JPH08307052A - 高度に伝導性のビアを製造するための方法 - Google Patents
高度に伝導性のビアを製造するための方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 回路基板において、ビア内の銅メッキを制御
するのが困難であった。 【解決手段】 本発明者は、ビア穴の内側のプレートさ
れた金属層の厚さの一様性を、プレーティングの前に、
伝導性ビアを横切って絶縁開口を形成することによって
改善できることを発見した。この新規のビア構成は、プ
レーティングにおける質量移動を改善させる。これら開
口がビア穴近傍の局所溶液のオーム抵抗を低下させるも
のと考えられる。この方法は、多様な広範囲の回路基板
の製造に適用することができる。
するのが困難であった。 【解決手段】 本発明者は、ビア穴の内側のプレートさ
れた金属層の厚さの一様性を、プレーティングの前に、
伝導性ビアを横切って絶縁開口を形成することによって
改善できることを発見した。この新規のビア構成は、プ
レーティングにおける質量移動を改善させる。これら開
口がビア穴近傍の局所溶液のオーム抵抗を低下させるも
のと考えられる。この方法は、多様な広範囲の回路基板
の製造に適用することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は基板、例えば、回路基板
の主表面間のプレート貫通穴ビア(plated through-hol
e vias)を製造するための方法に関する。この方法は、
改善されたプレーティング一様性を有する高度に伝導性
のビアを提供する。
の主表面間のプレート貫通穴ビア(plated through-hol
e vias)を製造するための方法に関する。この方法は、
改善されたプレーティング一様性を有する高度に伝導性
のビアを提供する。
【0002】
【従来の技術】伝導性ビアは、回路基板の重要な要素で
ある。二つのタイプのビア、つまり、充填ビア(filled
vias)とプレート貫通穴ビアが存在する。充填ビアは、
典型的には、同時焼結多層セラミック基板で使用され
る。プレートビアは、通常、単層あるいは多層エポキシ
ガラス回路基板で使用されるが、ただし、これらはセラ
ミック基板に対して使用することもできる。充填ビア
は、二つの表面間に伸びる中の詰まった柱である。プレ
ートビアは、空洞である。本発明は、プレートビアに関
する。
ある。二つのタイプのビア、つまり、充填ビア(filled
vias)とプレート貫通穴ビアが存在する。充填ビアは、
典型的には、同時焼結多層セラミック基板で使用され
る。プレートビアは、通常、単層あるいは多層エポキシ
ガラス回路基板で使用されるが、ただし、これらはセラ
ミック基板に対して使用することもできる。充填ビア
は、二つの表面間に伸びる中の詰まった柱である。プレ
ートビアは、空洞である。本発明は、プレートビアに関
する。
【0003】プレートビアは、電気伝導あるいは熱伝導
のために使用される。電気伝導のためのプレートビア
は、基板の片側上の導線と反対側上の導線との間の電気
的接続、ならびに、多層基板の場合は、内側層の導線へ
の接続を提供する。熱伝導のためのプレートビアは、回
路基板の片側上の要素から生成された熱を、熱の散逸を
向上させるために反対側に伝える。
のために使用される。電気伝導のためのプレートビア
は、基板の片側上の導線と反対側上の導線との間の電気
的接続、ならびに、多層基板の場合は、内側層の導線へ
の接続を提供する。熱伝導のためのプレートビアは、回
路基板の片側上の要素から生成された熱を、熱の散逸を
向上させるために反対側に伝える。
【0004】プレートビアを製造するための現在の処理
方法は:(1)ビアを形成するステップ;(2)ビアの
内側壁表面を伝導性にするステップ、および(3)ビア
を含めて回路基板上に銅を電解メッキするステップから
構成される。
方法は:(1)ビアを形成するステップ;(2)ビアの
内側壁表面を伝導性にするステップ、および(3)ビア
を含めて回路基板上に銅を電解メッキするステップから
構成される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ビアの寸法が回路基板
の寸法と比べてかなり小さなために、ビア内の銅メッキ
は制御が困難であり、厚さの分布がビアに沿って不均一
になる傾向がある。ビア内の銅の厚さの分布の不均一性
は、ただちに、電気伝導ビアおよび熱伝導ビア両者の性
能を劣化させる。従って、向上された伝導性および一様
性を有するビアを製造するための改良されたプロセスに
対する必要性が存在する。
の寸法と比べてかなり小さなために、ビア内の銅メッキ
は制御が困難であり、厚さの分布がビアに沿って不均一
になる傾向がある。ビア内の銅の厚さの分布の不均一性
は、ただちに、電気伝導ビアおよび熱伝導ビア両者の性
能を劣化させる。従って、向上された伝導性および一様
