JPS6373593A - セラミツク多層配線板の製造法 - Google Patents
セラミツク多層配線板の製造法Info
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- JPS6373593A JPS6373593A JP21748386A JP21748386A JPS6373593A JP S6373593 A JPS6373593 A JP S6373593A JP 21748386 A JP21748386 A JP 21748386A JP 21748386 A JP21748386 A JP 21748386A JP S6373593 A JPS6373593 A JP S6373593A
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- plating
- wiring board
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はセラミック多層配線板の製造法に関する。
（従来の技術）
従来のセラミック多層配線板は、アルミナセラミックス
中にＷ＋ Ｍｏ ＋ Ｍｏ−Ｍｎ等の高融点金属粉を主
成分とした内部導体層を形成し、その内部導体層の一部
をスルーホールを介して表面に引出し。
中にＷ＋ Ｍｏ ＋ Ｍｏ−Ｍｎ等の高融点金属粉を主
成分とした内部導体層を形成し、その内部導体層の一部
をスルーホールを介して表面に引出し。
スルーホール上に露出した内部導体層の露出面にＡｕ
、 Ａｇ 、 Ｐｔ等の貴金属層を形成し、しかる後弱
還元性雰囲気中で熱処理を行なって製造したものが一般
に知られている。
、 Ａｇ 、 Ｐｔ等の貴金属層を形成し、しかる後弱
還元性雰囲気中で熱処理を行なって製造したものが一般
に知られている。
（発明が解決しようとする問題点）
上記に示すセラミック多層配線板を用いて電子回路部品
を製造する場合、貴金属層の上面にＡｇ−Ｐｄ粉を主成
分とした外部導体層、 Ｒｕｂｓ粉を主成分とした抵抗
体層などの厚膜回路を形成するが、これらの厚膜回路は
通常大気中で焼結される九め内部導体層および内部導体
層の露出面に形成する貴金属層は酸化しないようにする
ことが必要である。しかしながら上記のような構造のセ
ラミック多層配線板では大気中で２５０℃以上の温度で
焼成すると下地の内部導体層９表面の貴金属層等が酸化
するという欠点が生じる。
を製造する場合、貴金属層の上面にＡｇ−Ｐｄ粉を主成
分とした外部導体層、 Ｒｕｂｓ粉を主成分とした抵抗
体層などの厚膜回路を形成するが、これらの厚膜回路は
通常大気中で焼結される九め内部導体層および内部導体
層の露出面に形成する貴金属層は酸化しないようにする
ことが必要である。しかしながら上記のような構造のセ
ラミック多層配線板では大気中で２５０℃以上の温度で
焼成すると下地の内部導体層９表面の貴金属層等が酸化
するという欠点が生じる。
この対策として内部導体層の露出面に硼素を含有するＮ
ｉめつきを施し、その上面にＡｕペーストを印刷し９弱
還元性雰囲気中で熱処理して硼素含有Ｎｉめつきおよび
Ａｕペーストを焼付けたセラミック多層配線板を製造し
たが、この方法においても大気中における焼成温度は６
００℃が限度であり、６００℃を越える温度で焼成する
と、上記と同様な欠点が生じると共に内部導体層の導通
抵抗が高くなり信頼性に劣るという欠点がある。
ｉめつきを施し、その上面にＡｕペーストを印刷し９弱
還元性雰囲気中で熱処理して硼素含有Ｎｉめつきおよび
Ａｕペーストを焼付けたセラミック多層配線板を製造し
たが、この方法においても大気中における焼成温度は６
００℃が限度であり、６００℃を越える温度で焼成する
と、上記と同様な欠点が生じると共に内部導体層の導通
抵抗が高くなり信頼性に劣るという欠点がある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は上記の欠点のないセラミック多層配線板の製造
法を提供することを目的とするものである。
法を提供することを目的とするものである。
本発明者らは上記の欠点について種々検討した結果、グ
