JPS62193102A - セラミツク配線基板の製法 - Google Patents
セラミツク配線基板の製法Info
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- JPS62193102A JPS62193102A JP61035767A JP3576786A JPS62193102A JP S62193102 A JPS62193102 A JP S62193102A JP 61035767 A JP61035767 A JP 61035767A JP 3576786 A JP3576786 A JP 3576786A JP S62193102 A JPS62193102 A JP S62193102A
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、電子基材として使用されるセラミック配線
基板の製法に関する。
基板の製法に関する。
抵抗層を含むセラミック配線基板を作る方法として、従
来、焼結されたセラミック基板上にＡｇ／Ｐｄ等を主成
分とする貴金属ペーストをスクリーン印刷等によって印
刷し、それとともに、酸化ルテニウムを主成分としたフ
リット入りの抵抗体ペーストをもスクリーン印刷等によ
って印刷して、６００〜１０００℃程度の温度で焼成し
、回路と抵抗層とを形成する方法が一般的である。また
、セラミック配線基板が多層配線基板である場合には、
焼結したセラミック基板上に、Ａｇ／Ｐｄ、 Ａｇ／Ｐ
ｔ、 Ａｕ等の貴金属微粉末をガラスフリット有機ビヒ
クルと混合して形成した導体ペーストと、ガラスが主成
分である誘電体ペーストとを交互に印刷、焼成して、導
体層と絶縁層とを交互に積層し、それとともに、所望の
４体層上に、前記抵抗体ペーストをスクリーン印刷等で
印刷し、焼成して抵抗層を形成する方法が一般的である
。しかし、これらの方法は、スクリーン印刷等の方法に
よって回路を形成するものであるため、微細配線の形成
が困難であり、また、貴金属を用いているためコストが
高くなってしまう。また両方法ともペーストにガラス質
を含むため、はんだ付着性が劣り、不良品が出やすく、
使用時に故障をおこしやすい等の欠点がある。
来、焼結されたセラミック基板上にＡｇ／Ｐｄ等を主成
分とする貴金属ペーストをスクリーン印刷等によって印
刷し、それとともに、酸化ルテニウムを主成分としたフ
リット入りの抵抗体ペーストをもスクリーン印刷等によ
って印刷して、６００〜１０００℃程度の温度で焼成し
、回路と抵抗層とを形成する方法が一般的である。また
、セラミック配線基板が多層配線基板である場合には、
焼結したセラミック基板上に、Ａｇ／Ｐｄ、 Ａｇ／Ｐ
ｔ、 Ａｕ等の貴金属微粉末をガラスフリット有機ビヒ
クルと混合して形成した導体ペーストと、ガラスが主成
分である誘電体ペーストとを交互に印刷、焼成して、導
体層と絶縁層とを交互に積層し、それとともに、所望の
４体層上に、前記抵抗体ペーストをスクリーン印刷等で
印刷し、焼成して抵抗層を形成する方法が一般的である
。しかし、これらの方法は、スクリーン印刷等の方法に
よって回路を形成するものであるため、微細配線の形成
が困難であり、また、貴金属を用いているためコストが
高くなってしまう。また両方法ともペーストにガラス質
を含むため、はんだ付着性が劣り、不良品が出やすく、
使用時に故障をおこしやすい等の欠点がある。
この発明は、微細配線が可能で配線抵抗が小さく、かつ
、抵抗層を含んだセラミック配線基板を低コストで得る
ことができる製法を提供することを目的としている。
、抵抗層を含んだセラミック配線基板を低コストで得る
ことができる製法を提供することを目的としている。
以上の目的を達成するため、この発明は、セラミック基
板の表面にメタライジング法によって金属層を形成する
工程と、この金属層を含むセラミック基板上の回路の所
望の位置に抵抗体ペーストを印刷、焼成して抵抗層を形
成する工程とを含んでいるセラミック配線基板の製法を
要旨としている。
板の表面にメタライジング法によって金属層を形成する
工程と、この金属層を含むセラミック基板上の回路の所
望の位置に抵抗体ペーストを印刷、焼成して抵抗層を形
成する工程とを含んでいるセラミック配線基板の製法を
要旨としている。
以下に、この発明を、そのプロセスの一実施例をあられ
す第１図に従って、くわしく説明する。
す第１図に従って、くわしく説明する。
■ 焼結したセラミック基板を準備する。焼結基板の材
質としては、アルミナ、フォルステライト、ステアタイ
