JPH0685468B2 - セラミツク多層基板の製造方法 - Google Patents

セラミツク多層基板の製造方法

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JPH0685468B2
JPH0685468B2 JP13414386A JP13414386A JPH0685468B2 JP H0685468 B2 JPH0685468 B2 JP H0685468B2 JP 13414386 A JP13414386 A JP 13414386A JP 13414386 A JP13414386 A JP 13414386A JP H0685468 B2 JPH0685468 B2 JP H0685468B2
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ハイブリッドIC等に利用されるセラミック多
層基板の製造方法に関するものである。
従来の技術 従来のグリーンシート積層法によるセラミック多層基板
の製造方法は、導体材料に金,銀,銀パラジウム合金等
の貴金属を使用し、その導体材料によりグリーンシート
上に所定の配線パターンを形成した後に積層して空気中
で焼成する方法と、導体材料に銅,ニッケル,タングス
テン,モリブデン等の卑金属を使用し、同様にして窒素
雰囲気で焼成する方法の大別して2種類の方法がある。
発明が解決しようとする問題点 ところが、導体材料に貴金属を使用する場合は、コスト
が非常に高くなる欠点を有している。また、導体材料に
卑金属を使用する場合は、コストは安価であるが、脱バ
インダー工程でグリーンシート中の有機成分を完全に除
去する為に空気中で焼成を行うと、卑金属は酸化され、
著しく体積膨張を起し、セラミックにクラックが入って
しまう。よって、脱バインダー工程も窒素雰囲気で焼成
する必要があるが、窒素雰囲気ではグリーンシート中の
有機成分が完全に分解・除去されず残留炭素分が電気的
絶縁性の性能低下を引き起したり、基板の機械的強度も
弱くなってしまう。さらに、窒素雰囲気で完全に分解で
きる有機材料をグリーンシートのバインダーとして使用
する場合、バインダー組成の材料設計の自由度が小さく
なってしまうという問題点があった。
本発明はこのような従来の問題点を解決するものであ
り、簡単な構成で低コストかつ信頼性に優れるセラミッ
ク多層基板の製造方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段 本発明のセラミック多層基板の製造方法は、グリーンシ
ート上に卑金属酸化物により所定の回路パターンを形成
した後、前記グリーンシートを複数枚積層圧着して空気
中で焼成を行いグリーンシート中の有機成分を除去し、
さらに水素と窒素を混合したガス雰囲気中で焼成を行い
セラミック成分を焼結させると共に卑金属酸化物を還元
することにより金属化し、かつその金属を焼結させてセ
ラミック多層基板を製造するものである。
作用 本発明のセラミック多層基板の製造方法では、導体材料
に卑金属酸化物を使用するために、脱バインダー工程は
空気中で焼成することが出来るので、グリーンシート中
の有機成分を完全に除去することができ、かつ導体材料
が酸化されて体積膨張を起すこともないので、セラミッ
クにクラックが入ることもない。また卑金属酸化物を使
用するために大幅なコストダウンが図れ、還元雰囲気焼
成を行った後も導体の比抵抗は、従来の銀パラジウムが
20〜30mmΩ/□に対し、銅は2〜3mmΩ/□、ニッケル
は10〜20mmΩ/□と低く性能的にも優るものである。
実施例 以下、本発明の一実施例のセラミック多層基板の製造方
法を図面を参照して説明する。
実施例1 第1図に示すように各セラミックグリーンシート1a,1b,
1c,1dに卑金属酸化物の一つである酸化銅を主成分とす
るベーストにより所定の回路パターン2a,2b,2c,2dを形
成し、第2図に示すように、この回路パターンが形成さ
れたグリーンシート1a,1b,1c,1dを4枚積層圧着し、空
気中で500℃で約2時間焼成を行い、グリーンシート中
の有機成分を充分に除去する。さらに、水素と窒素を混
合したガス雰囲気中で、900℃で約1時間焼成を行い有
機成分が除去されたセラミックグリーンシート1a,1b,1
c,1dを焼結させて、セラミック層3a,3b,3c,3dを形成す
るとともに、導体ペースト2a,2b,2c,2dを構成する酸化
銅を銅に還元し、かつ、その銅も焼結させて前記導体ペ
ースト2a,2b,2c,2dと同一形状の導体層4a,4b,4c,4dを有
するセラミック多層基板を製造する。この完成した状態
を第3図に示す。この時、セラミック層の電気絶縁性は
優れ、導体層である銅も良好な導電性を示すセラミック
多層基板が得られた。
実施例2 第1の実施例における酸化銅を酸化ニッケルに代えたペ
ーストにより、各セラミックグリーンシートに所定の回
路パターンを印刷し、これらのグリーンシートを4枚積
層し、空気中で500℃で約2時間焼成を行いグリーンシ
ート中の有機成分を充分に除去した後、水素と窒素を混
合したガス雰囲気で、1000℃で1時間焼成を行い、セラ
ミックを焼結させると共に酸化ニッケルを還元してニッ
ケルとし、このニッケルも焼結させてセラミック多層基
板を製造した。このときセラミック層の電気絶縁性は優
れ、導体層であるニッケルも良好な導電性を示すセラミ
ック多層基板が得られた。
発明の効果 以上のように本発明のセラミック多層基板の製造方法で
は、導体材料の出発原料に卑金属酸化物を使用するため
に脱バインダー工程は空気中で焼成することが出来るの
で、グリーンシート中の有機成分を完全に分解・除去で
き、セラミック多層基板の信頼性を高めることができ
る。また、本焼成では還元雰囲気で焼成するために卑金
属酸化物は還元されて金属となり、卑金属の性質は従来
の貴金属に比べて導電性、マイグレーション性,半田ぬ
れ性に優れ、コストも約1/100〜1/10000と大幅なコスト
ダウンが図れる。もって、高性能,高信頼性かつ非常に
安価なセラミック多層基板を提供できる実用上極めて有
用なものである。
【図面の簡単な説明】
第1図,第2図及び第3図は本発明のセラミック多層基
板の製造方法の一実施例の各工程におけるセラミック基
板を示す断面図である。 1a,1b,1c,1d……セラミックグリーンシート、2a,2b,2c,
2d……導体ペースト、3a,3b,3c,3d……セラミック層、4
a,4b,4c,4d……導体。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数枚のセラミックグリーンシートに、そ
    れぞれ卑金属酸化物を主成分とするペーストにより、所
    定の回路パターンを形成し、前記セラミックグリーンシ
    ートを複数枚積層圧着した後、空気中で焼成を行いセラ
    ミックグリーンシート中の有機成分を除去し、次に、水
    素と窒素を混合したガス雰囲気中で焼成を行い、前記セ
    ラミックグリーンシートのセラミック成分を焼結させる
    と共に卑金属酸化物を還元することにより金属化し、さ
    らにその金属を焼結させることを特徴とするセラミック
    多層基板の製造方法。
  2. 【請求項2】卑金属酸化物が酸化銅であることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載のセラミック多層基板の
    製造方法。
  3. 【請求項3】卑金属酸化物が酸化ニッケルであることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載のセラミック多層
    基板の製造方法。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0728128B2 (ja) * 1988-03-11 1995-03-29 松下電器産業株式会社 セラミック多層配線基板とその製造方法
JP4416080B2 (ja) * 2003-01-29 2010-02-17 富士フイルム株式会社 プリント配線基板形成用インク、プリント配線基板の形成方法及びプリント配線基板

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