性を有するビアを製造するための改良されたプロセスに
対する必要性が存在する。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者は、ビア穴の内
側のプレートされた金属層の厚さの一様性を、プレーテ
ィングの前に、伝導性ビアにさらにこれを横切る絶縁開
口を形成することによって改善できることを発見した。
この新規のビア構成は、プレーティングにおける質量移
動を改善させる。これら開口がビア穴近傍の局所溶液の
オーム抵抗を低下させるものと考えられる。この方法
は、多様な広範囲の回路基板の製造に適用することがで
きる。
側のプレートされた金属層の厚さの一様性を、プレーテ
ィングの前に、伝導性ビアにさらにこれを横切る絶縁開
口を形成することによって改善できることを発見した。
この新規のビア構成は、プレーティングにおける質量移
動を改善させる。これら開口がビア穴近傍の局所溶液の
オーム抵抗を低下させるものと考えられる。この方法
は、多様な広範囲の回路基板の製造に適用することがで
きる。
【0007】
【発明の実施の形態】図面の説明に入るが、図1に示さ
れるように、ブロックA、つまり、ビア(vias)の製造
における第一のステップは、それを貫通してビア穴が形
成される少なくとも一つのペアの主表面を持つ絶縁基板
を用意することから成る。ビアをセラミック内に形成す
る場合は、初期基板は、一つあるいは複数の層のセラミ
ック材料の未焼結グリーンテープとされる。
れるように、ブロックA、つまり、ビア(vias)の製造
における第一のステップは、それを貫通してビア穴が形
成される少なくとも一つのペアの主表面を持つ絶縁基板
を用意することから成る。ビアをセラミック内に形成す
る場合は、初期基板は、一つあるいは複数の層のセラミ
ック材料の未焼結グリーンテープとされる。
【0008】ブロックB内に示される次のステップは、
基板内にビア穴を形成することから成る。これは、パン
チプレスを使用して従来の方法にて達成することができ
る。図2は、複数のパンチされたビア穴21を持つグリ
ーンテープ基板20の一部を示す。図2に示されるビア
穴は四角であるが、これらは、長方形、円形、あるいは
任意の他の形状を持つことができる。
基板内にビア穴を形成することから成る。これは、パン
チプレスを使用して従来の方法にて達成することができ
る。図2は、複数のパンチされたビア穴21を持つグリ
ーンテープ基板20の一部を示す。図2に示されるビア
穴は四角であるが、これらは、長方形、円形、あるいは
任意の他の形状を持つことができる。
【0009】第三のステップ(図1のブロックC)は、
ビア穴内に伝導材料の薄い連続したコーティングを塗る
ことから成る。ボアコート(borecoat)と呼ばれるこのコ
ーティングは、要求される最終的なビア伝導率を提供す
るためには薄すぎるが、ただし、その後のメッキプロセ
スにおいて有効である。ボアコートを提供するための一
つの好ましい方法は、真空の助けをかりて、金属マスク
を通じて伝導インクをプリントし、各伝導性ビアの垂直
の側壁表面をコーティングする方法である。図3は、ビ
ア21にボアコート22が施された後の基板20を示
す。
ビア穴内に伝導材料の薄い連続したコーティングを塗る
ことから成る。ボアコート(borecoat)と呼ばれるこのコ
ーティングは、要求される最終的なビア伝導率を提供す
るためには薄すぎるが、ただし、その後のメッキプロセ
スにおいて有効である。ボアコートを提供するための一
つの好ましい方法は、真空の助けをかりて、金属マスク
を通じて伝導インクをプリントし、各伝導性ビアの垂直
の側壁表面をコーティングする方法である。図3は、ビ
ア21にボアコート22が施された後の基板20を示
す。
【0010】ブロックD内に示される次のステップは、
基板内に、ボアコートされたビアを横切る開口を形成す
ることから成る。長方形のビアの場合は、これら開口
は、好ましくは、長方形にされ、これら開口が、各テー
プ層内に、開口のエッジが複数のビア穴を横切り、結果
として、複数の伝導性のエッジビアを含むはざま付きの
エッジが形成されるようにパンチされる。この様子が図
4に示されるが、ここでは、開口40がビア穴21を横
切る。丸いビア穴の場合は、開口は、円形あるいは長方
形にされる。
基板内に、ボアコートされたビアを横切る開口を形成す
ることから成る。長方形のビアの場合は、これら開口
は、好ましくは、長方形にされ、これら開口が、各テー
プ層内に、開口のエッジが複数のビア穴を横切り、結果
として、複数の伝導性のエッジビアを含むはざま付きの
エッジが形成されるようにパンチされる。この様子が図
4に示されるが、ここでは、開口40がビア穴21を横
切る。丸いビア穴の場合は、開口は、円形あるいは長方
形にされる。
【0011】好ましくは、この時点で、表面金属化パタ
ーンが塗られる。例えば、伝導性ペーストがテープの一
つあるいはそれ以上の主表面上にスクリーンプリントさ
れる。
ーンが塗られる。例えば、伝導性ペーストがテープの一