リーン法による一部を表面に露出させてアルミナセラミ
ックス中にＷ＋ Ｍｏ、 Ｍｏ−Ｍｎ等の高融点金属粉
を主成分とした内部導体層を形成し。
リーン法による一部を表面に露出させてアルミナセラミ
ックス中にＷ＋ Ｍｏ、 Ｍｏ−Ｍｎ等の高融点金属粉
を主成分とした内部導体層を形成し。
ついでスルーホールを介して表面に露出した内部導体層
上に硼素を０．２〜６重量％含有するＮｉめつきを施し
、さらに硼素含有Ｎｉめつき被膜上にＡｕ ＋ Ａｇ
＊ Ｐ を等の貴金属層を形成し、しかる後大気中で熱
処理すればＮｉめりき中の硼素がガラス化し、 Ｗ、
Ｍｏ 、 Ｍｏ−Ｍｎ等の高融点金属粉、Ａｕ。
上に硼素を０．２〜６重量％含有するＮｉめつきを施し
、さらに硼素含有Ｎｉめつき被膜上にＡｕ ＋ Ａｇ
＊ Ｐ を等の貴金属層を形成し、しかる後大気中で熱
処理すればＮｉめりき中の硼素がガラス化し、 Ｗ、
Ｍｏ 、 Ｍｏ−Ｍｎ等の高融点金属粉、Ａｕ。
Ａｇ、Ｐｔ等の責金層粉などの表面が導通に影響がない
程度の薄いガラス層で覆われ、後工程で６００℃を越え
る温度で大気中で焼成しても下地の内部導体層９表面の
Ｎｉ層、貴金属層等が酸化せず。
程度の薄いガラス層で覆われ、後工程で６００℃を越え
る温度で大気中で焼成しても下地の内部導体層９表面の
Ｎｉ層、貴金属層等が酸化せず。
かつ内部導体層の導通抵抗が変化しないということを見
出した。
出した。
本発明はグリーン法による一部を表面に露出させてアル
ミナセラミックス中に内部導体層を形成し、ついで内部
導体層の露出面に硼素を０．２〜６重量％含有するＮｉ
めつきを施し、さらに硼素含有Ｎｉめりきの被膜上に貴
金属層を形成し、しかる後大気中で熱処理するセラミッ
ク多層配線板の製造法に関する。
ミナセラミックス中に内部導体層を形成し、ついで内部
導体層の露出面に硼素を０．２〜６重量％含有するＮｉ
めつきを施し、さらに硼素含有Ｎｉめりきの被膜上に貴
金属層を形成し、しかる後大気中で熱処理するセラミッ
ク多層配線板の製造法に関する。
本発明においてＮｉめつき中に含有される硼素は０．２
〜６重量％の範囲とされ、０．２重量％未満であると後
工程で６００℃を越える温度で大気中で焼成した場合、
下地の内部導体層９表面のＮｉ層、貴金属層等が酸化す
るという欠点が生じ、６重量％を越えるとガラス成分が
増加し、外部導体層との導通がとれなくなるという欠点
が生じる。
〜６重量％の範囲とされ、０．２重量％未満であると後
工程で６００℃を越える温度で大気中で焼成した場合、
下地の内部導体層９表面のＮｉ層、貴金属層等が酸化す
るという欠点が生じ、６重量％を越えるとガラス成分が
増加し、外部導体層との導通がとれなくなるという欠点
が生じる。
内部導体層を形成する材料としては＋ Ｗ＋ Ｍｏ ｒ
Ｍｏ−Ｍｎ等の高融点金属粉が用いられ、″また貴金属
層を形成する材料としてはＡｕ、 Ａｇ、 Ｐｔ等の貴
金属が用いられる。貴金属層の形成は、めっき法。
Ｍｏ−Ｍｎ等の高融点金属粉が用いられ、″また貴金属
層を形成する材料としてはＡｕ、 Ａｇ、 Ｐｔ等の貴
金属が用いられる。貴金属層の形成は、めっき法。
真空蒸着法、スパッタ法等の方法があり特に制限はない
が１本発明では、電解金めつき法で貴金属層を形成する
ことが好ましい。
が１本発明では、電解金めつき法で貴金属層を形成する
ことが好ましい。
熱処理は大気中で行なうことが必要とされ、その他の雰
囲気（弱還元性雰囲気、中性雰囲気、真空）中で熱処理
するとＮｉ中に含有する硼素がガラス化せず、下地の内
部導体層２表面のＮｉ層。
囲気（弱還元性雰囲気、中性雰囲気、真空）中で熱処理
するとＮｉ中に含有する硼素がガラス化せず、下地の内
部導体層２表面のＮｉ層。
貴金属層等の酸化を防止することができない。なお熱処
理の温度は３００℃以上の温度で行なうことが好ましい
。
理の温度は３００℃以上の温度で行なうことが好ましい
。
（実施例）
以下実施例により本発明を説明する。
実施例１
厚さ０．８ ｍｍのアルミナセラミックグリーンシート
（アルミナ純度９６重量％）（以下グリーンシートとい
う）を２枚５０Ｘ５０ｍｍの寸法に切断し。
（アルミナ純度９６重量％）（以下グリーンシートとい
