JPH0348496A - セラミック多層配線基板およびその製造法 - Google Patents
セラミック多層配線基板およびその製造法Info
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- JPH0348496A JPH0348496A JP2090443A JP9044390A JPH0348496A JP H0348496 A JPH0348496 A JP H0348496A JP 2090443 A JP2090443 A JP 2090443A JP 9044390 A JP9044390 A JP 9044390A JP H0348496 A JPH0348496 A JP H0348496A
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、セラミック多層配線基板およびその製造法に
関し、特に安定した電気導電性を有するように改良した
配線基板およびその製造法に関するものである。
関し、特に安定した電気導電性を有するように改良した
配線基板およびその製造法に関するものである。
(従来の技術)
従来、セラミック多層配線基板は印刷多層基板と積層多
層基板に大別され、以下のような方法で製造されていた
。印刷多層基板を例にとり以下に説明する。まず、絶縁
層を形成する絶縁ペーストと高融点金属導体層を形成す
る導体ペーストとを、セラミックグリーンシ一ト上に交
互に複数層印刷したのち、還元雰囲気で同時焼成して露
出導体層を有する多層配線基板を得る。次に、得られた
多層配線基板の露出導体層上に部品実装ならびに厚膜素
子形成用導体ペーストを印刷した後、酸化雰囲気で焼成
してセラミック多層配線基板を得ていた。
層基板に大別され、以下のような方法で製造されていた
。印刷多層基板を例にとり以下に説明する。まず、絶縁
層を形成する絶縁ペーストと高融点金属導体層を形成す
る導体ペーストとを、セラミックグリーンシ一ト上に交
互に複数層印刷したのち、還元雰囲気で同時焼成して露
出導体層を有する多層配線基板を得る。次に、得られた
多層配線基板の露出導体層上に部品実装ならびに厚膜素
子形成用導体ペーストを印刷した後、酸化雰囲気で焼成
してセラミック多層配線基板を得ていた。
すなわち、第4図に上述した製造工程のうち、印刷法で
多層配線部を形成し還元雰囲気で同時焼成して得た露出
導体層を有する多層配線基板の一例を示すように、グリ
ーンシ一トもしくは多層配線を内蔵したグリーンシ一ト
1上に高融点金属から成る導体層を形成する導体ペース
トにより配線パターンMl,次に絶縁層を形成する絶縁
ペーストZlを印刷し、その後高融点金属から成るヴイ
アホールを形成する導体ペーストによりヴイア埋めパタ
ーンM2を印刷し、以後絶縁ペーストZ2、導体ペース
トM3、絶縁ペーストZ3を印刷した後、導体ペースト
の酸化を防ぐため還元雰囲気中で焼成していた。その後
、導体層M3上の絶縁層Z3以外の面に内部導体の酸化
を防ぐための例えばニッケルメッキ2およびAu−Ag
合金層3からなる耐酸化バリヤを設けるとともに、部品
実装ならびに厚膜素子形成用導体ペーストを印刷して酸
化雰囲気で焼成して、目的とするセラミック多層配線基
板を得ていた。
多層配線部を形成し還元雰囲気で同時焼成して得た露出
導体層を有する多層配線基板の一例を示すように、グリ
ーンシ一トもしくは多層配線を内蔵したグリーンシ一ト
1上に高融点金属から成る導体層を形成する導体ペース
トにより配線パターンMl,次に絶縁層を形成する絶縁
ペーストZlを印刷し、その後高融点金属から成るヴイ
アホールを形成する導体ペーストによりヴイア埋めパタ
ーンM2を印刷し、以後絶縁ペーストZ2、導体ペース
トM3、絶縁ペーストZ3を印刷した後、導体ペースト
の酸化を防ぐため還元雰囲気中で焼成していた。その後
、導体層M3上の絶縁層Z3以外の面に内部導体の酸化
を防ぐための例えばニッケルメッキ2およびAu−Ag
合金層3からなる耐酸化バリヤを設けるとともに、部品
実装ならびに厚膜素子形成用導体ペーストを印刷して酸
化雰囲気で焼成して、目的とするセラミック多層配線基
板を得ていた。
ここで、絶縁ペーストと導体ペーストとを交互に印刷す
る理由は、例えば、絶縁ペーストを複数層連続して印刷
