JPS5893398A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

配線基板の製造方法

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JPS5893398A
JPS5893398A JP19222581A JP19222581A JPS5893398A JP S5893398 A JPS5893398 A JP S5893398A JP 19222581 A JP19222581 A JP 19222581A JP 19222581 A JP19222581 A JP 19222581A JP S5893398 A JPS5893398 A JP S5893398A
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JP
Japan
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wiring
wiring board
film
thin film
manufacturing
Prior art date
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Application number
JP19222581A
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English (en)
Inventor
斉藤 民雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Priority to US06/415,798 priority patent/US4525383A/en
Publication of JPS5893398A publication Critical patent/JPS5893398A/ja
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 この発明は、銅の薄膜からする配線ノ母ターンを有する
配線基板の製造方法に関するO発明の技術的背景とその
問題点 従来の薄膜配線基板においては、絶縁性基体上にCr、
 Pd、 Auの薄膜を順次蒸着し、その上にフォトレ
ジストを塗布し露光、現像し、それをマスクとして上記
薄膜を選択的に工、チング除去して、配IIi!パター
ンを形成していた。しがし金(Au )を配線ノ4ター
ンの材料に用いることはコスト面で好ましくない。
一方、このような薄膜配線ノ4ターンにょシ多層配線基
板を形成する場合、層間絶縁体としてポリイミド等の有
機質膜が従来用いられている〇しかしながら、このよう
な有機質膜は一般に熱伝導性が悪いため、この多層配線
基板上に大電力のLSI等のチップ部品を実装する場合
、信頼性の点で間瓶がある。また、配線ノ4ターンに大
電流を流す場合、メッキにより肉付けを行なうカ、メッ
キ工程は一般に煩雑でるり、さらにメッキ膜の内部応力
によって79ターンが破損するおそれがある。
発明の目的 この発明の目的は、低コスト□であって、放熱性の間組
もな(、さらに大電流にも耐え得る配線基板の製造方法
を提供することである。
発明の概要 この発明は、下地絶縁体上に酸化生成自由エネルギーが
大きい金属からなる接着層を介して銅薄膜を形成し、こ
の上にフォトレジストを塗布して無光、現像し、この露
光、現像後の7オトレジストをマスクとして銅薄膜を選
択的にエツチング除去した後、フォトレジストを除去し
て、銅薄膜からなる配線)4ターンを有する配線基板を
得ることを特徴としている。
発明の効果 この発明によれば、薄膜配線・譬ターンを鋼薄膜で形成
するため、製造コストを下げることができるとともに1
フオトエツチングでノ皆ターニングを行なうので、微細
な配線ノ譬ターンが得られる0ま九、焼成が可能なた嶋
、多層配線基板を形成する場合、層間絶縁体として焼成
を必要1.111 とするが熱伝導性の良好な厚膜絶縁体を使用することが
できる。さらに1配線パターンとしてやはり焼成を必要
とするがメッキに比べて工程が簡単で、電気伝導性が良
好な大電流に耐え得る厚層導体を併用することが可能で
ある。従って、大電力LSI等を実装する□のに適した
多層配線基板を得ることができる。
発明の実施例 納1図はこの発明の一実施例の基本工程図である。まず
、下地絶縁体である例えばアルミナ(At205)ある
いはシリコン酸化物(sto2)を主成分とする基体1
上の全面に1第1図(a) K示す如く接着層2および
拡散防止IRJを介して、鋼薄膜4を例えは蒸着ま喪は
スノ臂ツタ、メッキ等によシ1〜20μ程度被着形成す
る。接着層2は酸化生成自由エネルギーが銅に比べて大
きい金−1例えばTI、(チタン)、■(バナジウム)
、Cr(クロム)W(タングステン)、あるいはその合
金からなシ、200〜30001程度の厚さに形成され
る。
一方、拡散防止膜3は必らすしも必要でないが、接着N
k2と銅薄膜4との間の拡散忙よる鋼薄膜4の劣化を防
止するためのもので、例えばNiにッケル) e pa
 (/4ラジウム)岬が用いられる。
次に、第1図(b) K示す如く鋼薄膜4の上に7オト
レゾスト5を塗布し、所定パターンに露光。
現像を行な9て不壁部分5を除去する。次K、この不要
部分5が除去されたフォトレジスト5をマスクとして、
鋼薄膜4、拡散防止膜SSm着層2を選択的に工、チン
グ除去する。そして次に1フオトレジスト5を例えは酸
素プラズマにより、または銅薄膜4が酸化しない程度の
温度下の焼成により、またはレジストストリッIぐによ
り除去する。
こうして、基体1上に@1図(C)に示す如く鋼薄膜か
らなる配線ノ臂ターン6が形成される。
第2図はこの発明を多層配線基板の製造に適用した場合
の工程図を示すものである・即ち、第1図の工程によっ
