JP2001326301A - セラミック電子部品および電子装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子部品本体のセラミックからなる表面上に
形成される接続用電極の、電子部品本体に対する接合強
度を高める。 【解決手段】 接続用電極１４を、電子部品本体１２の
セラミックからなる表面１３に接する内側層１６と、外
側に向く外側層１７との少なくとも２層構造をもって構
成する。内側層１６は、銅のような導電成分だけでな
く、電子部品本体１２を構成するセラミックと同一組成
系のセラミック成分を含み、外側層１７は、銅のような
導電成分だけでなく、ガラス成分を含む。これによっ
て、内側層１６と電子部品本体１２との接合強度だけで
なく、外側層１７と内側層１６との間での接合強度も高
められる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、セラミック電子
部品およびこのようなセラミック電子部品を備える電子
装置に関するもので、特に、セラミック電子部品の表面
上に形成される接続用電極の構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】この発明にとって興味あるセラミック電
子部品は、セラミックからなる表面を有する電子部品本
体と、配線基板または搭載部品のような他の電子部品と
の接続のために電子部品本体の表面上に形成される接続
用電極とを備えるものである。このようなセラミック電
子部品として、たとえば、多層セラミック基板のような
積層型セラミック電子部品がある。積層型セラミック電
子部品においては、電子部品本体は、複数のセラミック
層が積層された積層構造を有している。

【０００３】上述の積層構造を有する電子部品本体の内
部には、コンデンサ、インダクタおよび／または抵抗の
ような受動素子をもって所望の回路を構成するように配
線導体が設けられる。また、電子部品本体の表面上に
は、前述した接続用電極が設けられ、また、接続用電極
以外に所望の回路を構成するための配線導体が設けられ
ることもある。

【０００４】このような積層型セラミック電子部品は、
上述の接続用電極を介して、適宜の配線基板上に実装さ
れ、所望の電子装置を構成するように用いられる。ま
た、積層型セラミック電子部品上に、半導体ＩＣチップ
のような能動素子やチップ状コンデンサのような受動素
子といったチップ状電子部品が搭載されることがあり、
このような搭載部品を電気的に接続するためにも、接続
用電極が用いられる。

【０００５】積層型セラミック電子部品は、たとえば、
移動体通信端末機器の分野において、ＬＣＲ複合化高周
波部品として用いられたり、コンピュータの分野におい
て、半導体ＩＣチップのような能動素子とコンデンサや
インダクタや抵抗のような受動素子とを複合化した部品
として、あるいは単なる半導体ＩＣパッケージとして用
いられたりしている。

【０００６】このような積層型セラミック電子部品に備
える接続用電極は、前述したように、配線基板または搭
載部品といった他の電子部品との接続のために用いられ
るので、電子部品本体との間での接合強度が高いもので
なければならない。この接合強度の向上を目的として、
たとえば特開平８−１８１４４１号公報には、図３に示
すような構造を有する接続用電極が提案されている。

【０００７】図３は、積層型セラミック電子部品１の一
部を示す断面図である。

【０００８】積層型セラミック電子部品１は、詳細には
図示しないが、複数のセラミック層が積層された積層構
造を有する電子部品本体２を備えている。この電子部品
本体２は、セラミックからなる表面３を有している。こ
のセラミックからなる表面３上には、接続用電極４が形
成される。

【０００９】接続用電極４は、電子部品本体２の表面３
に接する内側層５と外側に向く外側層６との２層から構
成される。

【００１０】内側層５は、導電成分としてのたとえば銅
を含むとともに、電子部品本体２との接合強度を向上さ
せるため、たとえばアルミナのようなセラミック成分を
含んでいる。

【００１１】他方、外側層６は、めっき性および半田付
け性の確保のため、上述のようなセラミック成分を含ま
ず、たとえば銅を主成分とする導電成分から構成され
る。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３に
示した接続用電極４によれば、内側層５と電子部品本体
２との間での接合強度は向上されるが、外側層６と内側
層５との間での接合強度が不十分であり、接続用電極４
に対して、これを電子部品本体２から引き離す方向の力
がかかったとき、内側層５と外側層６との間での剥離が
生じる場合が多く、結果的に、他の電子部品との間で十
分な接合強度を安定して得ることができない。

【００１３】そこで、この発明の目的は、上述した問題
を解決し得る、セラミック電子部品およびこのようなセ
ラミック電子部品を用いて構成される電子装置を提供し
ようとすることである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】この発明は、セラミック
からなる表面を有する電子部品本体と、他の電子部品と
の接続のために電子部品本体の表面上に形成される接続
用電極とを備える、セラミック電子部品にまず向けられ
るものであって、上述した技術的課題を解決するため、
次のような構成を備えることを特徴としている。