すると、その分段差が厳しくなるので次の導体ペースト
を印刷する際に絶縁不良ならびに印刷欠陥か生じるため
である。
る理由は、例えば、絶縁ペーストを複数層連続して印刷
すると、その分段差が厳しくなるので次の導体ペースト
を印刷する際に絶縁不良ならびに印刷欠陥か生じるため
である。
しかしながら、上述した従来のセラミック多層配線基板
において、第5図の部分的拡大断面図に示すように、同
時焼成される多層配線基板の絶縁層のうち最外層の絶縁
層Z3の端部Tが、絶縁ぺ一スト印刷の印刷ダレ、ニジ
ミにより、薄くなる。
において、第5図の部分的拡大断面図に示すように、同
時焼成される多層配線基板の絶縁層のうち最外層の絶縁
層Z3の端部Tが、絶縁ぺ一スト印刷の印刷ダレ、ニジ
ミにより、薄くなる。
通常絶縁層Z3の厚さはlO〜20μmであるか、この
端部Tにおいてはその厚さが1〜2μm程度になるとこ
ろもあり、そして、このような状態になると、その端部
Tにはピンホールもしくはセラミック粒子の数が少なく
なる事によるセラミック粒子間の隙間を介してその絶縁
層に欠陥が生じる可能性が高く、またこの部分にはニッ
ケルメッキ2ならびにAu − Ag合金層3からなる
耐酸化バリヤ層が設けられていないため、高温の酸化雰
囲気での焼成において内部の導体層M3の端部が第5図
中斜線で示すように酸化される問題があることを本発明
者達は発見した。そして、その結果、導体パターンのオ
ーブンもしくは電気導電性が劣化する等の種々の問題か
生じ、製造上の歩留りか悪くなる問題が生じる。
端部Tにおいてはその厚さが1〜2μm程度になるとこ
ろもあり、そして、このような状態になると、その端部
Tにはピンホールもしくはセラミック粒子の数が少なく
なる事によるセラミック粒子間の隙間を介してその絶縁
層に欠陥が生じる可能性が高く、またこの部分にはニッ
ケルメッキ2ならびにAu − Ag合金層3からなる
耐酸化バリヤ層が設けられていないため、高温の酸化雰
囲気での焼成において内部の導体層M3の端部が第5図
中斜線で示すように酸化される問題があることを本発明
者達は発見した。そして、その結果、導体パターンのオ
ーブンもしくは電気導電性が劣化する等の種々の問題か
生じ、製造上の歩留りか悪くなる問題が生じる。
本発明の目的は上述した課題を解消して、絶縁層の欠陥
がなく、安定した電気導電性を有するセラミック多層配
線基板およびその製造法を提供しようとするものである
。
がなく、安定した電気導電性を有するセラミック多層配
線基板およびその製造法を提供しようとするものである
。
(課題を解決するための手段)
本発明のセラミック多層配線基板は、絶縁層と高融点金
属導体層とが交互に複数層形成され、かつ露出導体層上
に耐酸化バリヤおよび厚膜導体を設けて成るセラミック
多層配線基板において、露出導体層を画成する絶縁層の
端部が該露出導体層て覆われていることを特徴とするも
のである。
属導体層とが交互に複数層形成され、かつ露出導体層上
に耐酸化バリヤおよび厚膜導体を設けて成るセラミック
多層配線基板において、露出導体層を画成する絶縁層の
端部が該露出導体層て覆われていることを特徴とするも
のである。
また、本発明のセラミック多層配線基板の製造法は、絶
縁層を形成する絶縁材料と、高融点金属導体層を形成す
る導体ペーストとを交互に形成した後、還元雰囲気で同
時焼成して得た多層配線基板の露出導体層上に耐酸化バ
リヤを設け、さらにその上に厚膜素子形成用ペーストを
印刷して酸化雰囲気中で焼成するセラミック多層配線基
板の製造法において、最外層の絶縁材料を絶縁ペースト
により印刷した後、露出導体層を形成する導体ぺ−スト
を、前記絶縁ペーストにより画成される開口に設け、前
記絶縁ペーストの端部を、露出導体層を形成する導体ペ
ーストで覆うことを特徴とするものである。
縁層を形成する絶縁材料と、高融点金属導体層を形成す
る導体ペーストとを交互に形成した後、還元雰囲気で同
時焼成して得た多層配線基板の露出導体層上に耐酸化バ
リヤを設け、さらにその上に厚膜素子形成用ペーストを
印刷して酸化雰囲気中で焼成するセラミック多層配線基
板の製造法において、最外層の絶縁材料を絶縁ペースト
により印刷した後、露出導体層を形成する導体ぺ−スト
を、前記絶縁ペーストにより画成される開口に設け、前
記絶縁ペーストの端部を、露出導体層を形成する導体ペ