つあるいはそれ以上の主表面上にスクリーンプリントさ
れる。
【0012】第五のステップ(図1のブロックE)は、
ボアコートされたビアを導電性の金属にてプレートする
ことから成る。基板がセラミックテープから製造される
場合は、予備ステップとして、テープ層が一緒にラミネ
ートされ、同時加熱金属化領域(co-fired metalized r
egions)を製造するために焼結される。次に、金属、例
えば、銅が金属化領域上に、それらの厚さが一様に増加
されるように、プレートされる。この好ましい実施例に
おいては、伝導性ビアがセラミック基板内に製造される
が、ただし、同一の方法をエポキシガラス印刷回路基板
に使用することも可能である。この場合は、穴と開口の
パンチの代わりに、ドリリングが用いられる。印刷回路
基板をドリリングするための技法は周知であり、Printe
d Circuit Handbook、pp.2.7-2.11、C.F.Coombs、Jr.、ed(M
cGraw Hill,1988) において説明されているのでこれを
参照されたい。
ボアコートされたビアを導電性の金属にてプレートする
ことから成る。基板がセラミックテープから製造される
場合は、予備ステップとして、テープ層が一緒にラミネ
ートされ、同時加熱金属化領域(co-fired metalized r
egions)を製造するために焼結される。次に、金属、例
えば、銅が金属化領域上に、それらの厚さが一様に増加
されるように、プレートされる。この好ましい実施例に
おいては、伝導性ビアがセラミック基板内に製造される
が、ただし、同一の方法をエポキシガラス印刷回路基板
に使用することも可能である。この場合は、穴と開口の
パンチの代わりに、ドリリングが用いられる。印刷回路
基板をドリリングするための技法は周知であり、Printe
d Circuit Handbook、pp.2.7-2.11、C.F.Coombs、Jr.、ed(M
cGraw Hill,1988) において説明されているのでこれを
参照されたい。
【0013】本発明および発明の長所は、以下の具体的
な例を考察することによって一層明白になるものであ
る。
な例を考察することによって一層明白になるものであ
る。
【0014】
例1 図1−4に示されるプロセスを使用して金属化された基
板が製造された。厚さ0.030インチのフェライトグ
リーンテープがSteward Inc.(Chattanooga,TN)から入手
された。図2に示されるのと類似するビア穴パターンが
得られた。つまり、40×40milの正方形のビア穴
が、60milの中心間隔にて、4穴正方形パターンが
得られるようにパンチングされた。真空の助けをかり
て、銀パラジュウムインクが金属マスクを通じてプリン
トされ、各ビア穴の垂直側壁表面がコートされ、ボアコ
ートされたビア(図3)が形成された。次に、開口が各
テープ層内に、それらの開口のエッジが図4に示される
ようにビア穴を横切るような方法にてパンチされ、結果
として、複数の伝導性のエッジビアを含むはざま付きの
エッジが形成された。この開口は、各ビア周辺の約11
%を除去した。次に、銀パラジュウムペーストを使用し
て、最も上側のテープ層の上側と最も下側のテープ層の
下側に表面金属化パターンがスクリーンプリントされ
た。
板が製造された。厚さ0.030インチのフェライトグ
リーンテープがSteward Inc.(Chattanooga,TN)から入手
された。図2に示されるのと類似するビア穴パターンが
得られた。つまり、40×40milの正方形のビア穴
が、60milの中心間隔にて、4穴正方形パターンが
得られるようにパンチングされた。真空の助けをかり
て、銀パラジュウムインクが金属マスクを通じてプリン
トされ、各ビア穴の垂直側壁表面がコートされ、ボアコ
ートされたビア(図3)が形成された。次に、開口が各
テープ層内に、それらの開口のエッジが図4に示される
ようにビア穴を横切るような方法にてパンチされ、結果
として、複数の伝導性のエッジビアを含むはざま付きの
エッジが形成された。この開口は、各ビア周辺の約11
%を除去した。次に、銀パラジュウムペーストを使用し
て、最も上側のテープ層の上側と最も下側のテープ層の
下側に表面金属化パターンがスクリーンプリントされ
た。
【0015】次に、4つのテープ層が一緒にラミネート
され、10時間、1145℃にて焼結され、同時焼結金
属化フェライト基板が製造された。焼結後の厚さは、1
00milであった。焼結収縮後の最終パターンは、3
2×32milビア穴と32mil開口から構成され
た。
され、10時間、1145℃にて焼結され、同時焼結金
属化フェライト基板が製造された。焼結後の厚さは、1
00milであった。焼結収縮後の最終パターンは、3
2×32milビア穴と32mil開口から構成され
た。
【0016】次に、銅がCUPRACID銅メッキ槽にて、Atot