ト、ジルコン、ムライト、コージライト ジルコニア、
チタニア等の酸化物系セラミックを主として用いるが、
炭化物系、および、窒化物系セラミックも使用できる。
質としては、アルミナ、フォルステライト、ステアタイ
ト、ジルコン、ムライト、コージライト ジルコニア、
チタニア等の酸化物系セラミックを主として用いるが、
炭化物系、および、窒化物系セラミックも使用できる。
このようなセラミック基板の表面を、必要に応じてリン
酸を用いて粗化処理する。この処理は、この発明に必ず
しも必要なものではないが、このようにセラミック基板
表面を粗化した上に金属層を形成すれば、いわゆるアン
カー効果によって、セラミック基板と金属層との間の密
着性を向上できるのである。
酸を用いて粗化処理する。この処理は、この発明に必ず
しも必要なものではないが、このようにセラミック基板
表面を粗化した上に金属層を形成すれば、いわゆるアン
カー効果によって、セラミック基板と金属層との間の密
着性を向上できるのである。
■ 金属層を基板上に形成させる。金属層は、化学めっ
き、蒸着、スパッタリングおよびイオンブレーティング
法の中から選ばれたいずれか１つの方法によって行うこ
とにより、形成される。化学めっきは公知のセンシタイ
ジングーアクチベーション法を用いて、セラミック基板
表面に金属パラジウムを析出させ、表面を活性化する。
き、蒸着、スパッタリングおよびイオンブレーティング
法の中から選ばれたいずれか１つの方法によって行うこ
とにより、形成される。化学めっきは公知のセンシタイ
ジングーアクチベーション法を用いて、セラミック基板
表面に金属パラジウムを析出させ、表面を活性化する。
つぎに、化学銅または化学ニッケルめっき浴に前記セラ
ミック基板を浸漬し、銅またはニッケルの金属層を形成
させる。蒸着、スパッタリングあるいはイオンブレーテ
ィングなどの気相法も通常の方法で金属層を形成させる
。また、前記気相法では、セラミック基板との密着力を
増すため、第１工程でＣｒまたはＴｉの金属層を形成し
、その上に第２工程として銅またはニッケルの金属層を
形成させる方法と、４００℃程度に加熱された粗化済の
セラミック基板−Ｆに第１工程でＣｒまたはＴｉの金属
層を形成し、その上に第２工程として銅またはニッケル
の金属層を形成させる方法とがある。
ミック基板を浸漬し、銅またはニッケルの金属層を形成
させる。蒸着、スパッタリングあるいはイオンブレーテ
ィングなどの気相法も通常の方法で金属層を形成させる
。また、前記気相法では、セラミック基板との密着力を
増すため、第１工程でＣｒまたはＴｉの金属層を形成し
、その上に第２工程として銅またはニッケルの金属層を
形成させる方法と、４００℃程度に加熱された粗化済の
セラミック基板−Ｆに第１工程でＣｒまたはＴｉの金属
層を形成し、その上に第２工程として銅またはニッケル
の金属層を形成させる方法とがある。
■ 必要に応じ、電解めっきを行う。前記化学めっきあ
るいは気相法では、１〜数μｍの薄い金属層しか形成で
きないので、必要とする金属層の厚みが厚い場合、前記
化学めっきまたは気相法により金属層を形成させたのち
、この電解めっきによって銅あるいはニッケル層を形成
すればよい。
るいは気相法では、１〜数μｍの薄い金属層しか形成で
きないので、必要とする金属層の厚みが厚い場合、前記
化学めっきまたは気相法により金属層を形成させたのち
、この電解めっきによって銅あるいはニッケル層を形成
すればよい。
■ 必要に応じ、エツチングによる回路形成を行う。化
学めっき、気相法またはその上への電解めっきによって
直ちに必要な回路が形成される場合もあるが、全面めっ
き等の場合は、エツチングによる回路形成を行うのであ
る。回路形成法は、一般に用いられている方法による。
学めっき、気相法またはその上への電解めっきによって
直ちに必要な回路が形成される場合もあるが、全面めっ
き等の場合は、エツチングによる回路形成を行うのであ
る。回路形成法は、一般に用いられている方法による。
この方法によると、従来世の中になかった配線抵抗の小
さい卑金属４体により、線幅、線間隔３０μｍという微
細パターンを形成することが可能となる。
さい卑金属４体により、線幅、線間隔３０μｍという微
細パターンを形成することが可能となる。
■ 必要に応じ、金属層が形成されたセラミック基板を
加熱処理する。処理温度は２００〜１０００℃の範囲内
であることが好ましく、３５０〜７００℃の範囲内であ
ることがより好ましい。処理時間は特に限定されないが
、１〜１０分程度行えばよい。加熱処理は、全面めっき