ーストで覆うことを特徴とするものである。
(作 用)
上述した構造により、露出導体層を画成する絶縁層端部
を耐酸化バリヤて覆うことができるので、絶縁層端部の
欠陥をなくすことができ、高温酸化雰囲気下でも内部の
導体層を酸化することはない。
を耐酸化バリヤて覆うことができるので、絶縁層端部の
欠陥をなくすことができ、高温酸化雰囲気下でも内部の
導体層を酸化することはない。
また、上記構造は、従来の多層配線基板の製造法と異な
り、最外層の絶縁層を形成するための絶縁ペーストおよ
びこの絶縁ペーストにより画成される露出導体層を形成
するための導体ペーストの形成を、最外層の絶縁ペース
トを先に印刷した後露出導体層用の導体ペーストを設け
ることにより゛達成できる。
り、最外層の絶縁層を形成するための絶縁ペーストおよ
びこの絶縁ペーストにより画成される露出導体層を形成
するための導体ペーストの形成を、最外層の絶縁ペース
トを先に印刷した後露出導体層用の導体ペーストを設け
ることにより゛達成できる。
(実施例)
第1図は本発明のセラミック多層配線基板を印刷法で形
成した一例の構成を示す図である。第l図において、絶
縁層を形成するためにAI 20a,AI!N,ムライ
ト等の絶縁ペーストZl. Z2, Z3と高融点金属
から成る導体層を形成するためにMo, W等の酸化さ
れ易い導体ペーストMl. M2, M3とを、セラミ
ックグリーンシ一トも・しくは多層配線を内蔵したグリ
ーンシ一ト1上に交互に複数層印刷したのち、このグリ
ーンシ一ト1とともに還元雰囲気で同時焼成して高融点
金属からなる露出導体層を有する多層配線基板を得てい
る。
成した一例の構成を示す図である。第l図において、絶
縁層を形成するためにAI 20a,AI!N,ムライ
ト等の絶縁ペーストZl. Z2, Z3と高融点金属
から成る導体層を形成するためにMo, W等の酸化さ
れ易い導体ペーストMl. M2, M3とを、セラミ
ックグリーンシ一トも・しくは多層配線を内蔵したグリ
ーンシ一ト1上に交互に複数層印刷したのち、このグリ
ーンシ一ト1とともに還元雰囲気で同時焼成して高融点
金属からなる露出導体層を有する多層配線基板を得てい
る。
第1図に示した構造の多層配線基板は、グリーンシ一ト
1上に導体ペーストMl,絶縁ペーストZ1、導体ペー
ストM2、絶縁ペーストZ2および絶縁ぺ一ストZ3を
順に印刷した後最後に導体ペーストM3を印刷して設け
ることにより得ることができる。即ち、第4図に示した
従来技術においては、同時焼成した多層配線基板の最外
層となる導体ペーストM3と絶縁ペーストZ3とを形成
する際に、導体ぺ一ストM3の方を先に形成していたの
に対し、本発明においてはそれらの順序を逆にして絶縁
ペーストZ3の方を先に形成するところに特徴かある。
1上に導体ペーストMl,絶縁ペーストZ1、導体ペー
ストM2、絶縁ペーストZ2および絶縁ぺ一ストZ3を
順に印刷した後最後に導体ペーストM3を印刷して設け
ることにより得ることができる。即ち、第4図に示した
従来技術においては、同時焼成した多層配線基板の最外
層となる導体ペーストM3と絶縁ペーストZ3とを形成
する際に、導体ぺ一ストM3の方を先に形成していたの
に対し、本発明においてはそれらの順序を逆にして絶縁
ペーストZ3の方を先に形成するところに特徴かある。
そして、その結果、形成された絶縁層Z3の端部か最外
層である高融点金属層M3により完全に覆われた構造と
なる。引続き、この状態において露出する導体層M3上
に例えばニッケル(Ni)メッキ2等のメッキ層を形成
し、その後、シンターリングを行う。さらに、このニッ
ケルメッキ2上に例えばAu−Ag合金をAu. Ag
を金属成分とする厚膜ペーストとして印刷し、窒素ある
いは水素雰囲気中にてその軟化点以上の温度で溶融する
ことにより耐酸化バリア層としてのAu−Ag合金層3
を形或する。なお、Au − Ag合金層3中には5〜
15%ガラスか入りている。又、この合金層は他の貴金
属により形成しても良い。
層である高融点金属層M3により完全に覆われた構造と
なる。引続き、この状態において露出する導体層M3上
に例えばニッケル(Ni)メッキ2等のメッキ層を形成
し、その後、シンターリングを行う。さらに、このニッ
ケルメッキ2上に例えばAu−Ag合金をAu. Ag