ech(State College,PA) から市販されているCTベーシ
ックレベラー(平坦化剤)を使用して電解メッキされ
た。メッキ槽が、3ml/Lの光沢剤濃度および15m
l/Lのレベラー濃度にて、25℃に保持された。攪拌
には空気多孔分散管が使用され、改良型水平ロッド攪拌
機(Kocour Model A83)を使用して定期的に空気流が反
転された。2.3cm/secの流速と、2秒間の順お
よび逆流サイクルが使用された。メッキ速度は、約1.
6mil/時間とされた。総合厚さ、約4milの銅が
堆積された。
ech(State College,PA) から市販されているCTベーシ
ックレベラー(平坦化剤)を使用して電解メッキされ
た。メッキ槽が、3ml/Lの光沢剤濃度および15m
l/Lのレベラー濃度にて、25℃に保持された。攪拌
には空気多孔分散管が使用され、改良型水平ロッド攪拌
機(Kocour Model A83)を使用して定期的に空気流が反
転された。2.3cm/secの流速と、2秒間の順お
よび逆流サイクルが使用された。メッキ速度は、約1.
6mil/時間とされた。総合厚さ、約4milの銅が
堆積された。
【0017】サンプルが、断面に切断され、上側表面、
下側表面、およびビアの内側の銅の厚さが調べられた。
ビアの内側の銅の厚さは、基板表面の平均の銅の厚さの
約85%から110%の範囲であった。
下側表面、およびビアの内側の銅の厚さが調べられた。
ビアの内側の銅の厚さは、基板表面の平均の銅の厚さの
約85%から110%の範囲であった。
【0018】比較の対象(基準)を得るために、多少小
さなビア穴を持つが、ただし、メッキの前に横切る開口
を形成されなかった第二の類似するサンプルが製造され
た。ビア穴は、焼結後において、30×30milであ
った。ビアの内側の銅の厚さは、基板上の平均の銅の厚
さの55%から90%の範囲であった。従って、開口の
存在は、ビア穴の内側の銅の厚さの分布を大幅に向上さ
せることが示された。ビア厚さプロフィルの一様性の改
善は、熱伝導性および電気伝導性を増加させる。ビアの
内側の銅厚さの分布の改善は、熱伝導性を約75%増加
させる効果があると考えられる。
さなビア穴を持つが、ただし、メッキの前に横切る開口
を形成されなかった第二の類似するサンプルが製造され
た。ビア穴は、焼結後において、30×30milであ
った。ビアの内側の銅の厚さは、基板上の平均の銅の厚
さの55%から90%の範囲であった。従って、開口の
存在は、ビア穴の内側の銅の厚さの分布を大幅に向上さ
せることが示された。ビア厚さプロフィルの一様性の改
善は、熱伝導性および電気伝導性を増加させる。ビアの
内側の銅厚さの分布の改善は、熱伝導性を約75%増加
させる効果があると考えられる。
【図1】基板内にプレートされた貫通穴ビアを製造する
ステップを示すブロック図である。
ステップを示すブロック図である。
【図2】図1のプロセス内の各ステップの際の典型的な
基板を示す。
基板を示す。
【図3】図1のプロセス内の各ステップの際の典型的な
基板を示す。
基板を示す。
【図4】図1のプロセス内の各ステップの際の典型的な
基板を示す。
基板を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヘンリー ホン ロウ アメリカ合衆国 07922 ニュージャーシ ィ,バークレイ ハイツ,グラスマン プ レイス 140 (72)発明者 アパーバ ロイ アメリカ合衆国 75087 テキサス,ロッ クウェル,アメズバリー アヴェニュー 1602 (72)発明者 ジョン トムソン,ジュニヤ アメリカ合衆国 07762 ニュージャーシ ィ,スプリング レイク,ニュー ベッド フォード ロード 2039 (72)発明者 テー−サン ウー アメリカ合衆国 07974 ニュージャーシ ィ,ニュープロヴィデンス,セイレム ロ ード 1
Claims (6)
- 【請求項1】 絶縁基板内に伝導性のビアを製造するた
めの方法であって、この方法が:ペアの主表面を持つ絶
縁基板を用意するステップ;前記基板内の前記主表面間
に複数のビア貫通穴を形成するステップ;前記基板の前
記ビア穴内に伝導材料の第一のコーティングを施すステ
ップ;前記基板内に、前記伝導的にコーティングされた
ビア穴を横切る一つあるいは複数の開口を、結果として
の複合開口の周囲が伝導的にコートされたビア部分と絶
縁部分の両方を含むような方法にて、形成するステッ
プ;および前記伝導的にコーティングされたビア部分に
導体の第二の層をプレートするステップを含むことを特
徴とする方法。 - 【請求項2】 前記基板が焼結セラミックであり、前記
ビア穴と前記開口が焼結の前に、前記セラミックをパン
チングすることによって形成されることを特徴とする請
求項1の方法。 - 【請求項3】 前記基板が印刷回路基板であり、前記ビ
ア穴および開口がドリリングによって製造されることを
特徴とする請求項1の方法。 - 【請求項4】 前記ビア穴が長方形であることを特徴と