【００１５】すなわち、接続用電極は、少なくとも２層
からなり、この接続用電極の、電子部品本体の表面に接
する内側層は、導電成分および前記セラミックと同一組
成系のセラミック成分を含み、接続用電極の外側に向く
外側層は、導電成分だけでなくガラス成分を含むことを
特徴としている。

【００１６】この発明は、複数のセラミック層が積層さ
れた積層構造を有する電子部品本体を備える、積層型セ
ラミック電子部品において有利に適用される。

【００１７】上述したセラミック層は、好ましくは、１
０００℃以下の温度で焼結可能な低温焼結セラミック材
料を焼成することによって得られた焼結体から構成され
る。そして、接続用電極は、この低温焼結セラミック材
料の焼成と同時に焼成される工程を経て形成される。

【００１８】上述の場合、導電成分は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｎｉ、Ａｇ−Ｐｄ、およびＡｇ−Ｐｔから選ばれた
少なくとも１種の金属からなることが好ましい。

【００１９】また、導電成分は、低温焼結セラミック材
料を焼成する工程において還元されて生成された金属銅
を含んでいてもよい。

【００２０】また、上述したガラス成分は、好ましく
は、ホウケイ酸系ガラスを含んでいる。

【００２１】また、内側層において、導電成分１００重
量部に対して、セラミック成分を５〜５０重量部含むこ
とが好ましい。

【００２２】また、外側層において、導電成分１００重
量部に対して、ガラス成分を１〜１０重量部含むことが
好ましい。

【００２３】また、好ましくは、外側層は内側層より厚
くされる。この場合、内側層は、５〜１０μｍの厚みを
有することが好ましい。

【００２４】また、好ましくは、内側層は、外側層の周
縁からはみ出さないように形成される。この場合、内側
層は、外側層の周縁から内側に１０〜５０μｍのマージ
ン幅を残すように形成されることが好ましい。

【００２５】また、内側層は、複数の層から構成されて
もよい。この場合、複数の層の各々におけるセラミック
成分の含有量は、電子部品本体側でより多く、外側層側
でより少なくされる。

【００２６】この発明は、また、上述のような特徴的構
成を備えるセラミック電子部品、およびこのセラミック
電子部品を実装する配線基板を備える、電子装置にも向
けられる。この電子装置において、セラミック電子部品
は、上述した接続用電極を介して配線基板に電気的に接
続されている。

【００２７】

【発明の実施の形態】図１は、この発明の一実施形態に
よる積層型セラミック電子部品１１の一部を図解的に示
す断面図である。

【００２８】積層型セラミック電子部品１１は、詳細に
は図示しないが、複数のセラミック層が積層された積層
構造を有する電子部品本体１２を備えている。この電子
部品本体１２は、セラミックからなる表面１３を有して
いて、この表面１３上には、接続用電極１４が形成され
ている。

【００２９】接続用電極１４は、想像線で示す配線基板
または搭載部品のような他の電子部品１５との接続のた
めのものであり、この接続にあたって、図示しないが、
接続用電極１４と他の電子部品１５とが半田付けされ
る。

【００３０】接続用電極１４は、電子部品本体１２の表
面１３に接する内側層１６と、接続用電極１４の外側に
向く外側層１７とからなる少なくとも２層構造を有して
いる。

【００３１】内側層１６は、図３に示した従来の内側層
５の場合と同様、電子部品本体１２との接合強度を高め
るためのものである。そのため、内側層１６は、導電成
分を含むとともに、電子部品本体１２の表面１３を構成
するセラミックと同一組成系のセラミック成分を含んで
いる。

【００３２】なお、表面１３を構成するセラミックと内
側層１６に含まれるセラミック成分とが同一組成系であ
るということは、両者が全く同一の組成である場合のほ
か、一般的に、両者の主成分が同じであるということで
あり、たとえば、微量添加される金属酸化物やガラス等
の副成分が異なっていても、同一組成系であるというこ
とができる。

【００３３】電子部品本体１２に備えるセラミック層
は、たとえばＢａＯ−Ａｌ₂ Ｏ₃ −ＳｉＯ₂ 系セラミッ
クのように、１０００℃以下の温度で焼結可能な低温焼
結セラミック材料を焼成することによって得られた焼結
体から構成されることが好ましい。この場合、上述した
内側層１６に含まれるセラミック成分としては、同様の
低温焼結セラミック材料が有利に用いられる。