を金属成分とする厚膜ペーストとして印刷し、窒素ある
いは水素雰囲気中にてその軟化点以上の温度で溶融する
ことにより耐酸化バリア層としてのAu−Ag合金層3
を形或する。なお、Au − Ag合金層3中には5〜
15%ガラスか入りている。又、この合金層は他の貴金
属により形成しても良い。
次に、第6図に示すように、Au−Ag合金層3および
絶縁NZS上に選択的にAg−Pd,Ag等の部品実装
および厚膜素子形成用導体ペーストを印刷し、酸化雰囲
気で焼成して厚膜導体5を形成する。この際、このAu
−Ag合金層3と厚膜導体5の間に、信頼性を向上する
ために厚膜接続導体層を設けてもよい。そしてその上に
、例えば酸化ルテニウム,ルテニウムのパイロクロア構
造を有する材料等から成る抵抗体ペーストを必要個所に
印刷し、焼成する事によって抵抗体9が形成される。さ
らに、その上に選択的に300〜700゜Cの温度範囲
で、例えば460゜C程度の融点を有する低融点ガラス
からなる保護ガラス7を形成し、その保護ガラス7の開
口部において、チップコンデンサ11等の部品を半田1
3により接着する。
絶縁NZS上に選択的にAg−Pd,Ag等の部品実装
および厚膜素子形成用導体ペーストを印刷し、酸化雰囲
気で焼成して厚膜導体5を形成する。この際、このAu
−Ag合金層3と厚膜導体5の間に、信頼性を向上する
ために厚膜接続導体層を設けてもよい。そしてその上に
、例えば酸化ルテニウム,ルテニウムのパイロクロア構
造を有する材料等から成る抵抗体ペーストを必要個所に
印刷し、焼成する事によって抵抗体9が形成される。さ
らに、その上に選択的に300〜700゜Cの温度範囲
で、例えば460゜C程度の融点を有する低融点ガラス
からなる保護ガラス7を形成し、その保護ガラス7の開
口部において、チップコンデンサ11等の部品を半田1
3により接着する。
本実施例によると、上述したように、絶縁層のうちで最
外層となる絶縁層Z3の端部が、高融点金属層のうちで
最外層となる高融点金属層M3により覆われており、高
融点金属層M3により覆われていない絶縁層Z3の部分
は比較的厚い厚さを有しているので、厚膜素子形成用ペ
ーストの酸化雰囲気中における焼成工程においても絶縁
層Z3の欠陥からその下の高融点金属層が酸化されると
いうような不具合が生じにくくなる。
外層となる絶縁層Z3の端部が、高融点金属層のうちで
最外層となる高融点金属層M3により覆われており、高
融点金属層M3により覆われていない絶縁層Z3の部分
は比較的厚い厚さを有しているので、厚膜素子形成用ペ
ーストの酸化雰囲気中における焼成工程においても絶縁
層Z3の欠陥からその下の高融点金属層が酸化されると
いうような不具合が生じにくくなる。
尚、言うまでもなく、高融点金属層M3上にはニッケル
メッキ2およびAu−Ag合金層からなる耐酸化バリア
層が存在しているために、ここから内部か酸化されるこ
とはない。又、Au−Ag合金層3と絶縁層Z3の接合
面は予めAu−Ag合金層3に含まれるガラス等のフリ
ット成分により密着・シールされるため酸素の侵入が遮
断される。
メッキ2およびAu−Ag合金層からなる耐酸化バリア
層が存在しているために、ここから内部か酸化されるこ
とはない。又、Au−Ag合金層3と絶縁層Z3の接合
面は予めAu−Ag合金層3に含まれるガラス等のフリ
ット成分により密着・シールされるため酸素の侵入が遮
断される。
上記実施例の構造の耐酸化ダイア部と第4図に示した構
造のヴイア部とを実際に試作した各々1000個に対し
、850″CてlO分間トータルで60分間酸化雰囲気
にて繰り返し焼成を行い、各ダイア部の導通抵抗値の初
期値に対する変化率を測定した。
造のヴイア部とを実際に試作した各々1000個に対し
、850″CてlO分間トータルで60分間酸化雰囲気
にて繰り返し焼成を行い、各ダイア部の導通抵抗値の初
期値に対する変化率を測定した。
・第−3図に各ヴイアの導通抵抗の変化率の変化値と焼
成繰り返し回数との関係を示す。
成繰り返し回数との関係を示す。
第3図の結果から、本発明の耐酸化ヴイア部では6回の
繰り返しでも、導体抵抗値はそれほど変化しないのに対
し、従来のヴイア構造のものは4回めの焼成においてヴ
イア部が酸化してヴイア内部の導体の抵抗値が増大し、
最終的には断線してしまうことがわかる。