終了後に行ってもよいし、エツチングによる回路の形成
後に行ってもかまわない。
加熱処理する。処理温度は２００〜１０００℃の範囲内
であることが好ましく、３５０〜７００℃の範囲内であ
ることがより好ましい。処理時間は特に限定されないが
、１〜１０分程度行えばよい。加熱処理は、全面めっき
終了後に行ってもよいし、エツチングによる回路の形成
後に行ってもかまわない。
■ 作成されるセラミック配線基板が単層である場合に
は、以上の工程で金属層が形成されたセラミック基板上
に、抵抗体ペーストを印刷した後、これを乾燥、焼成し
て、抵抗層を形成する。抵抗体ペーストとしては、Ｓｎ
もしくはＬａＢ５系等の抵抗体成分を、Ｓｉ、 Ｃａ、
ＡＩ等の酸化物を含むガラスや有機系ビヒクル等と混
合してペースト化したもの等、通常この用途に用いられ
ているものを使用することができる。乾燥、焼成の条件
は特に限定されないが、たとえば、つぎのような条件が
−・般的である。すなわち、スクリーン印刷等でセラミ
ック基板上に印刷された前記抵抗体ペーストを、５０〜
２００℃で乾燥したあと、成分中のガラスフリットがセ
ラミック基板に溶融接合する温度（好ましくは５００〜
１１００℃１より好ましくは６００〜９５０℃の範囲）
で焼成を行えばよいのである。なお焼成時には、メタラ
イジング法によって形成された前記金属層が酸化される
ことを防くため、非酸化性雰囲気で焼成を行うことが好
ましい。
は、以上の工程で金属層が形成されたセラミック基板上
に、抵抗体ペーストを印刷した後、これを乾燥、焼成し
て、抵抗層を形成する。抵抗体ペーストとしては、Ｓｎ
もしくはＬａＢ５系等の抵抗体成分を、Ｓｉ、 Ｃａ、
ＡＩ等の酸化物を含むガラスや有機系ビヒクル等と混
合してペースト化したもの等、通常この用途に用いられ
ているものを使用することができる。乾燥、焼成の条件
は特に限定されないが、たとえば、つぎのような条件が
−・般的である。すなわち、スクリーン印刷等でセラミ
ック基板上に印刷された前記抵抗体ペーストを、５０〜
２００℃で乾燥したあと、成分中のガラスフリットがセ
ラミック基板に溶融接合する温度（好ましくは５００〜
１１００℃１より好ましくは６００〜９５０℃の範囲）
で焼成を行えばよいのである。なお焼成時には、メタラ
イジング法によって形成された前記金属層が酸化される
ことを防くため、非酸化性雰囲気で焼成を行うことが好
ましい。
■ 必要に応じて抵抗層の１−リミングを行う。
トリミングの方法としては、種々の方法があるが、たと
えば、アブレノシブトリミング、レーザートリミング等
の方法がある。そして、その中でも、高速処理が行え、
高性能なレーザートリミングがこの発明に好ましいもの
としてあげられる。
えば、アブレノシブトリミング、レーザートリミング等
の方法がある。そして、その中でも、高速処理が行え、
高性能なレーザートリミングがこの発明に好ましいもの
としてあげられる。
作成されるセラミック配線基板が多層配線基板である場
合には、前記■までの工程で金属層が形成されたセラミ
ック基板上に、以下の■、■の工程により、絶縁層およ
び導体層を積層して前記金属層と導体層によって回路を
形成し、それとともに、この回路の所定の位置、すなわ
ち、前記金属層および導体層のいずれかに、前記抵抗体
ペーストを印刷した後、これを乾燥、焼成して、抵抗層
を形成する。この抵抗層には、必要に応じて、先の場合
と同様、トリミングを行うこともできる。
合には、前記■までの工程で金属層が形成されたセラミ
ック基板上に、以下の■、■の工程により、絶縁層およ
び導体層を積層して前記金属層と導体層によって回路を
形成し、それとともに、この回路の所定の位置、すなわ
ち、前記金属層および導体層のいずれかに、前記抵抗体
ペーストを印刷した後、これを乾燥、焼成して、抵抗層
を形成する。この抵抗層には、必要に応じて、先の場合
と同様、トリミングを行うこともできる。
■ 金属層が形成された前記セラミック基板上に、誘電
体ペーストを印刷した後、これを乾燥２焼成して、絶縁
層を形成する。誘電体ペーストとしては、ガラス等のｍ
＜’ｔＪ末を有機系ビヒクルと混合してペースト化化
したもの等、通常この用途に用いられているものを使用
することができる。乾燥、焼成の条件は特に限定されな
いが、たとえば、つぎのような条件が一般的である。す
なわち、スクリーン印刷等でセラミック基板上に印刷さ
れた前記誘電体ペーストを、５０〜２００℃で乾燥した
あと、ガラスフリットがセラミック基板に溶融接合する
温度（好ましくは５００〜１１００℃１より好ましくは