する請求項1の方法。 - 【請求項5】 前記ビア穴が長方形であり;前記開口が
長方形であり;少なくとも一つの開口エッジが複数の伝
導性のビアエッジを含むはざま付のエッジが形成される
ような方法で複数のビアを横切ることを特徴とする請求
項1の方法。 - 【請求項6】 前記第二の導体の層が銅であることを特
徴とする請求項1の方法。
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US08/430963 | 1995-04-28 |
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---|---|
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EP (1) | EP0740496B1 (ja) |
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TW444236B (en) | 1998-12-17 | 2001-07-01 | Charles Wen Chyang Lin | Bumpless flip chip assembly with strips and via-fill |
SG78324A1 (en) | 1998-12-17 | 2001-02-20 | Eriston Technologies Pte Ltd | Bumpless flip chip assembly with strips-in-via and plating |
SG82591A1 (en) | 1998-12-17 | 2001-08-21 | Eriston Technologies Pte Ltd | Bumpless flip chip assembly with solder via |
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US6402970B1 (en) | 2000-08-22 | 2002-06-11 | Charles W. C. Lin | Method of making a support circuit for a semiconductor chip assembly |
US6551861B1 (en) | 2000-08-22 | 2003-04-22 | Charles W. C. Lin | Method of making a semiconductor chip assembly by joining the chip to a support circuit with an adhesive |
US6403460B1 (en) | 2000-08-22 | 2002-06-11 | Charles W. C. Lin | Method of making a semiconductor chip assembly |
US6511865B1 (en) | 2000-09-20 | 2003-01-28 | Charles W. C. Lin | Method for forming a ball bond connection joint on a conductive trace and conductive pad in a semiconductor chip assembly |
US6350632B1 (en) | 2000-09-20 | 2002-02-26 | Charles W. C. Lin | Semiconductor chip assembly with ball bond connection joint |
US6350386B1 (en) | 2000-09-20 | 2002-02-26 | Charles W. C. Lin | Method of making a support circuit with a tapered through-hole for a semiconductor chip assembly |
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US6740576B1 (en) | 2000-10-13 | 2004-05-25 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of making a contact terminal with a plated metal peripheral sidewall portion for a semiconductor chip assembly |
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A02 | Decision of refusal |
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