【００３４】他方、外側層１７は、導電成分だけでな
く、ガラス成分を含むことを特徴としている。このよう
にガラス成分を含むことにより、外側層１７と内側層１
６との間での接合強度を高めることができる。このガラ
ス成分としては、たとえば、ホウケイ酸系ガラスを有利
に用いることができる。

【００３５】接続用電極１４は、内側層１６となるべき
導電成分およびセラミック成分を含むペーストを塗布
し、乾燥し、次いで、外側層１７となるべき導電成分お
よびガラス成分を含むペーストを塗布し、乾燥し、その
後、焼成することによって形成される。

【００３６】この場合、電子部品本体１２を得るための
焼成工程を終えた後で、上述したような接続用電極１４
の形成のための工程を実施してもよいが、好ましくは、
電子部品本体１２を得るための焼成工程の前に、生の状
態の電子部品本体１２の表面１３上に、上述のような接
続用電極１４を形成するための工程を実施し、電子部品
本体１２を得るための焼成と同時に焼成することによっ
て、接続用電極１４が形成される。このように、同時の
焼成を適用する方が、電子部品本体１２と内側層１６と
の間での接合強度をより高めることができる。

【００３７】また、上述したような同時の焼成を行なう
場合には、電子部品本体１２に備えるセラミック層は、
前述したように、１０００℃以下の温度で焼結可能な低
温焼結セラミック材料を含み、これを焼成することによ
って得られた焼結体から構成されることが好ましい。

【００３８】上述の場合には、内側層１６および外側層
１７の各々に含まれる導電成分は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、
Ｎｉ、Ａｇ−Ｐｄ、およびＡｇ−Ｐｔから選ばれた少な
くとも１種の金属からなることが好ましい。また、導電
成分がＣｕを含む場合、焼成前の段階では、内側層１６
および外側層１７にＣｕＯまたはＣｕ₂ Ｏを含ませてお
き、電子部品本体１２を構成する低温焼結セラミック材
料を焼成する工程においてこれらを還元し、それによっ
て金属銅を生成するようにしてもよい。

【００３９】なお、図示しないが、上述のように内側層
１６および外側層１７を形成した後、さらに、外側層１
７上に、たとえば、ニッケルめっきが施され、さらにそ
の上に、金、錫または半田めっきが施されてもよい。

【００４０】内側層１６に含まれるセラミック成分は、
導電成分１００重量部に対して、５〜５０重量部含むよ
うにされるのが好ましい。５重量部未満では、セラミッ
ク成分を含有させた実質的な効果が得られず、セラミッ
ク成分による接合強度向上のためのアンカー効果を期待
できず、他方、５０重量部を超えると、電気抵抗が無視
できない程度に高くなり、導体としての役割を果たし得
なくなるからである。また、内側層１６においてセラミ
ック成分が５０重量部を超えて含有されると、焼成時に
おける外側層１７との収縮挙動の差が大きくなり、内側
層１６と外側層１７との間で剥離が生じやすくなること
もある。

【００４１】また、外側層１７に含まれるガラス成分
は、導電成分１００重量部に対して、１〜１０重量部含
むことが好ましい。１重量部未満であると、ガラス成分
添加の効果がなく、外側層１７と内側層１６との間での
接合強度の向上があまり期待できず、他方、１０重量部
を超えると、外側層１７へのめっき性が悪くなるととも
に、電気抵抗が不所望に高くなるからである。

【００４２】また、外側層１７は、内側層１６より厚く
されることが好ましい。このように、外側層１７をより
厚くすることによって、接続用電極１４全体での電気抵
抗の増大の問題を回避することができる。外側層１７
は、通常、１０〜２０μｍの厚みとされる。

【００４３】また、外側層１７より薄くされる内側層１
６は、好ましくは、５〜１０μｍの厚みとされる。内側
層１６の厚みが５μｍ未満であると、電子部品本体１２
との間での良好な接合性を維持することができず、他
方、１０μｍを超えると、外側層１７の剥がれが生じや
すくなるためである。

【００４４】また、内側層１６は、外側層１７と同じ面
積または外側層１７より狭い面積をもって形成され、そ
れによって、外側層１７の周縁からはみ出さないように
形成されることが好ましい。