６００〜９５０℃の範囲）で焼成を行えばよいのである
。なお焼成時には、メタライジング法によって形成され
た前記金属層が酸化されることを防ぐため、非酸化性雰
囲気で焼成を行うことが好ましい。
体ペーストを印刷した後、これを乾燥２焼成して、絶縁
層を形成する。誘電体ペーストとしては、ガラス等のｍ
＜’ｔＪ末を有機系ビヒクルと混合してペースト化化
したもの等、通常この用途に用いられているものを使用
することができる。乾燥、焼成の条件は特に限定されな
いが、たとえば、つぎのような条件が一般的である。す
なわち、スクリーン印刷等でセラミック基板上に印刷さ
れた前記誘電体ペーストを、５０〜２００℃で乾燥した
あと、ガラスフリットがセラミック基板に溶融接合する
温度（好ましくは５００〜１１００℃１より好ましくは
６００〜９５０℃の範囲）で焼成を行えばよいのである
。なお焼成時には、メタライジング法によって形成され
た前記金属層が酸化されることを防ぐため、非酸化性雰
囲気で焼成を行うことが好ましい。
■ 絶縁層上に導体ペーストによって所定の回路を印刷
した後、これを乾燥、焼成して、導体層を形成する。導
体ペーストとしては、金属等の微粉末を有機系ビヒクル
と混合してベース１−化したもの等、通常この用途に用
いられているものを使用することができる。乾燥、焼成
の条件は特に限定されないが、たとえば、つぎのような
条件が一般的である。すなわち、スクリーン印刷等で絶
縁層上に印刷された前記導体ペーストを、５０〜２００
℃で乾燥したあと、ペースト中のガラスフリソ［・が前
記絶縁層に溶融接合する温度（好ましくは５００〜１１
００℃、より好ましくは６００〜９５０℃の範囲）で焼
成を行えばよいのである。
した後、これを乾燥、焼成して、導体層を形成する。導
体ペーストとしては、金属等の微粉末を有機系ビヒクル
と混合してベース１−化したもの等、通常この用途に用
いられているものを使用することができる。乾燥、焼成
の条件は特に限定されないが、たとえば、つぎのような
条件が一般的である。すなわち、スクリーン印刷等で絶
縁層上に印刷された前記導体ペーストを、５０〜２００
℃で乾燥したあと、ペースト中のガラスフリソ［・が前
記絶縁層に溶融接合する温度（好ましくは５００〜１１
００℃、より好ましくは６００〜９５０℃の範囲）で焼
成を行えばよいのである。
なお焼成時には、メタライジング法によって形成された
前記金属層が酸化されることを防ぐため、非酸化性雰囲
気で焼成を行うことが好ましい。
前記金属層が酸化されることを防ぐため、非酸化性雰囲
気で焼成を行うことが好ましい。
以上の工程を繰り返して行い、セラミック基板上に必要
とする数だけの絶縁層、導体層および１氏抗層を交互に
形成すれば、セラミック多層配線基板が得られる。
とする数だけの絶縁層、導体層および１氏抗層を交互に
形成すれば、セラミック多層配線基板が得られる。
以上のように、この発明のセラミック配線基板の製法に
よれば、従来世の中になかった配線抵抗の小さい卑金属
導体を使用することにより、線幅、線間隔３０μｍとい
うｉ散細パターンを形成することが可能となり、しかも
、抵抗層を含むセラミツク配線基板を低コストで得るこ
とが可能となるつぎに、この発明にかかるセラミック配
線基板の製法についての実施例を説明する。
よれば、従来世の中になかった配線抵抗の小さい卑金属
導体を使用することにより、線幅、線間隔３０μｍとい
うｉ散細パターンを形成することが可能となり、しかも
、抵抗層を含むセラミツク配線基板を低コストで得るこ
とが可能となるつぎに、この発明にかかるセラミック配
線基板の製法についての実施例を説明する。
（実施例１）
焼結セラミック基板として、９６％アルミナ基板を使用
し、リン酸によってその表面を粗化処理したあと、充分
に洗浄して、乾燥させた。乾燥後、アルミナ基板の表面
に、化学めっきによって厚み５μｍの銅層を形成した。
し、リン酸によってその表面を粗化処理したあと、充分
に洗浄して、乾燥させた。乾燥後、アルミナ基板の表面
に、化学めっきによって厚み５μｍの銅層を形成した。
このものを、窒素雰囲気中で７００℃の加熱処理を施し
たあと、エツチングを行い、線幅、線間隔５０μｍの回
路を形成した。この回路の抵抗値を測定したところ、表
面抵抗で１ｍΩ／口であった。このセラミック基板上に
誘電体ペーストと、導体ペーストであるＣｕペーストと
を交互にスクリーン印刷し、乾燥、焼成して、セラミッ
ク多層配線基板を得た。なお、両ペーストの焼成は、そ
れぞれ、窒素雰囲気中。
たあと、エツチングを行い、線幅、線間隔５０μｍの回
