一直線状のスル
ーホールでは、セラミック基板上に導体配線層と有機樹
脂による絶縁層を交互に積層する多層配線基板を製造す
る時、有機樹脂の絶縁層形成時の熱処理時に、スルーホ
ールが垂直方向に膨張し、スルーホール表面がセラミッ
ク基板表面より高くなり、有機樹脂絶縁層にストレスが
加わる。また、絶縁層形成工程が繰り返して行われるの
で、その度にスルーホールの熱ストレスが有機樹脂の絶
縁層に加わるため、スルーホールの形状に沿って、有機
樹脂絶縁層にクラックや膨れ等の不良が発生しやすいと
いう問題点があった。
スルーホールに使用する導体金属の熱膨張係数は、通常
セラミックの熱膨張係数よりはるかに大きい。従って、
従来の製造方法によるセラミック基板の一直線状のスル
ーホールでは、セラミック基板上に導体配線層と有機樹
脂による絶縁層を交互に積層する多層配線基板を製造す
る時、有機樹脂の絶縁層形成時の熱処理時に、スルーホ
ールが垂直方向に膨張し、スルーホール表面がセラミッ
ク基板表面より高くなり、有機樹脂絶縁層にストレスが
加わる。また、絶縁層形成工程が繰り返して行われるの
で、その度にスルーホールの熱ストレスが有機樹脂の絶
縁層に加わるため、スルーホールの形状に沿って、有機
樹脂絶縁層にクラックや膨れ等の不良が発生しやすいと
いう問題点があった。
【０００４】本発明の目的は、有機樹脂絶縁層形成の際
行う熱処理によりスルーホール表面が基板表面より高く
なる量を減少するようにしたセラミック基板を提供する
ことにある。
行う熱処理によりスルーホール表面が基板表面より高く
なる量を減少するようにしたセラミック基板を提供する
ことにある。
【０００５】本発明の他の目的は、スルーホール周辺の
絶縁層に応力がかかるのを防止して、クラックの発生を
予防するようにしたセラミック基板を提供することにあ
る。
絶縁層に応力がかかるのを防止して、クラックの発生を
予防するようにしたセラミック基板を提供することにあ
る。
【０００６】本発明の他の目的は、膨れを発生しにくく
したセラミック基板を提供することにある。
したセラミック基板を提供することにある。
【０００７】本発明の他の目的は、有機樹脂絶縁層形成
の際行う熱処理によりスルーホール表面が基板表面より
高くなる量を減少するようにしたセラミック基板の製造
方法を提供することにある。
の際行う熱処理によりスルーホール表面が基板表面より
高くなる量を減少するようにしたセラミック基板の製造
方法を提供することにある。
【０００８】本発明の他の目的は、スルーホール周辺の
絶縁層に応力がかかるのを防止してクラックの発生を予
防するようにしたセラミック基板の製造方法を提供する
ことにある。
絶縁層に応力がかかるのを防止してクラックの発生を予
防するようにしたセラミック基板の製造方法を提供する
ことにある。
【０００９】本発明の他の目的は、膨れの発生を予防す
るようにしたセラミック基板の製造方法を提供すること
にある。
るようにしたセラミック基板の製造方法を提供すること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の第１のセラミッ
ク配線基板は、上面と、下面と、該上面および下面を貫
通するとともに数回折れ曲がった形状を呈するスルーホ
ールとを有するセラミック基板と、このセラミック基板
の上面に設けられ導体配線層と有機樹脂の絶縁層とが交
互に積層された配線基板とを含む。
ク配線基板は、上面と、下面と、該上面および下面を貫
通するとともに数回折れ曲がった形状を呈するスルーホ
ールとを有するセラミック基板と、このセラミック基板
の上面に設けられ導体配線層と有機樹脂の絶縁層とが交
互に積層された配線基板とを含む。
【００１１】本発明の第２のセラミック配線基板は、前
記セラミック基板は、第１の貫通孔および該第１の貫通
孔に設けられた第１の導体を有する第１の絶縁層と、こ
の第１の絶縁層の前記第１の貫通孔の位置とは異なる位
置に設けられた第２の貫通孔および該第２の貫通孔に設
けられた第２の導体を有する第２の絶縁層と、前記第１
の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に設けられ前記第１
の導体と前記第２の導体とを電気的に接続する接続パタ
ーンとを含む。
記セラミック基板は、第１の貫通孔および該第１の貫通
孔に設けられた第１の導体を有する第１の絶縁層と、こ
の第１の絶縁層の前記第１の貫通孔の位置とは異なる位
置に設けられた第２の貫通孔および該第２の貫通孔に設
けられた第２の導体を有する第２の絶縁層と、前記第１