【００４５】内側層１６が、外側層１７の周縁からはみ
出して形成されると、内側層１６は外側層１７よりめっ
き性が悪く、かつ耐めっき性が低いので、前述したよう
に、外側層１７上に、たとえば、ニッケルめっきが施さ
れ、さらにその上に、金、錫または半田めっきが施され
るとき、これらのめっき膜の析出が内側層１６上におい
て阻害されるとともに、内側層１６において劣化が生じ
ることがある。そのため、上述のように、内側層１６
は、外側層１７の周縁からはみ出さないように形成され
ることが好ましい。

【００４６】より好ましくは、図１において破線で示し
た周縁を有している外側層１７と内側層１６との関係か
らわかるように、内側層１６は、外側層１７の周縁から
内側に１０〜５０μｍのマージン幅Ｗを残すように形成
される。このようにマージン幅Ｗを設定しておくことに
よって、内側層１６と外側層１７とは印刷工程を経て形
成される場合における印刷精度上の限界から、外側層１
７と内側層１６との間で位置ずれが生じても、外側層１
７の周縁から確実にはみ出さないように、内側層１６を
形成することができる。

【００４７】なお、図１において破線で示すように、外
側層１７が、内側層１６の周縁からはみ出して形成され
るとき、外側層１７が電子部品本体１２の表面１３に直
接接する部分が形成され、この部分において剥がれが生
じやすくなることもあるが、前述したように、マージン
幅Ｗが１０〜５０μｍ程度であれば、このような剥がれ
の問題には実質的に遭遇することはない。

【００４８】図２は、この発明の他の実施形態による積
層型セラミック電子部品２１の一部を図解的に示す断面
図である。図２において、図１に示す要素に相当する要
素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略す
る。

【００４９】図２に示した積層型セラミック電子部品２
１においては、内側層１６に特徴がある。すなわち、内
側層１６は、複数の層１６ａ〜１６ｎから構成される。
これら複数の層１６ａ〜１６ｎの各々におけるセラミッ
ク成分の含有量は、導電成分１００重量部に対して、５
重量部、１５重量部、２５重量部というように傾斜さ
れ、電子部品本体１２側でより多く、外側層１７側でよ
り少なくなるようにされる。

【００５０】このような構成によれば、内側層１６を構
成する複数の層１６ａ〜１６ｎ相互間での一体性を損な
うことなく、内側層１６の一方端にある層１６ａにおい
ては、外側層１７とのマッチングにとって最適な組成を
選び、他方端にある層１６ｎにあっては、電子部品本体
１２とのマッチングにとって最適な組成を選ぶことがで
きるので、互いに性質の異なる電子部品本体１２と外側
層１７との双方に対して、優れたマッチング性を有する
内側層１６を与えることができる。また、接続用電極１
４全体としての電気抵抗の増大も抑制することが容易に
なる。

【００５１】以上、この発明を図示した実施形態に関連
して説明したが、この発明の範囲内において、その他、
いくつかの変形例が可能である。

【００５２】たとえば、図示した実施形態は、電子部品
本体１２が、複数のセラミック層を積層して構成される
積層構造を有する、積層型セラミック電子部品１１また
は２１に関するものであったが、この発明は、セラミッ
クからなる表面を有する電子部品本体と、他の電子部品
との接続のために電子部品本体の表面上に形成される接
続用電極とを備える、セラミック電子部品であれば、積
層型セラミック電子部品以外のものに対しても適用する
ことができる。

【００５３】

【発明の効果】以上のように、この発明に係るセラミッ
ク電子部品によれば、電子部品本体のセラミックからな
る表面上に形成される接続用電極が、少なくとも２層か
らなり、この接続用電極の、電子部品本体の表面に接す
る内側層が、導電成分および前記セラミックと同一組成
系のセラミック成分を含み、接続用電極の外側に向く外
側層は、導電成分だけでなくガラス成分を含むので、内
側層と電子部品本体との接合強度を高めることができる
ばかりでなく、外側層と内側層との間での接合強度をも
高めることができる。これに関して、導電成分として銅
を用い、外側層がガラス成分を含まない場合に比較する
と、外側層と内側層との接合強度に関して、３０％程度
の向上を確認することができた。

【００５４】上述のことから、接続用電極に接続される
配線基板や搭載部品との接続の信頼性が向上する。その
ため、セラミック電子部品の大型化および大重量化が可
能となる。

【００５５】また、接続用電極の電子部品本体への接合
強度が向上するので、接続用電極の小面積化が可能とな
り、そのため、限られた面積内において多数の接続用電
極を設けることが可能となり、セラミック電子部品の多
機能化を図ることが容易になる。