路を形成した。この回路の抵抗値を測定したところ、表
面抵抗で１ｍΩ／口であった。このセラミック基板上に
誘電体ペーストと、導体ペーストであるＣｕペーストと
を交互にスクリーン印刷し、乾燥、焼成して、セラミッ
ク多層配線基板を得た。なお、両ペーストの焼成は、そ
れぞれ、窒素雰囲気中。
８５０℃の条件で行った。
得られたセラミック多層配線基板最上部の導体層上に、
抵抗体ペーストをスクリーン印刷し、乾燥後、窒素雰囲
気中８５０℃の条件で焼成を行い、抵抗層を形成した。
抵抗体ペーストをスクリーン印刷し、乾燥後、窒素雰囲
気中８５０℃の条件で焼成を行い、抵抗層を形成した。
このあと、この抵抗層に対し、レーザートリマーによっ
てトリミングを行い、所定の抵抗値とした。
てトリミングを行い、所定の抵抗値とした。
得られたセラミック多層配線基板の最上部の導体層とセ
ラミック基板との密着力、および、最上部の導体層とそ
の上に形成された抵抗層との密着力を測定したところ、
それぞれ、２．０〜３．０ Ｋｇ／ａｍ”と非常に高い
値を示した。また、前記最上部の導体層の抵抗値を測定
したところ、表面抵抗で２ｍΩ／口であった。
ラミック基板との密着力、および、最上部の導体層とそ
の上に形成された抵抗層との密着力を測定したところ、
それぞれ、２．０〜３．０ Ｋｇ／ａｍ”と非常に高い
値を示した。また、前記最上部の導体層の抵抗値を測定
したところ、表面抵抗で２ｍΩ／口であった。
（実施例２）
焼結セラミック基板として、９６％アルミナ基板を使用
し、リン酸によってその表面を粗化処理したあと、充分
に洗浄して、乾燥させた。乾燥後、アルミナ基板の表面
に、化学めっきによって銅層を形成したあと、さらに、
電解めっきによって金属銅の厚付けを行い、厚み１０ｐ
ｍの金属層を形成した。このものを、窒素雰囲気中で３
５０ ”Ｃの加熱処理を施したあと、エツチングを行い
、線幅、線間隔５０μｍの回路を形成した。この回路の
抵抗値を測定したところ、表面抵抗で１ｍΩ／口であっ
た。このセラミック基板上に、抵抗体ペーストをスクリ
ーン印刷し、乾燥後、窒素雰囲気中８５０℃の条件で焼
成を行い、抵抗層を形成した。このあと、この抵抗層に
対し、レーザートリマーによってトリミングを行い、所
定の抵抗値とした。
し、リン酸によってその表面を粗化処理したあと、充分
に洗浄して、乾燥させた。乾燥後、アルミナ基板の表面
に、化学めっきによって銅層を形成したあと、さらに、
電解めっきによって金属銅の厚付けを行い、厚み１０ｐ
ｍの金属層を形成した。このものを、窒素雰囲気中で３
５０ ”Ｃの加熱処理を施したあと、エツチングを行い
、線幅、線間隔５０μｍの回路を形成した。この回路の
抵抗値を測定したところ、表面抵抗で１ｍΩ／口であっ
た。このセラミック基板上に、抵抗体ペーストをスクリ
ーン印刷し、乾燥後、窒素雰囲気中８５０℃の条件で焼
成を行い、抵抗層を形成した。このあと、この抵抗層に
対し、レーザートリマーによってトリミングを行い、所
定の抵抗値とした。
得られたセラミック配線基板上の金属層の抵抗値を測定
したところ、表面抵抗で１ｍΩ／口であった。また、得
られたセラミ・ツク配線基板上の金属層と抵抗層との密
着力を測定したところ、２．０〜３．０ Ｋｇ／ ａｍ
” と非常に高い値を示した。
したところ、表面抵抗で１ｍΩ／口であった。また、得
られたセラミ・ツク配線基板上の金属層と抵抗層との密
着力を測定したところ、２．０〜３．０ Ｋｇ／ ａｍ
” と非常に高い値を示した。
（実施例３）
セラミック基板として、９２％アルミナ基板を使用し、
金属層形成後の加熱処理温度を５００℃とした以外は、
実施例Ｉと同様にしてセラミック多層配線基板を得た。
金属層形成後の加熱処理温度を５００℃とした以外は、
実施例Ｉと同様にしてセラミック多層配線基板を得た。
得られたセラミック多層配線７１￥板の最上部の導体層
とセラミック基板との密着力、最上部の導体層とその上
に形成された抵抗層との密着力、ならびに、金属層およ
び基板最上部の導体層の抵抗値を測定したところ、実施
例１とほぼ同様の結果が得られた。
とセラミック基板との密着力、最上部の導体層とその上
に形成された抵抗層との密着力、ならびに、金属層およ
び基板最上部の導体層の抵抗値を測定したところ、実施
例１とほぼ同様の結果が得られた。
（実施例４）
セラミック基板として、９２％アルミナ基板を使用し、
抵抗体ペーストの焼成温度を９００℃とした以外は、実
施例２と同様にしてセラミック配線基板を得た。得られ
たセラミック配線基板上の金属層と抵抗層の密着力およ