繰り返しでも、導体抵抗値はそれほど変化しないのに対
し、従来のヴイア構造のものは4回めの焼成においてヴ
イア部が酸化してヴイア内部の導体の抵抗値が増大し、
最終的には断線してしまうことがわかる。
次に、上記実施例の他の特徴点について説明する。
上記実施例では、絶縁ペーストZ3の高融点金属層M3
を画成するための開口の大きさが、絶縁ぺ一ストZ2開
口の大きさより大きくなるように形成している。
を画成するための開口の大きさが、絶縁ぺ一ストZ2開
口の大きさより大きくなるように形成している。
このように形成することにより、部品実装ならびに厚膜
素子形成用導体ペーストの焼成時に高融点金属層M3に
より覆われていない絶縁層Z3に仮に欠陥が生じたとし
ても、その絶縁層Z3の下には充分厚い膜厚を有する絶
縁層Z2が存在しているので高融点金属層が酸化するこ
とがな《、より信頼性を高めることができる。又、第7
図に示すように、仮に導体ペーストM3の印刷時に印刷
ずれか生じてしまい導体ペーストM3が絶縁ペーストZ
3上に形成されなかったとしても、絶縁ペースト23下
には絶縁ペーストz2がずれて配置しているので、この
絶縁ペーストz2により高融点金属層の酸化を防止する
ことができる。従ってこの構造によると絶縁べ一ストZ
2とZ3のずれ分gapだけ印刷時のずれを吸収できる
という効果かある。
素子形成用導体ペーストの焼成時に高融点金属層M3に
より覆われていない絶縁層Z3に仮に欠陥が生じたとし
ても、その絶縁層Z3の下には充分厚い膜厚を有する絶
縁層Z2が存在しているので高融点金属層が酸化するこ
とがな《、より信頼性を高めることができる。又、第7
図に示すように、仮に導体ペーストM3の印刷時に印刷
ずれか生じてしまい導体ペーストM3が絶縁ペーストZ
3上に形成されなかったとしても、絶縁ペースト23下
には絶縁ペーストz2がずれて配置しているので、この
絶縁ペーストz2により高融点金属層の酸化を防止する
ことができる。従ってこの構造によると絶縁べ一ストZ
2とZ3のずれ分gapだけ印刷時のずれを吸収できる
という効果かある。
又、上記実施例では、第8図(a)に示すように、絶縁
層z3の開口部の肩部Sよりもヴイアの内側に高融点金
属層M3の端部Eが配置するように設計されている。以
下、このようにすることの効果を説明する。Au−Ag
合金層3の溶融時には上述したよ゛うにガラス等のフリ
ット成分が金属成分の外周に溶出し、これがAu −
Ag合金層3と絶縁層z3の接合面に密着、シールする
ために酸素の侵入が遮断されるという効果があるが、第
8図(b)に示すように高融点金属層M3の端部Eが絶
縁層Z3の肩部Sよりも外側に配置していると溶出した
フリット成分は絶縁層Z3上に分散してしまい、このよ
うな効果を期待できない。それに対して、第8図(a)
のように形成すると、Au − Ag合金層3と絶縁層
Z3との間に窪みかできるために析出したフリット成分
Fはその窪みに溜まり易くなり上述した効果を奏するこ
とができる。尚、上記肩部Sは絶縁層Z3においてダレ
によりその膜厚が薄くなり始める起点となる所である。
層z3の開口部の肩部Sよりもヴイアの内側に高融点金
属層M3の端部Eが配置するように設計されている。以
下、このようにすることの効果を説明する。Au−Ag
合金層3の溶融時には上述したよ゛うにガラス等のフリ
ット成分が金属成分の外周に溶出し、これがAu −
Ag合金層3と絶縁層z3の接合面に密着、シールする
ために酸素の侵入が遮断されるという効果があるが、第
8図(b)に示すように高融点金属層M3の端部Eが絶
縁層Z3の肩部Sよりも外側に配置していると溶出した
フリット成分は絶縁層Z3上に分散してしまい、このよ
うな効果を期待できない。それに対して、第8図(a)
のように形成すると、Au − Ag合金層3と絶縁層
Z3との間に窪みかできるために析出したフリット成分
Fはその窪みに溜まり易くなり上述した効果を奏するこ
とができる。尚、上記肩部Sは絶縁層Z3においてダレ
によりその膜厚が薄くなり始める起点となる所である。
第2図は本発明のセラミック多層配線基板を積層法で形
成した他の例の構成を示す図である。第2図において高
融点金属から成る導体層を形成する導体ペーストを印刷
したシートを複数層積層した多層配線グリーンシ一ト1