う）を２枚５０Ｘ５０ｍｍの寸法に切断し。
このうちの１枚に直径ｏ、ａｍｍの穴（スルーホール）
全形成し、ついでスルーホール内にＷペースト（アサと
化学社製、商品名３ＴＷ−１２００）を充填すると共に
片側の表面に前述と同じＷペーストを印刷し、乾燥した
。乾燥後スルーホール内ＫＷペーストを充填したグリー
ンシート上に前記グリーンシートの表面にＷペーストを
印刷した面を下にして重ね、それを１００ ”Ｃｓ ６
Ｋｆ／ａｎ”の条件で加熱加圧し、その後電気炉で５
０℃／時間の昇温速度で３００℃まで大気中で加熱し、
さらに弱還元性（Ｈｌ）雰囲気中で３０℃／時間の昇温
速度で１６００℃まで昇温し、１時間保持してグリーン
シートを焼結させると共にＷペーストを焼結させ一部を
表面に露出させてアルミナセラミックス中に内部導体層
を形成したセラミック配線板を得た。
全形成し、ついでスルーホール内にＷペースト（アサと
化学社製、商品名３ＴＷ−１２００）を充填すると共に
片側の表面に前述と同じＷペーストを印刷し、乾燥した
。乾燥後スルーホール内ＫＷペーストを充填したグリー
ンシート上に前記グリーンシートの表面にＷペーストを
印刷した面を下にして重ね、それを１００ ”Ｃｓ ６
Ｋｆ／ａｎ”の条件で加熱加圧し、その後電気炉で５
０℃／時間の昇温速度で３００℃まで大気中で加熱し、
さらに弱還元性（Ｈｌ）雰囲気中で３０℃／時間の昇温
速度で１６００℃まで昇温し、１時間保持してグリーン
シートを焼結させると共にＷペーストを焼結させ一部を
表面に露出させてアルミナセラミックス中に内部導体層
を形成したセラミック配線板を得た。
次に上記で得たセラミック配線板をＮａＯＨを含有する
脱脂浴（日本エレクトロプレイテングエンジニャーズ社
製、商品名イードレックスｋ １２ ）で脱脂処理し、
ついで活性浴（ワールド・メタル社製、商品名ＡＴ−８
０）にてＰｄ付与を行ない。
脱脂浴（日本エレクトロプレイテングエンジニャーズ社
製、商品名イードレックスｋ １２ ）で脱脂処理し、
ついで活性浴（ワールド・メタル社製、商品名ＡＴ−８
０）にてＰｄ付与を行ない。
さらに硼素を０．５重ｉ％含有する無電解Ｎｉ −Ｉ朋
累めっき（ワールド・メタル社製、商標名二ボロン）を
行ない、水洗、乾燥して厚さ２５μｍの硼素含有Ｎｉめ
つき層を形成した。
累めっき（ワールド・メタル社製、商標名二ボロン）を
行ない、水洗、乾燥して厚さ２５μｍの硼素含有Ｎｉめ
つき層を形成した。
この後硼素含有Ｎｉめつき層の上面に電解金めつき（日
本エレクトロプレイテングエンジニャーズ社製、商品名
テンペレックス４ｏ１）を行ない。
本エレクトロプレイテングエンジニャーズ社製、商品名
テンペレックス４ｏ１）を行ない。
水洗、乾燥して厚さ１．５μｍのＡｕめつき層を形成し
た。
た。
次に焼成炉に２ ｍｌ ７時間の空気を導入した雰囲気
中で８５０℃の温度で１０分間熱処理してセラミック多
層配線板を得た。
中で８５０℃の温度で１０分間熱処理してセラミック多
層配線板を得た。
実施例２
実施例１で用いたＷペーストに代えてＭｏ−Ｍｎペース
ト（自社配合品）を使用し＋ Ａｕめっき層を２５μ
ｍの厚さく形成し、さらに熱処理を７５０℃の温度で１
０分間行なった以外は実施例１と同様の材料を用い、実
施例１と同様の方法でセラミック多層配線板を得た。
ト（自社配合品）を使用し＋ Ａｕめっき層を２５μ
ｍの厚さく形成し、さらに熱処理を７５０℃の温度で１
０分間行なった以外は実施例１と同様の材料を用い、実
施例１と同様の方法でセラミック多層配線板を得た。
比較例１
実施例１で得たセラミック配線板を実施例１と同様の方
法で脱脂処理し、 Ｐｄ付与を行ない、ついで電解Ｎ
ｉめつき（ワット浴）を行ない、水洗。
法で脱脂処理し、 Ｐｄ付与を行ない、ついで電解Ｎ
ｉめつき（ワット浴）を行ない、水洗。
乾燥して厚さ２−５μｍのＮｉめっき層を形成し。
この後Ｎｉめつき層の上面に無電解Ｎｉ−リンめっき（
日本カニゼン社製、商品名８−６８０）ｔ−行ない、水
洗、乾燥して厚さ２５μｍのＮｉ−！Ｊンめりき層を形
成した。
日本カニゼン社製、商品名８−６８０）ｔ−行ない、水
洗、乾燥して厚さ２５μｍのＮｉ−！Ｊンめりき層を形
成した。
次ＫＮｉ−リンめっき層の上面に実施例１と同じ電解金
めつきを行ない、水洗、乾燥して厚さ１．５μｍのＡｕ
めつき層を形成した。
めつきを行ない、水洗、乾燥して厚さ１．５μｍのＡｕ
めつき層を形成した。
以下実施例１と同様の方法で熱処理を行ないセラミック
多層配線板を得た。
多層配線板を得た。
比較例２
実施例１で用いたＷペーストの代わりに実施例２と同様
のＭｏ−Ｍｎペーストを用い、その他は実施例１と同様
の方法で一部を表面Ｋ［出させてアルミナセラミックス
中に内部導体層を形成したセラミック配線板を得た。
のＭｏ−Ｍｎペーストを用い、その他は実施例１と同様
の方法で一部を表面Ｋ［出させてアルミナセラミックス
中に内部導体層を形成したセラミック配線板を得た。
次に上記で得たセラミック配線板を実施例１と同様の方
法で脱脂処理し、 Ｐｄ付与を行ない、さらに無電解
Ｎｉ−硼素めっきを行ない、厚さ２５μｍの硼素含有め
っき層を形成した。
法で脱脂処理し、 Ｐｄ付与を行ない、さらに無電解
Ｎｉ−硼素めっきを行ない、厚さ２５μｍの硼素含有め
っき層を形成した。
この後硼素含有めっき層の上面にＡｕペースト（住友金
属鉱山社製、商品名Ｃ−４０３０）を１０μｍの厚さに
印刷し、１００℃で１０分間乾燥後。
属鉱山社製、商品名Ｃ−４０３０）を１０μｍの厚さに
印刷し、１００℃で１０分間乾燥後。
弱還元性雰囲気中で８００℃の温度で１０分間熱処理し
てセラミック多層配線板を得た。
てセラミック多層配線板を得た。
次に各実施例および比較例１で得たセラミック多層配線
板のＡｕめつき層上と比較例２で得たセラミック多層配
線板のＡｕペースト被膜層上に高温焼成型のガラス含有
Ａｇ−Ｐｄペースト（日中マッセイ社製、商品名＄４８
４６）を印刷し、乾燥後大気中で８５０℃の温度で１０
分間熱処理してガラス含有Ａｇ −Ｐｄペーストを焼付
け、ガラス含有Ａｇ−Ｐｄ層を形成した。この後内部導
体層の酸化の有無および導通抵抗について観察した。こ
の結果各実施例で得たセラミック多１６配線板は、内部
導体Ｊ齢の酸化は見られず、また導通抵抗に変化は見ら
れなかった。これに対し比較例１で得たセラミック多層
配線板は、内部導体層の金属Ｗ（タングステン）が酸化
ＷＫ変化し、導通抵抗が高くなり、また比較例２で得た
セラミック多層配線板は内部導体層の金属Ｍｏ−Ｍｎが
酸化Ｍｏ−Ｍｎに変化し導通抵抗が高くなるという欠点
が生じた。
板のＡｕめつき層上と比較例２で得たセラミック多層配
線板のＡｕペースト被膜層上に高温焼成型のガラス含有
Ａｇ−Ｐｄペースト（日中マッセイ社製、商品名＄４８
４６）を印刷し、乾燥後大気中で８５０℃の温度で１０
分間熱処理してガラス含有Ａｇ −Ｐｄペーストを焼付
け、ガラス含有Ａｇ−Ｐｄ層を形成した。この後内部導
体層の酸化の有無および導通抵抗について観察した。こ
の結果各実施例で得たセラミック多１６配線板は、内部
導体Ｊ齢の酸化は見られず、また導通抵抗に変化は見ら
れなかった。これに対し比較例１で得たセラミック多層
配線板は、内部導体層の金属Ｗ（タングステン）が酸化
ＷＫ変化し、導通抵抗が高くなり、また比較例２で得た
セラミック多層配線板は内部導体層の金属Ｍｏ−Ｍｎが
酸化Ｍｏ−Ｍｎに変化し導通抵抗が高くなるという欠点
が生じた。
（発明の効果）
本発明になるセラミック多層配線板は、内部導体層など
が酸化せず、かつ内部導体層の導通抵抗が高くなるとい
う欠点が生じないため信頼性に優れ、工業的に極めて好
適である。
が酸化せず、かつ内部導体層の導通抵抗が高くなるとい
う欠点が生じないため信頼性に優れ、工業的に極めて好
適である。
／−＼、
代理人 弁理士 若 林 邦 彦 ）・・シ／′
Claims (1)
- １、グリーン法による一部を表面に露出させてアルミナ
セラミックス中に内部導体層を形成し、ついで内部導体
層の露出面に硼素を０．２〜６重量％含有するＮｉめつ
きを施し、さらに硼素含有Ｎｉめつきの被膜上に貴金属
層を形成し、しかる後大気中で熱処理することを特徴と