び金属層の抵抗値を測定したところ、実施例２とほぼ同
様の結果が得られた。
抵抗体ペーストの焼成温度を９００℃とした以外は、実
施例２と同様にしてセラミック配線基板を得た。得られ
たセラミック配線基板上の金属層と抵抗層の密着力およ
び金属層の抵抗値を測定したところ、実施例２とほぼ同
様の結果が得られた。
（実施例５）
セラミック基板として、９９％アルミナ基板を使用し、
金属層形成後の加熱処理温度を５００ ’Ｃとした以外
は、実施例２と同様にしてセラミック配線基板を得た。
金属層形成後の加熱処理温度を５００ ’Ｃとした以外
は、実施例２と同様にしてセラミック配線基板を得た。
得られたセラミック配線基板上の金属層と抵抗層の密着
力および金属層の抵抗値を測定したところ、実施例２と
ほぼ同様の結果が得られた。
力および金属層の抵抗値を測定したところ、実施例２と
ほぼ同様の結果が得られた。
ごの発明のセラミック配線基板の製法は、以上のように
構成されており、メタライジング法によって、従来世の
中になかった配線砥抗の小さい卑金属導体を線幅、線間
隔３０μｍという微細パターンに形成することが可能と
なり、しかも、抵抗層を含むセラミック配線基板を低コ
ストで得ることが可能となる。
構成されており、メタライジング法によって、従来世の
中になかった配線砥抗の小さい卑金属導体を線幅、線間
隔３０μｍという微細パターンに形成することが可能と
なり、しかも、抵抗層を含むセラミック配線基板を低コ
ストで得ることが可能となる。
第１図はこの発明にかかるセラミック配線基板の製法の
プロセスの一例をあられすブロック図である。
プロセスの一例をあられすブロック図である。
Claims (4)
- （１）セラミック基板の表面にメタライジング法によっ
て金属層を形成する工程と、この金属層を含むセラミッ
ク基板上の回路の所望の位置に抵抗体ペーストを印刷、
焼成して抵抗層を形成する工程とを含んでいるセラミッ
ク配線基板の製法。 - （２）形成された抵抗層をトリミングする工程をも含ん
でいる特許請求の範囲第１項記載のセラミック配線基板
の製法。 - （３）セラミック配線基板が、金属層上に誘電体ペース
トと導体ペーストとを交互に印刷、焼成してなる絶縁層
と導体層とが積層されたセラミック多層配線基板である
とともに、前記導体層が回路の一部となるものである特
許請求の範囲第１項または第２項記載のセラミック配線
基板の製法。 - （４）金属層を形成したあと、２００〜１０００℃で加
熱処理を行う特許請求の範囲第１項から第３項までのい
ずれかに記載のセラミック配線基板の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61035767A JPH0754770B2 (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | セラミツク配線基板の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61035767A JPH0754770B2 (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | セラミツク配線基板の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62193102A true JPS62193102A (ja) | 1987-08-25 |
| JPH0754770B2 JPH0754770B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=12451013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61035767A Expired - Fee Related JPH0754770B2 (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | セラミツク配線基板の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0754770B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008294459A (ja) * | 2008-07-11 | 2008-12-04 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板 |