上に絶縁層を形成する絶縁ペーストZlと高融点金属か
ら成るヴイアホールを形成する導体ペーストM3とを印
刷した後、還元雰囲気で同時焼成して高融点金属から成
る露出導体層を有する多層配線基板を得る。尚、図中4
aは位置ずれを吸収するためにスルーホール4内の導体
と同じ導体により形成したランドである。
成した他の例の構成を示す図である。第2図において高
融点金属から成る導体層を形成する導体ペーストを印刷
したシートを複数層積層した多層配線グリーンシ一ト1
上に絶縁層を形成する絶縁ペーストZlと高融点金属か
ら成るヴイアホールを形成する導体ペーストM3とを印
刷した後、還元雰囲気で同時焼成して高融点金属から成
る露出導体層を有する多層配線基板を得る。尚、図中4
aは位置ずれを吸収するためにスルーホール4内の導体
と同じ導体により形成したランドである。
従来技術と構造上異なる点はスルーホール4から成る露
出導体層を画成する印刷絶縁層Zlの端部が露出導体層
を形成する高融点金属層M3により完全に覆われている
点である。さらにこの高融点金属層M3の開口部上には
例えばニッケルメッキ2及びAu−Ag合金層3からな
る耐酸化バリヤ層が設けられているため部品実装ならび
に厚膜素子形成用ペーストを印刷して酸化雰囲気で焼成
しても、欠陥の出やすい最外層の絶縁層Zlの端部上に
は高融点金属層M3が存在し、その結果ニッケルメッキ
2及びAu−Ag合金層3からなる耐酸化バリア層も存
在するため内部の高融点金属導体が酸化されることはな
い。
出導体層を画成する印刷絶縁層Zlの端部が露出導体層
を形成する高融点金属層M3により完全に覆われている
点である。さらにこの高融点金属層M3の開口部上には
例えばニッケルメッキ2及びAu−Ag合金層3からな
る耐酸化バリヤ層が設けられているため部品実装ならび
に厚膜素子形成用ペーストを印刷して酸化雰囲気で焼成
しても、欠陥の出やすい最外層の絶縁層Zlの端部上に
は高融点金属層M3が存在し、その結果ニッケルメッキ
2及びAu−Ag合金層3からなる耐酸化バリア層も存
在するため内部の高融点金属導体が酸化されることはな
い。
第2図に示した構造の本発明の多層配線基板はグリーン
シ一ト1上に絶縁ペーストZl,導体ペーストM3を印
刷して設けることにより得ることができる。
シ一ト1上に絶縁ペーストZl,導体ペーストM3を印
刷して設けることにより得ることができる。
以上、本発明を上述した実施例により説明したか、本発
明はその主旨を逸脱しない限り例えば以下に示すように
種々変形可能である。
明はその主旨を逸脱しない限り例えば以下に示すように
種々変形可能である。
(1)グリーンシ一ト部は上述した印刷法、積層法又は
、両者の組み合わせのいずれにおいても本発明構造の露
出導体層を有する多層配線基板を得る事が可能でありい
ずれも同様の効果が期待できる。
、両者の組み合わせのいずれにおいても本発明構造の露
出導体層を有する多層配線基板を得る事が可能でありい
ずれも同様の効果が期待できる。
(2)第1図に示した実施例においては絶縁ペーストZ
2を印刷し、引続き絶縁ペーストZ3を印刷した後に導
体ペーストM3を印刷するようにしているが、第9図に
示すように、絶縁ペーストZ2を印刷した後に絶縁ペー
ストZ3を印刷することなく導体ぺ−ストM3を印刷す
るようにしてもよい。このようにしても絶縁ペーストZ
2の端部は導体ペーストM3にて覆われるので上記実施
例と同様の効果を得ることができる。
2を印刷し、引続き絶縁ペーストZ3を印刷した後に導
体ペーストM3を印刷するようにしているが、第9図に
示すように、絶縁ペーストZ2を印刷した後に絶縁ペー
ストZ3を印刷することなく導体ぺ−ストM3を印刷す
るようにしてもよい。このようにしても絶縁ペーストZ
2の端部は導体ペーストM3にて覆われるので上記実施
例と同様の効果を得ることができる。
(3)第2図に示した実施例においては絶縁ペース}Z
lを印刷した後に導体ペーストM3を印刷しているが、
第1図に示した実施例のように絶縁ペーストを多層重ね
て印刷した後に導体ペーストM3を印刷してもよい。
lを印刷した後に導体ペーストM3を印刷しているが、
第1図に示した実施例のように絶縁ペーストを多層重ね
て印刷した後に導体ペーストM3を印刷してもよい。
(4)上述のメッキ層としては、Niメッキ+Auメッ