の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に設けられ前記第１
の導体と前記第２の導体とを電気的に接続する接続パタ
ーンとを含む。
【００１２】本発明のセラミック配線基板の第１の製造
方法は、複数枚のグリーンシートのそれぞれにスルーホ
ール形成用の穴を位置をずらして形成する穴形成工程
と、この穴形成工程で形成された穴に印刷により導体ペ
ーストを充填する導体ペースト充填工程と、この導体ペ
ースト充填工程で充填された導体ペーストの間を電気的
に接続するために、前記グリーンシート上に印刷で導体
ペーストにより接続パターンを形成する接続パターン形
成工程とを含む。
方法は、複数枚のグリーンシートのそれぞれにスルーホ
ール形成用の穴を位置をずらして形成する穴形成工程
と、この穴形成工程で形成された穴に印刷により導体ペ
ーストを充填する導体ペースト充填工程と、この導体ペ
ースト充填工程で充填された導体ペーストの間を電気的
に接続するために、前記グリーンシート上に印刷で導体
ペーストにより接続パターンを形成する接続パターン形
成工程とを含む。
【００１３】本発明のセラミック基板の第２の製造方法
は、前記第１の製造方法における接続パターン形成工程
のあとに前記グリーンシートを積層しプレスし焼成する
工程を含むことを特徴とする。
は、前記第１の製造方法における接続パターン形成工程
のあとに前記グリーンシートを積層しプレスし焼成する
工程を含むことを特徴とする。
【００１４】
【実施例】次に本発明の一実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１５】図１（Ｄ）を参照すると、本発明の一実施
例は特徴の１つである低温焼結多層セラミック基板３
５、およびこのセラミック基板３５上に形成された金ま
たは白金−鉛系の金属を材料とする導体配線層３９，４
０および４１を有する有機樹脂絶縁層３７および４２を
備えた多層配線層４２を含む。
例は特徴の１つである低温焼結多層セラミック基板３
５、およびこのセラミック基板３５上に形成された金ま
たは白金−鉛系の金属を材料とする導体配線層３９，４
０および４１を有する有機樹脂絶縁層３７および４２を
備えた多層配線層４２を含む。
【００１６】図１（Ｃ）を参照すると、本発明の一実施
例の特徴の１つは、セラミック基板３５に、この基板３
５内の電源配線層３４に接続するように貫通スルーホー
ル３６が折れ曲がるようにして形成されていることにあ
る。このセラミック基板３５は、特開昭６１−１０８１
９２号公報に示された低温焼結多層セラミック基板が望
ましい。この基板は「８００℃〜１０５０℃の温度範囲
で焼結できる低温焼結材料のセラミック層」を含むもの
である。低温焼結材料の第１の例としては、酸化物換算
表記に従ったとき 酸化アルミニウム ５５．０重量％ 二酸化硅素 ２９．２重量％ 酸化鉛 ７．５重量％ 酸化ホウ素 ３．１重量％ ２族元素酸化物 ２．６重量％ ４族元素酸化物 ０．５重量％ １族元素酸化物 ２．１重量％ の組成である。ここで２族元素酸化物としては、酸化マ
グネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化スト
ロンチウムおよび酸化亜鉛から選ばれる。４族元素酸化
物としては酸化チタンジルコニウムから選ばれ、また１
族元素酸化物としては酸化ナトリウム、酸化カリウムか
ら選ばれる。このセラミック基板３５で導体層の材料と
しては、「金又は銀パラジウム又は銀又は銅又はニッケ
ル」であり、第１の例としては「銀パラジウム」が望ま
しい。「銀パラジウムの組成は銀が８５ｗｔ％およびパ
ラジウムが１５ｗｔ％であり、この組成のペーストを用
いて９００℃焼成した際のシート抵抗値は１０〜１２ｍ
Ω／□で」ある。
例の特徴の１つは、セラミック基板３５に、この基板３
５内の電源配線層３４に接続するように貫通スルーホー
ル３６が折れ曲がるようにして形成されていることにあ
る。このセラミック基板３５は、特開昭６１−１０８１
９２号公報に示された低温焼結多層セラミック基板が望
ましい。この基板は「８００℃〜１０５０℃の温度範囲
で焼結できる低温焼結材料のセラミック層」を含むもの
である。低温焼結材料の第１の例としては、酸化物換算
表記に従ったとき 酸化アルミニウム ５５．０重量％ 二酸化硅素 ２９．２重量％ 酸化鉛 ７．５重量％ 酸化ホウ素 ３．１重量％ ２族元素酸化物 ２．６重量％ ４族元素酸化物 ０．５重量％ １族元素酸化物 ２．１重量％ の組成である。ここで２族元素酸化物としては、酸化マ
グネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化スト
ロンチウムおよび酸化亜鉛から選ばれる。４族元素酸化
物としては酸化チタンジルコニウムから選ばれ、また１
族元素酸化物としては酸化ナトリウム、酸化カリウムか
ら選ばれる。このセラミック基板３５で導体層の材料と
しては、「金又は銀パラジウム又は銀又は銅又はニッケ
ル」であり、第１の例としては「銀パラジウム」が望ま
しい。「銀パラジウムの組成は銀が８５ｗｔ％およびパ
ラジウムが１５ｗｔ％であり、この組成のペーストを用
いて９００℃焼成した際のシート抵抗値は１０〜１２ｍ
Ω／□で」ある。
【００１７】第２の例では「セラミック材料としては酸
化物換算表記に従ったとき、 酸化アルミニウム ６０．０重量％ 二酸化硅素 ２３．２重量％ 酸化鉛 ３．０重量％ 酸化ホウ素 ７．２重量％ ２族元素酸化物 ３．８重量％ ４族元素酸化物 １．２重量％ １族元素酸化物 １．６重量％ の組成である。一方、導電材料としては銀７０重量％と
パラジウム３０重量％の組成」である。
化物換算表記に従ったとき、 酸化アルミニウム ６０．０重量％ 二酸化硅素 ２３．２重量％ 酸化鉛 ３．０重量％ 酸化ホウ素 ７．２重量％ ２族元素酸化物 ３．８重量％ ４族元素酸化物 １．２重量％ １族元素酸化物 １．６重量％ の組成である。一方、導電材料としては銀７０重量％と
パラジウム３０重量％の組成」である。
【００１８】第３の例では、「セラミック材料としては
酸化物換算表記に従ったとき、 酸化アルミニウム ４５．０重量％ 二酸化硅素 １０．２重量％ 酸化鉛 １８．４重量％ 酸化ホウ素 １０．２重量％ ２族元素酸化物 ８．８重量％ ４族元素酸化物 ５．１重量％ １族元素酸化物 ２．３重量％ の組成である。
酸化物換算表記に従ったとき、 酸化アルミニウム ４５．０重量％ 二酸化硅素 １０．２重量％ 酸化鉛 １８．４重量％ 酸化ホウ素 １０．２重量％ ２族元素酸化物 ８．８重量％ ４族元素酸化物 ５．１重量％ １族元素酸化物 ２．３重量％ の組成である。
【００１９】導電体材料としては金」が用いられてい
る。
る。
【００２０】第４の例では、「セラミック材料の組成
は、次に示す。
は、次に示す。
【００２１】 酸化アルミニウム ４０．０重量％ 二酸化硅素 １８．３重量％ 酸化鉛 １１．０重量％ 酸化ホウ素 １４．５重量％ ２族元素酸化物 １０．０重量％ ４族元素酸化物 ２．１重量％ １族元素酸化物 ４．１重量％ 導電材料としては銅を用い窒素ガスによる中性雰囲気中
で８００℃の温度で焼成」された。
で８００℃の温度で焼成」された。
【００２２】第５の例では、「セラミック材料は次の組
成である。
成である。
【００２３】 酸化アルミニウム ５０．０重量％ 二酸化硅素 ２２．１重量％ 酸化鉛 ８．２重量％ 酸化ホウ素 １３．７重量％ ２族元素酸化物 １．０重量％ ４族元素酸化物 ２．３重量％ １族元素酸化物 ２．７重量％ 導電材料にはニッケル金属を用い焼成雰囲気は中性雰囲
気で１０００℃程度の焼成温度で緻密な多層セラミック
基板の焼結体」が構成される。このセラミック基板３５
の焼成後の厚さは５．５ミリ（ｍｍ）であり、スルーホ
ール３６の直径は約２００ミクロン（μｍ）である。
気で１０００℃程度の焼成温度で緻密な多層セラミック
基板の焼結体」が構成される。このセラミック基板３５
の焼成後の厚さは５．５ミリ（ｍｍ）であり、スルーホ
ール３６の直径は約２００ミクロン（μｍ）である。
【００２４】本発明の一実施例は、スルーホール３６に
充填された金属とセラミック基板の熱膨張の差により生
ずるスルーホールの突出を避けようとするものである。
このためスルーホールの折り曲がり回数を多くして充填
される導体配線長を短くすることが特徴である。
充填された金属とセラミック基板の熱膨張の差により生
ずるスルーホールの突出を避けようとするものである。
このためスルーホールの折り曲がり回数を多くして充填
される導体配線長を短くすることが特徴である。
【００２５】次に本発明の一実施例の製造方法について
図面を参照して詳細に説明する。
図面を参照して詳細に説明する。
【００２６】図１（Ａ）を参照すると、本発明の一実施
例では、セラミック基板３５を形成するためにグリーン
シート２１−３０を用意する。セラミック基板３５の貫
通スルーホール３６を形成するため、これらグリーンシ
ート２１−３０にパンチングが施される。この結果、２