| US7994433B2 (en) | 1998-09-28 | 2011-08-09 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for producing the same |
| JP2020010004A (ja) * | 2018-07-12 | 2020-01-16 | Koa株式会社 | 抵抗器及び回路基板 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58202503A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | 株式会社東芝 | 厚膜抵抗体の製造方法 |
| JPS6059764A (ja) * | 1983-09-13 | 1985-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | 混成集積回路基板の製造方法 |
-
1986
- 1986-02-19 JP JP61035767A patent/JPH0754770B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58202503A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | 株式会社東芝 | 厚膜抵抗体の製造方法 |
| JPS6059764A (ja) * | 1983-09-13 | 1985-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | 混成集積回路基板の製造方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7994433B2 (en) | 1998-09-28 | 2011-08-09 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for producing the same |
| US8006377B2 (en) | 1998-09-28 | 2011-08-30 | Ibiden Co., Ltd. | Method for producing a printed wiring board |
| US8018045B2 (en) | 1998-09-28 | 2011-09-13 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board |
| US8020291B2 (en) | 1998-09-28 | 2011-09-20 | Ibiden Co., Ltd. | Method of manufacturing a printed wiring board |
| US8030577B2 (en) | 1998-09-28 | 2011-10-04 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for producing the same |
| US8093507B2 (en) | 1998-09-28 | 2012-01-10 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for producing the same |
| US8533943B2 (en) | 1998-09-28 | 2013-09-17 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for producing the same |
| JP2008294459A (ja) * | 2008-07-11 | 2008-12-04 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板 |
| JP2020010004A (ja) * | 2018-07-12 | 2020-01-16 | Koa株式会社 | 抵抗器及び回路基板 |
| WO2020012926A1 (ja) * | 2018-07-12 | 2020-01-16 | Koa株式会社 | 抵抗器及び回路基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0754770B2 (ja) | 1995-06-07 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |