JPS60154595A - 多層回路基板の製造方法 - Google Patents
多層回路基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS60154595A JPS60154595A JP1046784A JP1046784A JPS60154595A JP S60154595 A JPS60154595 A JP S60154595A JP 1046784 A JP1046784 A JP 1046784A JP 1046784 A JP1046784 A JP 1046784A JP S60154595 A JPS60154595 A JP S60154595A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- metal thin
- film layer
- conductor
- forming step
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は多層回路基板の製造方法、特に、ガラス−セラ
ミックを主成分とするグリーンシートを使用した多層回
路基板の導体層の形成方法に関する。
ミックを主成分とするグリーンシートを使用した多層回
路基板の導体層の形成方法に関する。
（従来技術）
本発明に関する従来技術の文献、特許明細書は近年の半
導体技術の飛躍的な進展と半導体を駆使する強いニーズ
とからＩＣやＬＳＩが産業用および民需用に幅広く使用
されるようになった。特に、集積密度の高いＬＳＩの採
用は、従来の製品の実装に適する多層セラミック回路基
板が脚光を浴びてきている。
導体技術の飛躍的な進展と半導体を駆使する強いニーズ
とからＩＣやＬＳＩが産業用および民需用に幅広く使用
されるようになった。特に、集積密度の高いＬＳＩの採
用は、従来の製品の実装に適する多層セラミック回路基
板が脚光を浴びてきている。
多層セラミック回路基板の製造方法には、公知のように
、厚膜印刷法とグリーンシート法とがあり、グリーンシ
ート法はさらに積層法と印刷法とに分けることができる
。これら３つの方法のうちで最も有望視されるのはグリ
ーンシート積層法である。
、厚膜印刷法とグリーンシート法とがあり、グリーンシ
ート法はさらに積層法と印刷法とに分けることができる
。これら３つの方法のうちで最も有望視されるのはグリ
ーンシート積層法である。
従来のこの種の多層回路基板の製造方法は、たとえば、
雑誌「電子材料Ｊ １９８２年１１月号６５頁〜６６頁
に記載されている如（、スクリーン印刷によって導体層
が形成された複数のグリーンシートを積層し、焼結する
工程が柱になっている。さらに、最近は１０００°Ｃ〜
９００℃以下で焼結可能な低温焼成グリーンシートの開
発に伴ない、金ペースト材料や銀パラジウムペーストを
用いることができるようになり、導体パターンの導体幅
の微細化や導体パターンのインピーダンス特性を改善す
るための種々の提案がなされている。
雑誌「電子材料Ｊ １９８２年１１月号６５頁〜６６頁
に記載されている如（、スクリーン印刷によって導体層
が形成された複数のグリーンシートを積層し、焼結する
工程が柱になっている。さらに、最近は１０００°Ｃ〜
９００℃以下で焼結可能な低温焼成グリーンシートの開
発に伴ない、金ペースト材料や銀パラジウムペーストを
用いることができるようになり、導体パターンの導体幅
の微細化や導体パターンのインピーダンス特性を改善す
るための種々の提案がなされている。
しかしながらこのような従来構成においては、導体層の
形成はあくまでスクリーン印刷によって行われているた
め、グリーンシート積層法は本来的に微細多層配線用と
して適しかつ量産性は優れているものの、スクリーンの
位置決め精度の限度や、スクリーン印刷のパターン転写
能力上導体パターンの導体幅の微細化には限界（導体幅
が１５０μｍ程度）があり、前述のような、ＬＳＩ用需
要１ｃよ、っｔ８ユ、ヵ、□７い、い５．、、、やヵ、
あう。 （（発明の目的） 本発明の目的は、上記の欠点を除去すること、すなわち
導体パターンの導体幅の微細化をさらにすすめた多層回
路基板の製造方法を提供することにある。
形成はあくまでスクリーン印刷によって行われているた
め、グリーンシート積層法は本来的に微細多層配線用と
して適しかつ量産性は優れているものの、スクリーンの
位置決め精度の限度や、スクリーン印刷のパターン転写
能力上導体パターンの導体幅の微細化には限界（導体幅
が１５０μｍ程度）があり、前述のような、ＬＳＩ用需
要１ｃよ、っｔ８ユ、ヵ、□７い、い５．、、、やヵ、
あう。 （（発明の目的） 本発明の目的は、上記の欠点を除去すること、すなわち
導体パターンの導体幅の微細化をさらにすすめた多層回
路基板の製造方法を提供することにある。
（発明の構成）
上記の目的を達成する不発−の第１の％敵は、ガラスセ
ラミックを主成分とするグリーンシートの表面に金属薄
膜層を形成する金属薄膜層形成工程と、前記金属薄膜層
の表面の所定の部分に金属をメッキして導体層を形成す
る導体層形成工程と、前記金属薄膜層形成工程および前
記導体層形成工程を経た複数の前記グリーンシートを積
層した後焼結することによって表面に前記導体層が形成
されていない前記金属薄膜層の部分のみを絶縁化する第
１の絶縁化工程とを含むことにあシ、第２の特徴は、ガ
ラス−セラミックを主成分とするグリーンシートの表面
に金属薄膜層を形成する金属薄膜層形成工程と、前記金
属薄膜層の表面の所定の部分に金属をメッキして導体層
を形成する導体層形成工程と、前記金ｌＩ４＃膜層の前
記導体層で扱われていない部分をエツチングで除去して
絶縁化する第２の絶縁化工程と、前記金属薄膜層形成工
程および前記導体層形成工程および繭記第２の絶縁化工
程を経た複数の前記グリーンシートを積層した後焼結す
る焼結工程とを含むことにある。
ラミックを主成分とするグリーンシートの表面に金属薄
膜層を形成する金属薄膜層形成工程と、前記金属薄膜層
の表面の所定の部分に金属をメッキして導体層を形成す
る導体層形成工程と、前記金属薄膜層形成工程および前
記導体層形成工程を経た複数の前記グリーンシートを積
層した後焼結することによって表面に前記導体層が形成
されていない前記金属薄膜層の部分のみを絶縁化する第
１の絶縁化工程とを含むことにあシ、第２の特徴は、ガ
ラス−セラミックを主成分とするグリーンシートの表面
に金属薄膜層を形成する金属薄膜層形成工程と、前記金
属薄膜層の表面の所定の部分に金属をメッキして導体層
を形成する導体層形成工程と、前記金ｌＩ４＃膜層の前
記導体層で扱われていない部分をエツチングで除去して
絶縁化する第２の絶縁化工程と、前記金属薄膜層形成工
程および前記導体層形成工程および繭記第２の絶縁化工
程を経た複数の前記グリーンシートを積層した後焼結す
る焼結工程とを含むことにある。
（発明の実施例）
欠に本発明について図面を参照して説明する。
第１図、第２図および＠３図は本発明の実施例による中
間製品の断面図である。
間製品の断面図である。
先ず、第１図において、無垢のグリーンシート１にパン
チによって所望のスルーホール２をあける。グリーンシ
ート１は１０００６Ｃ〜９００℃以下の低温焼結盤ガラ
スーセラミックを主成分とする。
チによって所望のスルーホール２をあける。グリーンシ
ート１は１０００６Ｃ〜９００℃以下の低温焼結盤ガラ
スーセラミックを主成分とする。
次に、搏２図に示すように、グリーンシート１０表面に
一様に金属薄膜層３を形成する。このときに使用する＊
＊＊は、チタンの一層膜、クロムの一層膜、ニクロムの
一層膜、タングステンの一層膜、モリブデンの一層膜、
チタンとパラジウムとの二層膜、クロムとパラジウムと
の二層膜、チタンと白金との二層膜、クロムと白金との
二層膜、ニクロムと白金との二層膜、タングステンと白
金との二層膜、モリブデンと白金との二層膜、等のいず
れかであシ、これらの金属をグリーンシート１０表面に
公知のスパッタリング法または真空蒸着法によって５０
０Ｘ〜２ｏｏｏｆ程度の膜厚になるように付着させる。
一様に金属薄膜層３を形成する。このときに使用する＊
＊＊は、チタンの一層膜、クロムの一層膜、ニクロムの
一層膜、タングステンの一層膜、モリブデンの一層膜、
チタンとパラジウムとの二層膜、クロムとパラジウムと
の二層膜、チタンと白金との二層膜、クロムと白金との
二層膜、ニクロムと白金との二層膜、タングステンと白
金との二層膜、モリブデンと白金との二層膜、等のいず
れかであシ、これらの金属をグリーンシート１０表面に
公知のスパッタリング法または真空蒸着法によって５０
０Ｘ〜２ｏｏｏｆ程度の膜厚になるように付着させる。
これらの各金属は、次にメッキする導体金属４とグリー
ンシート１との密着性を良好にし、かつメッキ下地とし
ても適性なものが選ばれる。
ンシート１との密着性を良好にし、かつメッキ下地とし
ても適性なものが選ばれる。
メッキは公知に選択メッキ法が採用され、金属薄膜Ｊｅ
Ｊ３の上の所定の部分に、フォトレジスト（図示せず。
Ｊ３の上の所定の部分に、フォトレジスト（図示せず。
）を用いて導体金属４を１μｍ〜１０μｍの厚さにメッ
キして導体パターンを形成する。
キして導体パターンを形成する。
導体幅は５０ミクロン以下にまですることができる。導
体金属４には、金、銀、銀パラジウム、銅、ニッケル、
等を用いることができるが、性能的に金が最良である。
体金属４には、金、銀、銀パラジウム、銅、ニッケル、
等を用いることができるが、性能的に金が最良である。
金は、周知のように、耐酸化性、耐腐食性があって化学
的にも安定であシ、かつ電気の良導体であって導体回路
材料として優れた特性を有しているからである。メッキ
はスルーホール２の内壁にも及ぶ。第３図はメッキ後の
中間製品１０を説明する図である。スルーボール２には
必要に応じて厚膜ペーストを充てんしてもよい。
的にも安定であシ、かつ電気の良導体であって導体回路
材料として優れた特性を有しているからである。メッキ
はスルーホール２の内壁にも及ぶ。第３図はメッキ後の
中間製品１０を説明する図である。スルーボール２には
必要に応じて厚膜ペーストを充てんしてもよい。
第４図は、以上に述べた第３図までに示したような工程
を経た３つの中間製品１０．２０＃よび３０を積層圧着
し、空気中で焼結して得た完成品の断面図である。中間
製品１０，２０および３０のスルーホールパターンおよ
び導体パターンは、それぞれ相互に異なっており、中間
製品２０および３０についてはその工程を図示していな
いが、中間製品１０について示した第１図、第２図およ
び第３図と則様な工程によってつくられる。なお第４図
においては、図示の繁雑化を回避するため、金属薄膜層
３は省略した。また、第１図〜第４図は説明の便宜上、
局所的に拡大と縮小とがなされておシ、寸法上および外
観上現英の姿を反映したものになっていない。
を経た３つの中間製品１０．２０＃よび３０を積層圧着
し、空気中で焼結して得た完成品の断面図である。中間
製品１０，２０および３０のスルーホールパターンおよ
び導体パターンは、それぞれ相互に異なっており、中間
製品２０および３０についてはその工程を図示していな
いが、中間製品１０について示した第１図、第２図およ
び第３図と則様な工程によってつくられる。なお第４図
においては、図示の繁雑化を回避するため、金属薄膜層
３は省略した。また、第１図〜第４図は説明の便宜上、
局所的に拡大と縮小とがなされておシ、寸法上および外
観上現英の姿を反映したものになっていない。
焼結温度は、８５０℃〜９００℃か適ｉであシ、この温
度では導体金属４は溶融も酸化もしないが、金属薄膜層
３を形成する上述の金属は酸化する。
度では導体金属４は溶融も酸化もしないが、金属薄膜層
３を形成する上述の金属は酸化する。
この結果、金属薄膜層３の導体金属４で租われていない
部分は・電気絶縁物化し、導体金属４相互間は所定の導
体パターンにしたがって電気的に絶縁されて導体回路が
形成される。
部分は・電気絶縁物化し、導体金属４相互間は所定の導
体パターンにしたがって電気的に絶縁されて導体回路が
形成される。
以上に述べた実施例においては、導体回路の形成を空気
中における焼結による酸化で行なっているが、本発明は
この実施例に限定されることはななく、酸化は必須要件
ではない。たとえば、窒素中における焼結によっても金
属薄膜層３を形成する上述の金属の絶縁物化が認められ
ており、本発明はこのような製造方法をも含むものであ
る。
中における焼結による酸化で行なっているが、本発明は
この実施例に限定されることはななく、酸化は必須要件
ではない。たとえば、窒素中における焼結によっても金
属薄膜層３を形成する上述の金属の絶縁物化が認められ
ており、本発明はこのような製造方法をも含むものであ
る。
本実施例においては、導体回路の形成が複数の中間製造
の焼結と同時進行的に行なわれるが、本発明の他の実施
例として、導体金属をメッキ後（第３図参照）に、先ず
金網薄膜層をエツチングによって除去し、しかる後の複
数の中間製品を積層圧着し、焼結して完成品を得る方法
も考えることができる。したがって、この方法の場合の
焼結には、複数の中間製品の結合機能のみが要求される
。
の焼結と同時進行的に行なわれるが、本発明の他の実施
例として、導体金属をメッキ後（第３図参照）に、先ず
金網薄膜層をエツチングによって除去し、しかる後の複
数の中間製品を積層圧着し、焼結して完成品を得る方法
も考えることができる。したがって、この方法の場合の
焼結には、複数の中間製品の結合機能のみが要求される
。
金属薄膜層を形成する金属の酸化物の有無による絶縁抵
抗の比較データを次の表に掲げる（単位はΩ（オーム）
）。
抗の比較データを次の表に掲げる（単位はΩ（オーム）
）。
木表はチタン酸化物またはパラジウム酸化物またはその
両者がある場合とそのいずれもない場合との隣接導体間
の絶縁抵払値を各々４つのサンプルについて測定し、比
較のためにまとめたものである。測定したサンプルは、
導体パターｙ ｆ） 間隔のデータからもチタン酸化物
またはパラジウム酸−化物の有無にｉる有意差は実用上
少ないことがわかる。
両者がある場合とそのいずれもない場合との隣接導体間
の絶縁抵払値を各々４つのサンプルについて測定し、比