００ミクロン（μｍ）の径のスルーホール３１が形成さ
れる。グリーンシート２３および２４，２７および２８
に対しては、スルーホール３１の位置をずらして形成さ
れる。
例では、セラミック基板３５を形成するためにグリーン
シート２１−３０を用意する。セラミック基板３５の貫
通スルーホール３６を形成するため、これらグリーンシ
ート２１−３０にパンチングが施される。この結果、２
００ミクロン（μｍ）の径のスルーホール３１が形成さ
れる。グリーンシート２３および２４，２７および２８
に対しては、スルーホール３１の位置をずらして形成さ
れる。
【００２７】図１（Ｂ）を参照すると、図１（Ａ）に示
される工程で形成されたグリーンシート２１−３０のス
ルーホール３１に印刷により導体ペーストが埋め込まれ
スルーホール３２が形成される。
される工程で形成されたグリーンシート２１−３０のス
ルーホール３１に印刷により導体ペーストが埋め込まれ
スルーホール３２が形成される。
【００２８】グリーンシート２２と２３、２４と２５，
２６と２７，２８と２９において、位置をずらしたスル
ーホール３２を接続するため、グリーンシート２３，２
５，２７および２９上に、導体ペーストを用いて印刷に
より接続パターン３３が形成される。
２６と２７，２８と２９において、位置をずらしたスル
ーホール３２を接続するため、グリーンシート２３，２
５，２７および２９上に、導体ペーストを用いて印刷に
より接続パターン３３が形成される。
【００２９】グリーンシート２４および２８には電源配
線層３４が導体ペーストを用いて印刷により形成され
る。
線層３４が導体ペーストを用いて印刷により形成され
る。
【００３０】このあと、グリーンシート２１−３０が積
層されプレスされ、グリーンシート積層体が形成され
る。
層されプレスされ、グリーンシート積層体が形成され
る。
【００３１】図１（Ｃ）を参照すると形成されたグリー
ンシート積層体が焼成される。この焼成工程によりグリ
ーンシート積層体が一体化されセラミック基板３５にな
る。
ンシート積層体が焼成される。この焼成工程によりグリ
ーンシート積層体が一体化されセラミック基板３５にな
る。
【００３２】各導体ペーストも焼成されて電源配線層２
４および貫通スルーホール３６が形成される。
４および貫通スルーホール３６が形成される。
【００３３】図１（Ｃ）には、上述の工程で完成された
セラミック基板が示されている。
セラミック基板が示されている。
【００３４】図１（Ｄ）を参照すると、セラミック基板
３５上にスパッタリングで薄膜が形成され、フォトレジ
ストが塗布される。露光、現像によりフォトレジストに
配線パターンが形成される。次に、めっきにより導体配
線層３９が形成される。それから、フォトレジストおよ
びスパッタにより薄膜が除去される。薄膜の除去された
ものの上に、ポリイミド前駆体ワニスが塗布され、乾燥
される。このあと、この塗布膜にビアホールが露光、現
像により形成される。さらにこれが望ましくは４００℃
まで上昇した温度で熱硬化（キュア）されてポリイミド
樹脂絶縁層３７が形成される。
３５上にスパッタリングで薄膜が形成され、フォトレジ
ストが塗布される。露光、現像によりフォトレジストに
配線パターンが形成される。次に、めっきにより導体配
線層３９が形成される。それから、フォトレジストおよ
びスパッタにより薄膜が除去される。薄膜の除去された
ものの上に、ポリイミド前駆体ワニスが塗布され、乾燥
される。このあと、この塗布膜にビアホールが露光、現
像により形成される。さらにこれが望ましくは４００℃
まで上昇した温度で熱硬化（キュア）されてポリイミド
樹脂絶縁層３７が形成される。
【００３５】これらの工程が繰り返されて多層配線層４
２が形成される。
２が形成される。
【００３６】図１（Ｄ）には、このような工程により形
成された多層配線基板の断面が示されている。
成された多層配線基板の断面が示されている。
【００３７】
【発明の効果】本発明の特徴の１つは、セラミック基板
の貫通スルーホールを基板内部で数回折り曲げ、短いス
ルーホールを数個接続して形状にある。この特徴によ
り、本発明は有機樹脂絶縁層形成の際に行う熱処理時に
スルーホール表面が基板表面より高くなる量を減らすと
いう効果をもたらす。この効果を、上述の実施例で用い
られ特開昭６１−１０８１９２号公報で示された低温焼
結多層セラミック基板３５で説明する。焼成後の基板の
厚さは５．５ミリ（ｍｍ）であり、スルーホールの直径
は約２００ミクロン（μｍ）である。スルーホールに