て得られた銅薄膜からなる第1層配線ノ臂ターン6の少
なくとも一部を橿うように、熱分解型またはペースト中
のガラスの酸素分によシ分解する有機物を主成分とする
絶縁体(−スト、つま9中性雰囲気中で焼成可能な厚膜
用絶縁体ペーストを印刷し、焼成することKよって、第
2図−)K示す如く層間絶縁体としての厚膜絶縁体7を
形成する。そして次に、例えは銅ペースト、ニッケルペ
ースト勢の厚膜用導体ペーストを印刷し、中性雰囲気中
で焼成することによって第2図(C)に示す如く厚膜絶
縁体7に形成された開口部8を通して第1層配線ノ9タ
ーン6を適宜電気的に接続され九厚膜導体からなる第2
層配線t4ターン9を形成する。以下同様に、必要に応
じて厚膜絶縁体からなる層間絶縁体と、厚膜導体からな
る、または層間絶縁体を下地導体として第1層配線ノ臂
ターンと同様の工程で形成される配線ノ9ターンとを交
互に積層することによって、多層配線基板が作製さnる
このようKして、この実施例によれば厚膜絶縁体からな
る層間絶縁体を介して銅薄膜または厚膜導体からなる配
線ノ々ターンを積層した多層配線基板が得られる。  
  □ この場合、銅薄膜からなる配線ノ母ターンは金の薄膜か
らなる配線ノ母ターンに比べ非常に安価である。しかも
、この配線ノ9ターンは工、チングによF) 74?タ
ーニングされるため、例えば線幅40μ程度の微細なノ
母ターンに形成することが可能である。
また、層間絶縁体に熱伝導性の良い厚膜絶縁体を用いる
ことができるため、基板上に大電力LSIチップ等を実
装する場合、好都合である。
さらに銅ペースト、ニッケルペースト勢の中性雰囲気中
で焼成する厚膜用導体ペーストを用いて配線・リーンを
形成できるため、銅薄膜からなる微細な配線・母ターン
と厚膜導体からなる配線ノ々ターンとの組合せ忙よる多
層基板が得られるので、後者の配線ノ臂ターンを大電流
の流れる部分に使用することKよって、大電力LSIチ
プ等の実装に十分対応することが可能となる@特に銅ペ
ーストからなる厚*4体は、電気伝導性に優れるのみ゛
でなく、半田付は性が良好で、I’l11 半田リーチに対しても強いという特長がある0
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例の工程図、第2図はこの発
町を多層配線基板の製造に適用し九実施例の工程図であ
る。 l・・・基体(下地絶縁体)、2・・・接着層、3・・
・拡散防止膜、4・・・銅薄膜、5・・・フォトレジス
ト、6・・・銅薄膜からなる配線・ヤターン、1・・・
厚膜絶縁体からなる層間絶縁体(下地絶縁体)、8・・
・開口部、9・・・厚膜導体または銅薄膜からなる配−
ノ9ターン。 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦第1図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)下地絶縁体上に酸化生成自由エネルギーが大きい
    金属からなる接着層を介して銅薄膜を形成し、次いでこ
    の銅薄膜上にフォトレジストを塗布して所定・リーンに
    露光、現像し、この側光、現像後のフォトレジストをマ
    スクとして銅薄膜および接着層を選択的にエツチング除
    去した彼、フォトレジストを除去して、銅薄膜からなる
    配線i4ターンを有する配線基板を得ることを特徴とす
    る配線基板の製造方法。 (2)接層層と銅薄膜との間に拡散防止膜を介在させる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第】JJiI記載め配
    線基板の製造方法。 (3〕  下地絶縁体は配線基板の基体である特許請求
    の範囲第1項記載の配線基板の製造方法。 (4)下地絶縁体位多漸配線基板における層間絶線体で
    あって、厚膜絶縁体ペーストを印刷し中性雰囲気中にて
    焼成することによって形成されるものである特許請求の
    範囲第1項記載の配線基板の製造方法。 (5)銅薄膜からなる配線/fFターンは多層配線基板
    における配線1?ターンである特許請求の範囲第1項記
    載の配線基板の製造方法。 (6)銅薄膜からなる配線・臂ターンは厚膜導体ペース
    トを印刷し中性雰囲気中にて焼成することKよって形成
    される厚膜導体からなる配線ノ母ターンとともに多層配
    線基板における一配線ノ9ターンを構成するものである
    特許請求の範囲第1項記載の配線基板の製造方法。
JP19222581A 1981-09-11 1981-11-30 配線基板の製造方法 Pending JPS5893398A (ja)

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EP82108225A EP0074605B1 (en) 1981-09-11 1982-09-07 Method for manufacturing multilayer circuit substrate
DE8282108225T DE3280233D1 (de) 1981-09-11 1982-09-07 Verfahren zum herstellen eines substrats fuer multischichtschaltung.
US06/415,798 US4525383A (en) 1981-09-11 1982-09-08 Method for manufacturing multilayer circuit substrate
US06/695,466 US4569902A (en) 1981-09-11 1985-01-28 Method for manufacturing multilayer circuit substrate

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