【００５６】この発明が積層型セラミック電子部品ある
いは多層セラミック基板に適用される場合には、電子部
品本体が、複数のセラミック層を積層した積層構造を有
していればよい。

【００５７】上述の場合、セラミック層が、１０００℃
以下の温度で焼結可能な低温焼結セラミック材料を焼成
することによって得られた焼結体から構成されるとき、
接続用電極が、低温焼結セラミック材料の焼成と同時に
焼成される工程を経て形成されるようにすれば、接続用
電極における内側層と電子部品本体との接合強度をより
高めることができる。

【００５８】また、上述のように、セラミック層が低温
焼結セラミック材料を焼成することによって得られた焼
結体から構成されると、接続用電極に含まれる導電成分
として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ−Ｐｄ、および
Ａｇ−Ｐｔから選ばれた少なくとも１種の金属を有利に
用いることができる。また、これらの金属は、積層構造
を有する電子部品本体の内部に設けられる配線導体を形
成するためにも用いることができる。

【００５９】また、導電成分として、低温焼結セラミッ
ク材料を焼成する工程において還元されて生成された金
属銅を含むようにする場合には、焼成工程における雰囲
気を制御することによって、低温焼結セラミック材料の
収縮挙動と導電成分としての銅の酸化物の収縮挙動とを
近似させることが容易になり、これら収縮挙動の差によ
る剥離が生じにくくすることができる。

【００６０】また、接続用電極の外側層に含まれるガラ
ス成分として、ホウケイ酸系ガラスを用いると、内側層
に含まれる導電成分およびセラミック成分との間で良好
な濡れ性を示すので、外側層と内側層との間での接合強
度の向上により効果的に作用する。

【００６１】また、内側層において、導電成分１００重
量部に対して、セラミック成分を５〜５０重量部含むよ
うにすれば、電気抵抗を不所望に高めることなく、セラ
ミック成分の含有による電子部品本体との接合強度を向
上させ得る効果を確実に得ることができる。

【００６２】また、外側層において、導電成分１００重
量部に対して、ガラス成分を１〜１０重量部含むように
すれば、ガラス成分の含有による内側層との接合強度を
向上させ得る効果を確実に得ることができるとともに、
電気抵抗の不所望な増大やめっき性の不所望な低下を防
止することができる。

【００６３】また、外側層が、内側層より厚くされる
と、電気抵抗の不所望な増大の問題に遭遇しにくくする
ことが可能となり、この場合、特に、内側層の厚みを５
〜１０μｍとすれば、内側層と外側層との剥がれの問題
に遭遇しにくくなり、また、電子部品本体との良好な接
合強度を確実に維持することが可能となる。

【００６４】また、内側層が、外側層の周縁からはみ出
さないように形成されると、内側層の露出がなく、した
がって、外側層上にめっきが施される場合、めっき膜の
析出が内側層によって阻害されたり、内側層がめっきに
よって劣化したりすることを確実に防止することができ
る。

【００６５】上述の場合、内側層が、外側層の周縁から
内側に１０〜５０μｍのマージン幅を残すように形成さ
れると、内側層および外側層の形成における印刷精度上
の限界から、外側層と内側層との間で位置ずれが生じて
も、外側層の周縁から確実にはみ出さないように、内側
層を形成することができる。また、マージン幅を１０〜
５０μｍというように小さくすることにより、外側層の
電子部品本体への直接の接触による剥がれの問題、この
剥がれが接続用電極全体に波及する問題を有利に回避す
ることができる。

【００６６】また、内側層が、複数の層からなり、複数
の層の各々におけるセラミック成分の含有量が、電子部
品本体側でより多く、外側層側でより少なくされている
と、電子部品本体および外側層の双方に対する好ましい
マッチング性を内側層に与えることが容易になる。

【００６７】この発明に係る電子装置によれば、セラミ
ック電子部品が、上述したような特徴的構成を備える接
続用電極を介して配線基板に電気的に接続されているの
で、セラミック電子部品と配線基板との間で高い信頼性
をもって接続することが可能となり、その結果、電子装
置全体としての信頼性を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態による積層型セラミック
電子部品１１の一部を図解的に示す断面図である。

【図２】この発明の他の実施形態による積層型セラミッ
ク電子部品２１の一部を図解的に示す断面図である。

【図３】この発明にとって興味ある従来の積層型セラミ
ック電子部品１の一部を図解的に示す断面図である。

【符号の説明】

１１，２１ 積層型セラミック電子部品 １２ 電子部品本体 １３ 表面 １４ 接続用電極 １５ 他の電子部品 １６ 内側層 １６ａ〜１６ｎ 内側層を構成する複数の層 １７ 外側層 Ｗ マージン幅