キ、Crメッキ+Niメッキ、Crメッキ+Niメッキ
+Auメッキ、Crメッキ+Cuメッキ、Cuメッキ、
Niメッキ+Cuメッキ等のメッキ層であってもよい。
キ、Crメッキ+Niメッキ、Crメッキ+Niメッキ
+Auメッキ、Crメッキ+Cuメッキ、Cuメッキ、
Niメッキ+Cuメッキ等のメッキ層であってもよい。
又、高融点金属層Ml, M2. M3に用いる材料は
全て同じ組成の高融点金属層でなくてもよい。ただし、
最外層の高融点金属層M3は酸化されうる材料であるこ
とが前提になっている。
全て同じ組成の高融点金属層でなくてもよい。ただし、
最外層の高融点金属層M3は酸化されうる材料であるこ
とが前提になっている。
(発明の効果)
以上の説明から明らかなように、本発明のセラミック多
層配線基板およびその製造法によれば、露出導体層を画
成する絶縁層端部の欠陥部上に導体層が形成されている
ため、絶縁層の欠陥部を原理的に耐酸化バリヤで覆うこ
とができ、高温酸化雰囲気下でも内部の導体層を酸化す
ることがないセラミック多層配線基板を得ることができ
る。その結果、安定した電気導電性を有するセラミック
多層配線基板を歩留りよく製造することができる。
層配線基板およびその製造法によれば、露出導体層を画
成する絶縁層端部の欠陥部上に導体層が形成されている
ため、絶縁層の欠陥部を原理的に耐酸化バリヤで覆うこ
とができ、高温酸化雰囲気下でも内部の導体層を酸化す
ることがないセラミック多層配線基板を得ることができ
る。その結果、安定した電気導電性を有するセラミック
多層配線基板を歩留りよく製造することができる。
第l図は本発明のセラミック多層配線基板の一例の構成
を示す断面図、 第2図は本発明のセラミック多層配線基板を積層法で形
成した一例の構成を示す断面図、第3図はヴイア構造の
導通抵抗の変化率の平均値と焼成繰り返し回数との関係
を示すグラフ、第4図は従来のセラミック多層配線基板
の一例の構成を示す断面図、 第5図は従来のセラミック多層配線基板の問題点を説明
するための断面図、 第6図は第1図に示す実施例の構成を最終工程まで示し
た断面図、 第7図および第8図(a). (b)は第1図に示す実
施例の効果を説明するための断面図、 第9図は第1図に示す実施例の他の例を示す断面図であ
る。 I・・・セラミックグリーンシ一ト 2・・・ニッケルメッキ 3・・・Au − Ag合
金層5・・・厚膜導体 7・・・保護ガラス9
・・・抵抗体 l1・・・チップコンデンサ
13・・・半田 第1図 第2図 大走AJJり山!t回辛fe(FB) 第5図 第6図 第7図
を示す断面図、 第2図は本発明のセラミック多層配線基板を積層法で形
成した一例の構成を示す断面図、第3図はヴイア構造の
導通抵抗の変化率の平均値と焼成繰り返し回数との関係
を示すグラフ、第4図は従来のセラミック多層配線基板
の一例の構成を示す断面図、 第5図は従来のセラミック多層配線基板の問題点を説明
するための断面図、 第6図は第1図に示す実施例の構成を最終工程まで示し
た断面図、 第7図および第8図(a). (b)は第1図に示す実
施例の効果を説明するための断面図、 第9図は第1図に示す実施例の他の例を示す断面図であ
る。 I・・・セラミックグリーンシ一ト 2・・・ニッケルメッキ 3・・・Au − Ag合
金層5・・・厚膜導体 7・・・保護ガラス9
・・・抵抗体 l1・・・チップコンデンサ
13・・・半田 第1図 第2図 大走AJJり山!t回辛fe(FB) 第5図 第6図 第7図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、絶縁層と高融点金属導体層とが交互に複数層形成さ
れ、かつ露出導体層上に耐酸化バリヤおよび厚膜導体を
設けて成るセラミック多層配線基板において、露出導体
層を画成する絶縁層の端部が該露出導体層で覆われてい
ることを特徴とするセラミック多層配線基板。 2、絶縁層を形成する絶縁材料と、高融点金属導体層を
形成する導体ペーストとを交互に形成した後、還元雰囲
気で同時焼成して得た多層配線基板の露出導体層上に耐
酸化バリヤを設け、さらにその上に厚膜素子形成用ペー
ストを印刷して酸化雰囲気中で焼成するセラミック多層
配線基板の製造法において、最外層の絶縁材料を絶縁ペ
ーストにより印刷した後、露出導体層を形成する導体ペ