は、銀Ａｇ−パラジウムＰｄの合金が充填されている。
このセラミック基板の熱膨張係数は４．２×１０-6［１
／℃］であり、スルーホールの合金を銀の熱膨張係数を
近似値として使用すると１９．１×１０-6〔１／℃〕で
ある。
の貫通スルーホールを基板内部で数回折り曲げ、短いス
ルーホールを数個接続して形状にある。この特徴によ
り、本発明は有機樹脂絶縁層形成の際に行う熱処理時に
スルーホール表面が基板表面より高くなる量を減らすと
いう効果をもたらす。この効果を、上述の実施例で用い
られ特開昭６１−１０８１９２号公報で示された低温焼
結多層セラミック基板３５で説明する。焼成後の基板の
厚さは５．５ミリ（ｍｍ）であり、スルーホールの直径
は約２００ミクロン（μｍ）である。スルーホールに
は、銀Ａｇ−パラジウムＰｄの合金が充填されている。
このセラミック基板の熱膨張係数は４．２×１０-6［１
／℃］であり、スルーホールの合金を銀の熱膨張係数を
近似値として使用すると１９．１×１０-6〔１／℃〕で
ある。
【００３８】実施例では、有機樹脂絶縁層はポリイミド
樹脂を使用し、熱硬化時の温度は４００℃まで上昇させ
た。４００℃まで温度上昇させた時のスルーホール内合
金とセラミック基板の熱膨張の差は、以下の計算とな
る。
樹脂を使用し、熱硬化時の温度は４００℃まで上昇させ
た。４００℃まで温度上昇させた時のスルーホール内合
金とセラミック基板の熱膨張の差は、以下の計算とな
る。
【００３９】すなわち、（１９．１−４．２）×１０-6
〔１／℃〕×（４００−２０）〔℃〕×５．５〔ｍｍ〕
＝３１．１×１０-3〔ｍｍ〕 基板の両側にスルーホールが同じだけ突出すると仮定す
ると、基板表面に突出する量は約１５．５ミクロン（μ
ｍ）となる。
〔１／℃〕×（４００−２０）〔℃〕×５．５〔ｍｍ〕
＝３１．１×１０-3〔ｍｍ〕 基板の両側にスルーホールが同じだけ突出すると仮定す
ると、基板表面に突出する量は約１５．５ミクロン（μ
ｍ）となる。
【００４０】現実には、基板表面と裏面とで配線ピッチ
が異なっているため、基板の裏面約１ミリ（ｍｍ）のと
ころで１回折り曲げられている。
が異なっているため、基板の裏面約１ミリ（ｍｍ）のと
ころで１回折り曲げられている。
【００４１】この状態では約２５ミクロン突出すること
になる。
になる。
【００４２】基板内部でスルーホールを折り曲げる回数
が多いほど、スルーホールが短くなる。従って、熱によ
り膨張する長さが短くなり、突出する量が小さくなる。
従って、熱により膨張する長さが短くなり、突出する量
が小さくなる。しかし、折り曲げる回数が多くなると導
体配線長が長くなる。これらを考慮して基板内部で５回
折り曲げるとスルーホールの長さは１／６になり、突出
する量は約５ミクロン（μｍ）となりうる。
が多いほど、スルーホールが短くなる。従って、熱によ
り膨張する長さが短くなり、突出する量が小さくなる。
従って、熱により膨張する長さが短くなり、突出する量
が小さくなる。しかし、折り曲げる回数が多くなると導
体配線長が長くなる。これらを考慮して基板内部で５回
折り曲げるとスルーホールの長さは１／６になり、突出
する量は約５ミクロン（μｍ）となりうる。
【００４３】本発明の第２の効果は以下の通りである。
【００４４】すなわち、有機樹脂絶縁層の熱硬化時、ス
ルーホールの突出量が多いとスルーホール周辺の絶縁層
に応力がかかり、クラックが発生しやすくなる。本発明
はスルーホールの突出量を少なくしたため、このような
クラックの発生不良を防止できる。
ルーホールの突出量が多いとスルーホール周辺の絶縁層
に応力がかかり、クラックが発生しやすくなる。本発明
はスルーホールの突出量を少なくしたため、このような
クラックの発生不良を防止できる。
【００４５】本発明の第３の効果は以下の通りである。
【００４６】温度が下がり、導体金属が収縮したとき、
膨張の収縮の差が大きいほど、一度持ち上げられた絶縁
層がもとに戻らずに膨れが発生しやすい。本発明は膨張
と収縮との差を少なくしたため、このような膨れの発生
を防止することができる。
膨張の収縮の差が大きいほど、一度持ち上げられた絶縁
層がもとに戻らずに膨れが発生しやすい。本発明は膨張
と収縮との差を少なくしたため、このような膨れの発生
を防止することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す図である。
【図２】従来のセラミック基板を使用した多層配線基板
の断面を示す図である。
の断面を示す図である。