較のためにまとめたものである。測定したサンプルは、
導体パターｙ ｆ） 間隔のデータからもチタン酸化物
またはパラジウム酸−化物の有無にｉる有意差は実用上
少ないことがわかる。
金属薄膜層を形成する他の金属の酸化物の有無による絶
縁抵抗の比較データについては提示な割愛するが、いず
れも実用上の差異は少ない。したかつ℃、本発明゛のい
ずれの実施例の場合においても、導体金属の絶縁性はは
ソ同等である。
縁抵抗の比較データについては提示な割愛するが、いず
れも実用上の差異は少ない。したかつ℃、本発明゛のい
ずれの実施例の場合においても、導体金属の絶縁性はは
ソ同等である。
（発明の効果）
以上に説明したように、本発明によれば、従来のスクリ
ーン印刷法に代って、グリーンシートに選択的な金属メ
ッキを施すことによって尋体膚な形成するため、メッキ
すべき導体の寸法な局Ｂｒ的に制御することが可能にな
シ、本発明を実施しないものに比較して、導体パターン
の導体幅を数分の−に微細化することができるようにな
る。
ーン印刷法に代って、グリーンシートに選択的な金属メ
ッキを施すことによって尋体膚な形成するため、メッキ
すべき導体の寸法な局Ｂｒ的に制御することが可能にな
シ、本発明を実施しないものに比較して、導体パターン
の導体幅を数分の−に微細化することができるようにな
る。
第１図、第２図、第３図および第４図は本発明の詳細な
説明する図である。 １・・・・・・クリ−シート、２・・・・・・スルーホ
ール、３・・・・・・金属博膜鳩、４・・・・・・導体
金属、１０，２０．３０・・・・・・中間製品。
説明する図である。 １・・・・・・クリ−シート、２・・・・・・スルーホ
ール、３・・・・・・金属博膜鳩、４・・・・・・導体
金属、１０，２０．３０・・・・・・中間製品。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） ガラス−セラミックを主成分とするグリーンシ
ートの表面に金属薄ａ鳥を形成する金属薄膜層形成工程
と、前記金属薄膜層の表面の所定の部分に金属をメッキ
し℃導体層を形成する導体層形成工程と、前記金属薄膜
層形成工程および前記導体層形成工程を経た複数の前記
グリーンシートを積層した後焼結することによって表面
に前記導体層が形成されていない前記金属薄膜層の部分
のみを絶縁化する第１の絶縁化工程とを含むことを特徴
とする多層回路基板の製造方法。 （２１Ｍｌｌ記第１の絶縁化工程が空気中における焼結
によって行なわれることを特徴とする特許請求の範囲第
ｔ’ｌ）項記載の多層回路基板の製造方法。 （３） ガラス−セラミックを主成分とするグリーンシ
ートの表面に金属薄膜層を形成する金属薄膜層形成工程
と、前記金属薄膜層の表面の所定の部分に金属をメッキ
して導体層を形成する導体層形成工程と、前記金属薄膜
層の前記導体層で榎われていない部分をエツチングで除
去して絶縁化する第２０Ｍ緑化工程と、前記金属薄膜層
形成工程および前記導体層形成工程および前記第２の絶
縁化工程を経た複数の前記グリーンシートを積層した後
焼結する焼結工程とを含むことを特徴とする多層回路基
板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1046784A JPS60154595A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 多層回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1046784A JPS60154595A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 多層回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154595A true JPS60154595A (ja) | 1985-08-14 |
Family
ID=11750938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1046784A Pending JPS60154595A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 多層回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60154595A (ja) |
-
1984
- 1984-01-23 JP JP1046784A patent/JPS60154595A/ja active Pending
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