ーストを、前記絶縁ペーストにより画成される開口に設
け、前記絶縁ペーストの端部を、露出導体層を形成する
導体ペーストで覆うことを特徴とするセラミック多層配
線基板の製造法。 3、最外層の絶縁層の開口を、下層の絶縁層で画成され
る導体層の開口よりも大きく形成した請求項2記載のセ
ラミック多層配線基板の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2090443A JPH0821781B2 (ja) | 1989-04-07 | 1990-04-06 | セラミック多層配線基板およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8694289 | 1989-04-07 | ||
JP1-86942 | 1989-04-07 | ||
JP2090443A JPH0821781B2 (ja) | 1989-04-07 | 1990-04-06 | セラミック多層配線基板およびその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0348496A true JPH0348496A (ja) | 1991-03-01 |
JPH0821781B2 JPH0821781B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=26428017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2090443A Expired - Lifetime JPH0821781B2 (ja) | 1989-04-07 | 1990-04-06 | セラミック多層配線基板およびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0821781B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040019862A (ko) * | 2002-08-29 | 2004-03-06 | 김존현 | 단일 보석을 형성하기 위해 작은 평면을 낸 큰 보석내부에 작은 평면을 낸 일 보석을 배치하는 공정 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6025294A (ja) * | 1983-07-21 | 1985-02-08 | 松下電器産業株式会社 | 回路基板の製造方法 |
JPS6158296A (ja) * | 1984-08-29 | 1986-03-25 | 日本碍子株式会社 | セラミツク多層配線基板 |
JPS63107087A (ja) * | 1986-05-19 | 1988-05-12 | 株式会社デンソー | 混成集積回路基板 |
-
1990
- 1990-04-06 JP JP2090443A patent/JPH0821781B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6025294A (ja) * | 1983-07-21 | 1985-02-08 | 松下電器産業株式会社 | 回路基板の製造方法 |
JPS6158296A (ja) * | 1984-08-29 | 1986-03-25 | 日本碍子株式会社 | セラミツク多層配線基板 |
JPS63107087A (ja) * | 1986-05-19 | 1988-05-12 | 株式会社デンソー | 混成集積回路基板 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040019862A (ko) * | 2002-08-29 | 2004-03-06 | 김존현 | 단일 보석을 형성하기 위해 작은 평면을 낸 큰 보석내부에 작은 평면을 낸 일 보석을 배치하는 공정 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0821781B2 (ja) | 1996-03-04 |
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