するセラミック多層配線板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21748386A JPS6373593A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | セラミツク多層配線板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21748386A JPS6373593A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | セラミツク多層配線板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373593A true JPS6373593A (ja) | 1988-04-04 |
Family
ID=16704941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21748386A Pending JPS6373593A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | セラミツク多層配線板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6373593A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5642297B2 (ja) * | 2012-01-11 | 2014-12-17 | 三菱電機株式会社 | ベーン型圧縮機 |
| US9115716B2 (en) | 2010-08-18 | 2015-08-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Vane compressor with vane aligners |
| US9127675B2 (en) | 2010-08-18 | 2015-09-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Vane compressor with vane aligners |
| US9388807B2 (en) | 2012-01-11 | 2016-07-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Vane compressor having a second discharge port that includes an opening portion to a compression space |
-
1986
- 1986-09-16 JP JP21748386A patent/JPS6373593A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9115716B2 (en) | 2010-08-18 | 2015-08-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Vane compressor with vane aligners |
| US9127675B2 (en) | 2010-08-18 | 2015-09-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Vane compressor with vane aligners |
| JP5642297B2 (ja) * | 2012-01-11 | 2014-12-17 | 三菱電機株式会社 | ベーン型圧縮機 |
| US9388807B2 (en) | 2012-01-11 | 2016-07-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Vane compressor having a second discharge port that includes an opening portion to a compression space |
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