【符号の説明】 １〜１０ グリーンシート １１ スルーホール（穴） １２ スルーホール（導体ペースト充填後） １３ 接続パターン １４ 電源配線層 １５ セラミック基板 １６ 貫通スルーホール １７，１８ 有機樹脂絶縁層 １９〜２１ 導体配線層 ２２ 多層配線層
Claims (3)
- 【請求項１】 上面と、下面と、該上面および下面を貫
通するとともに数回折れ曲がった形状を呈するスルーホ
ールとを有するセラミック基板と、 このセラミック基板の上面に設けられ導体配線層と有機
樹脂の絶縁層とが交互に積層された配線基板とを含むこ
とを特徴とするセラミック配線基板。 - 【請求項２】 前記セラミック基板は、 第１の貫通孔および該第１の貫通孔に設けられた第１の
導体を有する第１の絶縁層と、 この第１の絶縁層の前記第１の貫通孔の位置とは異なる
位置に設けられた第２の貫通孔および該第２の貫通孔に
設けられた第２の導体を有する第２の絶縁層と、 前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に設けられ
前記第１の導体と前記第２の導体とを電気的に接続する
接続パターンとを含むことを特徴とする請求項１記載の
セラミック配線基板。 - 【請求項３】 複数枚のグリーンシートのそれぞれにス
ルーホール形成用の穴を位置をずらして形成する穴形成
工程と、 この穴形成工程で形成された穴に導体ペーストを充填す
る導体ペースト充填工程と、 この導体ペースト充填工程で充填された導体ペーストの
間を電気的に接続するために、前記グリーンシート上に
導体ペーストにより接続パターンを形成する接続パター
ン形成工程と、 前記グリーンシートを積層プレスして焼成してセラミッ
ク基板を形成するセラミック基板形成工程と、 前記セラミック基板の上面に導体配線層と有機樹脂の絶
縁層とを交互に積層する積層工程と を含むことを特徴と
するセラミック配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7125181A JP2734404B2 (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | セラミック配線基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7125181A JP2734404B2 (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | セラミック配線基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08321682A JPH08321682A (ja) | 1996-12-03 |
| JP2734404B2 true JP2734404B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=14903910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7125181A Expired - Lifetime JP2734404B2 (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | セラミック配線基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2734404B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4960583B2 (ja) * | 2004-07-07 | 2012-06-27 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層型ｌｃ複合部品 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02271596A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Tdk Corp | 多層ハイブリッド回路の製造方法 |
-
1995
- 1995-05-24 JP JP7125181A patent/JP2734404B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08321682A (ja) | 1996-12-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971125 |