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/09 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ 3/24 Ｓ 3/38 Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｃ 3/46 23/12 Ｂ Ｃ Ｆターム(参考） 4E351 AA07 BB03 BB24 BB31 BB38 CC11 CC22 DD04 DD05 DD06 DD19 DD20 DD22 DD28 EE02 EE03 EE10 GG02 5E343 AA24 BB14 BB18 BB23 BB24 BB25 BB44 BB53 BB72 BB74 BB77 DD02 ER35 ER38 ER39 GG02 5E346 AA02 AA15 AA22 AA29 AA32 AA51 BB15 BB16 CC18 CC32 CC37 CC38 CC39 DD13 DD34 EE21 EE27 EE28 GG06 GG08 GG09 HH11 HH22 5G301 DA03 DA05 DA06 DA10 DA11 DA12 DA33 DA34 DA36 DA38 DD01 5G307 GA08 GB01 GC02

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 セラミックからなる表面を有する電子部
   品本体と、他の電子部品との接続のために前記電子部品
   本体の表面上に形成される接続用電極とを備える、セラ
   ミック電子部品であって、 前記接続用電極は、少なくとも２層からなり、 前記接続用電極の、前記電子部品本体の表面に接する内
   側層は、導電成分および前記セラミックと同一組成系の
   セラミック成分を含み、 前記接続用電極の外側に向く外側層は、導電成分および
   ガラス成分を含む、セラミック電子部品。
2. 【請求項２】 前記電子部品本体は、複数のセラミック
   層が積層された積層構造を有する、請求項１に記載のセ
   ラミック電子部品。
3. 【請求項３】 前記セラミック層は、１０００℃以下の
   温度で焼結可能な低温焼結セラミック材料を焼成するこ
   とによって得られた焼結体から構成され、前記接続用電
   極は、前記低温焼結セラミック材料の焼成と同時に焼成
   される工程を経て形成される、請求項２に記載のセラミ
   ック電子部品。
4. 【請求項４】 前記導電成分は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎ
   ｉ、Ａｇ−Ｐｄ、およびＡｇ−Ｐｔから選ばれた少なく
   とも１種の金属からなる、請求項３に記載のセラミック
   電子部品。
5. 【請求項５】 前記導電成分は、前記低温焼結セラミッ
   ク材料を焼成する工程において還元されて生成された金
   属銅を含む、請求項３に記載のセラミック電子部品。
6. 【請求項６】 前記ガラス成分は、ホウケイ酸系ガラス
   を含む、請求項１ないし５のいずれかに記載のセラミッ
   ク電子部品。
7. 【請求項７】 前記内側層において、前記導電成分１０
   ０重量部に対して、前記セラミック成分を５〜５０重量
   部含む、請求項１ないし６のいずれかに記載のセラミッ
   ク電子部品。
8. 【請求項８】 前記外側層において、前記導電成分１０
   ０重量部に対して、前記ガラス成分を１〜１０重量部含
   む、請求項１ないし７のいずれかに記載のセラミック電
   子部品。
9. 【請求項９】 前記外側層は、前記内側層より厚くされ
   る、請求項１ないし８のいずれかに記載のセラミック電
   子部品。
10. 【請求項１０】 前記内側層は、５〜１０μｍの厚みを
    有する、請求項９に記載のセラミック電子部品。
11. 【請求項１１】 前記内側層は、前記外側層の周縁から
    はみ出さないように形成される、請求項１ないし１０の
    いずれかに記載のセラミック電子部品。
12. 【請求項１２】 前記内側層は、前記外側層の周縁から
    内側に１０〜５０μｍのマージン幅を残すように形成さ
    れる、請求項１１に記載のセラミック電子部品。
13. 【請求項１３】 前記内側層は、複数の層からなり、前
    記複数の層の各々における前記セラミック成分の含有量
    は、前記電子部品本体側でより多く、前記外側層側でよ
    り少なくされている、請求項１ないし１２のいずれかに
    記載のセラミック電子部品。
14. 【請求項１４】 請求項１ないし１３のいずれかに記載
    のセラミック電子部品、および前記セラミック電子部品
    を実装する配線基板を備え、前記セラミック電子部品
    は、前記接続用電極を介して前記配線基板に電気的に接
    続されている、電子装置。